FR2014851A1 - Semiconductor device with a schottky barris of a - desired level - Google Patents

Semiconductor device with a schottky barris of a - desired level

Info

Publication number
FR2014851A1
FR2014851A1 FR6925899A FR6925899A FR2014851A1 FR 2014851 A1 FR2014851 A1 FR 2014851A1 FR 6925899 A FR6925899 A FR 6925899A FR 6925899 A FR6925899 A FR 6925899A FR 2014851 A1 FR2014851 A1 FR 2014851A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductor device
schottky
desired level
conducting layer
barris
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
FR6925899A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of FR2014851A1 publication Critical patent/FR2014851A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
FR6925899A 1968-08-01 1969-07-29 Semiconductor device with a schottky barris of a - desired level Withdrawn FR2014851A1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74939668A 1968-08-01 1968-08-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2014851A1 true FR2014851A1 (en) 1970-04-24

Family

ID=25013597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR6925899A Withdrawn FR2014851A1 (en) 1968-08-01 1969-07-29 Semiconductor device with a schottky barris of a - desired level

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE736650A (fr)
DE (1) DE1938367A1 (fr)
FR (1) FR2014851A1 (fr)
NL (1) NL6911534A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0013520A1 (fr) * 1978-12-28 1980-07-23 Lignes Telegraphiques Et Telephoniques L.T.T. Procédé perfectionné de fabrication de diodes Schottky et diodes de puissance ainsi réalisées

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5254369A (en) * 1975-10-29 1977-05-02 Mitsubishi Electric Corp Schottky barrier semiconductor device
US4141020A (en) * 1976-12-29 1979-02-20 International Business Machines Corporation Intermetallic aluminum-transition metal compound Schottky contact
US4206540A (en) * 1978-06-02 1980-06-10 International Rectifier Corporation Schottky device and method of manufacture using palladium and platinum intermetallic alloys and titanium barrier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0013520A1 (fr) * 1978-12-28 1980-07-23 Lignes Telegraphiques Et Telephoniques L.T.T. Procédé perfectionné de fabrication de diodes Schottky et diodes de puissance ainsi réalisées
FR2445627A1 (fr) * 1978-12-28 1980-07-25 Lignes Telegraph Telephon Procede perfectionne de fabrication de diodes schottky et diodes de puissance ainsi realisees

Also Published As

Publication number Publication date
NL6911534A (fr) 1970-02-03
DE1938367A1 (de) 1970-02-19
BE736650A (fr) 1969-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900007146B1 (en) Manufacture of semiconductor device
ES375322A1 (es) Perfeccionamientos en la construccion de estructuras de se-miconductores.
ES375119A1 (es) Un dispositivo semiconductor.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL169250B (nl) Keten voor het in een blokkerende toestand brengen van een in geleidende toestand verkerende stuurbare halfgeleidergelijkrichter met een halfgeleiderlichaam met vier lagen van afwisselend tegengesteld geleidingstype.
GB983840A (en) A gallium arsenide semiconductor device having at least one rectifying contact formed by alloying
FR2014851A1 (en) Semiconductor device with a schottky barris of a - desired level
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
ES407127A1 (es) Un dispositivo semiconductor de conmutacion o memoria.
GB1225088A (fr)
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
CA923627A (en) Semiconductor having a transistor, a thyristor and a diode in one body
Fedak et al. Nonplanar interfaces in two-phase ternary diffusion couples
NL140657B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL169249C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste twee transistors welke zijn voorzien van afzonderlijke basisgebieden in een gemeenschappelijk geisoleerd eilanddeel van een epitaxiale laag op een halfgeleidersubstraat, waarbij de transistors onderling zijn gekoppeld door het geisoleerde eilanddeel van de epitaxiale laag.
CH550486A (de) Schottky diode und ihre verwendung in einer integrierten vorrichtung.
ES402164A1 (es) Un metodo para fabricar dispositivos monoliticos semicon- ductores.
NL144436B (nl) Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder planaire transistor.
GB1399164A (en) Semiconductor devices
GB1217665A (en) Field effect transistor
DIMITRAKI et al. Experimental investigation of semiconductor diodes for operation in pulsed bridge elements(Planar Ge and Si diodes application in pulsed bridge elements, investigating current-voltage and resistance-voltage characteristics)
FR2058385A1 (en) Diode with schottky barrier
FR2022510A1 (en) Semi-conductor device
GB1521477A (en) Electronic data storage matrices and storage elements therefor
NL163065C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse