NL152115B - Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.

Info

Publication number
NL152115B
NL152115B NL686815372A NL6815372A NL152115B NL 152115 B NL152115 B NL 152115B NL 686815372 A NL686815372 A NL 686815372A NL 6815372 A NL6815372 A NL 6815372A NL 152115 B NL152115 B NL 152115B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
etching
procedure
manufacturing
silicon semiconductor
silicon
Prior art date
Application number
NL686815372A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6815372A (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL6815372A publication Critical patent/NL6815372A/xx
Publication of NL152115B publication Critical patent/NL152115B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/115—Orientation
NL686815372A 1967-11-01 1968-10-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen. NL152115B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US67981867A 1967-11-01 1967-11-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6815372A NL6815372A (nl) 1969-05-05
NL152115B true NL152115B (nl) 1977-01-17

Family

ID=24728489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL686815372A NL152115B (nl) 1967-11-01 1968-10-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3506509A (nl)
BE (1) BE723234A (nl)
FR (1) FR96065E (nl)
GB (1) GB1250653A (nl)
MY (1) MY7300448A (nl)
NL (1) NL152115B (nl)
SE (1) SE353185B (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3770533A (en) * 1971-07-02 1973-11-06 Philips Corp Method of producing high resolution patterns in single crystals
US3909325A (en) * 1974-06-28 1975-09-30 Motorola Inc Polycrystalline etch
US4137123A (en) * 1975-12-31 1979-01-30 Motorola, Inc. Texture etching of silicon: method
US4859280A (en) * 1986-12-01 1989-08-22 Harris Corporation Method of etching silicon by enhancing silicon etching capability of alkali hydroxide through the addition of positive valence impurity ions
US4810557A (en) * 1988-03-03 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making an article comprising a tandem groove, and article produced by the method
US4918030A (en) * 1989-03-31 1990-04-17 Electric Power Research Institute Method of forming light-trapping surface for photovoltaic cell and resulting structure
DE3920644C1 (nl) * 1989-06-23 1990-12-20 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
US5431777A (en) * 1992-09-17 1995-07-11 International Business Machines Corporation Methods and compositions for the selective etching of silicon
DE19811878C2 (de) 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
US6326689B1 (en) * 1999-07-26 2001-12-04 Stmicroelectronics, Inc. Backside contact for touchchip
US20090266414A1 (en) * 2006-05-02 2009-10-29 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Process for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate for solar application and etching solution

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL105904C (nl) * 1955-12-30
US3041226A (en) * 1958-04-02 1962-06-26 Hughes Aircraft Co Method of preparing semiconductor crystals
US3425879A (en) * 1965-10-24 1969-02-04 Texas Instruments Inc Method of making shaped epitaxial deposits

Also Published As

Publication number Publication date
MY7300448A (en) 1973-12-31
NL6815372A (nl) 1969-05-05
GB1250653A (nl) 1971-10-20
FR96065E (fr) 1972-05-19
SE353185B (nl) 1973-01-22
DE1806225A1 (de) 1971-01-28
DE1806225B2 (de) 1972-08-24
BE723234A (nl) 1969-04-01
US3506509A (en) 1970-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL160143C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een afgesloten neutro- nengenerator.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL141329B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL156631B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL158541B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van laminaten.
DK118413B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en halvlederkomponent.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL143167B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gestrekte polypropeenfoelies.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL140296B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een siliciumdioxydelaag.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7709377A (nl) Inrichting voor het opbouwen van banden.
NL161300C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
DK117846B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvlederapparat.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL163673C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL143073B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
NZ80 Patents of addition are not granted since law of 1.1.78

Ref document number: 144778

Country of ref document: NL

Date of ref document: 19750516

Format of ref document f/p: P

V3 Additional patents lapsed at the same time as the main patent