DE725286C - Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellenInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern öder -photozellen Die Erfindung bezieht sich auf ein 'mit besonders einfachen Mitteln durchzuführendes Verfahren zur Herstellung von Selenschichten für Trockengleichrichter oder Photozellen. Die bekannten Herstellungsverfahren gehen davon aus, daß das Selen auf die Trägerelektrode aufgeschmolzen und sodann unter Anwendung-von Druck einem Wärmeprozeß unterworfen wird. Ein Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß die Erzielung von Halbleiterschichten mit stets gleicher Stärke und gleicher Oberflächenstruktur erheblichen Schwierigkeiten begegnet. Außerdem ist ein solches Fabrikationsverfahren wegen des Auftretens schädlicher Selendämpfe nicht unbedenklich. Man muß daher besondere Vorkehrungen treffen, um Gesundheitsschädigungen durch diese Dämpfe zu verhüten. Hinzu kommt, daß infolge einer sich als notwendig erwiesenen besonderen Druckbehandlung die Oberfläche der Halbleiterschicht sehr glatt wird. Die Folge davon ist, daß die Sperreigenschaften einer mit einer so hergestellten Halbleiterschicht versehenen Zelle, die von :einer gewissen Rauhigkeit auf der Oberfläche abhängen, nicht so gut sind, wie dies erwünscht wäre.
- Es sind zwar auch Verfahren bekannt. welche die mit dem Auftreten von Selendämpfen entstehenden Unannehmlichkeiten vermeiden und die im wesentlichen in der elektrolytischen Erzeugung einer Halbleiterschicht bestehen. Die Erzeugung einer Selenschicht auf diese Weise hat sich jedoch nicht bewährt, da es praktisch unmöglich ist, ohne Veränderung der Schichtstruktur die stets zurückbleibenden Reste des Elektrolyten zu entfernen, und da sich bei der Elektrolyse das Selen ähnlich benimmt wie Blei, welches bekanntlich den sog. Bleibaum bildet.
- Das Verfahren nach der Erfindung vermeidet diese Übelstände. Gegenüber allen derartigen bekannten nassen Verfahren bietet das neue Verfahren vor allem den Vorzug, daß die erzeugte Schicht ein einwandfreies Haftvermögen auf der Unterlage hat. Es wird bei dem Verfahren nach der Erfindung auf die Trägerelektrode eine Suspension von feiest verteiltem Selen in einem leicht entfernbaren Suspensionsmittel, wie Paraffinöl; mechanisch, beispielsweise durch Aufsprif fen, auf die Trägerelektrode aufgebracht. dirse alsdann so erhitzt, daß.das Selen zum Schmelzen gebracht wird und das Suspensionsmittel verdampft, ein etwa verbleibender Rückstand des Suspensionsmittels mit einem nicht liygroskopischen Lösungsmittel fortgelöst und die Halbleiterschicht sodann ohne Druckanwendung einer etwa istündigen Wärmebehandlung bei etwa zoo' C unterzogen.
- Das Verfahren nach der Erfindung stellt sich folgendermaßen dar: Selen wird in einer Kolloidmühle fein gemahlen und in dem Suspensionsmittel, also z. B. Paraffinöl, aufgeschlemmt. Diese Aufschlemmung wird auf die Trägerelektrode aufgebracht. Besonders feine Schichten erhält man durch Aufspritzen. Hierauf wird die so bedeckte Trägerelektrode erhitzt, so daß das Selen schmilzt und das Paraffinöl verdampft, und darauf der Rückstand des Suspensionsmittels durch ein geeignetes, nicht hygroskopisches Lösungsmittel, z. B. Tetrachlorkohlenstoff, fortgelöst. Hierauf wird die so behandelte Elektrode einer Erwärmung von etwa Zoom C ohne Druckanwendung ausgesetzt, und zwar zweckmäßig t Stunde lang. Man erhält so eine außerordentlich gleichmäßige Halbleiterschicht auf der Trägerelektrode mit rauher Oberfläche, welche die Bildung einer guten Sperrschicht begünstigt. Neben der Einfachheit haften dem Verfahren noch weitere bemerkenswerte Vorzüge an. Es lassen sich auch dickere Halbleiterschichten von größter Gleichmäßigkeit erzeugen, und es wird wegen der geringen Temperatur beim Auftragen verhindert, daß unerwünschte Reaktionen zwischen dem Halbleiter und dem Metall der Trägerelektrode eintreten.
- Die Selensuspension kann auch unter Verwendung von aus einem Lösungsmittel ausgefälltem Selen hergestellt werden, ohne daß damit an dein Verfahren nach der Erfindung etwas Wesentliches geändert würde.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -pliotozellen, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Trägerelektrode eine Suspension von feiest verteiltem Selen in einem leicht entfernbaren Suspensionsmittel, wie Paraffinöl, mechanisch, beispielsweise durch Aufspritzen, auf die Trägerelektrode aufgebracht, diese alsdann so erhitzt wird, da1.) das Selen zum Schmelzen gebracht wird und das Suspensionsmittel verdampft, da 1 ferner ein etwa. verbleibender Rückstand des Suspensionsmittels mit einem nicht hygroskopischen Lösungsmittel fortgelöst und schließlich die Schicht ohne Druckanwendung einer etwa istündigen Wärmebehandlung bei ungefähr aoo C unterzogen wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL95695D DE725286C (de) | 1938-09-28 | 1938-09-29 | Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellen |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL0095695 | 1938-09-28 | ||
| DEL95695D DE725286C (de) | 1938-09-28 | 1938-09-29 | Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE725286C true DE725286C (de) | 1942-09-18 |
Family
ID=25986445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL95695D Expired DE725286C (de) | 1938-09-28 | 1938-09-29 | Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE725286C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE820043C (de) * | 1949-09-02 | 1951-11-08 | Siemens Schuckertwerke A G | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten |
| US2663636A (en) * | 1949-05-25 | 1953-12-22 | Haloid Co | Electrophotographic plate and method of producing same |
-
1938
- 1938-09-29 DE DEL95695D patent/DE725286C/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2663636A (en) * | 1949-05-25 | 1953-12-22 | Haloid Co | Electrophotographic plate and method of producing same |
| DE820043C (de) * | 1949-09-02 | 1951-11-08 | Siemens Schuckertwerke A G | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten |
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