NL140363B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Info

Publication number
NL140363B
NL140363B NL666607399A NL6607399A NL140363B NL 140363 B NL140363 B NL 140363B NL 666607399 A NL666607399 A NL 666607399A NL 6607399 A NL6607399 A NL 6607399A NL 140363 B NL140363 B NL 140363B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
semi
manufacturing
application
conductive channel
Prior art date
Application number
NL666607399A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6607399A (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL6607399A publication Critical patent/NL6607399A/xx
Publication of NL140363B publication Critical patent/NL140363B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
    • H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/92—Controlling diffusion profile by oxidation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NL666607399A 1965-05-28 1966-05-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. NL140363B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US459709A US3411199A (en) 1965-05-28 1965-05-28 Semiconductor device fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6607399A NL6607399A (nl) 1966-11-29
NL140363B true NL140363B (nl) 1973-11-15

Family

ID=23825857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL666607399A NL140363B (nl) 1965-05-28 1966-05-27 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3411199A (nl)
DE (1) DE1564528A1 (nl)
ES (1) ES327183A1 (nl)
GB (1) GB1145879A (nl)
NL (1) NL140363B (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3534235A (en) * 1967-04-17 1970-10-13 Hughes Aircraft Co Igfet with offset gate and biconductivity channel region
US3590477A (en) * 1968-12-19 1971-07-06 Ibm Method for fabricating insulated-gate field effect transistors having controlled operating characeristics
US3636617A (en) * 1970-03-23 1972-01-25 Monsanto Co Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof
FR2123179B1 (nl) * 1971-01-28 1974-02-15 Commissariat Energie Atomique
US3807039A (en) * 1971-04-05 1974-04-30 Rca Corp Method for making a radio frequency transistor structure
US4575746A (en) * 1983-11-28 1986-03-11 Rca Corporation Crossunders for high density SOS integrated circuits
GB8400336D0 (en) * 1984-01-06 1984-02-08 Texas Instruments Ltd Field effect transistors
US7750654B2 (en) * 2002-09-02 2010-07-06 Octec Inc. Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL265382A (nl) * 1960-03-08
US3183129A (en) * 1960-10-14 1965-05-11 Fairchild Camera Instr Co Method of forming a semiconductor
US3193418A (en) * 1960-10-27 1965-07-06 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor device fabrication
US3203840A (en) * 1961-12-14 1965-08-31 Texas Insutruments Inc Diffusion method
NL297002A (nl) * 1962-08-23 1900-01-01

Also Published As

Publication number Publication date
NL6607399A (nl) 1966-11-29
DE1564528A1 (de) 1970-01-22
GB1145879A (en) 1969-03-19
ES327183A1 (es) 1967-03-16
US3411199A (en) 1968-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL159533B (nl) Werkwijze voor het met een tussenruimte scheiden van door verdeling van een halfgeleiderschijf gevormde halfgeleiderplaatjes, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL154627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement en magneetveld afhankelijk weerstandselement verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL152117B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL144091B (nl) Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL140656B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL168654C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.