NL149638B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL149638B NL149638B NL666604963A NL6604963A NL149638B NL 149638 B NL149638 B NL 149638B NL 666604963 A NL666604963 A NL 666604963A NL 6604963 A NL6604963 A NL 6604963A NL 149638 B NL149638 B NL 149638B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- procedure
- accordance
- manufacturing
- field effect
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
- H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/425—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL666604963A NL149638B (nl) | 1966-04-14 | 1966-04-14 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
GB1656567A GB1188798A (en) | 1966-04-14 | 1967-04-11 | Manufacture of Semiconductor Devices. |
US630026A US3481030A (en) | 1966-04-14 | 1967-04-11 | Method of manufacturing a semiconductor device |
GB58370/69A GB1188799A (en) | 1966-04-14 | 1967-04-11 | Insulated Gate Field Effect Devices. |
DE1614233A DE1614233B2 (de) | 1966-04-14 | 1967-04-11 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
FR102839A FR1519197A (fr) | 1966-04-14 | 1967-04-14 | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé |
US05/034,484 USRE28703E (en) | 1966-04-14 | 1970-05-04 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL666604963A NL149638B (nl) | 1966-04-14 | 1966-04-14 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6604963A NL6604963A (nl) | 1967-10-16 |
NL149638B true NL149638B (nl) | 1976-05-17 |
Family
ID=19796281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL666604963A NL149638B (nl) | 1966-04-14 | 1966-04-14 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3481030A (nl) |
DE (1) | DE1614233B2 (nl) |
FR (1) | FR1519197A (nl) |
GB (1) | GB1188799A (nl) |
NL (1) | NL149638B (nl) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE28704E (en) * | 1968-03-11 | 1976-02-03 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor devices |
GB1261723A (en) * | 1968-03-11 | 1972-01-26 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to semiconductor devices |
US3571913A (en) * | 1968-08-20 | 1971-03-23 | Hewlett Packard Co | Method of making ohmic contact to a shallow diffused transistor |
JPS4812394B1 (nl) * | 1968-09-30 | 1973-04-20 | ||
US3698078A (en) * | 1969-12-22 | 1972-10-17 | Gen Electric | Diode array storage system having a self-registered target and method of forming |
US4087902A (en) * | 1976-06-23 | 1978-05-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Field effect transistor and method of construction thereof |
JPS539469A (en) * | 1976-07-15 | 1978-01-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device having electrode of stepped structure and its production |
US4296424A (en) * | 1978-03-27 | 1981-10-20 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor device having a semiconductor-converted conductive region |
GB2172744B (en) * | 1985-03-23 | 1989-07-19 | Stc Plc | Semiconductor devices |
US4728617A (en) * | 1986-11-04 | 1988-03-01 | Intel Corporation | Method of fabricating a MOSFET with graded source and drain regions |
US4895520A (en) * | 1989-02-02 | 1990-01-23 | Standard Microsystems Corporation | Method of fabricating a submicron silicon gate MOSFETg21 which has a self-aligned threshold implant |
US6417108B1 (en) * | 1998-02-04 | 2002-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2563503A (en) * | 1951-08-07 | Transistor | ||
BE525823A (nl) * | 1953-01-21 | |||
US2787564A (en) * | 1954-10-28 | 1957-04-02 | Bell Telephone Labor Inc | Forming semiconductive devices by ionic bombardment |
US2981877A (en) * | 1959-07-30 | 1961-04-25 | Fairchild Semiconductor | Semiconductor device-and-lead structure |
US3311756A (en) * | 1963-06-24 | 1967-03-28 | Hitachi Seisakusho Tokyoto Kk | Electronic circuit having a fieldeffect transistor therein |
US3298863A (en) * | 1964-05-08 | 1967-01-17 | Joseph H Mccusker | Method for fabricating thin film transistors |
-
1966
- 1966-04-14 NL NL666604963A patent/NL149638B/nl not_active IP Right Cessation
-
1967
- 1967-04-11 DE DE1614233A patent/DE1614233B2/de not_active Ceased
- 1967-04-11 GB GB58370/69A patent/GB1188799A/en not_active Expired
- 1967-04-11 US US630026A patent/US3481030A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-04-14 FR FR102839A patent/FR1519197A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6604963A (nl) | 1967-10-16 |
DE1614233A1 (de) | 1970-05-27 |
GB1188799A (en) | 1970-04-22 |
DE1614233B2 (de) | 1978-04-27 |
FR1519197A (fr) | 1968-03-29 |
US3481030A (en) | 1969-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL162791C (nl) | Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154870B (nl) | Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting. | |
NL152117B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting. | |
NL161617B (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL142281B (nl) | Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL162511C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL170902C (nl) | Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder monolithische geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL150620B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154062B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze. | |
NL153025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis. | |
NL163673C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype. | |
NL140657B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL143734B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze. | |
NL166820C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL140363B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
NL139414B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL154867B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: PHILIPS |
|
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |