NL144778B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.

Info

Publication number
NL144778B
NL144778B NL6716390A NL6716390A NL144778B NL 144778 B NL144778 B NL 144778B NL 6716390 A NL6716390 A NL 6716390A NL 6716390 A NL6716390 A NL 6716390A NL 144778 B NL144778 B NL 144778B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
anisotroope
etching
manufacturing
well
semiconductor device
Prior art date
Application number
NL6716390A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6716390A (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL6716390A publication Critical patent/NL6716390A/xx
Publication of NL144778B publication Critical patent/NL144778B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/764—Air gaps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C23F1/40—Alkaline compositions for etching other metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
NL6716390A 1966-12-20 1967-12-01 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. NL144778B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US60329266A 1966-12-20 1966-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6716390A NL6716390A (nl) 1968-06-21
NL144778B true NL144778B (nl) 1975-01-15

Family

ID=24414811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6716390A NL144778B (nl) 1966-12-20 1967-12-01 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE708163A (nl)
DE (1) DE1621532B2 (nl)
FR (1) FR1548079A (nl)
GB (1) GB1212379A (nl)
MY (1) MY7300447A (nl)
NL (1) NL144778B (nl)
SE (1) SE342526B (nl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1288278A (nl) * 1968-12-31 1972-09-06
US3844858A (en) * 1968-12-31 1974-10-29 Texas Instruments Inc Process for controlling the thickness of a thin layer of semiconductor material and semiconductor substrate
US3579057A (en) * 1969-08-18 1971-05-18 Rca Corp Method of making a semiconductor article and the article produced thereby
CA957782A (en) * 1970-01-26 1974-11-12 Theodore Kamprath Capacitor structure for integrated circuits
DE2106540A1 (de) * 1970-02-13 1971-08-19 Texas Instruments Inc Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4668333A (en) * 1985-12-13 1987-05-26 Xerox Corporation Image sensor array for assembly with like arrays to form a longer array
DE3879771D1 (de) * 1987-05-27 1993-05-06 Siemens Ag Aetzverfahren zum erzeugen von lochoeffnungen oder graeben in n-dotiertem silizium.
GB9204078D0 (en) * 1992-02-26 1992-04-08 Philips Electronics Uk Ltd Infrared detector manufacture
US5508231A (en) * 1994-03-07 1996-04-16 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for achieving mechanical and thermal isolation of portions of integrated monolithic circuits

Also Published As

Publication number Publication date
FR1548079A (nl) 1968-11-29
MY7300447A (en) 1973-12-31
SE342526B (nl) 1972-02-07
NL6716390A (nl) 1968-06-21
BE708163A (nl) 1968-05-02
DE1621532B2 (de) 1971-10-07
GB1212379A (en) 1970-11-18
DE1621532A1 (de) 1970-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL140175B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan, alsmede aldus vervaardigd zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL159124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan.
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL161300C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL149562B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een massieve plaat.
NL139874B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze.
NL139193B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting, alsmede ritssluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL158323C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
NR80 Reference from main patent to patent of addition

Ref document number: 152115

Country of ref document: NL

Date of ref document: 19750516

Format of ref document f/p: P

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: WESTERN ELECTRI