DE1577106C3 - Verfahren zur Herstellung eines metallischen Verbundkörpers mit einem Grundmetall und einem davon unterschiedlichen Plattiermetall - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines metallischen Verbundkörpers mit einem Grundmetall und einem davon unterschiedlichen Plattiermetall durch Zusammenwalzen, bei dem das Grundmetall in einer Stärke von weniger als 12,7 mm und das Plattiermetall in einer Stärke von weniger als 6,35 mm verwendet wird, das Grundmetall mit dem kalten Plattiermetall erst zwischen den Walzen zusammengeführt wird, der Einschlußwinkel zwischen Grund- und Plattiermetall größer als 5 und höchstens 22° gewählt wird, das Plattiermetall bereits vor der Berührung mit dem Grundmetal! in Anlage mit der entsprechenden Walze gebracht wird, und das Grundmetall und das Plattiermetall in einem Stich unter Verminderung der Ausgangsstärke um mindestens 40 Prozent zum Verbundkörper gewalzt werden, nach Patent 15 77 104.

Das Verfahren nach dem älteren Vorschlag gemäß Patent 15 77 104 ermöglicht die Herstellung von Verbundkörpern mit einem Grundmetall aus Kupfer oder einer Kupferlegierung und mindestens einem davon unterschiedlichen Plattiermetall durch Zusammenwalzen, die sich durch besondere Festigkeit der Bindung auszeichnen.

Das erfindungsgemäße Verfahren stellt eine weitere Ausgestaltung des Verfahrens gemäß diesem älteren Vorschlag dar und hat zur Aufgabe, das Verfahren gemäß dem älteren Vorschlag für eine noch größere Zahl von Legierungen verwendbar zu machen und dabei mit niedrigeren Vorerhitzungstemperaturen auszukommen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Verfahren der eingangs genannten Art vorgesehen, daß ein erster Plaliierungspartner ein Metall mit einer Rekristallisationstemperatur unter 260° C ist, der durch die durch das Zusammenwalzen erzeugte Temperaturerhöhung mindestens teilweise zur Rekristallisation gebracht wird, während der oder die weitere(n) Plaitierungspartner unrekristallisiert bleiben.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonders einfach und wirtschaftlich, da an Vorerhitzungsaufvvand

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gespart werden kann. Die Rekristallisation des ersten Plattierungspartners kann dabei entweder im Walzspalt oder unmittelbar nach Austritt des Verbundkörpers aus dem Walzspalt erfolgen. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Verbundkörper sind wahlweise nur auf einer oder auf beiden Seiten plattiert.

Als »rekristallisiert« wird ein Gefüge angesehen, bei dem bei metallographischen Untersuchungen 25 Prozent der betrachteten Oberfläche als näherungsweise gleichachsigen Körpern nicht deformierten Metalls festgestellt werden. Analog wird unter »Rekristallisieren« auch eine Verminderung der Härte des Materials um mindestens 25 Prozent des Unterschiedes zwischen der Härte des durch Kaltverformung gehärteten Metalls und der Härte des vollständig weichgeglühten Metalls verstanden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also die beim Zusammenwalzen erzeugte Wärme zur Temperaturerhöhung der Plattierungspartner verwendet. Je mehr nun die Plattierungspartner beim Walzen verfofmt werden, d. h., je weiter in einem Stich heFabgewalzt wird, desto mehr Wärme wird dem Verbundmetall bzw. dem Verbundkörper zugeführt. Beispielsweise wird durch Herabwalzen um 57 Prozent der Verbundkörper höher erhitzt, als durch Herabwalzen um 40 Prozent. Wenn man die Stärkeverminderung so wählt, daß einer der beiden Plattierungspartner durch die Einwirkung der dabei entwickelten Hitze und der nicht in Wärme umgewandelten restlichen mechanischen Energie rekristallisiert, so wird dieser Bestandteil praktisch einem Warmwalzvorgang unterworfen und wird dabei weicher als.der andere Bestandteil, d. h., daß der andere, nicht rekristallisierende Bestandteil während des Walzens relativ härter wird. Der gesteigerte Duktilitätsunterschied zwischen dem Grundmetail und dem Plattiermetall führt zu einer Turbulenz an der Grenzfläche zwischen Grundmetall und Plattiermetall, wodurch eine bessere Bindung zustande kommt.

Die Rekristallisation ist natürlich zeit- und temperaturabhängig. Sie tritt deshalb nicht spontan durch die ganze rekristallisierende Komponente auf. Die Rekristallisation erfolgt in einem endlich großen Zeitraum und hängt von dem Verformungsgrad und der Temperatur ab, auf die sich das Material im Walzspalt erhitzt. Die Rekristallisationsgeschwindigkeit ist umso höher, je höher die im Walzspalt erreichte Temperatur des Materials ist. Dementsprechend beginnt zwar der Rekristallisationsvorgang beim erfindungsgemäßen Verfahren im Walzspalt, hält aber zumindest einige Sekunden nach dem Austritt des Verbundkörpers aus dem Walzspalt weiter an. Der Abstand von der Walze, in welchem keine weitere Rekristallisation im Verbundmetall mehr auftritt, hängt von der Walzgeschwindigkeit ab.

Das rekristallisierte Gefüge enthält etwa kugelförmige Körner mit untereinander praktisch gleichen Achsen. Dies ist eine Folge der Keimbildung unverformter Kristallite, die bei ihrem Wachstum verformtes Metall aufzehren. Das Gefüge der nicht rekristallisierten Komponente ist in Walzrichtung stark gelängt, wobei die Länge der gelängten Körner sich zu ihrer Dicke mindestens wie 2 : 1 verhält. Grundmetall und Plattiermetall sind ohne eine Oxidzwischenschicht direkt miteinander verbunden, d. h., zwischen Grundmetall und Plattiermetall ist wenig oder kein feststeilbares Oxid vorhanden. Weiterhin ist die Grenzfläche zwischen Grundmetall und Plattiermetall dadurch gekennzeichnet, daß keine atomare Diffusion in der einen oder anderen Richtung zu erkennen ist, und ferner dadurch, daß die Berührungsfläche zwischen den beiden Metallen um mindestens 10 Prozent größer ist, als die plane Fläche der Verbundmetallbleche. Grundmetall und Plattiermetall werden im allgemeinen den Walzen so zugeführt, daß sie einen Winkel von mindestens 5° und in der Regel mindestens 10° einschließen, wodurch erreicht wird, daß Grundmetall und Plattiermetall erst im Walzspalt miteinander in Berührung kommen. Diese

ίο Maßnahme ist jedoch nicht verfahrensnotwendig. In der Regel beträgt der von Grundmetall und Plattiermetall eingeschlossene Winkel zwischen 5 und 22°.

Es ist zwar bekannt (DE-OS 4 65 540), den Walzdruck bzw. die beim Walzen entstehende Verlustenergie zur Erhitzung des Walzgutes auszunutzen. Das erfindungsgemäße Verfahren nutzt jedoch die überraschende Erkenntnis, die Erwärmung im Walzspalt derart zu steuern, daß nur ein Plattierungspartner mindestens teilweise zur Rekristallisation gebracht wird. Dabei lassen sich Verbundkörper durch Zusammenwalzen von Grundmetall und Plattiermetall herstellen, ohne daß eine oder gar beide der Komponenten erhitzt werden müssen. Es kann allenfalls erforderlich sein, das Grundmetall leicht zu erwärmen. Dies ist ein besonderer Vorteil der Erfindung. Wird z. B. ein Verbundmetall hergestellt aus Kupfer von handelsüblicher Reinheit, das bei etwa 191°C rekristallisiert, als Grundmetall und einer Kupfer-Nickel-Legierung aus 75 Prozent Kupfer und 25 Prozent Nickel als Plattiermetall, die bei etwa 538° C rekristallisiert, so muß, wenn Grundmetall und Plattiermetall ohne vorherige Erwärmung des Grundmetalls zusammengewalzt werden, in einem Stich sehr stark herabgewalzt v/erden, um das Grundmetall zum Rekristallisieren zu bringen, d. h., die Stärkeverminderung in einem Stich muß mindestens 81 bis 90 Prozent betragen. V/ill man Stärkeverminderung je Stich anwenden, so ist das Grundmetall etwas anzuwärmen, z. B. auf 94 bis 135° C, wodurch ein Herabwalzen um nur 70 bis 80 Prozent erforderlich ist, um das Grundmetall zum Rekristallisieren zu bringen. Wahlweise kann das Grundmetall ein kaltverformtes Gefüge aufweisen, z. B. 3 bis 50 Prozent Kaltverformung. In diesem Fall erfolgt die Rekristallisation bereits bei einem Herabwalzen von 70 bis 80 Prozent auch ohne Vorerwärmung des Grundmetalls. Gewünschtenfalls können die Walzbedingungen z. B. durch Regelung des Schmiermittels oder der Walzgeschwindigkeit so gewählt werden, daß das Grundmetall sich auf eine Temperatur von über 191⁰C erhitzt, wodurch es rekristallisiert. Auf Grund seiner

5J hohen Rekristallisationstemperatur rekristallisiert die Kupfer-Nickel-Legierung unter der Einwirkung der dem Verbundmetall beim Walzen zugeführten verhältnismäßig geringen Wärmemenge natürlich nicht.

Besonders vorteilhaft läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren in Fällen anwenden, in denen ein Plattierungspartner ein verhältnismäßig weiches Metall, z. B. Kupfer, und mindestens ein weitere·· Plattierungspartner ein verhältnismäßig hartes Metall ist.
Vorteilhafte bzw. bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen von Unteransprüchen.

Vorzugsweise finden als erster Plattierungspartner Kupfer oder eine Kupferlegierung, beispielsweise Kupfer von handelsüblicher Reinheit, verschiedene hochleitfähige Kupferqualitäten mit einer Leitfähigkeit von mehr als 50 Prozent I.A.C.S., oder auch vergleichsweise niedrigschmelzende Metalle, wie Blei, Zinn, Zink, Aluminium oder Legierungen aus diesen Metallen,

Verwendung.

Als weiterer Plattierungspartner sind eine Kupferlegierung oder Blei, Zinn, Nickel, Zink, Titan, Eisen, Silber, Aluminium oder eine Legierung dieser Metalle bevorzugt.

Bei einer bevorzugten Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das Grundmetall als der erste, also der rekristallisierende Plattierungspartner verwendet. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sehen dabei vor, daß das Grundmetall beidseitig, insbesondere auch beidseitig mit unterschiedlichen Metallen, plattiert wird.

Vorzugsweise werden bei dem erfindungsgemäßen Verfahren mindestens 25 Prozent, vorzugsweise sogar 50 Prozent des Gefüges des ersten Plattierungspartners zur Rekristallisation gebracht.

Nach einer Weiterbildung der Erfindung muß ein weiterer Plattierungspartner eine Rekristallisationstemperatur besitzen, die um mindestens 55,5° C, vorzugsweise um mindestens 167°C, höher liegt als die des ersten Plattierungspartners. Mit Rekristallisationstemperatur wird hier die niedrigste Temperatur bezeichnet, bei der eine Rekristallisation des kaltverformten Metalls in einer bestimmten Zeit erfolgt. Nominell bedeutet »kaltverformt«, das mindestens 50 Prozent des Materials ein durch Kaltverformung entstandenes Gefüge besitzen. Bei dem angegebenen Unterschied zwischen den Rekristallisationstemperaturen können die Verfahrensbedingungen bequem so gewählt werden, daß nicht beide Plattierungspartner in der vorstehend definierten Weise merklich rekristallisieren.

Grundmetall und Plattiermetall können vor der Verarbeitung beliebig angelassen werden und ein beliebiges Gefüge besitzen, sofern sie den vorstehend genannten Bedingungen bezüglich der Rekristallisationstemperaturen genügen. Vorzugsweise soll das Grundmetall durch Kaltverformen verfestigt und das Plattiermetall weichgeglüht sein, da dann der Unterschied zwischen den Rekristallisationstemperaturen größer ist.

Besonders wenn gewünscht ist, den Verformungsgrad beim Walzen nicht zu hoch zu wählen, ist in Weiterbildung der Erfindung vorgesehen, daß der erste Plattierungspartner vor dem Einführen in den Walzspalt vorerhitzt wird. Vorzugsweise wird diese Vorerhitzung auf weniger als 135° C vorgenommen.

Als besonders günstige und daher bevorzugte Parameter beim Zusammenwalzen der Plattierungspartner hat sich eine Walzgeschwindigkeit von mindestens 6,01 m/min und ein Verformungsgrad im ersten Walzstich von bis zu 90 Prozent herausgestellt. Grundmetall und Plattiermetall treten dabei günstigerweise in einem Winkel in die Walzen ein, so daß sie erst am Eingriffspunkt der Walzen miteinander in Berührung kommen. Der jeweils anzuwendende Wert der genannten Parameter hängt vom verwendeten Grundmetall bzw. von dessen Rekristallisationstemperatur und seiner Temperatur beim Eintritt in die Walzen ab. Vorzugsweise werden die Komponenten mit einer Geschwindigkeit von 18,28 bis 91,44 m/min und mit einer Stärkeverminderung von 70 bis 85 Prozent je Stich zusammengewalzt. Beispielsweise soll Kupfer als Grundmetall in Abhängigkeit davon, in welchem Ausmaß es durch Kaltverformen verfestigt ist, beim Eintritt in die Walzen eine Temperatur von vorzugsweise etwa 15 bis 135°C besitzen. Je höher der Anteil an kaltverformtem Gefüge ist, desto niedriger kann die Eintrittstemperatur sein.

Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als Grundmetall Kupfer von handelsüblichem Reinheitsgrad und als Plattiermetall eine Legierung aus 75 Prozent Kupfer und 25 Prozent Nickel verwendet. Diese Plattierung kann ein- oder beidseitig erfolgen. Dieses Verfahren läßt sich besonders vorteilhaft auf die Herstellung von Münzen anwenden.

In dem Patent 15 77 104, dem eingangs erwähnten älteren Vorschlag, sind vielfältige Vorteile des dortigen

ίο Verfahrens genannt. Im folgenden werden nun Vorteile bzw. Erläuterungen aufgeführt, die auch im weiteren Bereich des erfindungsgemäßen Verfahrens von besonderer Bedeutung sind.
An Walzverfahren zur Herstellung metallischer Verbundkörper aus unterschiedlichen Metallen besteht aus wirtschaftlichen und technischen Gründen ein großes Bedürfnis, da sich in ihnen die günstigen Eigenschaften des Grundmetalls und des Plattiermetalls in vorteilhafter Weise kombinieren lassen. Bei einer einzigen Legierung können häufig zahlreiche Eigenschaften, wie der Elastizitätsmodul, die Farbe, die Dichte und die Festigkeit in Kombination mit hoher thermischer oder elektrischer Leitfähigkeit durch Zulegieren oder thermische Behandlung nicht wesentlich geändert werden. Im Fall von Verbundkörpern lassen sich jedoch bei Beibehaltung der vorteilhaften Eigenschaften des Grundmetalls zusätzlich an der Oberfläche die Eigenschaften des Plattiermetalls zur Geltung bringen, wodurch in Kombination gegenüber einer einzigen Legierung stark geänderte und erwünschte Eigenschaften entstehen.

Kupfer oder Kupferlegierungen besitzen beispielsweise die Vorteile hoher Leitfähigkeit und guter Kaltverformbarkeit. Verbundkörper mit einem Grundmetall aus Kupfer oder einer Kupferlegierung weisen also weiterhin diese erwünschten Eigenschaften auf, während außerdem die Eigenschaften des Plattiermetalls, beispielsweise Verschleißfestigkeit, Farbe, Beständigkeit gegen Oxidation bzw. Anlaufen und Möglichkeiten der Oberflächenveredelung bzw. Oberflächengüte, zur Geltung gebracht werden. So sind Kupfer-Verbundkörper beispielsweise vorteilhaft als hochleitfähige elektrische Leitungen, hochfeste Federn, Stromabnehmer und durch Kaltverformung verfestigte Metallwaren einsetzbar.

Bei der Herstellung von Verbundkörpern mit einem Grundwerkstoff aus Kupfer ist es häufig schwierig, eine feste Bindung zu erzielen, die den normalerweise zu erwartenden Anforderungen standhält. So stellt man — beispielsweise bei mäßigen oder erhöhten Temperaturen — eine Neigung zur Ausbildung einer Zwischenschicht aus spröden, intermetallischen Verbindungen an der Grenzfläche zwischen dem Kupfergrundmetall und dem Plattiermetall fest. Diese Zwischenschicht kann beim Biegen des Verbundkörpers leicht splittern oder platzen, wodurch die Brauchbarkeit des Verbundkörpers begrenzt ist.

Kupfer neigt weiterhin bei den zum Warmwalzen erforderlichen mäßigen oder erhöhten Temperaturen zur Ausbildung von Oxidschichten, die einer festen Bindung hinderlich sind. Einige Kupferoxide bilden stark haftende plastische Schichten und führen daher zu besonders großen Schwierigkeiten bei der Plattierung, während andere Oxide, beispielsweise Aluminiumoxide und Eisenoxide, beim Warmwalzen aufbrechen können und infolgedessen keine Zwischenschicht bilden.

Mit dem Verfahren gemäß dem älteren Vorschlag lassen sich auf Grund der besonderen Verfahrensbedin-

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gungen und der im Vergleich zur Temperatur des Plattiermetalls hohen Temperatur des Grundmetalls ausgezeichnete Bindungen erzielen. Der Temperaturunterschied führt zu einem stark erhöhten Duktilitätsunterschied zwischen Grundmetall und Plattiermetall. Es tritt auch Turbulenz an der Berührungsfläche zwischen Grundmetall und Plattiermetall auf/wodurch eine bessere Bindung der Plattierungspartner zustande kommt. Der Duktilitätsunterschied und die erzeugte Turbulenz genügen, um die Ausbildung einer Oxidzwischenschicht zu verhindern, da die Oxidschicht aufgebrochen wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonders einfach in der Durchführung und erlaubt die Herstellung von vorteilhaften Verbundkörpern ausgezeichneter physikalischer Eigenschaften, wie hoher Bindungsfestigkeit. Dabei stellt man praktisch keine Metalldiffusion zwischen den Plattierungspartnern, beispielsweise keine Diffusion von Aluminiumatomen in das Kupfergrundmetall mit Ausbildung intermetallischer Cu-Al-Verbindungen, fest, wodurch spröde Verbindungen an der Grenzfläche gebildet werden könnten. Das erfindungsgemäße Verfahren liefert diese überraschenden Vorteile auf einfachem Wege, ohne daß teure Vorrichtungen oder aufwendige Verfahrensmaßnahmen verwendet werden müßten, wie das bisher häufig der Fall war.

Grundmetall und Plattiermetall können in Form von aufgerollten Bändern oder Blechen vorliegen. Die geringste verarbeitbare Dicke der Plattierungspartner beträgt etwa 0,0254 mm.

Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, daß das Plattiermetall sowohl bei ein- als auch bei beidseitiger Plattierung erst mit der Walze in Berührung kommt, bevor es mit dem Grundmetall in Berührung kommt. An der Vorderseits der Walzen, der Aufgabeseite, bewegen sich das Plattiermetall und die Walzen mit unterschiedlichen linearen Geschwindigkeiten. Dagegen bewegen sie sich an der Ausgangsseite mit der gleichen Geschwindigkeit auf Grund der Verringerung der Stärke des Verbundkörpers. Der Geschwindigkeitsunterschied zwischen dem Plattiermetall und den Umfangsflächen der Walzen zusammen mit dem Vorkontakt zwischen dem Plattiermetall und den Walzen sowie der mit der Rekristallisation des Grundmetalls verbundenen Atomverschiebung führt zu einer turbulenten Strömung von Metall an der Grenzfläche, wodurch eine innigere Bindung verursacht und die Grenzfläche des Verbundkörpers im allgemeinen um 20 Prozent oder mehr erhöht wird.

Vorzugsweise beträgt der Einschlußwinkel zwischen Grundmetall und Plattiermetall beim Eintritt in die Walzen mindestens 10°, im allgemeinen zwischen 5 und 22°, um sicherzustellen, daß die Plattierungspartner erst im Walzspalt in Berührung kommen.

Es wird eine möglichst große Scherkraft an der Grenzfläche zwischen dem Grundmetall und dem Plattiermetall angestrebt, wodurch sich gegenüber dem ebenen Material eine um mindestens 10 Prozent vergrößerte Grenzfläche ergibt. Diese wesentlich vergrößerte Berührungsfläche kann wellenförmig ausgebildet sein.

Es ist bevorzugt, jedoch nicht notwendig, die bindenden Oberflächen sowohl des Grundmetalls als auch des Plattiermetalls mechanisch aufzurauhen, um einen guten Oberflächenkontakt am Eingriffspunkt der Walzen zu haben. Beispielsweise können die Oberflächen mit einer Drahtbürste behandelt oder geschliffen

ίο werden.

Oberflächliche Oxide sind im allgemeinen beim erfindungsgemäßen Verfahren nicht störend, wenn es sich nicht um sehr dicke Schichten handelt. Dies ist überraschend und ein beträchtlicher Vorzug, da bei den herkömmlichen Verfahren Oberflächenoxide vor der Bildung des Verbundkörpers entfernt werden müssen. Bei der herkömmlichen Verarbeitung wird häufig unter Schutzgas gearbeitet, so daß sich keine Oberflächenoxide vor der Bildung des Verbundkörpers bilden können.

Diese besonderen Vorsichtsmaßnahmen sind im erfindungsgemäßen Verfahren nicht notwendig.

Es ist jedoch sehr erwünscht, Schmutz oder anhaftendes Gleitmittel von der Oberfläche der Plattierungspartner vor dem Zusammenwalzen zu entfernen, um eine hohe Haftreibung zwischen dem Grundmetall und dem Plattiermetall sicherzustellen. Hierfür kann jedes Reinigungsverfahren angewendet werden, z. B. Waschen des Grundmetalls und des Plattiermetalls mit einer Seifenlösung, einer Netzmittel-

3ü lösung, einem alkalischen Reiniger oder mit Lösungsmitteln, wie Tetrachlorkohlenstoff oder Trichloräthylen. Ein weiterer Vorzug des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß der Verbundkörper nach dem Walzen nicht mehr diffusionsgeglüht werden muß. Bei

ü herkömmlichen Verfahren ist häufig ein Diffusionsglühen notwendig, um eine Bindung zwischen dem Grundmetall und dem Plattiermetall auszubilden. Die Tatsache, daß beim erfindungsgemäßen Verfahren kein Diffusionsglühen erforderlich ist, ist besonders bedeutungsvoll, da durch das Diffusionsglühen auf Grund der erforderlichen langen Behandlungsdauer und der gemeinsamen Diffusion von Gasen zur Grenzfläche zwischen dem Grundmetall und dem Plattiermetall häufig Blasen od. dgl. auftreten. Das Diffusionsglühen fördert außerdem die Bildung von Metall-Metall-Verbindungen.

Im Anschluß an das Walzen sind beim erfindungsgemäßen Verfahren keine Arbeitsgänge mehr erforderlich. Die Verbundkörper sind bereits verwendungsfertig.

Es kann natürlich erwünscht sein, herkömmliche anschließende Arbeitsgänge für bestimmte Anwendungszwecke auszuführen, beispielsweise kann man eine kurze thermische Behandlung zur Verminderung von Spannung oder zur Erzielung gewünschter Eigenschäften anwenden, z. B. eine kurze Temperatur oder Alterung, ein Walzen zur Kontrolle der Abmessungen, ein zusätzliches Verfestigen durch Verformung.

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Claims (18)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung eines metallischen Verbundkörpers mit einem Grundmetall und einem davon unterschiedlichen Plattiermetall durch Zusammenwalzen, bei dem das Grundmetall in einer Stärke von weniger als 12,7 mm und das Plattiermetall in einer Stärke von weniger als 6,35 mm verwendet wird, das Grundmetall mit dem kalten Plattiermetall erst zwischen den Walzen zusammengeführt wird, der Einschlußwinkel zwischen Grund- und Plattiermetall größer als 5 und höchstens 22° gewählt wird, das Plattiermetall bereits vor der Berührung mit dem Grundmetall in Anlage mit der entsprechenden Walze gebracht wird, und das Grundmetall und das Plattiermetall in einem Stich unter Verminderung der Ausgangsstärke um mindestens 40% zum Verbundkörper gewalzt werden, nach Patent 15 77 104, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Plattierungspartner ein Metall mit einer Rekristallisationstemperatur unter 260° C ist, der durch die durch das Zusammenwalzen erzeugte Temperaturerhöhung mindestens teilweise zur Rekristallisation gebracht wird, während der oder die weitere(n) Plattierungspartner unrekristallisiert bleiben.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Plattierungspartner Kupfer oder eine Kupferlegierung ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Plattierungspartner ein Metall der Gruppe Blei, Zinn, Zink, Aluminium oder eine Legierung aus diesen Metallen ist.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als weiterer Plattierungspartner eine Kupferlegierung oder Blei, Zinn, Nickel, Titan, Eisen, Silber, Aluminium oder eine Legierung dieser Metalle verwendet werden.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmetall als der erste Plattierungspartner verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmetall beidseitig plattiert wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmetall beidseitig mit unterschiedlichen Metallen plattiert wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens 25 Prozent, vorzugsweise mindestens 50 Prozent, des Gefüges des ersten Plattierungspartners zur Rekristallisation gebracht werden.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als weiterer Plattierungspartner ein Metall verwendet wird, dessen Rekristallisationstemperatur um mindestens 55,5⁰C höher liegt als die des ersten Plattierungspartners.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als weiterer Plattierungspartner ein Metall verwendet wird, dessen Rekristallisationstemperatur um mindestens 167°C höher liegt als die des ersten Plattierungspartners.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Piattierungspartner vor dem Einführen in den Walzspalt vorerhitzt wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Plattierungspartner auf

weniger als 135⁰C vorerhitzt wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmetall mit einem kaltverformten Gefüge dem Walzspalt zugeführt wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Plattiermetall mit einem weichgeglühten Gefüge dem Walzspalt zugeführt wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Piattierungspartner mit einer Geschwindigkeit von mindestens 6,01 m/min zusammengewalzt werden.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Plattierungspartner im ersten Walzstich um bis 90 Prozent vermindert wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bia 16, dadurch gekennzeichnet, daß als Grundmetall Kupfer von handelsüblichem Reinheitsgrad und als Plattiermetall eine Legierung aus 75 Prozent Kupfer und 25 Prozent Nickel verwendet wird.

18. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 17 auf die Herstellung von Münzen.