NL160680C - Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL160680C
NL160680C NL6709428.A NL6709428A NL160680C NL 160680 C NL160680 C NL 160680C NL 6709428 A NL6709428 A NL 6709428A NL 160680 C NL160680 C NL 160680C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
conductor device
manufacturing
insulating encapsulation
device provided
Prior art date
Application number
NL6709428.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL160680B (nl
NL6709428A (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL6709428A publication Critical patent/NL6709428A/xx
Publication of NL160680B publication Critical patent/NL160680B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL160680C publication Critical patent/NL160680C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • H10W74/137—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations being directly on the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/662—Laminate layers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
    • H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
    • H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P36/00—Gettering within semiconductor bodies
    • H10P36/03—Gettering within semiconductor bodies within silicon bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/43—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
NL6709428.A 1966-07-07 1967-07-06 Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. NL160680C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56350566A 1966-07-07 1966-07-07

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6709428A NL6709428A (nl) 1968-01-08
NL160680B NL160680B (nl) 1979-06-15
NL160680C true NL160680C (nl) 1979-11-15

Family

ID=24250773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6709428.A NL160680C (nl) 1966-07-07 1967-07-06 Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3465209A (nl)
DE (1) DE1614374B2 (nl)
ES (2) ES342653A1 (nl)
GB (1) GB1181126A (nl)
NL (1) NL160680C (nl)
SE (1) SE372372B (nl)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4089992A (en) * 1965-10-11 1978-05-16 International Business Machines Corporation Method for depositing continuous pinhole free silicon nitride films and products produced thereby
US3979768A (en) * 1966-03-23 1976-09-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor element having surface coating comprising silicon nitride and silicon oxide films
DE1696625C3 (de) * 1966-10-07 1979-03-08 Syumpei, Yamazaki Verfahren zum Erzeugen einer Nitridschutzschicht auf einem Halbleiterkörper
US3585461A (en) * 1968-02-19 1971-06-15 Westinghouse Electric Corp High reliability semiconductive devices and integrated circuits
US3584264A (en) * 1968-03-21 1971-06-08 Westinghouse Electric Corp Encapsulated microcircuit device
DE1789062C3 (de) * 1968-09-30 1978-11-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von Metallkontaktschichten für Halbleiteranordnungen
US3649888A (en) * 1969-05-14 1972-03-14 Itt Dielectric structure for semiconductor device
US3694700A (en) * 1971-02-19 1972-09-26 Nasa Integrated circuit including field effect transistor and cerment resistor
JPS542070B2 (nl) * 1971-10-01 1979-02-01
JPS4871181A (nl) * 1971-12-24 1973-09-26
US3760242A (en) * 1972-03-06 1973-09-18 Ibm Coated semiconductor structures and methods of forming protective coverings on such structures
US3869704A (en) * 1973-09-17 1975-03-04 Motorola Inc Semiconductor device with dispersed glass getter layer
US4001872A (en) * 1973-09-28 1977-01-04 Rca Corporation High-reliability plastic-packaged semiconductor device
US4041896A (en) * 1975-05-12 1977-08-16 Ncr Corporation Microelectronic circuit coating system
DE2658304C2 (de) * 1975-12-24 1984-12-20 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Halbleitervorrichtung
GB1548520A (en) * 1976-08-27 1979-07-18 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing a semiconductor device
US4161743A (en) * 1977-03-28 1979-07-17 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Semiconductor device with silicon carbide-glass-silicon carbide passivating overcoat
DE2713647C2 (de) * 1977-03-28 1984-11-29 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Halbleitervorrichtung, bestehend aus einem Halbleitersubstrat und aus einem Oberflächenschutzfilm
US4153907A (en) * 1977-05-17 1979-05-08 Vactec, Incorporated Photovoltaic cell with junction-free essentially-linear connections to its contacts
US4134125A (en) * 1977-07-20 1979-01-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Passivation of metallized semiconductor substrates
USRE32351E (en) * 1978-06-19 1987-02-17 Rca Corporation Method of manufacturing a passivating composite comprising a silicon nitride (SI1 3N4) layer and a phosphosilicate glass (PSG) layer for a semiconductor device layer
US4716451A (en) * 1982-12-10 1987-12-29 Rca Corporation Semiconductor device with internal gettering region
EP0315350A1 (en) * 1987-11-02 1989-05-10 AT&T Corp. Low temperature intrinsic gettering techniques
US5068714A (en) * 1989-04-05 1991-11-26 Robert Bosch Gmbh Method of electrically and mechanically connecting a semiconductor to a substrate using an electrically conductive tacky adhesive and the device so made
DE102005046479B4 (de) * 2005-09-28 2008-12-18 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Spalten von spröden Materialien mittels Trenching Technologie
KR100875432B1 (ko) 2007-05-31 2008-12-22 삼성모바일디스플레이주식회사 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR100889626B1 (ko) * 2007-08-22 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한유기전계발광표시장치, 및 그의 제조방법
KR100889627B1 (ko) * 2007-08-23 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 구비한유기전계발광표시장치
KR100982310B1 (ko) * 2008-03-27 2010-09-15 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR100989136B1 (ko) * 2008-04-11 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR101002666B1 (ko) * 2008-07-14 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2899344A (en) * 1958-04-30 1959-08-11 Rinse in
US3165430A (en) * 1963-01-21 1965-01-12 Siliconix Inc Method of ultra-fine semiconductor manufacture
US3246214A (en) * 1963-04-22 1966-04-12 Siliconix Inc Horizontally aligned junction transistor structure
US3295185A (en) * 1963-10-15 1967-01-03 Westinghouse Electric Corp Contacting of p-nu junctions
GB1060925A (en) * 1964-04-27 1967-03-08 Westinghouse Electric Corp Growth of insulating films such as for semiconductor devices
US3343049A (en) * 1964-06-18 1967-09-19 Ibm Semiconductor devices and passivation thereof
USB381501I5 (nl) * 1964-07-09
US3386163A (en) * 1964-08-26 1968-06-04 Ibm Method for fabricating insulated-gate field effect transistor
US3385729A (en) * 1964-10-26 1968-05-28 North American Rockwell Composite dual dielectric for isolation in integrated circuits and method of making
US3287243A (en) * 1965-03-29 1966-11-22 Bell Telephone Labor Inc Deposition of insulating films by cathode sputtering in an rf-supported discharge

Also Published As

Publication number Publication date
US3465209A (en) 1969-09-02
NL160680B (nl) 1979-06-15
DE1614374B2 (de) 1971-12-30
SE372372B (nl) 1974-12-16
DE1614374A1 (de) 1970-05-21
NL6709428A (nl) 1968-01-08
ES356193A1 (es) 1970-02-01
ES342653A1 (es) 1968-12-01
GB1181126A (en) 1970-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL152117B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting.
NL161620C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL159912C (nl) Werkwijze voor het vormen van voorwerpen en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL153709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerp, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL142337B (nl) Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerpen bekleed volgens deze werkwijze of met behulp van deze inrichting.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL161613C (nl) Foto-elektrische geleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161295B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een afbuigjuk voor elektromagnetische bundelafbuiging.
NL149642B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting en aldus vervaardigde inrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: RCA