NL162511C - Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. - Google Patents

Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.

Info

Publication number
NL162511C
NL162511C NL6900492.A NL6900492A NL162511C NL 162511 C NL162511 C NL 162511C NL 6900492 A NL6900492 A NL 6900492A NL 162511 C NL162511 C NL 162511C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor circuit
integrated semiconductor
manufacturing
lateral transistor
integrated
Prior art date
Application number
NL6900492.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL162511B (nl
NL6900492A (nl
Inventor
Heinz Walter Dr Rueegg
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL6900492.A priority Critical patent/NL162511C/nl
Priority to DE1964979A priority patent/DE1964979C3/de
Priority to FR7000260A priority patent/FR2028146B1/fr
Priority to GB981/70A priority patent/GB1291383A/en
Priority to JP45002361A priority patent/JPS4824671B1/ja
Priority to AT14070A priority patent/AT324421B/de
Priority to BR215876/70A priority patent/BR7015876D0/pt
Priority to SE00182/70A priority patent/SE349428B/xx
Priority to CH20870A priority patent/CH505475A/de
Priority to BE744279D priority patent/BE744279A/xx
Priority to US12547A priority patent/US3667006A/en
Publication of NL6900492A publication Critical patent/NL6900492A/xx
Publication of NL162511B publication Critical patent/NL162511B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL162511C publication Critical patent/NL162511C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0821—Combination of lateral and vertical transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/038—Diffusions-staged
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/096—Lateral transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion
NL6900492.A 1969-01-11 1969-01-11 Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. NL162511C (nl)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6900492.A NL162511C (nl) 1969-01-11 1969-01-11 Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
DE1964979A DE1964979C3 (de) 1969-01-11 1969-12-24 Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
FR7000260A FR2028146B1 (nl) 1969-01-11 1970-01-06
JP45002361A JPS4824671B1 (nl) 1969-01-11 1970-01-08
AT14070A AT324421B (de) 1969-01-11 1970-01-08 Halbleitervorrichtung mit einem lateralen transistor und verfahren zur herstellung einer solchen
BR215876/70A BR7015876D0 (pt) 1969-01-11 1970-01-08 Dispositivo semicondutor processo para sua fabricacao
GB981/70A GB1291383A (en) 1969-01-11 1970-01-08 Improvements in and relating to semiconductor devices
SE00182/70A SE349428B (nl) 1969-01-11 1970-01-08
CH20870A CH505475A (de) 1969-01-11 1970-01-08 Halbleitervorrichtung mit einem lateralen Transistor
BE744279D BE744279A (fr) 1969-01-11 1970-01-09 Dispositif semi-conducteur comportant un transistor lateral
US12547A US3667006A (en) 1969-01-11 1970-02-19 Semiconductor device having a lateral transistor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6900492.A NL162511C (nl) 1969-01-11 1969-01-11 Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
US1254770A 1970-02-19 1970-02-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6900492A NL6900492A (nl) 1970-07-14
NL162511B NL162511B (nl) 1979-12-17
NL162511C true NL162511C (nl) 1980-05-16

Family

ID=26644392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6900492.A NL162511C (nl) 1969-01-11 1969-01-11 Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3667006A (nl)
AT (1) AT324421B (nl)
BE (1) BE744279A (nl)
CH (1) CH505475A (nl)
DE (1) DE1964979C3 (nl)
FR (1) FR2028146B1 (nl)
GB (1) GB1291383A (nl)
NL (1) NL162511C (nl)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT946150B (it) * 1971-12-15 1973-05-21 Ates Componenti Elettron Perfezionamento al processo plana re epistssiale per la produzione di circuiti integrati lineari di potenza
JPS4998981A (nl) * 1973-01-24 1974-09-19
US3891480A (en) * 1973-10-01 1975-06-24 Honeywell Inc Bipolar semiconductor device construction
US3972061A (en) * 1974-10-02 1976-07-27 National Semiconductor Corporation Monolithic lateral S.C.R. having reduced "on" resistance
GB1558281A (en) * 1975-07-31 1979-12-19 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor device and logic circuit constituted by the semiconductor device
US4087900A (en) * 1976-10-18 1978-05-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of semiconductor integrated circuit structure including injection logic configuration compatible with complementary bipolar transistors utilizing simultaneous formation of device regions
JPS5478092A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Hitachi Ltd Lateral semiconductor device
FR2457564A1 (fr) * 1979-05-23 1980-12-19 Thomson Csf Transistor pnp pour circuit integre bipolaire et son procede de fabrication
NL8006827A (nl) * 1980-12-17 1982-07-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
JPS60117765A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
IT1188309B (it) * 1986-01-24 1988-01-07 Sgs Microelettrica Spa Procedimento per la fabbricazione di dispositivi elettronici integrati,in particolare transistori mos a canale p ad alta tensione
JPS62210667A (ja) * 1986-03-11 1987-09-16 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4851893A (en) * 1987-11-19 1989-07-25 Exar Corporation Programmable active/passive cell structure
JP2692099B2 (ja) * 1988-01-14 1997-12-17 日本電気株式会社 マスタースライス方式の集積回路
US5175117A (en) * 1991-12-23 1992-12-29 Motorola, Inc. Method for making buried isolation
DE19520182C2 (de) * 1995-06-01 2003-06-18 Infineon Technologies Ag Bipolartransistor vom pnp-Typ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3197710A (en) * 1963-05-31 1965-07-27 Westinghouse Electric Corp Complementary transistor structure
FR1459084A (fr) * 1964-09-18 1966-04-29 Texas Instruments Inc Ligne de transmission sous forme de bandes pour haute fréquence
US3445734A (en) * 1965-12-22 1969-05-20 Ibm Single diffused surface transistor and method of making same
US3427513A (en) * 1966-03-07 1969-02-11 Fairchild Camera Instr Co Lateral transistor with improved injection efficiency
US3434021A (en) * 1967-01-13 1969-03-18 Rca Corp Insulated gate field effect transistor
FR1520514A (fr) * 1967-02-07 1968-04-12 Radiotechnique Coprim Rtc Procédé de fabrication de circuits intégrés comportant des transistors de types opposés
FR1520515A (fr) * 1967-02-07 1968-04-12 Radiotechnique Coprim Rtc Circuits intégrés comportant des transistors de types opposés et leurs procédésde fabrication
US3524113A (en) * 1967-06-15 1970-08-11 Ibm Complementary pnp-npn transistors and fabrication method therefor
US3502951A (en) * 1968-01-02 1970-03-24 Singer Co Monolithic complementary semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US3667006A (en) 1972-05-30
DE1964979C3 (de) 1985-06-20
BE744279A (fr) 1970-07-09
DE1964979A1 (de) 1970-07-23
NL162511B (nl) 1979-12-17
NL6900492A (nl) 1970-07-14
FR2028146B1 (nl) 1974-09-13
AT324421B (de) 1975-08-25
FR2028146A1 (nl) 1970-10-09
CH505475A (de) 1971-03-31
DE1964979B2 (de) 1976-09-30
GB1291383A (en) 1972-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL161620C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154872B (nl) Een werkwijze voor het vervaardigen van omhulsels voor halfgeleiderelementen en voor geintegreerde halfgeleiderschakelingen en omhulsels vervaardigd volgens de werkwijze.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL164157B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL165005C (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee