AT228840B - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Description

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  Halbleitervorrichtung 
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 in mindestens einer der Lotschichten zwischen dem Grundkörper der in der Halbleitervorrichtung enthal- tenen Halbleiteranordnung und den   Stromzuführungen   ein einen bestimmten vorgegebenen Abstand   er"   zwingendes Zwischenstück oder Zwischenstücke vorgesehen sind. Die Massnahme zur Erzielung von iso- lierenden Schichten gleicher Schichtdicke, die bei Halbleitervorrichtungen vorgesehen sind, in die iso-   lerende   Schicht gleichfalls isolierende Zwischenstücke einzubringen, ist bekannt. 



   Besonders vorteilhaft ist die Ausbildung einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung, bei der in der Lotschicht zwischen dem Grundkörper der in der Halbleitervorrichtung enthaltenen Halbleiteranord- nung und dem als Stromzuführung dienenden Träger ein Zwischenstück oder   Zwischenstücke   vorgesehen sind. 



   Vorzugsweise besteht das Zwischenstück oder die Zwischenstücke aus einem Stoff, der sich nicht oder nur unwesentlich in dem verwendeten Lot löst, da eine Auflösung der Zwischenstücke ihre geome- trischen Abmessungen und die mechanischen Eigenschaften des Lotes verändern würde. 



   Besonders gut eignen sich Molybdän, Eisen, Silicium, Germanium oder keramische Werkstoffe. 



   Zweckmässig ist der thermische Ausdehnungskoeffizient des für die Zwischenstücke verwendeten Stoffes dem des aufgelöteten Grundkörpers der Halbleiteranordnung mindestens annähernd gleich. Dadurch wird vermieden, dass das Zwischenstück oder die Zwischenstücke selbst thermische Spannungen unerwünschter
Grösse in der Lotschicht hervorrufen. 



   Eine besonders einfach herzustellende Form der Zwischenstücke nach der Erfindung besteht darin, dass das   Zwischenstück   oder die Zwischenstücke als Teil der Stromzuführungen ausgebildet sind, vorzugs- weise sind das Zwischenstück oder die Zwischenstücke als Teil der Stromzuführungen durch Kaltverfor- mung geformt. 



   Bestehen die Stromzuführungen aus einem Stoff, der sich in dem verwendeten Lot zu stark löst, so werden die Stromzuführungen mindestens an der Stelle, an der der Halbleitergrundkörper aufgelöst wer- den soll, mit einer Schicht eines Materials bedeckt, das sich in dem verwendeten Lot nicht oder nur un- wesentlich löst. 



   Die Erfindung wird an Beispielen von Ausführungsformen an Hand der Zeichnungen näher erläutert. 



   Fig. 1 zeigt eine Leistungsdiode im Schnitt. Fig. 2 zeigt die Einzelheiten von Halbleiteranordnung, Lotschicht und Träger der Fig. 1 in Draufsicht und Fig. 3 zeigt die gleichen Einzelheiten im Schnitt 3-3 der Fig. 2. In Fig. 4 ist eine andere Ausführungsform des Zwischenstückes in Draufsicht und in Fig. 5 im Schnitt 5-5 der Fig. 4 dargestellt. Fig. 6 zeigt eine weitere   Ausführungsform   des Zwischenstückes in Draufsicht und Fig. 7 im Schnitt 7-7 der Fig. 6. Fig. 8 zeigt eine Ausführungsform der Zwischenstücke in Draufsicht. Fig. 9 stellt das Gehäuse einer Leistungsdiode im Schnitt 9-9 der in Fig. 10 gezeichneten Draufsicht dar. Eine weitere Ausführungsform zeigen die Fig. 11 im Schnitt 11-11 der Fig. 12 (Drauf-   sicht)..   Die Fig. 13 und 14 stellen ein Werkzeug in Draufsicht (Fig. 13) und Seitenansicht (Fig. 14) dar. 



  Fig. 15 zeigt eine Leistungsdiode im Schnitt. 



   Die Figuren sind nicht massstäblich, insbesondere ist die Dicke der Lotschicht übertrieben   gross''ge-   zeichnet, um Einzelheiten deutlicher erkennbar zu machen. 



   Fig. 1 zeigt im Querschnitt eine Leistungsdióde. Sie besteht aus einem Träger   1,   an dem eine Be-   festigungsschraube2   vorgesehen ist. Auf diesem Träger 1 ist die Halbleiteranordnung 4, die in der Fig. 1 als Diode mit dem Halbleitergrundkörper 6 und dem gleichrichtenden Kontakt 8 dargestellt ist, mit Hilfe der Lotschicht 10, in der sich als Zwischenstücke Kugeln 12 befinden, befestigt. Von dem Kontakt 8 führt ein Anschlussdraht 13, von der Hülle 14 der Halbleitervorrichtung durch den Glasfluss 15 isoliert nach aussen. 



   Die Fig. 2 und 3 zeigen in   vergrössertem   Massstab die Einzelheiten von Träger   l,   Lotschicht 10 und Halbleitergrundkörper 6. Wie die Draufsicht (Fig. 2) zeigt, sind die Kugeln, die beispielsweise aus Stahl bestehen, unregelmässig in der Lotschicht verteilt. Die Kugeln können z. B. so in die Lotschicht eingebracht werden, dass nach Erwärmung des Lotes bis zur Verflüssigung die Kugeln in das flüssige Lot gelegt werden, sodann der Halbleitergrundkörper aufgelegt und gegen den Boden gedrückt wird, wobei die Kugeln die Rolle der Zwischenstücke übernehmen und sodann das Lot abgekühlt wird.

   Sofern nur genügend viele Kugeln 12 in unregelmässiger Anordnung in dem Lot vorhanden sind, wird auf diese Weise der Halbleitergrundkörper 6 in einem überall gleichen, dem Durchmesser der Kugeln entsprechenden Abstand vom Träger 1 gehalten. 



   Die Fig. 4 und 5 zeigen eine weitere vorteilhafte Ausführungsform des Zwischenstückes, das in diesem Falle aus einem ringförmig gebogenen Stück Molybdändraht 16 besteht, der zur grösseren Deutlichkeit übertrieben dick gezeichnet ist. Molybdändraht kann   z. B.   dadurch in die Lotschicht eingebracht 

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Claims (1)

1. ;PATENTANSPRÜCHE : 1. Halbleitervorrichtung mit eingelöteter Halbleiteranordnung, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einer der Lotschichten (10) zwischen dem Grundkörper (6), der in der Halbleitervorrichtung enthaltenen Halbleiteranordnung (4) und den Stromzuführungen (1, 28) ein einen bestimmten vorgegebenen Abstand erzwingendes Zwischenstück (16, 17) oder Zwischenstücke (12, 19, 21,23) vorgesehen sind.

   2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück (16,17) oder die Zwischenstücke (12, 19, 21, 23) aus Molybdän, Eisen, Silicium, Germanium oder keramischem Werkstoff besteht bzw. bestehen.

   3. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück oder die Zwischenstücke aus einem ringförmig gebogenen Molybdändraht (16) besteht bzw. bestehen.

   4. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischendrähte (19) aus einzelnen in das Lot eingebrachten Drahtstücken bestehen.

   5. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück (17) oder die Zwischenstücke (19) an die Stromzuführungen (1, 28) angeschweisst sind.

   6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück oder die Zwischenstücke (21,23) als Teil der Stromzuführungen (1, 28) ausgebildet sind.

   7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück oder die Zwischenstücke (21,23) als Teil des Trägers (1) ausgebildet sind.

   8. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenstück oder die Zwischenstücke (23) als Teil der Stromzuführungen (1, 28) durch Kaltverformung geformt sind.