DE3147789A1 - Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung

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DE3147789A1 DE19813147789 DE3147789A DE3147789A1 DE 3147789 A1 DE3147789 A1 DE 3147789A1 DE 19813147789 DE19813147789 DE 19813147789 DE 3147789 A DE3147789 A DE 3147789A DE 3147789 A1 DE3147789 A1 DE 3147789A1
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Description

  • Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungsmodul gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungsmoduls.
  • Ein solches Leistungsmodul ist bekannt aus den BBC-Nachrichten 1978, Heft 5, Seiten 200 bis 206. Das Leistungsmodul besitzt einen potentialfreien Metallboden zur Abführung der während des Betriebes entstehenden Verlustleistungswärme. Das Leistungsmodul ist dabei mittels einer Spannvorrichtung unter Aufwendung mechanischen Drucks auf einen Kühler gepreßt. Die Keramik des Verbundsystems ist dadurch bruchgefährdet.
  • Bei hohen Dauergrenzströmen besitzt dieser isolierte Aufbau Probleme, hervorgerufen durch den erhöhten Wärmewiderstand der Isolierschicht und den Wärmeübergangswiderstand zwischen dem Metallboden und dem eigentlichen Kühlkörper.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Leistungs- modul der eingangs genannten Art zu schaffen, das gleichzeitig eine gute Potentialtrennung und eine gute Wärmeableitfähigkeit gewährleistet.
  • Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst.
  • Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile liegen insbesondere darin, daß das Metall-Keramik-Verbundsystem des Leistungsmoduls bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen hergestellt-werden kann, was materialschonend ist und Temperaturspannungen bzw. die dadurch bedingten Verformungen und Durchbiegungen weitestgehend verhindert.
  • Das Verbundsystem besitzt eine hohe Wechsellastbeständigkeit, gute Wärmeleitung und mechanische Festigkeit.
  • Ferner sind keine mechanischen Spannvorrichtungen nötig, d.h. es besteht keine Bruchgefahr der Keramikplatte.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur Herstellung des Leistungsmoduls sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen erläutert.
  • Es zeigen: Fig. ia,b den prinzipiellen Aufbau des erfindungsgemäßen Metall-Keramik-Verbundsystems, Fig. 2 ein insbesondere für Halbleiterblocktechnik geeignetes Verbundsystem, Fig. 3,4,5 mehrere insbesondere für Schichttechnik und Hybridtechnik geeignete Verbundsysteme.
  • In Fig. ia ist der prinzipielle Aufbau des erfindungsgemäßen Metall-Keramik-Verbundsystems dargestellt. In der einfachsten Ausführung besteht das Verbundsystem aus einer Keramikplatte 1 aus Aluminiumoxid, die ein- oder beidseitig miit Metallplatten 2, 2' aus Aluminium gebondet ist. Anstelle von Aluminium können andere reaktive Metalle wie Titan, Zirkon, Niob, Cer, Nickel, Mangan, Wolfram oder Molybdän für den Bondprozeß verwendet werden, allerdings auf Kosten wesentlich höherer Prozeßtemperaturen gegenüber Aluminium Wenn besonders hohe Wärmeleitung gefordert ist, wird die Keramikplatte 1 vorteilhaft durch Berylliumoxid realisiert. Steht hingegen die hohe Dielektrizitätskonstante (Bildung von Kondensatoren in der Microelektronik) zur Diskussion, so kann die Keramikplatte 1 vorteilhaft aus Titanaten (z.B.
  • BaTiO3) erstellt werden.
  • Das Metall-Keramik-Verbundsystem wird einem Fügeprozeß, dem sogenannten Bondverfahren, unter Einwirkung mechanischen Drucks und hoher Temperatur in einer Schutzgasatmosphäre unterworfen. Bei Verwendung einer Aluminium-Metallplatte 2 ist ein Druck von etwa 200 kp/cm2 und eine Temperatur von etwa 6000C erforderlich. Durch den aufzubringenden Druck wird die Oxidhaut an der Oberfläche der Aluminium-Metallplatte 2 infolge der Oberflächenrauhigkeiten der Keramikplatte 1 zerrissen und reines, infolge der aufzubringenden Temperatur plastisches Al (Fließgrenze) wird in die Oberflächenrauhigkeiten der Keramikplatte 1 gepresst. Das reine Al geht an der Grenzschicht zwischen Metallplatte 2 und Keramikplatte 1 eine chemische Bindung mit der Keramik (Al203) ein, indem die Elektronenorbitale des Aluminiummetalls mit den Orbitalen des Al203 überlappen und zu bindenden Hybrid-Orbitalen führen.
  • Der aufzubringende mechanische Druck und die dabei notwendige Temperatur können in gewissen Grenzen variiert werden, d.h. bei vergrößertem Druck kann die Temperatur verkleinert werden und bei verringertem Druck muß die Temperatur erhöht werden. Wichtig ist vor allem, daß das Metall der Platte 2 an der Grenzschicht zur Keramikplatte 1 teigig, d.h. plastisch wird und so mit der Keramikplatte 1 in engen mechanischen Kontakt treten kann.
  • Die beim Bondprozeß zustandekommenden chemischen Bindungen zwischen Metallplatte 2 und Keramikplatte 1 gewährleisten eine gute Wärmeleitung, Spannungsfestigkeit und mechanische Stabilität bei hoher Temperaturwechselbeanspruchung.
  • Das Al-Al2O3#Verbundsystem stellt einen Idealfall dar, da Reinstaluminium auch nach dem Fügen keine Versprödung durch Legierungsbildung erfährt und die Fügetemperatur bei ca. 6000C im Vergleich zu anderen Metallen niedrig, für nachzuschaltende Lötvorgänge jedoch genügend hoch liegt, um eine hohe Wechsellastbeständigkeit zu garantieren.
  • Eine gute Potentialtrennung ergibt sich durch entsprechend starke Ausbildung der Keramikplatte 1.
  • Die Keramikplatte 1 kann dabei im vorgesinterten oder im gebrannten Zustand verwendet werden.
  • Die Metallplatte 2 und die Keramikplatte 1 können vorgeformt und/oder struktuiert sein, d.h. Leiterbahnen, Kontaktierungsflächen, Aussparungen, Kühlrippen oder Kühldosen kennen teilweise oder voll ausgebildet sein. Die Metallplatte 2 kann jedoch auch nach dem Fügeprozeß geätzt oder photolitographisch strukturiert werden. Die Metallplatte 2 kann nach dem Fügen darüberhinaus mittels bekannter Beschichtungsverfahren oberflächenbeschichtet werden. Durch Aufbringen einer lot- oder bondfähigen Schicht 3 werden die Metallteile z.B. lot- oder bondfähig. Das Aufbringen der lot- oder bondfähigen Schicht 3 erfolgt vorzugsweise mit Hilfe des Kathodenzerstäubung-Verfahrens (siehe z.B. Schade, "Halbleitertechnologie", Band 1, VEB-Verlag Technik, Berlin, 1981, Seiten 187 bis 189). Durch den Ionenbeschuß beim Kathodenzerstäubung-Verfahren wird vorteilhaft eine auf der Metallplatte 2 sich befindende Oxidschicht zerstört.
  • Ferner kann ebenfalls zur Verbesserung der Lötfähigkeit eine Schicht 3 aus Kupfer, Gold etc. galvanisch auf die Metallplatte 2 aufgebracht werden.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform eines Metall-Keramik-Verbundsystems gemäß Fig. lb kann zur Verbesserung des Stromleitvermögens oder zur Integration in komplizierteren Montageformen ein Mehrfach-Metall-Keramikverbundsystem gebildet werden. Ausgehend von dem beschriebenen Aluminium/Aluminiumoxid/Aluminium-Verbund können weitere Metalle wie Kupfer, Molybdän und dergleichen entweder verlötet oder gebondet werden. Die Lötung kann nach entsprechender Präparation der Aluminiumoberfläche (Galvanik, Sputtern) mittels Hart- oder Weichlot erfolgen.
  • Zum andern lassen sich andere Metalle als Aluminium, also Stahl, Kupfer, Molybdän etc. unter Zwischenschaltung einer dünnen Bondfolie aus Aluminium unmittelbar ein- oder beidseitig mit der Keramik 1 bonden.
  • Wenn wie im Falle des Systems Kupfer-Aluminium ein Eutektikum mit einer Schmelztemperatur unter derjenigen des reinen Aluminiums zur Debatte steht, so kann die Bondung bei Temperaturen unterhalb der Schmelztemperatur des Al-Cu-Eutektikums erfolgen. Notfalls kann der Bondprozeß in zwei Schritten erfolgen, wobei zunächst die Al-Al203-Fügung bei einer Temperatur T1 durchgeführt und anschließend die Al-Cu-Fügung bei einer Temperatur T2 C Tl vorgenommen wird.
  • Bei der Ausführungsform des Metall-Keramik-Verbundsystems gemäß Fig. Ib ergibt sich also folgende Schichtfolge: Massive Metallplatte 4 aus Cu als Wärmeableitplatte - dünne, folienartige Metallplatte 2 aus Al -Keramikplatte 1 - dünne, folienartige Metallplatte 2' aus Al - massive Metallplatte 4' aus Cu oder Mo als Leiterbahn oder Montagefläche für Halbeiterbauelemente -löt- bzw. bondfähige Schicht 3'.
  • Das so vorbereitete Metall-Keramik-Verbundsystem ist dadurch für das Auflöten bzw. Bonden von Halbleiterbauelementen 7 in Monoblocktechnik, Dick- oder Dünnschichttechnik und Hybridtechnik geeignet.
  • Die Keramikplatte 1 kann, wie bereits erwähnt, einseitig oder beidseitig mit einer oder mehreren Metallplatte(n) 2 versehen werden. Die in Fig. la dargestellte Ausführungsform eines Metall-Keramik-Verbundsystems besitzt z.B. eine Metallplatte 2 auf der Unterseite sowie eine strukturierte Metallplatten 2' mit geeigneten Lot-Schichten 3' auf der Oberseite (Dreifach-Schichtfolge). Desweiteren sind Mehrlagen-Strukturen (Multilayer, siehe z.B. H. Müller, Konstruktive Gestaltung und Fertigung in der Elektronik", Band 1, Vieweg & Sohn, Braunschweig/Wiesbaden, 1981, Seite 210 bis 211), d.h.
  • Verbundsysteme mit mehr als zwei Leiterebenen (Metallplatten) ausführbar.
  • Bei den Mehrlagen-Verbundsystemem sind also mehrere Keramikplatten 1 mit Metallplatten 2 abwechselnd verlötet. Das Fügen erfolgt gleichzeitig während eines einzigen Prozesses, die Metallplatten und Keramikplatten sind hierzu wie beschrieben entsprechend vorbereitet.
  • Die Metallplatten und Keramikplatten können jeweils unterschiedlich dick sein, beispielsweise kann eine der Metallplatten als Stromführungsbahn und Montagefläche für Halbleiterbauelemente und die andere Metallplatte als Kühlkörper ausgebildet sein. Die als Kühlkörper dienende Metallplatte ist dann entsprechend stärker als die als Stromführungsbahn dienende Metallplatte ausgebildet.
  • Bei einer derartigen Mehrlagenstruktur ergibt sich eine hohe Packungsdichte und ein besonders hohes Wärmeableitvermögen, da keinerlei Wärmeübergangswiderstände in Folge rein mechanischer Berührungsflächen auftreten.
  • Auch ist keine mechanische Spannvorrichtung erforderlich.
  • In Fig. 2 ist ein insbesondere für Halbleiterblocktechnik geeignetes Metall-Keramik-Verbundsystem in Dreifach-Schichtfolge dargestellt. Die potentialtrennende, wärmeleitende Keramikplatte 1 ist beidseitig mit dünnen Metallplatten 2 und 2' als Bondfolien belegt, wobei die obere Metallplatte 2t über eine Lotschicht mit einer Metallplatte 4' als Basis für elektronische Beauelemente verlötet ist bzw. ohne Lotschicht direkt gebondet ist.
  • Die untere, gebondete wärmeabführende Metallplatte 4 ist als Sechskant-Metallschraube 8 ausgebildet. Das Verbundsystem wird wie beschrieben gefügt.
  • Anschließend wird die Metallplatte 4' mit einer lot-oder bondfähigen Schicht 3' versehen und ein diskretes Halbleiterbauelement 7 wird aufgelötet. Die Metallplatte 4' dient also als Montagefläche für das Halbleiterbauelement 7. Das Halbleiterbauelement 7 wird zum Schutz vor mechanischer Beschädigung mit einer Verkapselung 11 versehen (z.B. aus Kunststoff).
  • Die Sechskant-Metallschraube 8 dient als potential freie Kühlplatte für das Halbleiterbauelement 7 und entspricht prinzipiell der unteren Metallplatte 4 des in der Fig. 1b dargestellten Verbundsystems. Der Gewindebolzen 9 der Metallschraube 8 wird vorzugsweise in einen Kühler 10 eingeschraubt. Der Kühler 10 kann mehrere solcher einschraubbarer Verbundsysteme unterschiedlichen Potentials aufnehmen.
  • Alternativ hierzu kann die untere Metallplatte 4 nicht als Sechskant-Schraube, sondern als Kühler mit Kühlrippen selbst ausgebildet sein.
  • In den Figuren 3, 4 und 5 sind mehrere insbesondere für Schichttechnik und Hybridtechnik geeignete Metall-Keramik-Verbundsysteme dargestellt. Das Verbundsystem in Fig. 3 besitzt eine großflächige Metallplatte 2 als Chassis. Auf dieses Chassis werden mehrere kleinere Keramikplatten 1 gelegt, die zusammen eine gewünschte Struktur bilden. Auf die Keramikplatten 1 werden mehrere schmale Metallplatten 2' (+ 4') gemäß einer gewünschten Struktur gelegt. Das Verbundsystem wird anschließend wie bereits beschrieben gefügt. Die schmalen Metallplatten 2'(+ 4') dienen gleichzeitig als Strombahnen, als Montageflächen und als Anschlußstecker. Für ihre Funktion als Stecker stehen sie seitlich über. Die schmalen Metallplatten 2' ( 4v) werden mit einer lot- oder bondfähigen Schicht 39 versehen. Anschließend werden auf die freien Flächen der Keramikplatten 1 (nicht dargestellte) Widerstände bzw. andere Bauelemente in Dünn-oder Dickschichttechnik oder Chipbauweise aufgebracht.
  • Dabei ist eine hohe Packungsdichte möglich. Halbleiterbauelemente werden mittels der Lotschicht 3' auf Molybdänplatten 4', die ihrerseits mit strukturierten Metallplatten 22 verbondet sinds verlötet. Gegebenenfalls können auch einzelne Halbleiterbauelemente in Monoblocktechnik direkt mit den schmalen Metallplatten 2'(+ 4') verlötet werden. Auch die Bildung eines Hybridsystems ist möglich.
  • Die großflächige Metallplatte 2 dient zur Wärmeabführung der in den aufgebrachten Halbleiterbauelementen oder sonstigen Bauelementen während des Betriebes erzeugten Verlustwärme. Zum Einschub des Verbundsystems in eine Etage eines Schaltschrankes dienen mit dem Schrank verbundene Metallführungen 12 mit U-förmigem Profil. Über die Metallführungen 12 kann die Wärme an den Schaltschrank bzw. an einen im Schaltschrank montierten Kühler abgeführt werden.
  • Zur Verbesserung des Wärmeableitungsvermögens kann die Metallplatte 2 verhältnismäßig dünn ausgebildet sein und wird mittels einer lotfähigen Schicht 3 mit einer massiven Kupferplatte 4 verlötet bzw. ohne lotfähige Schicht 3 direkt mit der Platte 4 gebondet.
  • Das Verbundsystem gemäß Fig. 4 besitzt eine beidseitig mit Metallplatten 2, 2' (4, 4') versehene Keramikplatte 1 Die Metallplatte 2 (+ 4) auf der Unterseite der Keramikplatte 1 ist dabei großflächig, während auf der Oberseite der Keramikplatte 1 mehrere kleinere Metallplatten 2 (+ 4') gemäß einer gewünschten Struktur aufgelegt sind. Die Metallplatten 2' (+ 4') besitzen jeweils seitlich überstehende Zungen. Das so geschaffene Verbundsystem wird gefügt.
  • Nach dem Fügeprozeß werden die Zungen der oberen Metallplatten 2' (+ 4') um 900 umgebogen. Sie dienen als Anschlußstecker 13. Die Montageflächen der oberen Metallplatten 2' (oder 4') werden mit einer lot- bzw. bondfähigen Schicht 3' versehen. Die freien Flächen auf der Oberseite der Keramikplatte 1 können mit Halbleiterbauelementen in Dünn- oder Dickschichttechnik versehen werden. Die externen Anschlüsse dieser Halbleiterbauelemente werden mit den beschichteten Metallplatten 2' (+ 4') verlötet. Die Wärmeabführung der während des Betriebes der Halbleiterbauelemente entstehenden Verlustwärme ist über die großflächige und entsprechend dicke untere Metallplatte 2 (+ 4) gewährleistet. Die untere Metallplatte 2 (+ 4) kann auch als Kühler mit Kühlrippen ausgebildet sein (nicht dargestellt).
  • Zur Verbesserung der Wärmeableitung kann die Metallplatte 2 auch mit Hilfe einer Lotschicht 3 mit einer massiven Kupferplatte 4 verlötet sein. Zur Verbesserung der Stromleitfähigkeit kann die Metallplatte 2' auch mit einer als Leiterbahn dienenden Kupferfolie 4' verlötet sein.
  • Das Verbundsystem gemäß Fig. 5 besitzt eine untere massive Metallplatte 2 (+ 4) als Wärmeableitplatte. Auf die untere Metallplatte 2 (+ 4) wird wiederum eine Keramikplatte 1 gelegt. Auf die Keramikplatte 1 werden mehrere als Leiterbahnen und Montageflächen in gewünschter Struktur dienende obere Metallplatten 2t (+ 4') mit seitlich überstehenden Anschlußsteckern gelegt. Das so geschaffene Verbundsystem wird gefügt.
  • Anschließend wird auf die oberen Metallplatten 2' (oder 4') eine lot- oder bondfähige Schicht 3' aufgebracht und auf die so beschichteten Metallplatten 2' (+ 4') werden Halbleiterbauelemente 7 aufgelötet. Das mit 7' bezeichnete Halbleiterbauelement ist beispielsweise ein Thyristor, der über zwei galvanisch getrennte obere Metallplatten 2' (+ 4t) gelötet ist, wobei im Zwischenraum der so überbrückten Metallplatten 2t (+ 4B) der Passivierungsgraben 14 des Halbleiterbauelements 7 zu liegen kommt.
  • Zur Verbesserung des Wärmeableitvermögens kann auch bei dieser Ausführungsform die Metallplatte 2 dünn ausgebildet und mit einer massiven Kupferplatte 4 verlötet sein (Lotschicht 3). Analog hierzu kann auch eine Kupferfolie 41 zur Verbesserung der Stromleitung auf die Metallplatte 2' gelötet sein.
  • Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Metall-Keramik-Verbundsystems sind desweiteren zahlreiche andere Ausführungsvarianten gemäß den Forderungen der Mikro- und Leistungselektronik ausführbar, wobei in allen Fällen die Abfuhr der Verlustleistungswärme bei hoher elektrischer Isolation zwischen Schaltkreis und Wärmesenke gewährleistet ist.
  • Ein sehr einfaches Beispiel stellen Shunterwiderstände für hohe Ströme (Verlustleistung) dar, wie sie in Meßinstrumenten zur Erweiterung des Meßbereichs dienen.
  • Hierbei wird die obere Metallplatte 4' aus dem geeigneten Widerstandsmaterial hergestellt, die untere Metall platte 2 + 4 dient als potentialfreie Wärmesenke.
  • Leerseite

Claims (20)

  1. Ansprüche Leistungsmodul mit wenigstens einem auf einer Keramikplatte aufgebauten Leistungshalbleiterbauelement und einer mit der Keramikplatte verbundenen Metallplatte zur potential freien Abführung der im Betrieb entstehenden Verlustleistungswärme, dadurch gekennzeichnet, daß die zur A#ufnahme wenigstens eines Leistungshalbleiterbauelements (7) in Dickschicht- bzw. Dünnschicht- bzw.
    Hybrid- bzw. Monoblocktechnik dienende Keramikplatte (1) mit einer als Kühlplatte ausgebildeten Metallplatte (2) aus einem reaktiven Metall, vorzugsweise Aluminium, chemisch verbunden ist.
  2. 2. Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte (1) auf ihrer entgegengesetzten Oberfläche mit einer als Stromführungsbahn und Montagefläche mit gewünschter Struktur ausgebildeten weiteren Metallplatte (2') verbunden ist.
  3. 3. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Kühiplatte dienende Metallplatte (2) als in einen Kühler (10) einschraubbare Metallschraube (8) mit Gewindebolzen (9) ausgebildet ist.
  4. 4. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Kühlplatte dienende Metallplatte (2) als ein in Metallführungen (12) eines Gerätes einschiebbares Chassis ausgebildet ist.
  5. 5. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vor- stehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahnen bzw. Montageflächen dienenden Metallplatten (2') gleichfalls als Anschlußstecker (13) ausgebildet sind.
  6. 6. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Mehrlagenstruktur von Keramikplatten (1) und Metallplatten (2).
  7. 7. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatte (2,2') als dünne Bondfolie, vorzugsweise aus Aluminiumvausgebildet und mit einer weiteren Metallplatte (4,4'), vorzugsweise aus Kupfer oder Molybdän gefügt ist.
  8. 8. Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte und die Metallplatte in Kontakt gebracht werden und das so gebildete Metall-Keramik-Verbundsystem unter Einwirkung mechanischen Drucks und einer der Fließgrenze des Metalles entsprechenden Temperatur in einem Ofen unter Schutzgasatmosphäre chemisch verbunden wird.
  9. 9. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine gebrannte Keramikplatte verwendet wird.
  10. 10. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Keramikplatte im vorgesinterten Zustand verwendet wird.
  11. 11. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Keramikplatte aus Al203 verwendet wird.
  12. 12. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Keramikplatte aus BeO verwendet wird.
  13. 13. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Keramikplatte aus Titanat verwendet wird.
  14. 11'. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Metallplatte eine lot- oder bondfähige Schicht gemäß dem Kathodenzerstäubung-Verfahren aufgebracht wird.
  15. 15. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Metallplatte eine lot- oder bondfähige Schicht aufgalvanisiert wird.
  16. 16. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatte mittels einer lot- oder bondfähigen Schicht mit einer weiteren Metallplatte vorzugsweise aus Kupfer oder Molybdän verlötet wird.
  17. 17. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte und/oder die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte vor dem Fügeprozeß strukturiert wird, indem Leiterbahnen, Kontaktierungsflächen, Aussparungen, Kühlrippen oder Kühldosen teilweise oder voll ausgebildet werden.
  18. 18. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte nach dem Fügeprozeß strukturiert wird.
  19. 19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte photolithographisch strukturiert wird.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte geätzt wird.
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