DE1964979B2 - Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen transistor und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen transistor und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number
DE1964979B2
DE1964979B2 DE19691964979 DE1964979A DE1964979B2 DE 1964979 B2 DE1964979 B2 DE 1964979B2 DE 19691964979 DE19691964979 DE 19691964979 DE 1964979 A DE1964979 A DE 1964979A DE 1964979 B2 DE1964979 B2 DE 1964979B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
conductivity type
island
collector
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691964979
Other languages
English (en)
Other versions
DE1964979C3 (de
DE1964979A1 (de
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1964979A1 publication Critical patent/DE1964979A1/de
Publication of DE1964979B2 publication Critical patent/DE1964979B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1964979C3 publication Critical patent/DE1964979C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0821—Combination of lateral and vertical transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/037—Diffusion-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/038—Diffusions-staged
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/096—Lateral transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/145—Shaped junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/151—Simultaneous diffusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor, bei dem auf einem Halbleitersubstrat des einen, ersten Leitungstyps eine epitaktische Halbleiterschicht des anderen, zweiten Leitungstyps aufgebracht ist, und diese epitaktische Halbleiterschicht durch Trennzonen des ersten Leitungstyps, die sich über die ganze Dicke der eoitaktischen Halbleiterschicht erstrecken, in mehrere,
als Inseln bezeichnete Teile des zweiten Leitungstyps unterteilt ist, und innerhalb wenigstens einer Insel ein lateraler Transistor gebildet ist, dessen Emitter- und dessen Kollektorzone des ersten Leitungstyps in der Insel nebeneinander liegen und an deren Oberfläche grenzen und dessen Basiszone von der Insel und einer begrabenen Schicht des zweiten Leitungstyps gebildet ist, die iieh in der Umgebung des PN-Überganges zwischen der Insel und dem Halbleitersubstrat befindet.
Ein solches Halbleiterbauelement ist von D. F. Hilbiber in »iEEE Transactions on Electronic Devices«, ED-14, Nr. 7, Juli 1967, Seilen 381-385, beschrieben.
Laterale Transistoren sind wichtig für integrierte Halbleiterschaltungen und bieten die Möglichkeit, neben den üblichen vertikalen NPN- oHer PNP-Transi- storen in diese Schaltungen PNP- bzw. NPN-Transistoren aufzunehmen.
Begrabene Schichten kennen durch Eindiffusion eines Dotierungsstoffes in das Halbleitersubstrat vor dem Erzeugen der epitaktischen Halbleiterschicht gebildet werden. Die erwähnte begrabene Schicht hat den gleichen Leitungstyp wie die Inseln. Eine solche begrabene Schicht hat einen niedrigeren spezifischen Widerstand, d. h. eine höhere Dotierung, als die Inseln und ist in ein Halbleiterbauelement, auf das sich die Erfindung bezieht, zur Herabsetzung des Basrwiderstandes und zur Verringerung der Trägerinjektion in vertikaler Richtung des lateralen Transistors aufgenommen.
Die Emitterzone eines lateralen Transistors injiziert Ladungsträger sowohl in lateralen Richtungen, d. h. in Richtungen zur Kollektorzone hin, als auch in vertikaler Richtung, d. h. in Richtung zur begrabenen Schicht. Um gute elektrische Eigenschaften des lateralen Transistors zu erzielen, ist es erwünscht, daß die vertikale Injektion klein ist.
Eine kleine vertikale Injektion kann dadurch erreicht werden, daß die Emitterzone als sehr kleine Oberflächenzone ausgebildet wird. Die Emitterzone muß dann aber so klein sein, daß sie mit Hilfe der gegenwärtig üblichen bekannten Verfahren zur Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen nicht mehr realisiert werden kann.
Weiterhin ist es möglich, daß die Emitter- und Kollektorzonen Oberflächenzonen mit einer solchen großen Dicke sind, daß sie bis zur begrabenen Schicht reichen. Ein Halbleiterbauelement mit solchen Emitter- und Kollektorzonen läßt sich in einfacher Weise herstellen und das Anbringen des lateralen Transistors erfordert keine zusätzliche Maßnahme in der Herstellung. Die Emitter- und Kollektorzonen können gleichzeitig gebildet werden. Die vertikale Injektion der Emitterzone ist klein, da die Emitterzone bis zur hochdotierten begrabenen Schicht reicht. Die Kollektor-Basis-Durchbruchspannung ist aber niedrig, da die Kollektorzone gleichfalls bis zur hochdotierten begrabenen Schicht reicht.
Im obenerwähnten Zeitschriftenartikel wurde vorgeschlagen, die begrabene Schicht unter der Emitterzone mit einer Verdickting zu versehen. Allerdings können dann die Emitter- und die Kollektorzone gleichzeitig angebracht werden, wobei aber nur die Emitterzone bis zur begrabenen Schicht reicht, und zum Anbringen der Verdickung eine zusätzliche Photomaskierungs- und Diffusionsbehandlung notwendig ist.
Der Vollständigkeit halber sei noch erwähnt, daß aus der FR-PS 15 20515 ein Halbleiterbauclement mit wenigstens einem lateralen Transistor bekannt ist, be dem sich die Emitterzone von der Oberfläche der Inse Her tiefer in diese Insel erstreckt als die Kollektorzone Eine begrabene Schicht ist bei diesem Transistor jedoel· nicht vorhanden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Nachteile der bekannten Halbleiterbauelemente zu vermeider und ein Halbleiterbauelement mit mindestens einerr lateralen Transistor zu schaffen, bei dem die vertikal Injektion der Emitterzone klein und die Durchbruch spannung der Kollektorzone groß ist und desser Herstellung keinen zusätzlichen Vorgang erfordert.
Der Erfindung liegt u. a. die Erkenntnis zugrunde, daC unter Vermeidung eines zusätzlichen Verfahrens Schnitts in der Herstellung eines Halbleiterbauelemen tes mit einem lateralen Transistor die Emitterzone dicker als die KoDektorzone ausgebildet werden kann in der Weise, daß nur die Emitterzone bis zur begrabenen Schicht reicht.
In Anwendung dieser Erkenntnis wird die genannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Emitterzone von der Oberfläche der Insel her sich tiefei in diespr Insel erstreckt als die Kollektorzone und inGegensatz zur letzteren bis zur begrabenen Schicht reicht
Die mit dem Halbleiterbauelement nach der Erfindung erzielten Vorteile sind insbesondere darin zi sehen, daß die vertikale Injektion der Emitterzone kleir ist, da diese bis zur begrabenen Schicht reicht, und die Basis-Kollektor-Durchbruchspannung hoch ist, da die Kollektorzone nicht bis zur begrabenen Schicht reicht Wie es im Nachfolgenden näher erläutert wird, kann die Emitterzone wenigstens teilweise gleichzeitig mit der Trennzonen gebildet werden, wodurch das Anbringe! der Emitter- und der Kollektorzone mit verschiedener Dicken keinen zusätzlichen Vorgang erfordert.
Eine vorteilhafte weitere Ausbildung des Halbleiter bauelements nach der Erfindung weist das Kennzeicher auf, daß die Emitterzone aus zwei sich aneinandei anschließenden Zonenteilen besteht, von denen nur eir erster Zonenteil an die begrabene Schicht grenzt unc der andere, zweite Zonenteil die gleiche Dicke wie die Kollektorzone aufweist, an die Oberfläche der Inse grenzt und in kürzerem Abstand von der Kollektorzone liegt als der erste Zonenteil. Der zweite Zonenteil dei Emitterzone und die Kollektorzone können mittels nui einer Diffusionsbehandlung und nur eines dazugehört gen Photomaskierungsvorgangs gleichzeitig ange bracht werden, wodurch ihr gegenseitiger Abstand, d. h der Abstand zwischen der Emitter- und der Kollektor zone, sehr genau festgelegt werden kann. Dies wäre ir geringerem Maße der Fall, wenn die Emitter- und dif Kollektorzone nur mit verschiedenen Diffusionsbe handlungen und Photomaskierungsvorgängen gebilde werden können.
Der erste Zonenteil kann, ebenso wie der zweit< Zonenteil, eine Oberflächenzone sein.
Weiterhin kann der erste Zonenteil eine begraben! Schicht des ersten Leitungstyps sein.
Eine Ausgestaltung der Erfindung bezieht sich auf eir Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement: nach der Erfindung, und zwar besteht diese darin, daß ii einen Teil einer Oberfläche eines Halbleitersubstrat des ersten Leitungstyps ein den zweiten Leitungstyi herbeiführender Dotierungsstoff eindiffundiert wird, au diese Oberfläche eine epitaktische Halbleiterschicht de zweiten Leitungstyps aufgebracht wird, und durc! örtliche Eindiffusion des den ersten Leitungstyi
herbeiführenden Dotierstoffes in die epitaktische Halbleiterschicht und das Halbleitersubstrat die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps erhalten wird, durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die epitaktische Schicht die Trennungszonen gebildet werden, welche die epitaktische Halbleiterschicht in die Inseln unterteilt, wobei sich die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps in der Umgebung des PN-Überganges zwischen einer der Inseln und dem Halbleitersubstrat befindet und gleichzeitig mit dem Anbringen der Trennzonen wenigstens ein an die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps grenzender erster Zonenteil der Emitterzone des lateralen Transistors durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp ergebenden Dotierungsstoffes in die eine Insel gebildet wird, und in dieser Insel die Kollektorzone des lateralen Transistors in Form einer diffundierten an die Oberfläche der Insel grenzenden Zone gebildet wird.
Eine Weiterbildung des Verfahrens nach der Ausgestaltung der Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß die Trennzonen und wenigstens ein an die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps grenzender erster Zonenteil der Emitterzone gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes von der Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht her gebildet werden.
Eine andere Weiterbildung des Verfahrens nach der Ausgestaltung der Erfindung weist das Kennzeichen auf, daß wenistens die an das Halbleitersubstrat grenzenden Teile der Trennzonen und wenigstens ein an die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps grenzender erster Zonenteil der Emitterzone durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat in die epitaktische Halbleiterschicht erhalten werden, wozu dieser Dotierungsstoff vor dem Anbringen der epitaktischen Halbleiterschicht durch örtliche Eindiffusion in das Halbleitersubstrat eingebracht wird, und wobei dieser Dotierungsstoff einen größeren Diffusionskoeffizienten hat und mit einer geringeren Konzentration in die epitaktische Halbleiterschicht eindiffundiert wird als der den zweiten Leitungstyp herbeiführende Dotierungsstoff, mit dem die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps gebildet wird. Die Emitterzone wird dabei etwas günstiger gestaltet als bei dem vorhergehend angegebenen Verfahren.
Eine sehr vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens nach der Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß eine aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen bestehende Emitterzone derart gebildet wird, daß nur der erste Zonenteil an die begrabene Schicht des zweiten Leitungstyps grenzt und der zweite Zonenteil die gleiche Dicke wie die Kollektorzone aufweist und in kürzerem Abstand von der Kollektorzone liegt als der erste Zonenteil, und daß der zweite Zonenteil und die Kollektorzone gleichzeitig in Form von diffundierten Oberflächenzonen in der Insel gebildet werden. Auf diese Weise kann, wie bereits oben erörtert wurde, der Abstand zwischen der Emitter- und der Kollektorzone sehr genau festgelegt werden.
Werden die an das Halbleitersubstrat grenzenden Teile der Trennzonen durch Eindiffusion eines Dotierungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat in die epitaktische Halbleiterschicht angebracht, so werden vorzugsweise die an die Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht grenzenden Teile der Trennzonen, der zweite Zonenteil der Emitterzone und die Kollektorzone gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht gebildet.
Bemerkt wird noch, daß die Emitterzone eines lateralen Transistors eines Haibleilerbauelementes nach der Erfindung einen niedrigeren Widerstand aufweist als die Emitterzone eines lateralen Transistors, dessen Emitter- und dessen Kollektorzone nur aus gleichzeitig
ίο gebildeten diffundierten Oberflächenzonen bestehen.
Das Halbleiterbauelement nach der Erfindung sowie das Herstellungsverfahren nach der Ausgestaltung der Erfindung werden an Hand der einige Ausführungsbeispiele darstellenden Zeichnungen näher erläutert. Es
«5 zeigen schematisch:
Fig. 1 eine Draufsicht eines Teiles eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelements nach der Erfindung,
Fig. 2 einen Schnitt gemäß der Linie 11-11 der Fig. 1,
ίο Fig.3-5 Schnitte des Halbleiterkörpers des Halbleiterbauelements nach Fig. 1 und 2 in verschiedenen Herstellungsstufen,
F i g. 6 einen Schnitt durch einen Teil eines gegenüber dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 bis 5 etwas abgeänderten Ausführungsbeispiels,
Fig. 7 den Halbleiterkörper des Ausführungsbeispiels nach F i g. 6 in einer Herstellungsstufe.
Das Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements nach Fig. 1 und 2 enthält einen Halbleiterkörper 1 mit einem Halbleitersubstrat 2 des einen, ersten Leitungstyps und mit einer Oberfläche 3, auf der eine epitaktische Halbleiterschicht 4 des anderen zweiten Leitungstyps angebracht ist. Die epitaktische Halbleiterschicht 4 ist durch Trennzonen 14 des ersten Leitungstyps, die sich über die ganze Dicke der epitaktischen Halbleiterschicht 4 erstrecken, in mehrere Teile 5 bis 13, als »Inseln« bezeichnet, des zweiten Leitungstyps unterteilt. Die Insel 5 enthält einen lateralen Transistor, dessen Emitterzone 15, 16 und dessen Kollektorzone 17 nebeneinanderliegen und Oberflächenzonen des ersten Leitungstyps darstellen. Eine begrabene Schicht 18 des zweiten Leitungstyps befindet sich nahe dem PN-Übergang zwischen der Insel 5 und dem Halbleitersubstrat 2.
Nach der Ausbildung gemäß der Erfindung erstreckt sich die Emitterzone 15, 16 von der Oberfläche 19 der Insel 5 her tiefer in dieser Insel als die Kollektorzone 17 und reicht im Gegensatz zur letzteren bis zur begrabenen Schicht 18.
Die Basiszone des lateralen Transistors wird von der Insel 5 und der begrabenen Schicht 18 gebildet In der Insel 5 ist ein Basiskontaktbereich in Form einer niedrigohmigen Oberflächenzone 20 des zweiten Leitungstyps gebildet
Die vertikale Injektion der Emitterzone 15, 16 ist klein, da diese Zone bis zur begrabenen Schicht 18 reicht die höher als die Insel 5 dotiert ist Die Kollektor-Basis-Durchschlagspannung ist hoch, da'die Kollektorzone nicht bis zur begrabenen Schicht 18
reicht
Das Anbringen der zur begrabenen Schicht 18 reichenden Emitterzone 15, 16 erfordert keinen zusätzlichen Herstellungsvorgang. Der Zonenteil 15 der Emitterzone 15,16 kann gleichzeitig mit und in gleicher
«5 Weise wie die Trennzone 14 gebildet und der Zonenteil 16 kann gleichzeitig mit und in gleicher Weise wie die Kollektorzone 17 gebildet werden. Die Emitterzone kann nur aus dem Zonenteil 15
bestehen. Da der Zonenteil 15 dicker ist als die Kollektorzone 17, können diese Zonen dann nicht gleichzeitig in gleicher Weise angebracht werden. Hierdurch w.ird während der Herstellung eine sehr genaue Festlegung des Abstandes zwischen der Emitter- und der Kollektorzone erschwert. Deswegen besteht die Emitterzone vorzugsweise aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen 15 und 16, wobei nur der Zonenteil 15 bis zur begrabenen Schicht 18 reicht und der Zonenteil 16, der eine Oberflächenzone mit gleicher Dicke wie die Kollektorzone 17 darstellt, in kürzerem Abstand von der Kollektorzone 17 liegt als der Zonenteil 15. Der Abstand zwischen der Emitter- und der Kollcktorzone entspricht dann dem Abstand zwischen dem Zonenteil 16 und der Zone 17, die gleichzeitig und in gleicher Weise angebracht werden können. Der Zonenteil 16 überdeckt den Zonenteil 15 vorzugsweise möglichst wenig.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel sind sowohl der Zonenteil 15 als auch der Zonenteil 16 eine Oberflächenzone.
In Fig.l und 2 ist weiter eine Insel 6 gezeigt, in der ein vertikaler Transistor angebracht ist. Die Kollektorzone dieses Transistors wird von der Insel 6 und der begrabenen Schicht 21 des zweiten Leitungstyps, die Basiszone von der in der Insel 6 angebrachten Oberflächenzone 22 des ersten Leitungstyps und die Emitterzone von der in der Basiszone 22 angebrachten Oberflächenzone 23 des zweiten Leilungstyps gebildet. In der Insel 6 ist weiterhin ein Kollektorkontaktbereich 24 des zweiten Leitungstyps gebildet.
Die epitaktische Halbleiterschicht 4 ist in üblicher, bekannter Weise mit einer Isolierschicht 25 bedeckt, welche Öffnungen aufweist, in der die Kontaktschichten 26 bis 31 gebildet sind.
Das Halbleiterbauelement nach Fig.l und 2 kann wie folgt hergestellt werden:
in einen Teil einer Oberfläche 3 eines P-Ieitenden Siliziumsubstrals 2 (Fig. 3) mit einer Dicke von etwa Ι20μιη und einem spezifischen Widerstand von etwa 5 Ohm-cm wird auf übliche Weise ein N-Leitung herbeiführender Dotierungsstoff, z. B. Arsen oder Antimon, eindiffundiert. Dabei werden die dünnen, Arsen enthaltenden Oberflächenzonen 30 gebildet. Auf der Oberfläche 3 wird auf übliche, bekannte Weise eine N-leitende epitaktische Siliziumschicht 4 (Fig.4) mit einer Dicke von etwa 10 μίτι und einem spezifischen Widerstand von 1 bis 5 Ohm-cm aufgebracht. Durch Eindiffusion des Arsens in die epitaktische Siliziumschicht 4 und in das Siliziumsubstrat 2 werden die N+ -leitenden begrabenen Schichten 18 und 21 gebildet. Durch örtliche Eindiffusion eines P-Leitung herbeiführenden Dotierungsstoffes, wie Bor, in die epitaktische Siliziumschicht 4 werden die P-leitenden Trennzonen 14 (F i g. 5) gebildet. Diese Trennzonen 14 unterteilen die epitaktische Siliziumschicht 4 in N-leitende Inseln, wobei die N+ -leitende begrabene Schicht 18 sich in der Umgebung des PN-Übergangs zwischen der Insel 5 und dem Siliziumsubstrat 2 und die N+-leitende begrabene Schicht 21 sich in der Umgebung des PN-Übergangs zwischen der Insel 6 und dem Siliziumsubstrat 2 befindet Gleichzeitig mit dem Anbringen der Trennzonen 14 wird der an die begrabene Schicht 18 grenzende Zonenteil 15 der Emitterzone des lateralen Transistors in der Insel 5 gebildet
Die Eindiffusion von Bor zum Bilden der Trennzonen 14 und des Zonenteils 15 kann auf übliche, bekannte Weise von der Oberfläche 19 der epitaktischen Siliziumschicht 4 her mittels einer üblichen auf der Oberfläche 9 angebrachten Diffusionsmaske erfolgen, die z. B. aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid bestehen kann. Einfachheitshalber ist diese Diffusionsmaske in F i g. 4 weggelassen.
Anschließend werden auf übliche Weise durch Eindiffusion von z. B. Bor gleichzeitig die P-Ieitende Kollektorzone 17 (Fig.l und 2) und der P-Ieitende Zonenteil 16 in Form von diffundierten Oberflächenzonen angebracht.
Die p-leitende Basiszone 22 des vertikalen Transistors kann gleichzeitig mit dem Zonenteil 16 und der Zone 17 hergestellt werden.
Die N+ -leitenden Kontaktbereiche 20 und 24 und die N+ -leitende Emitterzone 23 des vertikalen Transistors werden auf übliche Weise durch Eindiffusion von z. B. Phosphor angebracht.
Die epitaktische Siliziumschicht 4 ist auf übliche Weise mit einer Isolierschicht 25 überzogen, die z. B. aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid besteht und öffnungen aufweist, in denen die Kontaktschichten 26 bis 31, die z. B. aus Aluminium bestehen, angebracht sind.
Mit den Aluminiumschichten 26 bis 31 können auf übliche, bekannte Weise elektrische Verbindungen hergestellt werden.
Die begrabenen Schichten 18 und 21 haben eine Dicke von etwa 7 μηι, der Zonenteil 16 und die Zonen 17 und 22 von etwa 3 μΐη, der Zonenteil 15 von etwa 7 μιη und die Zone 23, sowie die Kontaktbereiche 20 und 24 von etwa 2 μηι.
In der Draufsicht nach Fig. 1 hat der Zonenteil 15 einen Durchmesser von etwa 30 μπι und der Zonenteil 16 einen Durchmesser von etwa 32 bis 34 μιτι. Der Abstand zwischen dem Zonenteil 16 und der Zone 17 beträgt etwa 4 μπι, die Breite der ringförmigen Kollektorzone ist etwa 20 μιη und der kürzeste Abstand zwischen der Zone 17 und dem Kontaktbereich 20 beträgt etwa 10 μιη. Die Zonen des vertikalen Transistors haben die für einen solchen Transistor üblichen Abmessungen.
Das beschriebene Halbleiterbauelement enthält einen lateralen PNP-Transislor und einen vertikalen NPN-Transistor. Der Emitterreihenwiderstand ist dank der beiden Zonenteile 15 und 16 gering.
F i g. 6 zeigt einen Teil eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterbauelementes nach der Erfindung mil einem lateralen Transistor, der gegenüber dem Teil des im vorhergehenden beschriebenen Ausführungsbeispiels etwas abgeändert ist.
Die Emitterzone besteht aus zwei sich aneinandei anschließenden Zonenteilen 15 und 16, genau wie beirr vorherigen Ausführungsbeispiel. Der Zonenteil 15, dei an die begrabene Schicht 18 grenzt ist aber nicht eine Oberflächenzone, sondern eine begrabene Schicht Die Form der Emitterzone 15, 16 ist dadurch etwa: günstiger als im vorherigen Ausführungsbeispiel.
Bei der Herstellung werden die an das Halbleitersub strat 2 grenzenden Teile 40 der Trennzonen 14 und dei an die begrabene Schicht 18 grenzende Zonenteil 15 dei Emitterzone 15, 16 durch örtliche Eindiffusion eine: P-Leitung herbeiführenden Dotierungsstoffes aus den Halbleitersubstrat 2 in die epitaktsiche Halbleiterschich 4 gebildet Dieser Dotierungsstoff wird vor den Anbringen der epitaktischen Halbleiterschicht 4 durcl· örtliche Eindiffusion in das Halbleitersubstrat 2 in der Oberflächenzonen 42 angebracht (Fig.7). Diesel Dotierungsstoff muß einen höheren Diffusionskoeffi zienten haben als der Dotierungsstoff (Arsen) in dei
609540/21·
Oberflächenschicht 30, mit der die begrabene Schicht 18 hergestellt wird. Weiterhin muß dieser Dotierungsstoff in einer geringeren Konzentration in die epitaktische Halbleiterschicht 4 eindiffundiert werden als das Arsen. Der Dotierungsstoff kann z. B. Bor sein.
Nach dem Anbringen der epitaktischen Halbleiterschicht 4 werden die an deren Oberfläche 19 grenzenden Teile 41 der Trennzonen 14, der Zonenteil 16 der Emitterzone 15, 16 und die Kollektorzone 17 gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines P-Leitung herbeiführenden Dotierungsstoffes wie Bor., in die Oberfläche 19 der epitaktischen Halbleiterschicht 4 gebildet.
Die weitere Herstellung erfolgt wie an Hand des vorherigen Ai'sführungsbeispiels erläutert. Die Abmessungen und Werkstoffe können denen des vorherigen ^usführungsbeispiels entsprechen.
Der Halbleiterkörper kann statt aus Silizium aus anderen Halbleitermaterialien, z. B. Germanium oder einer III-V-Verbindung, bestehen. Die Leitungstypen können vertauscht werden, so daß ein Halbleiterbauele-
S ment nach der Erfindung einen lateralen NPN-Transistor enthalten kann. Die Formgebung kann anders sein als in den Figuren dargestellt ist. Bei der Draufsicht nach Fig. 1 können die Zonenteile 15, 16 und die Zone 17 z. B. rechteckig sein und der Kontaktbereich 20 kann die
ίο Zone 17 umgeben. Ein Halbleiterbauelement kann eine größere Zahl von Halbleiter-Schaltungselementen enthalten als gezeigt ist. Neben einem lateralen Transistor können z. B. vertikale Transistoren, Feldeffekttransistoren, Dioden, Kapazitäten und Widerstände vorhanden sein. Die Halbleiter-Schaltungselemente können mittels leitender Bahnen auf der Isolierschicht elektrisch miteinander verbunden sein.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Halbleiterelement, mit wenigstens einem lateralen Transistor, bei dem auf einem Halbleitersubstrat des einen, ersten Leitungstyps eine epitaktische Halbleiterschicht des anderen, zweiten Leitungstyps aufgebracht ist, und diese epitaktische Halbleiterschicht durch Trennzonen des ersten Leitungstyps, die sich über die ganze Dicke der epitaktischen Halbleiterschicht erstrecken, in mehrere, als Inseln bezeichnete Teile des zweiten Leitungstyps unterteilt ist, und innerhalb wenigstens einer Insel ein lateraler Transistor gebildet ist, dessen Emitter- und dessen Kollektorzone des ersten Leitungslyps in der Insel nebeneinander liegen und an deren Oberfläche grenzen und dessen Basiszone von der Insel und einer begrabenen Schicht des zweiten Leitungstyps gebildet ist, die sich in der Umgebung des PN-Übergangs zwischen der Insel und dem Halbleitersubstrat befindet, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (15, 16) von der Oberfläche (19) der Insel (5) her sich tiefer in dieser Insel erstreckt als die Kollektorzone (17) und im Gegensatz zur letzteren bis zur begrabenen Schicht (18) reicht.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen (15, 16) besteht, von denen nur ein erster Zonenteil (15) an die begrabenen Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzt und der andere, zweite Zonenteil (16) die gleiche Dicke wie die Kollektorzone (17) aufweist, an die Oberfläche (19) der Insel (5) grenzt und in kürzerem Abstand von der Kollektorzone (17) liegt als der erste Zonenteil (15).
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auch der erste Zonenteil (15) an die Oberfläche (19) der Insel (5) grenzt.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Zonenteil (15) eine begrabene Schicht des ersten Leitungstyps ist (F ig. 6).
5. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in einen Teil einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats (2) des ersten Leitungstyps ein den zweiten Leitungstyp herbeiführender Dotierungsstoff eindiffundiert wird, auf diese Oberfläche des Halbleitersubstrats (2) eine epitaktische Haibleilerschicht (4) des zweiten Leitungstyps aufgebracht wird, und durch Eindiffusion des den zweiten Leitungstyp ergebenden Dotierungsstoffes in die epitaktische Halbleiterschicht (4) und das Halbleitersubstrat (2) die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps erhalten wird, di'ich örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitunguyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die jpitaktische Halbleiterschicht (4) die Trennzonen (14) gebildet werden, welche die epitaktische Halbleiterschicht (4) in die Inseln (5) unterteilt, wobei sich die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps in der Umgebung des PN-Überganges zwischen einer der Inseln (5) und dem Halbleitersubstrat (2) befindet und gleichzeitig mit dem Anbringen der Trennzonen (14) wenigstens ein an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzender, erster Zonenteil (15) der Emitterzone des lateralen Transistors durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp ergebenden Dotierungsstoffes in die eine Insel (5) gebildet wird, und in dieser Insel (5) die Kollektorzone (17) des lateralen Transistors in Form einer diffundierten an die Oberfläche (19) der Insel (5) grenzenden Zone gebildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennzonen (14) und wenigstens ein an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzender erster Zonenteil (15) der Emitterzone gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersien Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes von der Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschicht (4) her gebildet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die an das Halbleitersubstrat (2) grenzenden Teile der Trennzonen (40) und wenigstens ein an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzender erster Zonenteil (15) der Emitterzone durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dot-erungsstoffes aus dem Halbleitersubstrat (2) in die epitaktische Halbleiterschicht (4) erhalten v. len, wozu dieser Dotierungsstoff vor dem Anoringen der epitaktischen Halbleiterschicht (4) durch örtliche Eindiffusion in das Halbleitersubstrat (2) eingebracht wird, und wobei dieser Dotierungsstoff einen größeren Diffusionskoeffizienten hat und mit einer geringeren Konzentration in die epitaktische Halbleiterschicht (4) eindiffundiert wird als der den zweiten Leilungstyp herbeiführende Dotierungsstoff, mit dem die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps gebildet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus zwei sich aneinander anschließenden Zonenteilen (15, 16) bestehende Emitterzone derart gebildet wird, daß nur der erste Zonenteil (15) an die begrabene Schicht (18) des zweiten Leitungstyps grenzt und der zweite Zonenteil (16) die gleiche Dicke wie die Kollektorzone (17) aufweist und in kürzerem Abstand von der Kollektorzone (17) liegt als der erste Zonenteil (15), und daß der zweite Zonenteil (16) und die Kollektorzone (17) gleichzeitig in Form von diffundierten Oberflächenzonen in der Insel (5) gebildet werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Oberfläche (19) der epitaktischen Halbleiterschicht (4) grenzenden Teile der Trennzonen (14), der zweite Zonenteil (16) der Emitterzone und die Kollektorzone (17) gleichzeitig durch örtliche Eindiffusion eines den ersten Leitungstyp herbeiführenden Dotierungsstoffes in die Oberfläche (19) der epitaktischen Halbleiterschicht (4) gebildet werden.
DE1964979A 1969-01-11 1969-12-24 Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE1964979C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6900492.A NL162511C (nl) 1969-01-11 1969-01-11 Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
US1254770A 1970-02-19 1970-02-19

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1964979A1 DE1964979A1 (de) 1970-07-23
DE1964979B2 true DE1964979B2 (de) 1976-09-30
DE1964979C3 DE1964979C3 (de) 1985-06-20

Family

ID=26644392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1964979A Expired DE1964979C3 (de) 1969-01-11 1969-12-24 Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3667006A (de)
AT (1) AT324421B (de)
BE (1) BE744279A (de)
CH (1) CH505475A (de)
DE (1) DE1964979C3 (de)
FR (1) FR2028146B1 (de)
GB (1) GB1291383A (de)
NL (1) NL162511C (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT946150B (it) * 1971-12-15 1973-05-21 Ates Componenti Elettron Perfezionamento al processo plana re epistssiale per la produzione di circuiti integrati lineari di potenza
JPS4998981A (de) * 1973-01-24 1974-09-19
US3891480A (en) * 1973-10-01 1975-06-24 Honeywell Inc Bipolar semiconductor device construction
US3972061A (en) * 1974-10-02 1976-07-27 National Semiconductor Corporation Monolithic lateral S.C.R. having reduced "on" resistance
GB1558281A (en) * 1975-07-31 1979-12-19 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor device and logic circuit constituted by the semiconductor device
US4087900A (en) * 1976-10-18 1978-05-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of semiconductor integrated circuit structure including injection logic configuration compatible with complementary bipolar transistors utilizing simultaneous formation of device regions
JPS5478092A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Hitachi Ltd Lateral semiconductor device
FR2457564A1 (fr) * 1979-05-23 1980-12-19 Thomson Csf Transistor pnp pour circuit integre bipolaire et son procede de fabrication
NL8006827A (nl) * 1980-12-17 1982-07-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
JPS60117765A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
IT1188309B (it) * 1986-01-24 1988-01-07 Sgs Microelettrica Spa Procedimento per la fabbricazione di dispositivi elettronici integrati,in particolare transistori mos a canale p ad alta tensione
JPS62210667A (ja) * 1986-03-11 1987-09-16 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4851893A (en) * 1987-11-19 1989-07-25 Exar Corporation Programmable active/passive cell structure
JP2692099B2 (ja) * 1988-01-14 1997-12-17 日本電気株式会社 マスタースライス方式の集積回路
US5175117A (en) * 1991-12-23 1992-12-29 Motorola, Inc. Method for making buried isolation
DE19520182C2 (de) * 1995-06-01 2003-06-18 Infineon Technologies Ag Bipolartransistor vom pnp-Typ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3197710A (en) * 1963-05-31 1965-07-27 Westinghouse Electric Corp Complementary transistor structure
FR1459084A (fr) * 1964-09-18 1966-04-29 Texas Instruments Inc Ligne de transmission sous forme de bandes pour haute fréquence
US3445734A (en) * 1965-12-22 1969-05-20 Ibm Single diffused surface transistor and method of making same
US3427513A (en) * 1966-03-07 1969-02-11 Fairchild Camera Instr Co Lateral transistor with improved injection efficiency
US3434021A (en) * 1967-01-13 1969-03-18 Rca Corp Insulated gate field effect transistor
FR1520514A (fr) * 1967-02-07 1968-04-12 Radiotechnique Coprim Rtc Procédé de fabrication de circuits intégrés comportant des transistors de types opposés
FR1520515A (fr) * 1967-02-07 1968-04-12 Radiotechnique Coprim Rtc Circuits intégrés comportant des transistors de types opposés et leurs procédésde fabrication
US3524113A (en) * 1967-06-15 1970-08-11 Ibm Complementary pnp-npn transistors and fabrication method therefor
US3502951A (en) * 1968-01-02 1970-03-24 Singer Co Monolithic complementary semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
AT324421B (de) 1975-08-25
US3667006A (en) 1972-05-30
BE744279A (fr) 1970-07-09
FR2028146B1 (de) 1974-09-13
NL162511B (nl) 1979-12-17
NL6900492A (de) 1970-07-14
DE1964979C3 (de) 1985-06-20
DE1964979A1 (de) 1970-07-23
NL162511C (nl) 1980-05-16
GB1291383A (en) 1972-10-04
CH505475A (de) 1971-03-31
FR2028146A1 (de) 1970-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE1964979C3 (de) Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2055162A1 (de) Verfahren zur Isolationsbereichbil dung im Halbleitersubstrat einer monohthi sehen Halbleitervorrichtung
DE1926884A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3116268C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2419019C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Sperrschichtfeldeffekttransistors
DE1808928A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2235185A1 (de) Monolithische integrierte schaltung
DE1764570C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit zueinander komplementären NPN- und PNP-Transistoren
DE2109352C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines lateralen bipolaren Halbleiter-Bauelements
DE2633714A1 (de) Integrierter halbleiter-baustein sowie verfahren zu seiner herstellung
DE2133976A1 (de) Halbleiteranordnung, insbesondere mono hthische integrierte Schaltung, und Ver fahren zu deren Herstellung
DE1764578C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor
DE2219696C3 (de) Verfarhen zum Herstellen einer monolithisch integrierten Halbleiteranordnung
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern
DE1090330B (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen
DE2101278A1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2131993C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Anschlusses
DE2216642C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1614286C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2028632A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1764552C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer Zenerdiode
DE1764571C3 (de) Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1808926B2 (de) Halbleiteranordnung mit einem einen monokristallinen und mindestens einen daran angrenzenden polykristallinen Bereich enthaltenden Halbleiterbereich
DE1931201C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode

Legal Events

Date Code Title Description
8281 Inventor (new situation)

Free format text: RUEGG, HEINZ WALTER, ROSRAIN, CH

C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee