DE1964979C3 - Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein solches Halbleiterbauelement ist Gegenstand des älteren Patents 17 64 464, soweit es nach dem in dem älteren Patent geschützten Verfahren hergestellt ist.
Laterale Transistoren sind wichtig für integrierte Halbleiterschaltungen und bieten die Möglichkeit, neben den üblichen vertikalen NPN- oder PNP-Transistoren in diese Schaltungen PNP- bzw. NPN-Transistoren aufzunehmen.
Die Emitterzone eines lateralen Transistors injiziert Ladungsträger sowohl in lateralen Richtungen, d. h. in Richtung zur Kollektorzone hin, als auch in vertikaler Richtung, d. h. in Richtung zur begrabenen Schicht. Um gute elektrische Eigenschaften des lateralen Transistors zu erzielen, ist es erwünscht, daß die vertikale Injektion klein ist.
Eine kleine vertikale Injektion könnte dadurch er-
reicht werden, daß die Emitterzone als sehr kleine Oberflächenzone ausgebildet wird. Die Emitterzone müßte dann aber so klein sein, daß sie mit Hilfe der gegenwärtig üblichen bekannten Verfahren zur Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen nicht mehr realisiert werden kann.
Weiterhin ist es aber möglich — wie in der Patentschrift des älteren Patents 17 64 464 beschrieben —, daß die Emitter- und Kollektorzonen Oberflächenzonen mit einer solchen großen Dicke sind, daß sie bis zur begrabenen Schicht reichen. Ein Halbleiterbauelement mit solchen Emitter- und Kollektorzonen läßt sich in einfacher Weise herstellen und das Anbringen des lateralen Transistors erfordert keine zusätzliche Maßnahme in der Herstellung. Die Emitter- und Kollektorzonen können gleichzeitig gebildet werden. Die vertikale Injektion der Emitterzone ist klein, da die Emitterzone bis zur hochdotierten begrabenen Schicht reicht. Die Kollektor-Basis-Durchbruchspannung ist aber niedrig, da die Kollektorzone gleichfalls bis zur hochdotierten begrabenen Schicht reicht.
Aus der Zeitschrift »IEEE Transactions on Electron Devices«, ED-14, Nr. 7, Juli 1967, Seiten 381-385, ist es auch bekannt, bei lateralen Transistoren eine begrabene Schicht vorzusehen. Die begrabene Schicht hat den gleichen Leitungstyp wie die Inseln. Sie kann durch Eindiffusion eines Dotierungsstoffes in das Halbleitersubstrat vor dem Erzeugen der epitaktischen Halbleiterschicht gebildet werden. Eine solche begrabene Schicht hat einen niedrigeren spezifischen Widerstand, d. h. eine höhere Dotierung, als die Inseln und ist in ein Halbleiterbauelement, auf das sich die Erfindung bezieht, zur Herabsetzung des Basiswiderstandes und zur Verringerung der Trägerinjektion in vertikaler Richtung des lateralen Transistors aufgenommen.
In dem genannten Zeitschriftenartikel wurde vorgeschlagen, die begrabene Schicht unter der Emitterzone mit einer Verdickung zu versehen. Allerdings können dann die Emitter- und die Kollektorzone gleichzeitig angebracht werden, wobei dann nur die Emitterzone bis zur begrabenen Schicht reicht, aber zum Anbringen der Verdickung eine zusätzliche Photomaskierungs- und Diffusionsbehandlung notwendig ist.
Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß aus der FR-PS 15 20 515 ein Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor bekannt ist, bei dem sich die Emitterzone von der Oberfläche der Insel her tiefer in diese Insel erstreckt als die Kollektorzone. Eine begrabene Schicht ist bei diesem Transistor jedoch nicht vorhanden.
Ferner ist aus der FR-PS 14 59 084 im Zusammenhang mit der Anwendung von Hochfrequenz-Leiterstreifen in einer als integrierte Schaltung ausgeführten Mischstufe es bekannt, Mischdioden zu verwenden, bei denen die Kathoden- und die Anodenzone jeweils aus einem flachen und einem tiefen Zonenteil bestehen und dadurch eine sehr kleine Kapazität ermöglichen.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art zu schaffen, bei dem die vertikale Injektion der Emitterzone klein und die Durchbruchspannung der Kollektorzone groß ist und dessen Herstellung keinen zusätzlichen Vorgang erfordert, wie dies bei der Herstellung des aus der Zeitschrift »IEEE Transactions on Electron Devices« a.a.O. bekannten Halbleiterbauelements der Fall ist, und das außerdem eine sehr genaue Festlegung des Abstands zwischen der Emitter- und der Kollektorzone ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebene Ausbildung gelöst
Die mit dem Halbleiterbauelement nach der Erfindung erzielten Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß die vertikale Injektion der Emitterzone klein ist, da diese bis zur begrabenen Schicht reicht, und die Basis-Kollektor-Durchbruchspannung hoch ist. da die Kollektorzone nicht bis zur begrabenen Schicht reicht.
Wie es im Nachfolgenden näher erläutert wird, kann der erste Zonenteil der Emitterzone gleichzeitig mit den Trennzonen gebildet werden. Der zweite Zonenteil der Emitterzone und die Kollektorzone können mittels nur einer Diffusionsbehandlung und nur eines dazugehörigen Photomaskierungsvorgangs gleichzeitig angebracht werden, wodurch ihr gegenseitiger Abstand, d. h. der Abstand zwischen der Emitter- und der Kollektorzone, sehr genau festgelegt werden kann. Dies wäre in geringerem Maße der Fall, wenn die Emitter- und die Kollektorzone nur mit verschiedenen Diffusionsbehandlungen und Photomaskierungsvorgängen gebildet werden können. Das Anbringen der Emitter- und der Kollektorzone mit verschiedenen Dicken erfordert also keinen zusätzlichen Vorgang.
Bemerkt wird noch, daß die Emitterzone eines lateralen Transistors eines Halbleiterbauelementes nach der Erfindung einen niedrigeren Widerstand aufweist als die Emitterzone eines lateralen Transistors, dessen Emitter- und dessen Kollektorzone nur aus gleichzeitig gebildeten diffundierten Oberflächenzonen bestehen.
Der erste Zonenteil kann, ebenso wie der zweite Zonenteil, an die Oberfläche grenzen.
Weiterhin kann der erste Zonenteil eine begrabene Schicht des ersten Leitungstyps sein.
Eine Ausgestaltung der Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung und besteht in der im Anspruch 4 angegebenen Verfahrensweise.
Eine Weiterbildung des Verfahrens nach der Ausgestaltung der Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß die Trennzonen und der an die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps grenzende erste Zonenteil der Emitterzone gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes von der Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht her gebildet werden.
Eine andere Weiterbildung des Verfahrens nach der Ausgestaltung der Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß wenigstens die an das Halbleitersubstrat grenzenden Teile der Trennzonen und der an die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps grenzende erste Zonenteil der Emitterzone durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat in die epitaktisehe Halbleiterschicht erhalten werden, wozu dieser DüiierungbMuff vor dem Anbringen der epitaktischen Halbleiterschicht durch örtliche Eindiffusion in das Halbleitersubstrat eingebracht wird, und wobei dieser Dotierungsstoff einen größeren Diffusionskoeffizienten hat und mit einer geringeren Konzentration in die epitaktische Halbleiterschicht eindiffundiert wird als der den zweiten Leitungstyp herbeiführende Dotierungsstoff, mit dem die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps gebildet wird. Die Emitterzone wird dabei etwas günstiger gestaltet als bei dem vorhergehend angegebenen Verfahren.
Werden die an das Halbleitersubstrat grenzenden Teile der Trennzonen durch Eindiffusion eines Dotie-
rungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat in die epitaktische Halbleiterschicht angebracht, so werden vorzugsweise die an die Oberfläche, der epitaktischen Halbleiterschicht grenzenden Teile der Trennzonen, der zweite Zonenteil der Emitterzone und die Kollektorzone gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht gebildet.
Das Halbleiterbauelement nach der Erfindung sowie das Herstellungsverfahren nach der Ausgestaltung der Erfindung werden an Hand der einige Ausführungsbeispiele darstellenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt schematisch
F i g. 1 eine Draufsicht eines Teiles eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung,
Fig. 2 einen Schnitt gemäß der Linie H-II der Fig. 1,
F i g. 3 —5 Schnitte des Halbleiterkörpers des Halbleiterbauelements nach Fig. 1 und 2 in verschiedenen Herstellungsstufen,
F i g. 6 einen Schnitt durch einen Teil eines gegenüber dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 bis 5 etwas abgeänderten Ausführungsbeispiels,
F i g. 7 den Halbleiterkörper des Ausführungsbeispiels nach F i g. 6 in einer Herstellungsstufe.
Das Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements nach Fig. 1 und 2 enthält einen Halbleiterkörper 1 mit einem Halbleitersubstrat 2 des einen, ersten Leitungstyps und mit einer Oberfläche 3, auf der eine epitaktische Halbleiterschicht 4 des anderen zweiten Leitungstyps angebracht ist. Die epitaktische Halbleiterschicht 4 ist durch Trennzonen 14 des ersten Leitungstyps, die sich über die ganze Dicke der epitaktischen Halbleiterschicht 4 erstrecken, in mehrere Teile 5 bis 13, ais »Inseln« bezeichnet, des zweiten Leitungstyps unterteilt. Die Insel 5 enthält einen lateralen Transistor, dessen Emitterzone 15, 16 und dessen Kollektorzone 17 nebeneinander liegen und Oberflächenzonen des ersten Leitungstyps darstellen. Eine begrabene Schicht 18 des zweiten Leitungstyps befindet sich nahe dein PN-Übergang zwischen der Insel 5 und dem Halbleitersubstrat 2.
Die Emitterzone 15,16 erstreckt sich von der Oberfläche 19 der Insel 5 her tiefer in dieser Insel als die Kollektorzone 17 und reicht im Gegensatz zur letzteren bis zur begrabenen Schicht 18.
Die Basiszone des lateralen Transistors wird von der Insel 5 und der begrabenen Schicht 18 gebildet In der Insel 5 ist ein Basiskontaktbereich in Form einer niedrigohmigen Oberflächenzone 20 des zweiten Leitungstyps gebildet
Die vertikale Injektion der Emitterzone 15, 16 ist klein, da diese Zone bis zur begrabenen Schicht 18 reicht, die höher als die Insel 5 dotiert ist Die Kollektor-Basis-Durchschlagspannung ist hoch, da die Kollektorzone nicht bis zur begrabenen Schicht 18 reicht
Das Anbringen der zur begrabenen Schicht 18 reichenden Emitterzone 15, 16 erfordert keinen zusätzlichen Herstellungsvorgang. Der Zonenteil 15 der Emitterzone 15,16 kann gleichzeitig mit und in gleicher Weise wie die Trennzone 14 gebildet und der Zonenteil 16 kann gleichzeitig mit und in gleicher Weise wie die Kollektorzone 17 gebildet werden.
Würde die Emitterzone etwa nur aus einem Zonenteil bestehen, der dann dicker ist als die Kollektorzone 17, können diese Zonen dann nicht gleichzeitig in gleicher Weise angebracht werden. Hierdurch würde während der Herstellung eine sehr genaue Festlegung des Abstandes zwischen der Emitter- und der Kollektorzone erschwert. Deswegen besteht die Emitterzone aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen 15 und 16, wobei nur der Zonenteil 15 bis zur begrabenen Schicht 18 reicht und der Zonenteil 16, der eine Oberflächenzone mit gleicher Dicke wie die Kollektorzone 17 darstellt, in kürzerem Abstand von der Kollektorzone 17 liegt als der Zonenteil 15. Der Abstand zwischen der Emitter- und der Kollektorzone entspricht dann dem Abstand zwischen dem Zonenteil 16 und der Kollektorzone 17, die gleichzeitig und in gleicher Weise angebracht werden können. Der Zonenteil 16 überdeckt den Zonenteil 15 vorzugsweise möglichst wenig.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel sind sowohl der Zonenteil 15 als auch der Zonenteil 16 an die Oberfläche grenzende Zonenteile.
In F i g. 1 und 2 ist weiter eine Insel 6 gezeigt, in der ein vertikaler Transistor angebracht ist. Die Kollektorzone dieses Transistors wird von der Insel 6 und der begrabenen Schicht 21 des zweiten Leitungstyps, die Basiszone von der in der Insel 6 angebrachten Oberflächenzone 22 des ersten Leitungstyps und die Emitterzone von der in der Basiszone 22 angebrachten Oberflächenzone 23 des zweiten Leitungstyps gebildet. In der Insel 6 ist weiterhin ein Kollektorkontaktbereich 24 des zweiten Leitungstyps gebildet.
Die epitaktische Halbleiterschicht 4 ist in üblicher, bekannter Weise mit einer Isolierschicht 25 bedeckt, welche öffnungen aufweist, in der die Kontaktschichten 26 bis 31 gebildet sind.
Das Halbleiterbauelement nach F i g. 1 und 2 kann wie folgt hergestellt werden:
In einen Teil einer Oberfläche 3 eines P-leitenden Siliziumsubstrats 2 (Fig.3) mit einer Dicke von etwa 120 μπι und einem spezifischen Widerstand von etwa 5 Ohm-cm wird auf übliche Weise ein N-Leitung herbeiführender Dotierungsstoff, z. B. Arsen oder Antimon, eindiffundiert. Dabei werden die dünnen, Arsen enthaltenden Oberflächenzonen 30 gebildet. Auf der Oberfläehe 3 wird auf übliche, bekannte Weise eine N-leitende epitaktische Siliziumschicht 4 (F i g. 4) mit einer Dicke von etwa 10 μπι und einem spezifischen Widerstand von 1 bis 5 Ohm-cm aufgebracht. Durch Eindiffusion des Arsens in die epitaktische Siliziumschicht 4 und in das SiIiziumsubstrat 2 werden die N+ -leitenden begrabenen Schichten 18 und 21 gebildet. Durch örtliche Eindiffusion eines P-Leitung herbeiführenden Dotierungsstoffes, wie Bor, in die epitaktische Siliziumschicht 4 werden die P-leitenden Trennzonen 14 (Fig.5) gebildet. Diese Trennzonen 14 unterteilen die epitaktische Siliziumschicht 4 in N-leitende Inseln, wobei die N+-leitende begrabene Schicht 18 sich in der Umgebung des PN-Übergangs zwischen der Insel 5 und dem Siliziumsubstrat 2 und die N+-leitende begrabene Schicht 21 sich in der Umgebung des PN-Übergangs zwischen der Insel 6 und dem Siliziumsubstrat 2 befindet Gleichzeitig mit dem Anbringen der Trennzonen 14 wird der an die begrabene Schicht 18 grenzende Zonenteil 15 der Emitterzone des lateralen Transistors in der Insel 5 gebildet.
Die Eindiffusion von Bor zum Bilden der Trennzonen 14 und des Zonenteils 15 kann auf übliche, bekannte Weise von der Oberfläche 19 der epitaktischen Siliziumschicht 4 her mittels einer üblichen auf der Oberfläche 19 angebrachten Diffusionsmaske erfolgen, die z. B. aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid bestehen kann. Einfachheitshalber ist diese Diffusionsmaske in F i g. 4 weggelassen.
Anschließend werden auf übliche Weise durch Eindif-
fusion von ζ. B. Bor gleichzeitig die P-leitende Kollektorzone 17 (F i g. 1 und 2) und der P-leitende Zonenteil 16 in Form von diffundierten Oberflächenzonen angebracht.
Die p-leitende Basiszone 22 des vertikalen Transistors kann gleichzeitig mit dem Zonenteil 16 und der Kollektorzone 17 hergestellt werden.
Die N + -leitenden Kontaktbereiche 20 und 24 und die N-1-leitende Emitterzone 23 des vertikalen Transistors werden auf übliche Weise durch Eindiffusion von z. B. Phosphor angebracht.
Die epitaktische Siliziumschicht 4 ist auf übliche Weise mit einer Isolierschicht 25 überzogen, die z. B. aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid besteht und öffnungen aufweist, in denen die Kontaktschienten 26 bis 3i, die z. B. aus Aluminium bestehen, angebracht sind.
Mit den Aluminiumschichten 26 bis 31 können auf übliche, bekannte Weise elektrische Verbindungen hergestellt werden.
Die begrabenen Schichten 18 und 21 haben eine Dikke von etwa 7 μίτι, der Zonenteil 16 und die Zonen 17 und 22 von etwa 3 μηι, der Zonenteil 15 von etwa 7 μίτι und die Zone 23 sowie die Kontaktbereiche 20 und 24 von etwa 2 μηι.
In der Draufsicht nach Fig. 1 hat der Zonenteil 15 einen Durchmesser von etwa 30 μίτι und der Zonenteil 16 einen Durchmesser von etwa 32 bis 34 μίτι. Der Abstand zwischen dem Zonenteil 16 und der Kollektorzone 17 beträgt etwa 4 μιη, die Breite der ringförmigen Kollektorzone ist etwa 20 μίτι und der kürzeste Abstand zwischen der Kollektorzone 17 und dem Kontaktbereich 20 beträgt 2twa 10 μπι. Die Zonen des vertikalen Transistors haben die für einen solchen Transistor üblichen Abmessungen.
Das beschriebene Halbleiterbauelement enthält einen lateralen PNP-Transistor und einen vertikalen NPN-Transistor. Der Emitterreihenwiderstand ist dank der beiden Zonenteile 15 und 16 gering.
F i g. 6 zeigt einen Teil eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelementes nach der Erfindung mit einem lateralen Transistor, der gegenüber dem Teil des im vorhergehenden beschriebenen Ausführungsbeispiels etwas abgeändert ist.
Die Emitterzone besteht aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen 15 und 16, genau wie beim vorherigen Ausführungsbeispiel. Der Zonenteil 15, der an die begrabene Schicht 18 grenzt, ist aber nicht eine Oberflächenzone, sondern eine begrabene Schicht. Die Form der Emitterzone 15, 16 ist dadurch etwas günstiger als im vorherigen Ausführungsbeispiel.
Bei der Herstellung werden die an da? Halbleitersubstrat 2 grenzenden Teile 40 der Trennzonen 14 und der an die begrabene Schicht 18 grenzende Zonenteil 15 der Emitterzone 15, 16 durch örtliche Eindiffusion eines P-Leitung herbeiführenden Dotierungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat 2 in die epitaktische Halbleiterschicht 4 gebildet. Dieser Dotierungsstoff wird vor dem Anbringen der epitaktischen Halbleiterschicht 4 durch örtliche Eindiffusion in das Halbleitersubstrat 2 in den Oberflächenzonen 42 angebracht (F i g. 7). Dieser Dotierungsstoff muß einen höheren Diffusionskoeffizienten haben als der Dotierungsstoff (Arsen) in der Oberflächenschicht 30, mit der die begrabene Schicht 18 hergestellt wird. Weiterhin muß dieser Dotierungsstoff in einer geringeren Konzentration in die epitaktische Haibleilerschicht 4 eindiffundiert werden als das Arsen. Der Dolierungsstoff kann z. B. Bor sein.
Nach dem Anbringen der epitaktischen Halbleiterschicht 4 werden die an deren Oberfläche 19 grenzenden Teile 41 der Trennzonen 14, der Zonenteil 16 der Emitterzone 15,16 und die Kollektorzone 17 gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines P-Leitung herbeiführenden Dotierungsstoffes wie Bor, in die Oberfläche 19 der epitaktischen Halbleiterschicht 4 gebildet.
Die weitere Herstellung erfolgt wie an Hand des vorherigen Ausführungsbeispiels erläutert. Die Abmessungen und Werkstoffe können denen des vorherigen Ausführungsbeispiels entsprechen.
Der Halbleiterkörper kann statt aus Silizium aus anderen Halbleitermaterialien, z. B. Germanium oder einer Ill-V-Verbindung, bestehen. Die Leitungstypen können vertauscht werden, so daß ein Halbleiterbauelement nach der Erfindung einen lateralen NPN-Transistor enthalten kann. Die Formgebung kann anders sein als in den Figuren dargestellt ist. Bei der Draufsicht nach Fig. 1 können die Zonenteile 15, 16 und die Zone 17 z. B. rechteckig sein und der Kontaktbereich 20 kann die Zone 17 umgeben. Ein Halbleiterbauelement kann eine größere Zahl von Halbleiter-Schaltungselementen enthalten als gezeigt ist. Neben einem lateralen Transistor können z. B. vertikale Transistoren, Feldeffekttransistoren, Dioden, Kapazitäten und Widerstände vorhanden sein. Die Halbleiter-Schaltungselemente können mittels leitender Bahnen auf der Isolierschicht elektrisch miteinander verbunden sein.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor, bei dem auf einem Halbleitersubstrat des einen, ersten Leitungstyps eine epitaktische Halbleiterschicht des anderen, zweiten Leitungstyps aufgebracht ist, und diese epitaktische Halbleiterschicht durch Trennzonen des ersten Leitungstyps, die sich über die ganze Dicke der epitaktischen Halbleiterschicht erstrecken, in mehrere, als Inseln bezeichnete Teile des zweiten Leitungstyps unterteilt ist, und innerhalb wenigstens einer Insel ein lateraler Transistor gebildet ist, dessen Emitter- und dessen Kollektorzone des ersten Leitungstyps in der Insel nebeneinander liegen und an deren Oberfläche grenzen und dessen Basiszone von der insel und .einer begrabenen Schicht des zweiten Leitungstyps gebildet ist, die sich in der Umgebung des PN-Überganges zwischen der Insel und dem Halbleitersubstrat befindet, wobei die Emitterzone von der Oberfläche der Insel bis zur begrabenen Schicht reicht und die Kollektorzone von der Oberfläche der Insel her, sich weniger tief als die Emitterzone und von der begrabenen Schicht getrennt in dieser Insel erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen (15,16) besteht, von denen nur ein erster Zonenteil (15) an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzt und der andere, zweite Zonenteil (16) die gleiche Dicke wie die Kollektorzone (17) aufweist, an die Oberfläche (19) der Insel (5) grenzt und in kürzerem Abstand von der Kollektorzone (17) liegt als der erste Zonenteil (15).
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch der erste Zonenteil (15) an die Oberfläche (19) der Insel (5) grenzt.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Zonenteil (15) eine begrabene Schicht des ersten Leitungstyps ist (F ig. 6).
4. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Teil einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (2) des ersten Leitungstyps ein den zweiten Leitungstyp herbeifüh render Dotierungsstoff eindiffundiert wird, auf diese Oberfläche des Halbleitersubstrats (2) eine epitaktische Halbleiterschicht (4) des zweiten Leitungstyps aufgebracht wird und durch Eindiffusion des den zweiten Leitungstyp ergebenden Dotierstoffes in die epitaktische Halbleiterschicht (4) und das Halbleitersubstrat (2) die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps erhalten wird, durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die epitaktische Halbleiterschicht (4) die Trennzonen (14) gebildet werden, welche die epitaktische Halbleiterschicht (4) in die Inseln (5) unterteilen, wobei sich die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps in der Umgebung des PN-Überganges zwischen einer der Inseln (5) und dem Halbleitersubstrat (2) befindet und gleichzeitig mit dem Anbringen der Trennzonen (14) der an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzende, erste Zonenteil (15) der Emitterzone des lateralen Transistors durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp ergebenden Dotierungsstoffes in die eine Insel (5) gebildet wird, und in die-
ser Insel (5) die Kollektorzone (17) des lateralen Transistors und der sich dem ersten Zonenteil anschließende zweite Zonenteil (16) der Emitterzone (15,16) in Form diffundierter, an die Oberfläche (19) der insel (5) grenzender Zonen gleichzeitig gebildet werden, derart, daß nur der erste Zonenteil (15) an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzt und der zweite Zonenteil (16) in kürzerem Abstand von der Kollektorzone (17) liegt als der erste Zonenlei! (15).
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennzonen (14) und der an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzende erste Zonenteil (15) der Emitterzone gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes von der Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht (4) her gebildet werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die an das Halbleitersubstrat (2) grenzenden Teile der Trennzonen (40) und der an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzende erste Zonenteil (15) der Emitterzone durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat (2) in die epitaktische Halbleiterschicht (4) erhalten werden, wozu dieser Dotierungsstoff vor dem Anbringen der epitaktischen h'albleiterschicht (4) durch örtliche Eindiffusion in das Halbleitersubstrat (2) eingebracht wird, und wobei dieser Dotierungsstoff einen größeren Diffusionskoeffizienten hat und mit einer geringeren Konzentration in die epitaktische Halbleiterschicht (4) eindiffundiert wird als der den zweiten Leitungstyp herbeiführende Dotierungsstoff, mit dem die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Oberfläche (19) der epitaktischsn Halbleiterschicht (4) grenzenden Teile der Trennzonen (14), der zweite Zonenteil (16) der Emitterzone und die Kollektorzone (17) gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die Oberfläche (19) der epitaktischen Halbleiterschicht (4) gebildet werden.
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