DE916085C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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Description
(WlGBl. S. 175)
AUSGEGEBEN AM 2. AUGUST 1954
S i45itVIUc j 21g
Georg Hoppe, Hof/Saale
ist als Erfinder genannt worden
(Ges. v. 15. 7. 51)
Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
vorgeschlagen, worden, nach welchem die gleichrichtende Selenschicht, nachdem sie auf
eine Unterlage, beispielsweise aus Eisen, aufgebracht ist, während ihrer etwa 2 bis 24 Stunden
dauernden Umwandlung in die leitende kristalline Form bei erhöhter Temperatur, z. B. etwa 2000 C,
Schwefeldämpfen auegesetzt wird. Man- erreicht
dadurch eine wesentliche Verbesserung der Gleichrichterwirkung, dlie sich in dem Wert des Verhältnisses
Vorstrom zu Rückstrom ausdrückt.
Dieses vorgeschlagene Verfahren kann erfindungsgemäß eine vorteilhafte Weiterbildung erfahren,
indem die gleichrichtende Selenschicht erst nach ihrer Umwandlung in die leitende Form
den Schwefeldämpfen ausgesetzt wird. Nach der erfindungsgemäßen Erkenntnis wird) dadurch die
Sperrwirkung des Selengleichrichters ganz erheblich verbessert, ohne daß die Stromleitfähigkeit in
der Durchlaßrichtung beeinträchtigt wird. Außer- so dem wird erreicht, daß man beim Aufdampfen
des Schwefels mit Temperaturen arbeiten kann, die unter der Umwandlungetemperatur liegen.
Mithin kann man erheblich unterhalb des Schmelzpunktes des Selens arbeiten und dadurch as
das Herstellungsverfahren vereinfachen.
Als besonders zweckmäßig hat es sich erwiesen, wenn man die Schwefeldämpfe auf die
Selenschicht bei 160 bis 1700 C etwa 8A Stunde
lang einwirken läßt, wodurch sehr gute Werte des
Vorstromes bei vorzüglicher Sperrwirkung erhalten werden.
Die vorteilhafte Wirkung des Verfahrens gemäß der Erfindung beruht in erster linie darauf, daß
sich an der Selenschiehtoberfläche eine chemische Verbindung zwischen dem Selen und den
Schwefeldampfteilchen bildet, die eine erhebliche Verbesserung der Sperrwirkung zur Folge hat,
ohne die Stromleitfähigkeit in der Durchlaßrichtung zu beeinträchtigen. Hierdurch unterscheidet
sich der Gegenstand der Erfindung von dem bekannten Verfahren, bei dem bei Trockengleichrichtern
auf die abgekühlte Halbleiterschicht eine zusammenhängende Schicht (Häutchen)
aus Schellack, Wachs oder Schwefel aufgebracht wird! Ein derartiges Häutchen hat
nämlich einen verhältnismäßig sehr hohen elektrischen Widerstand, der zwar die Sperrwirkung
des Gleichrichters zu steigern vermag, zugleich
ao aber den Stromfluß in der Durchlaßrichtung erschwert.
Noch bessere Werte des Rückstromes lassen sich ohne Beeinträchtigung des Vorstromes dadurch
erreichen, daß man die Metallplatten mit der nach ihrer Umwandlung wieder auf Zimmertemperatur
abgekühlten Selenschicht im kalten Zustände 1 bis 1V2 Minuten lang den Schwefeldämpfen
aussetzt. Bei einer Gleichrichterscheibe von 45 mm Durchmesser ergab sich auf diese
Weise ein Vorstrom von etwa 700 mA, bei 1 Volt gemessen, wobei der Rückstrom bei 12 Volt nur
5 bis 10 mA betrug.
Die Behandlungsdiauer der Beschwefelung läßt
sich noch weiter, und zwar bis auf wenige Sekunden pro Platte herabsetzen, wenn man den
Schwefeldampf auf die vorher auf Zimmertemperatur abgekühlte Selenschicht mittels eines
Druckluftstrahls aufschleudert.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern,
bei welchem die gleichrichtende Selenschicht nach dem Aufbringen auf ihre
Metallunterlage Schwefeldämpfen ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht
erst nach ihrer Umwandlung in die leitende Form den Schwefeldämpfen ausgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß man die Schwefeldämpfe
auf die Selenschicht bei 160 bis 1700C etwa
3A Stunde lang einwirken läßt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man die Metallplatten mit der nach ihrer Umwandlung auf Zimmertemperatur abgekühlten Selenschicht in kaltem
Zustande 1 bis 1V2 Minute lang dien Schwefeldämpfen
aussetzt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man den Schwefeldampf
auf die Metallplatten mit der nach ihrer Umwandlung auf Zimmertemperatur abgekühlten
Selenschicht mittels Druckluftstrahles einige Sekunden lang aufschleudert.
1 9534 7.
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| CH206837A (de) | 1939-08-31 |
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