DE1938367A1 - Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht - Google Patents
Halbleitervorrichtungen mit SperrschichtInfo
- Publication number
- DE1938367A1 DE1938367A1 DE19691938367 DE1938367A DE1938367A1 DE 1938367 A1 DE1938367 A1 DE 1938367A1 DE 19691938367 DE19691938367 DE 19691938367 DE 1938367 A DE1938367 A DE 1938367A DE 1938367 A1 DE1938367 A1 DE 1938367A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- silicon
- metals
- metal
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001122 Mischmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019596 Rh—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007735 Zr—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N copper silicon Chemical compound [Si].[Cu] WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED M. P. Lepselter
Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen, die aus einem Halbleiterplättchen und einem leitenden
Belag bestehen, welche eine Schottky-Sperrschicht bilden.
Oberflächensperrschicht-Dioden, welche sich durch nicht-ohmisches Verhalten an einem Metall-Halbleiter-Übergang
auszeichnen, sind bekannt. Die elektrischen Charakteristika dieser Vorrichtungen beruhen auf der
Austrittsarbeit des Metalls und außerdem auf der Elektronen-Affinität des Halbleiters, Eine Reihe
Vorrichtungen, welche als wirksame Gleichrichtungs-Sperrschichten dienen, sind in "Bell System Technical
Journal1,' Band XLIV, Seiten 1525-1528 (1965) und Band XLIII, Seiten 215-224 (1964) beschrieben.
Eine Veränderung in den Leit^-Eigenschaften der Sperrschicht
kann man durch Veränderung der die Sperrschicht
bildenden Materialien erhalten. Zur Verwirklichung unterschiedlicher Charakteristika werden gewöhnlich
unterschiedliche individualle Kontaktmetalle verwendet.
Beispielsweise hat eine Platin-Silicid-Silicium-Diode eine Spe'rrschichthöhe von 0,85, während die
9008/1^1 1
Sperrschichthöhe einer Kupfer-Silicium-Sperrschicht
eine Höhe von 0,58 Volt besitzt. Wenn jedoch ein Mechanismus verfügbar wäre, um jede gewünschte Sperrschichthöhe
auf einem zusammenhängenden Bereich zu erhalten, so könnte eine ideale Diode verfügbar
gemacht werden, welche für einen gegebenen Anwendungsfall der Vorrichtung passend ist.
Die für die vorbekannten Vorrichtungen bestehenden Beschränkungen sind erfindungsgemäß durch die
Schaffung einer Halbleitervorrichtung überwunden worden, welche aus eine'm Halbleiterplättchen und
einem leitenden Belag besteht, welche einen Schottky-Sperrschichtkontakt
bilden, wobei der Belag aus wenigstens zwei unterschiedlichen Metallen in solchem Verhältnis zusammengesetzt ist, daß eine
gewünschte Höhe der Schottky-Sperrschicht erhalten
■■-.-.
Gemäß der Erfindung kann eine Oberflächensperrschicht-Diode hergestellt werden, welche eine gewünschte
Strom-Spannung-Charakteristik aufweist, indem man einen Metallkohtakt anbringt, dessen Austrittsarbeit
in der passenden Beziehung zu dem Halbleiter steht. Diese idealisierte Austrittsarbeit wird dadurch
erhalten, daß man unterschiedliche Metalle zusammenbringt oder mischt, um den Metallkontakt zu bilden.
Die vorerwähnten und noch weitere Aspekte der Erfindung
sollen nachstehend an Hand der Zeichnung näher 009808/1211
4 κ. t i t ■ . *
erläutert werden; in der Zeichnung zeigen:
Pig. 1 bis 3 eine Reihe von Schnitten durch ein Halbleiterplättchen, welches im Sinne der
Erfindung behandelt worden ist, um eine Diode mit zusammengesetztem Metallkontakt
zu bilden,
Fig. 4 ein Energie-Pegel-Diagramm für eine typische Metall-Halbleiter-Sperrschicht,
Fig. 5 ein Schaubild mit Darstellung der Beziehung zwischen Logarithmusstrom zurSpannung für
verschiedene Dioden, die entsprechend der Erfindung hergestellt worden sind.
Die Flg. 1 bis 3 veranschaulichen eine typische Folge
von Vorgängen zur Herstellung einer erfindungsgemäßen
Sperrschicht. In Fig. 1 .ist eine n-Typ-Siliciumunterlage
10 dargestellt, welche eine weniger stark dotierte n-Typ-Schicht 11 aus Silicium trägt, die gleichförmig
auf der Oberseite der Unterlage niedergeschlagen ist. Die in der Isoliermaske vorgesehene öffnung 12 begrenzt
den Sperrschichtbereich. Die Sperrschicht wird durch das Auftragen einer Kombination aus wenigstens zwei
Metallen, z. B. Platin und Rhodium, auf das frei zugängliche Silicium gebildet. Die Metallschichten sind in
Fig. 1 mit 13 und 14 bezeichnet. Die Metalle können gleichzeitig aus einer Legierung oder aus zwei getrennten
0 0 9 8 f) 8 / 1 2 1 "ι
Quellen aufgetragen werden; es Ist aber auch möglich, daß sie unabhängig voneinander niedergeschlagen werden.
Die Metalle können unter Anwendung der üblichen Techniken aufgedampft werden; man kann sie aber auch
auf die gesamte Oberfläche verstäuben·
Das entstandene Gebilde wird dann erhitzt, damit die
Metalle mit dem darunter liegenden Silicium reagieren, so daß aus den aufgetragenen Metallen gemäß Fig· 2
eine zusammengesetzte Silicid-Schicht 15 entsteht. Die Silicid-Schicht 15 bildet sich teilweise innerhalb
der Oberfläche des aufgetragenen Siliciums und ragt teilweise aus dieser Oberfläche heraus; das
beruht darauf, daß ein Teil des Siliciumkristalls als
Siliciumquelle bei der Bildung des Silicide dient·
Der Bereich 15 besteht hauptsächlich aus den bei der
Reaktion entstandenen Metall-Siliciden· Danach wird unter Anwendung üblicher Techniken ein Kontakt an
der zusammengesetzten Metall-Sillcid-Schicht angebracht.
Der in Fig. 3 dargestellte Kontakt ist ein üblicher Durchschleifkon;takt, der beispielsweise aus
einer unteren Titanschicht 16 von 1000 Ä , einer mittleren Platinschicht 17 von 3000 Ä und einer
oberen Schicht 18 aus Gold von einer Stärke von 10ju· zusammengesetzt ist. Wenn die Schichten 13 und
14 (Fig. 1) auf der gesamten Oberseite des Gebildes niedergeschlagen werden, kann es erwünscht sein, das
nicht benötigte Metall durch Zerstäubung zu entfernen.
009 808/12 1 1
In der fertiggestellten Vorrichtung gemäß Fig. 3
ist die interessierende Sperrschicht bei 19 angegeben· Diese Diodenform, welche auf einer Metallsilicid-Silicium-Sperrschicht
beruht, ist besonders wirksam, da die Sperrschicht innerhalb des Halbleiterkörpers
gebildet wird, und zwar als Folge des Legierungsprozesses. Es besteht daher eine
gewisse Unabhängigkeit von dem Oberflächenzustand des Siliciums bevor der Mischmetallfilm aufgebracht
wird. Das Silicid bildet bekanntlich eine wirksame Gleichrichtungs-Sperrschicht mit dem Silicium.
Das Gebilde nach Fig. 3 soll als Beispiel der Gruppe
von Vorrichtungen dienen, deren Funktion auf einer Metall-Halbleiter-Gleichrichtungssperrschicht beruht.
Die Erfindung ist allgemein bei allen Formen solcher Vorrichtungen anwendbar, wie sich aus der folgenden
Beschreibung noch ergeben wird.
In Fig. 4 ist ein Energiepegel-Diagramm einer Metall-Halbleiter-Sperrschicht
dargestellt. Die Energie, die ein Durchschnittselektron e für den Durchgang in der
Gegenrichtung benötigt, ist weitgehend durch die Sperrschichthöhe h bestimmt. Die SperrSchichthöhe ist
gleich der Differenz der Austrittsarbeit zwischen dem Metall und dem Halbleiter oder mit anderen Worten,
zwischen Fermi-Verkeilungs-Pegeln der Metallmasse und der Halbleitermasse. Aus dieser Beziehung ergibt
sich das wesentliche Erfordernis, daß die Austrittsarbeit des Metalls die entsprechende Eigenschaft des
009808/1211
-ir-
Halbleiters überwiegen'muß, damit eine Sperrschicht
gebildet wird. Wenn diese Bedingung nicht erfüllt ist, so entsteht eine ohmsche Verbindung.
Wenn nach Fig. 4 eine Spannung in Vorwärtsrichtung an die Sperrschicht angelegt wird, so wird der Fermi-Pegel
in dem Halbleiter nach oben verschoben, und eine stetig größer werdende Anzahl von Elektronen
erhält die für den Durchgang durch die scheinbar niedrigere Sperrschicht ausreichende Energie. Beim
Anlegen einer Spannung in der Gegenrichtung wird der Fermi-Pegel in dem Halbleiter auf eine tiefere Lage
gebracht und die Sperrschicht wird effektiv angehoben.
Die Formel für den Stromdurchgang durch die Sperrschicht lautet:
I = A* T2 e -^/kT Ampere /cm2
4t
Dari bedeutet A die Richardson-Konstante, welche die
thermionische Emission in de» Halbleiter beschreibt « 120 Ampere / cm? deg.2).
T ist die Temperatur, q bezeichnet die Ladung des Trägers, kT ist der übliche Boltzmann-Ausdruck und
0 ist die Sperrschichthöhe. Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Änderung von 0 und demgemäß die
Einstellung der Leitungseigenschaften der Sperrschicht
009808/1211
auf eine vorbestimmte Charakteristik.
Di· Erfindung soll durch die folgenden Beispiele näher erläutert werden:
Sine der Fig. 3 ähnliche Diode wird mit einer Unterlageschicht 11 aus 1 Ohm-cm, n-Typ-Sillcium hergestellt. Die Unterlage 10 besteht aus n+ Silicium und
die Isoliermaske 12 besteht aus Siliciumoxyd. Das
ο niedergeschlagene Netall besteht aus 500 A Rhodium 13
ο
und 200 A Zirkon 14; die beiden Metalle können in
beliebiger Folge oder aus einer Legierungsanode
niedergeschlagen werden. Das Gebilde wird auf eine Temperatur von wenigstens 500 ° C erhitzt, und zwar
für eine Dauer von mehr als zwei Minuten. Das führt zur Bildung einer Zr-Rh-Silicidschicht 15 (Fig. 3).
Nach dem gleichen Verfahren wurde eine Vorrichtung mit einer Zirkon-Rhodium-Silicid/Sillcium-Sperrschicht
hergestellt. Die nach diesem Verfahren erzeugten Sperrschichten sind in dem Strom-Spannungsschaubild
der Fig. 5 wiedergegeben. Das Schaubild veranschaulicht den Logarithmus des Vorwärtsstroms gegen Spannung und
ergibt eine relativ lineare Darstellung der Sperrschichthöhe. Die Sperrschicht für die (ZrRh) Si-Diode,
nämlich die Kurve 30, liegt etwa 25 mV tiefer als diejenige von Rh-Si auf Silicium (Kurve 31) und 190 mV
höher als diejenige von Zr-Si auf Silicium (Kurve 32). Die Leiteigenschaften der (TiRh) Si-Diode, die in Kurve
33 veranschaulicht ist, sind ebenfallsvesentlich
009808/12 11
- ar -
verschieden von denjenigen der Rhodium Silicid-Silicium-Diode (Kurve 31). Es ergibt sich daraus,
daß eine stetige Einstellung der Sperrschichthöhe zwischen den Endwerten erhalten werden kann, indem
man die relativen Mengenverhältnisse der den Film 19 bildenden Metalle verändert. Zu den für die
Gemischbildung brauchbaren Metalle gehören Zr9
Ti, V, Cr, Mo, ¥, Au, Cu, Ni und die Metalle der
Platingruppe (Atomzahlen 44-46 und 76-78).
Wenn auch die vorliegende Beschreibung auf Sperrschichtdioden angestellt 1st, so ist doch verständlich, daß auch andere Vorrichtungen nach den Lehren
der Erfindung hergestellt werden können, wie 2. B*
Transistoren, welche la wesentlichen Dioden-Strukturen enthalten. Beispielsweise können Feldeffekt-Transistoren
von der Erfindung Gebrauch machen, bei welchen Metall-Halbleiter-Sperrschichten als Quelle und Ableitkontakte
Anwendung finden.
009808/121 1
Claims (5)
- - r-M. P. LepselterPatentansprüche1^ Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterplättchen und einem, leitenden Belag, welche einen Schottky-Sperrschichtkontakt bilden, dadurch gekennzeichnet, daß der Belag aus wenigstens zwei verschiedenen Metallen in solchem Verhältnis zusammengesetzt ist, daß eine gewünschte Höhe für die Schottky-Sperrschicht entsteht.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter aus Silicium besteht und daß die zusammengesetzte Metallschicht ein Metallsilicid-Gemisch ist.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zusammengesetzte Metallschicht wenigstens zwei Metalle aus der Gruppe enthält, welche Ti, V, Cr, Mo, W, Ni, Cu, Au und die Metalle der Platingruppe umfaßt.
- 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zusammengesetzte Metallschicht ein Gemisch aus Ti und Rh ist.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zusammengesetzte Metallschicht ein Gemisch aus Zr und Rh ist.009808/12 1 1
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US74939668A | 1968-08-01 | 1968-08-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1938367A1 true DE1938367A1 (de) | 1970-02-19 |
Family
ID=25013597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691938367 Pending DE1938367A1 (de) | 1968-08-01 | 1969-07-29 | Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE736650A (de) |
| DE (1) | DE1938367A1 (de) |
| FR (1) | FR2014851A1 (de) |
| NL (1) | NL6911534A (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2649738A1 (de) * | 1975-10-29 | 1977-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung mit einer schottky-barriere |
| DE2754861A1 (de) * | 1976-12-29 | 1978-07-06 | Ibm | Halbleitervorrichtung mit einem schottky-sperrschichtkontakt und verfahren zu dessen herstellung |
| DE2921971A1 (de) * | 1978-06-02 | 1979-12-06 | Int Rectifier Corp | Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2445627A1 (fr) * | 1978-12-28 | 1980-07-25 | Lignes Telegraph Telephon | Procede perfectionne de fabrication de diodes schottky et diodes de puissance ainsi realisees |
-
1969
- 1969-07-28 NL NL6911534A patent/NL6911534A/xx unknown
- 1969-07-28 BE BE736650D patent/BE736650A/xx unknown
- 1969-07-29 DE DE19691938367 patent/DE1938367A1/de active Pending
- 1969-07-29 FR FR6925899A patent/FR2014851A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2649738A1 (de) * | 1975-10-29 | 1977-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung mit einer schottky-barriere |
| DE2754861A1 (de) * | 1976-12-29 | 1978-07-06 | Ibm | Halbleitervorrichtung mit einem schottky-sperrschichtkontakt und verfahren zu dessen herstellung |
| DE2921971A1 (de) * | 1978-06-02 | 1979-12-06 | Int Rectifier Corp | Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2014851A1 (en) | 1970-04-24 |
| BE736650A (de) | 1969-12-31 |
| NL6911534A (de) | 1970-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0012955B1 (de) | Ätzmittel zum Ätzen von Siliciumoxiden auf einer Unterlage und Ätzverfahren | |
| EP0000743A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Tantal-Kontakten auf einem aus N-leitendem Silicium bestehenden Halbleitersubstrat | |
| DE3135993A1 (de) | "verfahren zur herstellung von kontakten mit geringem widerstand in halbleitervorrichtungen" | |
| DE4010618A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2754397A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines schottky-sperrschicht-kontaktes | |
| DE2228678A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer schicht aus leiterzugmaterial fuer halbleiterbauteile | |
| DE2215357A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil | |
| EP0123309A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen | |
| EP0005185A1 (de) | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen | |
| DE1614148B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektrode fuer halbleiter bauelemente | |
| DE1932590A1 (de) | Monolithische Schaltung mit eingegliederten Schalttransistoren und stark nichtlineare Widerstandscharakteristiken aufweisenden Schottkydioden und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2908146A1 (de) | Amorpher halbleiter und verfahren zu seiner herstellung | |
| US3669730A (en) | Modifying barrier layer devices | |
| DE2457130A1 (de) | Germanium-dotierte galliumarsenidschicht als ohmscher kontakt | |
| DE3011952C2 (de) | Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial | |
| DE2538600A1 (de) | Ohm'sche kontakte fuer n-leitende iii-v-halbleiter | |
| DE1414538A1 (de) | Unterschiedliche Leitfaehigkeitszonen aufweisende Halbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2252832A1 (de) | Halbleiterelement mit elektroden sowie verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1938367A1 (de) | Halbleitervorrichtungen mit Sperrschicht | |
| DE2654416A1 (de) | Verfahren zur herstellung von schottky-dioden mit verbesserter hoehe der barriere | |
| DE2141718A1 (de) | Verfahren zum Herstellen elektri scher Kontakte auf der Oberflache eines Halbleiterbauteils | |
| DE1806980A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
| DE3516391C2 (de) | ||
| DE102018123924A1 (de) | Eine Halbleitervorrichtung mit einer Lotverbindung, die eine Verbindung Sn/Sb aufweist | |
| DE3124239A1 (de) | Halbleiteranordnung mit schottky-diode und verfahren zu ihrer herstellung |