NL149638B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL149638B
NL149638B NL666604963A NL6604963A NL149638B NL 149638 B NL149638 B NL 149638B NL 666604963 A NL666604963 A NL 666604963A NL 6604963 A NL6604963 A NL 6604963A NL 149638 B NL149638 B NL 149638B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
procedure
accordance
manufacturing
field effect
Prior art date
Application number
NL666604963A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6604963A (nl
Inventor
Ties Ir Siebolt
Hein Dr Koelmans
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL666604963A priority Critical patent/NL149638B/nl
Priority to GB1656567A priority patent/GB1188798A/en
Priority to GB58370/69A priority patent/GB1188799A/en
Priority to DE1614233A priority patent/DE1614233B2/de
Priority to US630026A priority patent/US3481030A/en
Priority to FR102839A priority patent/FR1519197A/fr
Publication of NL6604963A publication Critical patent/NL6604963A/xx
Priority to US05/034,484 priority patent/USRE28703E/en
Publication of NL149638B publication Critical patent/NL149638B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/425—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49099—Coating resistive material on a base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
NL666604963A 1966-04-14 1966-04-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. NL149638B (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL666604963A NL149638B (nl) 1966-04-14 1966-04-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
GB1656567A GB1188798A (en) 1966-04-14 1967-04-11 Manufacture of Semiconductor Devices.
GB58370/69A GB1188799A (en) 1966-04-14 1967-04-11 Insulated Gate Field Effect Devices.
DE1614233A DE1614233B2 (de) 1966-04-14 1967-04-11 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US630026A US3481030A (en) 1966-04-14 1967-04-11 Method of manufacturing a semiconductor device
FR102839A FR1519197A (fr) 1966-04-14 1967-04-14 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé
US05/034,484 USRE28703E (en) 1966-04-14 1970-05-04 Method of manufacturing a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL666604963A NL149638B (nl) 1966-04-14 1966-04-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6604963A NL6604963A (nl) 1967-10-16
NL149638B true NL149638B (nl) 1976-05-17

Family

ID=19796281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL666604963A NL149638B (nl) 1966-04-14 1966-04-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3481030A (nl)
DE (1) DE1614233B2 (nl)
FR (1) FR1519197A (nl)
GB (1) GB1188799A (nl)
NL (1) NL149638B (nl)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1261723A (en) * 1968-03-11 1972-01-26 Associated Semiconductor Mft Improvements in and relating to semiconductor devices
USRE28704E (en) * 1968-03-11 1976-02-03 U.S. Philips Corporation Semiconductor devices
US3571913A (en) * 1968-08-20 1971-03-23 Hewlett Packard Co Method of making ohmic contact to a shallow diffused transistor
JPS4812394B1 (nl) * 1968-09-30 1973-04-20
US3698078A (en) * 1969-12-22 1972-10-17 Gen Electric Diode array storage system having a self-registered target and method of forming
US4087902A (en) * 1976-06-23 1978-05-09 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Field effect transistor and method of construction thereof
JPS539469A (en) * 1976-07-15 1978-01-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device having electrode of stepped structure and its production
US4296424A (en) * 1978-03-27 1981-10-20 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Compound semiconductor device having a semiconductor-converted conductive region
GB2172744B (en) * 1985-03-23 1989-07-19 Stc Plc Semiconductor devices
US4728617A (en) * 1986-11-04 1988-03-01 Intel Corporation Method of fabricating a MOSFET with graded source and drain regions
US4895520A (en) * 1989-02-02 1990-01-23 Standard Microsystems Corporation Method of fabricating a submicron silicon gate MOSFETg21 which has a self-aligned threshold implant
DE69917819T2 (de) * 1998-02-04 2005-06-23 Canon K.K. SOI Substrat

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2563503A (en) * 1951-08-07 Transistor
BE525823A (nl) * 1953-01-21
US2787564A (en) * 1954-10-28 1957-04-02 Bell Telephone Labor Inc Forming semiconductive devices by ionic bombardment
US2981877A (en) * 1959-07-30 1961-04-25 Fairchild Semiconductor Semiconductor device-and-lead structure
US3311756A (en) * 1963-06-24 1967-03-28 Hitachi Seisakusho Tokyoto Kk Electronic circuit having a fieldeffect transistor therein
US3298863A (en) * 1964-05-08 1967-01-17 Joseph H Mccusker Method for fabricating thin film transistors

Also Published As

Publication number Publication date
DE1614233A1 (de) 1970-05-27
FR1519197A (fr) 1968-03-29
GB1188799A (en) 1970-04-22
NL6604963A (nl) 1967-10-16
DE1614233B2 (de) 1978-04-27
US3481030A (en) 1969-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL162791C (nl) Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152117B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL170902C (nl) Halfgeleiderinrichting, in het bijzonder monolithische geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL153025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis.
NL163673C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype.
NL140657B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL143734B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL139414B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154867B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: PHILIPS

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent