NL152117B - Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.

Info

Publication number
NL152117B
NL152117B NL676716314A NL6716314A NL152117B NL 152117 B NL152117 B NL 152117B NL 676716314 A NL676716314 A NL 676716314A NL 6716314 A NL6716314 A NL 6716314A NL 152117 B NL152117 B NL 152117B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
manufacturing
air gaps
device provided
integrated semi
Prior art date
Application number
NL676716314A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6716314A (nl
Original Assignee
Raytheon Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raytheon Co filed Critical Raytheon Co
Publication of NL6716314A publication Critical patent/NL6716314A/xx
Publication of NL152117B publication Critical patent/NL152117B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
    • H01L21/76289—Lateral isolation by air gap
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/051—Etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/115—Orientation
NL676716314A 1966-12-01 1967-11-30 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting. NL152117B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US59847766A 1966-12-01 1966-12-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6716314A NL6716314A (nl) 1968-06-04
NL152117B true NL152117B (nl) 1977-01-17

Family

ID=24395696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL676716314A NL152117B (nl) 1966-12-01 1967-11-30 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3493820A (nl)
JP (1) JPS507429B1 (nl)
BE (1) BE707208A (nl)
CH (1) CH474851A (nl)
DE (2) DE6606541U (nl)
GB (1) GB1143148A (nl)
NL (1) NL152117B (nl)
SE (1) SE342525B (nl)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180422A (en) * 1969-02-03 1979-12-25 Raytheon Company Method of making semiconductor diodes
US3806771A (en) * 1969-05-05 1974-04-23 Gen Electric Smoothly beveled semiconductor device with thick glass passivant
DE2120388A1 (de) * 1970-04-28 1971-12-16 Agency Ind Science Techn Verbindungshalbleitervorrichtung
US3670396A (en) * 1971-04-12 1972-06-20 Us Navy Method of making a circuit assembly
US3888708A (en) * 1972-02-17 1975-06-10 Kensall D Wise Method for forming regions of predetermined thickness in silicon
US4187516A (en) * 1972-04-10 1980-02-05 Raytheon Company Semiconductor integrated circuits
US3979237A (en) * 1972-04-24 1976-09-07 Harris Corporation Device isolation in integrated circuits
DE2432544C3 (de) * 1974-07-04 1978-11-23 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Als Halbleiterschaltung ausgebildetes Bauelement mit einem dielektrischen Träger sowie Verfahren zu seiner Herstellung
NL177866C (nl) * 1976-11-30 1985-12-02 Mitsubishi Electric Corp Werkwijze voor het vervaardigen van afzonderlijke halfgeleiderelementen, waarbij in een schijfvormig lichaam van halfgeleidermateriaal gevormde halfgeleiderelementen van elkaar worden gescheiden door het schijfvormige lichaam te breken.
JPS5386026U (nl) * 1976-12-16 1978-07-15
US4312117A (en) * 1977-09-01 1982-01-26 Raytheon Company Integrated test and assembly device
US4257061A (en) * 1977-10-17 1981-03-17 John Fluke Mfg. Co., Inc. Thermally isolated monolithic semiconductor die
DE3137695A1 (de) * 1981-09-22 1983-04-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper mit pnpn-schichtfolge und verfahren zu seiner herstellung
US4381341A (en) * 1982-02-01 1983-04-26 Westinghouse Electric Corp. Two stage etching process for through the substrate contacts
US4613891A (en) * 1984-02-17 1986-09-23 At&T Bell Laboratories Packaging microminiature devices
US4889832A (en) * 1987-12-23 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating an integrated circuit with metal interconnecting layers above and below active circuitry
US4918505A (en) * 1988-07-19 1990-04-17 Tektronix, Inc. Method of treating an integrated circuit to provide a temperature sensor that is integral therewith
DE4401782C2 (de) * 1994-01-21 2001-08-02 Angew Solarenergie Ase Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lokal flachen Emitters zwischen den Kontaktfingern einer Solarzelle
KR100380701B1 (ko) * 1994-07-26 2003-07-22 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 표면장착용반도체장치제조방법및표면장착용반도체장치
US20020071169A1 (en) 2000-02-01 2002-06-13 Bowers John Edward Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device
US6753638B2 (en) 2000-02-03 2004-06-22 Calient Networks, Inc. Electrostatic actuator for micromechanical systems
US6585383B2 (en) 2000-05-18 2003-07-01 Calient Networks, Inc. Micromachined apparatus for improved reflection of light
US6560384B1 (en) 2000-06-01 2003-05-06 Calient Networks, Inc. Optical switch having mirrors arranged to accommodate freedom of movement
WO2001094253A2 (en) * 2000-06-02 2001-12-13 Calient Networks, Inc. Bulk silicon structures with thin film flexible elements
US6825967B1 (en) 2000-09-29 2004-11-30 Calient Networks, Inc. Shaped electrodes for micro-electro-mechanical-system (MEMS) devices to improve actuator performance and methods for fabricating the same
US6544863B1 (en) 2001-08-21 2003-04-08 Calient Networks, Inc. Method of fabricating semiconductor wafers having multiple height subsurface layers
US7728339B1 (en) 2002-05-03 2010-06-01 Calient Networks, Inc. Boundary isolation for microelectromechanical devices
CN101933410B (zh) * 2008-01-31 2013-10-16 惠普开发有限公司 印刷电路板中的绝缘孔径

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3313013A (en) * 1960-08-15 1967-04-11 Fairchild Camera Instr Co Method of making solid-state circuitry
NL134170C (nl) * 1963-12-17 1900-01-01
US3396312A (en) * 1965-06-30 1968-08-06 Texas Instruments Inc Air-isolated integrated circuits
US3426252A (en) * 1966-05-03 1969-02-04 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive device including beam leads

Also Published As

Publication number Publication date
NL6716314A (nl) 1968-06-04
BE707208A (nl) 1968-04-01
DE1614393A1 (de) 1970-05-27
CH474851A (de) 1969-06-30
DE6606541U (de) 1970-11-05
SE342525B (nl) 1972-02-07
US3493820A (en) 1970-02-03
JPS507429B1 (nl) 1975-03-25
GB1143148A (en) 1969-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152117B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL139481B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een luchtband.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL140175B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan, alsmede aldus vervaardigd zelfborgend van een schroefdraadschacht voorzien bevestigingsorgaan.
NL161620C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL159912C (nl) Werkwijze voor het vormen van voorwerpen en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL146983B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bimorfe piezo-elektrische inrichting en aldus vervaardigde inrichting.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL151213B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143180B (nl) Luchtband, in het bijzonder voor vliegtuigen.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL155472B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een houder, alsmede houder, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL158298B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een gemigreerde seismische registratie, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL143473B (nl) Inrichting voor het welven van een luchtband.
NL161515B (nl) Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting.
NL148736B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een gebogen snelstartende luminescentiebuis, alsmede de aldus vervaardigde gebogen luminescentiebuis.
NL140182B (nl) Inrichting voor het vervaardigen en welven van een luchtband.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: RAYTHEON

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent