DE1106873B - Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

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DE1106873B
DE1106873B DEN15429A DEN0015429A DE1106873B DE 1106873 B DE1106873 B DE 1106873B DE N15429 A DEN15429 A DE N15429A DE N0015429 A DEN0015429 A DE N0015429A DE 1106873 B DE1106873 B DE 1106873B
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electrode material
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punches
electrode
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DEN15429A
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English (en)
Inventor
Joseph Jules Jacques Fastre
Thierry Jean Paul Neuhys
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description

DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, wie z.B. eines Transistors, einer Photodiode oder einer Kristalldiode, bei dem das Elektrodenmaterial auf einen halbleitenden Körper aufgeschmolzen und dieses Material mittels einer Legierform an Ort und Stelle gehalten wird.
Eine solche Legierform hat eine oder mehrere Bohrungen, in welche das Elektrodenmaterial, meist ein Metall oder eine Legierung, in Form eines Kügelchens eingeführt und aufgeschmolzen wird, wobei es gegebenenfalls noch mittels eines Stempels angedrückt werden kann.
Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß das jeweils cinzulegierende Elektrodenmaterial oft so wenig ist, daß sich die Kügelchen schwierig handhaben lassen.
Ferner kann, wenn eine Form auf der ganzen Oberfläche des halbleitenden Körpers aufliegt, leicht ein Raum zwischen dem Rand der Bohrung und dem halbleitenden Körper bleiben, in den das Elektrodenmaterial eindringen kann.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung werden die vorerwähnten Nachteile vermieden.
Bei einem Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, bei dem das Elektrodenmaterial mittels einer Legierform an Ort und Stelle gehalten wird, wird gemäß der Erfindung eine Legierform mit wenigstens einem herausnehmbaren Locheisen verwendet, und es wird das Elektrodenmaterial in das Ende des herausgenommenen Locheisens gedruckt, zusammen mit diesem Locheisen in dieLegierform bis zur Berührung mit dem halbleitenden Körper gebracht und dann aufgeschmolzen.
Es ist bereits bekannt, das Ausfließen des Elektrodenmaterials mittels eines keramischen Röhrchens zu verhüten, das rings um die aufzuschmelzende Legierung angeordnet wurde.
Auch ist es bekannt, ein über seine ganze Länge mit Elektrodenmaterial gefülltes Metallröhrchen auf einen halbleitenden Körper aufzuschmelzen.
Gegenüber diesen bekannten Verfahren hat das Verfahren nach der Erfindung den Vorteil, daß die Menge des aufzuschmelzenden Materials sehr genau bemessen werden kann, wie aus folgendem hervorgeht.
Das Material, aus dem die Locheisen hergestellt sind, kann im allgemeinen das gleiche wie das zur Herstellung der Legierformen verwendete sein. Zweckmäßig werden sie aus Stahl, z. B. aus nichtrostendem Stahl, hergestellt, wie an sich aus der britischen Patentschrift 751 143 bekannt ist, insbesondere aus Chromeisen.
Aus diesen Werkstoffen bestehende Locheisen können mit einem hohen Genauigkeitsgrad hergestellt werden; sie sind verschleißfest und können sehr genau Legierungsverfahren zur Herstellung
einer Halbleiteranordnung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Belgien vom 1. August 1957
Joseph Jules Jacques Fastre
und Thierry Jean Paul Neuhuys, Brüssel,
sind als Erfinder genannt worden
in die gewünschte Lage gegenüber dem halbleitenden
a5 Körper gebracht werden.
Im allgemeinen bestehen die Locheisen für diesen Zweck aus einem Röhrchen, das an einem Ende an der Außenseite schiefwinklig abgeschliffen ist, so daß ein scharfer Rand entsteht.
Das Elektrodenmaterial wird im allgemeinen dadurch in das Locheisen gebracht, daß letzteres durch eine dünne Platte oder Schicht aus diesem Material hindurchgedrückt wird. Die Menge hängt dann ausschließlich von der Dicke dieser Platte und demDurchmesser des Locheisens ab. Diese Werte können sehr genau festgelegt werden. Ferner können dieLocheisen, insbesondere wenn sie aus sprödem, z. B. keramischem Material bestehen, einen flachen Rand haben. Das Elektrodenmaterial kann dann dadurch ausgestanzt werden, daß es auf einem kugelförmigen Träger angeordnet wird.
Das obere Ende des Locheisens kann, braucht jedoch nicht offen zu sein. Im erstgenannten Fall kann vor dem Aufschmelzen des Elektrodenmaterials oder wäh-
4S rend dieses Vorgangs ein Draht in das Locheisen eingeführt werden, der dann im gleichen Arbeitsgang an diesem Material festschmilzt. Das schwierige Festschmelzen des Elektrodendrahtes an den bereits erstarrten Elektroden erübrigt sich infolgedessen.
Das Verfahren nach der Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 ist ein Schnitt durch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung;
109 607/333
Fig. 2 und 3 zeigen, wie die Locheisen gefüllt werden;
Fig. 4 bis 6, 8 und 9 zeigen Abwandlungen der Vorrichtung, ebenfalls im Schnitt;
Fig. 7 ist ein Schnitt längs der Linie VII-VII von Fig. 6;
Fig. 10 und 11 zeigen, wie ein Elektrodendraht angeschmolzen wird.
Die Vorrichtung nach Fig. 1 besteht aus einer Platte 1, die zweckmäßig aus nichtrostendem Stahl, wie z. B. Chromeisen mit 25% Chrom besteht, die an ihrer Oberfläche oxydiert ist und eine Anzahl Bohrungen besitzt, die einen engen Teil 2 und einen erweiterten Teil 3 aufweisen. In eine solche Bohrung kann ein halbleitender Körper 4, z. B. eine Germaniumscheibe, eingedrückt werden, der mittels eines aus der gleichen Stahlart bestehenden Stempels 5 festgehalten wird. Für jeden halbleitenden Körper sind zwei aus nichtrostendem Stahl bestehende Locheisen 6 und 7 vorgesehen, von denen das erstgenannte infolge seines Eigengewichtes auf dem halbleitenden Körper ruht, das zweite mittels einer Feder 8 dagegengedrückt wird. In die Enden der Locheisen ist das Elektrodenmaterial 9, z. B. Indium, eingeführt, was auf einfache Weise nach Fig. 2 dadurch erfolgen kann, daß ein solches Locheisen in eine auf einer Unterlage liegende Platte 12 aus diesem Material eingedrückt wird. Das Material 9 bleibt danach im Locheisen festgeklemmt. Die Locheisen bestehen in üblicher Weise aus einem an der Außenseite schiefwinklig abgeschliffenen Röhrchen. Wenn das Material der Locheisen so spröde ist, daß es sich schwierig mit einem scharfen Rand von hinreichender Festigkeit versehen läßt, ist es möglich, ein Locheisen 10 mit flacher Unterseite nach Fig. 3 zu verwenden. Um ein solches Locheisen mit Elektrodenmaterial zu füllen, kann ein kugelförmiger Träger 13 benutzt werden, auf den eine Elektrodenmaterialplatte aufgepreßt ist.
Die Platte 1 wird anschließend, nachdem die halbleitenden Körper und die Locheisen an Ort und Stelle gebracht worden sind, zum Einlegieren der Elektroden in einen Ofen gebracht.
Natürlich kann auf ähnliche Weise nur eine einzige Elektrode oder es können auch mehrere Elektroden aufgeschmolzen werden.
Wenn es sich um zwei nebeneinanderliegende Elektroden handelt, braucht nur die Platte 1 oder der Stempel 5 mit den benötigten Bohrungen versehen zu werden. Letzteres ist in Fig. 4 veranschaulicht. In der Platte 1 ist wieder eine Bohrung vorgesehen, in der die halbleitende Platte 4 untergebracht ist. Auf diese Platte drückt ein Stempel 15 mit zwei Bohrungen 16, in denen sich die Locheisen 17 befinden; im unteren Ende derselben befindet sich eine geringe Menge Elektrodenmaterial 9. Im übrigen ist diese Konstruktion eine Abwandlung der nach Fig. 1, die darin besteht, daß die Bohrung der Platte 1 einen konstanten Durchmesser hat und daß das untere Locheisen 18 einen Rand besitzt, auf dem eine Hülse 19 ruht, welche die halbleitende Scheibe 4 hält.
Bei dieser Konstruktion ist es schwierig, den Elektrodenabstand sehr klein zu machen. Für diesen Fall ist ein Locheisen 20 mit zwei Bohrungen 21 nach Fig. 5 vorgesehen. Die beiden Bohrungen besitzen an der Unterseite einen scharfen Rand, so daß zwischen diesen Rändern eine Höhlung 22 gebildet wird. Wenn ein solches Locheisen in eine Elektrodenmaterialplatte eingedrückt wird, wird auch diese Höhlung eine gewisse Menge dieses Materials aufnehmen, die mittels eines Auswerfers 23 entfernt werden kann.
Diese Bohrungen können mit verschiedenen Werkstoffen gefüllt werden, so daß ζ. B. eine Emitter- und eine Kollektorelektrode zugleich aufgeschmolzen werden können. Ferner können auch mehr als zwei Bohrungen in einem einzigen Locheisen angebracht werden.
Um die Elektroden dicht nebeneinander anzubringen, können die Locheisen auch mit einer flachen Seite versehen und nach Fig. 6 zusammen in dem Stempel 5 angeordnet werden. Die Locheisen 26 und 27 haben einen halbkreisförmigen Querschnitt entsprechend Fig. 7 und füllen die Öffnung 31 des Stempels 5. Die Bohrungen 28 und 29 liegen dicht an der Trennfläche 30. So können auch mehr als zwei Elektroden neben-
1S einander aufgeschmolzen werden. Dieses Verfahren hat den zusätzlichen Vorteil, daß der Rand eines jeden Locheisens 26, 27 sich sehr genau an den halbleitenden Körper 4 anschließt.
In gleicher Weise ist es möglich, konzentrische Elektroden aufzuschmelzen. Zu diesem Zweck können die in den Fig. 8 und 9 dargestellten Locheisen benutzt werden, nämlich ein verhältnismäßig weites Locheisen 40, in welches ein etwas kleineres Locheisen 41 eingeführt worden ist. Hiermit wird aus einer Elektrodenmaterialplatte 12 ein Ring 42 gestanzt, der, nachdem das Locheisen 41 entfernt worden ist, im Locheisen 40 festgeklemmt bleibt. An Stelle des Locheisens 41 wird dann ein Locheisen 43 (Fig. 9) mit einem leicht abgeplatteten Ende 44 verwendet. Dieses enthält Elektro-
denmaterial 45, das von dem Material 32 verschieden sein kann. Das in Fig. 9 dargestellte Ganze kann an Stelle des Locheisens 6 oder 7 in die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung eingeführt werden.
Meistens werden die Anschlußdrähte mit den Elektroden verbunden, nachdem das eigentliche Aufschmelzen der Elektroden erfolgt ist. Dieses Verfahren ist schwer ausführbar, weil die Elektroden klein bemessen sind und das Ausfließen der Elektrode außerhalb ihrer ursprünglichen Begrenzung verhütet werden muß. Diese Nachteile werden dadurch vermieden, daß die Elektrodendrähte vor dem Aufschmelzen in die Locheisen entsprechend Fig. 10 eingeführt werden. Die dargestellte Einrichtung entspricht im wesentlichen der nach Fig. 1. In der Bohrung der Locheisen 6, 7 sind jeweils dünne Elektrodendrähte 50, 51, z. B. aus Gold, angeordnet. Die Feder 8 ist mit einer Öffnung 52 versehen, und der Draht 51 wird mittels einer Feder 53 gehalten.
Oft ist die letztgenannte Feder überflüssig; wenn nämlich der Draht 51 hinreichend leicht ist, läßt sich dieser vorläufig an dem Elektrodenmaterial 9 festschmelzen, wobei dann die Legierungsform umgekehrt wird, so daß sich das Locheisen 7 an der oberen Seite befindet. Wird anschließend die Legierungsform umgekehrt und das Aufschmelzen der beiden Elektroden vollzogen, so vermag die Oberflächenspannung des geschmolzenen Materials den Draht 51 festzuhalten. Gegebenenfalls ist es auch möglich, diesen Draht nach dem Stanzen, aber vor der Einführung des Locheisens in dieLegierungsform, am Material 9 festzuschmelzen. Zu diesem Zweck wird das Locheisen z. B. auf einer Graphitplatte 55 angeordnet und erhitzt, bis der Draht festschmilzt (Fig. 11).

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, bei dem das Elektrodenmaterial mittels einer Legierform an Ort und Stelle gehalten wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Legierform mit wenigstens einem heraus-
nehmbaren Locheisen verwendet wird und daß das Elektrodenmaterial in das Ende des herausgenommenen Locheisens eingedrückt, zusammen mit diesem Locheisen in die Legierform bis zur Berührung mit dem halbleitenden Körper gebracht und dann aufgeschmolzen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere Locheisen aus Stahl, z. B. aus Chromeisenstahl, verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere Locheisen aus keramischem Material, z. B. aus Alundum, verwendet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das (die) Locheisen dadurch gefüllt wird (werden), daß es (sie) in eine Platte aus Elektrodenmaterial eingedrückt wird (werden).
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine auf einem kugelförmigen Träger angeordnete Platte verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Locheisen mit zwei oder mehr Bohrungen verwendet wird, in welche Elektrodenmaterialmengen mit verschiedenen Eigenschaften eingeführt werden können.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehr Locheisen verwendet werden, die eine Öffnung der Legierungsform füllen.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufschmelzen ein Elektrodendraht in ein Locheisen eingeführt wird, das am Elektrodenmaterial festgeschmolzen wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 006 977.
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1 027 322.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 607/333 5.
DEN15429A 1957-08-01 1958-07-29 Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung Pending DE1106873B (de)

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GB (1) GB883207A (de)
NL (2) NL110438C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1175364B (de) * 1961-10-24 1964-08-06 Telefunken Patent Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1180852B (de) * 1961-10-09 1964-11-05 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-UEbergang

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1001517A (en) * 1961-09-12 1965-08-18 Mullard Ltd Improvements in and relating to jigs for alloying material to semiconductor bodies
GB1449212A (en) * 1973-11-24 1976-09-15 Ferranti Ltd Manufacture of supports for semiconductor devices
USD985030S1 (en) * 2020-11-19 2023-05-02 Hyperion Materials & Technologies, Inc. Punch nose

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006977B (de) * 1954-06-29 1957-04-25 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Inversionsschicht

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1048842A (en) * 1909-05-14 1912-12-31 United Shoe Machinery Ab Device for cutting and ornamenting sheet material.
US2332595A (en) * 1943-02-19 1943-10-26 Paquette Herman Combined doughnut and biscuit cutter
US2545237A (en) * 1946-01-16 1951-03-13 Maby Per Gunnar Punching tool
US2739369A (en) * 1952-03-28 1956-03-27 Metals & Controls Corp Method of making electrical contacts
NL100884C (de) * 1953-05-28 1900-01-01
NL199836A (de) * 1954-08-23 1900-01-01

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1006977B (de) * 1954-06-29 1957-04-25 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Inversionsschicht

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1180852B (de) * 1961-10-09 1964-11-05 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-UEbergang
DE1175364B (de) * 1961-10-24 1964-08-06 Telefunken Patent Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen

Also Published As

Publication number Publication date
NL229943A (de)
US3032862A (en) 1962-05-08
GB883207A (en) 1961-11-29
FR1207109A (fr) 1960-02-15
BE559757A (de)
NL110438C (de)

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