NL166820C - Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL166820C
NL166820C NL6917221A NL6917221A NL166820C NL 166820 C NL166820 C NL 166820C NL 6917221 A NL6917221 A NL 6917221A NL 6917221 A NL6917221 A NL 6917221A NL 166820 C NL166820 C NL 166820C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
resistance element
device equipped
resistance
Prior art date
Application number
NL6917221A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6917221A (nl
NL166820B (nl
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL6917221A publication Critical patent/NL6917221A/xx
Publication of NL166820B publication Critical patent/NL166820B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL166820C publication Critical patent/NL166820C/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/8605Resistors with PN junctions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
NL6917221A 1968-11-19 1969-11-14 Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. NL166820C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB5487868A GB1249317A (en) 1968-11-19 1968-11-19 Semiconductor devices

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6917221A NL6917221A (nl) 1970-05-21
NL166820B NL166820B (nl) 1981-04-15
NL166820C true NL166820C (nl) 1981-09-15

Family

ID=10472333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6917221A NL166820C (nl) 1968-11-19 1969-11-14 Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS4844064B1 (nl)
AT (1) AT300961B (nl)
BE (1) BE741870A (nl)
BR (1) BR6914260D0 (nl)
CA (1) CA937682A (nl)
CH (1) CH500570A (nl)
DE (1) DE1954445A1 (nl)
ES (1) ES373627A1 (nl)
FR (1) FR2023619A1 (nl)
GB (1) GB1249317A (nl)
NL (1) NL166820C (nl)
SE (1) SE361771B (nl)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU464038B2 (en) * 1970-12-09 1975-08-14 Philips Nv Improvements in and relating to semiconductor devices
FR2123179B1 (nl) * 1971-01-28 1974-02-15 Commissariat Energie Atomique
FR2189876A1 (en) * 1972-06-23 1974-01-25 Anvar Radiation resistant silicon wafers - and solar cells made therefrom for use in space
JPS53148374U (nl) * 1977-04-27 1978-11-22
JPS53136980A (en) * 1977-05-04 1978-11-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Resistance value correction method for poly crystal silicon resistor
GB2000638B (en) * 1977-06-29 1982-01-20 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor device
FR2396417A1 (fr) * 1977-06-29 1979-01-26 Tokyo Shibaura Electric Co Composant semi-conducteur comprenant une resistance
JPS5439584A (en) * 1977-07-14 1979-03-27 Toshiba Corp Semiconductor device
DE3301665A1 (de) * 1983-01-20 1984-07-26 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zur herstellung eines duennfilmwiderstandes
JPS6014898A (ja) * 1983-07-05 1985-01-25 高田 継生 乾燥手段をそなえた衣類収納箱

Also Published As

Publication number Publication date
FR2023619A1 (nl) 1970-08-21
CA937682A (en) 1973-11-27
NL6917221A (nl) 1970-05-21
NL166820B (nl) 1981-04-15
BE741870A (nl) 1970-05-19
AT300961B (de) 1972-08-10
CH500570A (de) 1970-12-15
DE1954445A1 (de) 1970-06-11
ES373627A1 (es) 1972-05-16
SE361771B (nl) 1973-11-12
JPS4844064B1 (nl) 1973-12-22
BR6914260D0 (pt) 1973-04-19
GB1249317A (en) 1971-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL161620C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL165715B (nl) Inrichting voor het in situ ontijzeren van grondwater.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL181696C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL160985B (nl) Inrichting voor het monteren van een halfgeleiderbouw- element.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL155472B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een houder, alsmede houder, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140657B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL166393C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van een ultrasoon hologram.
NL153719B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149642B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting en aldus vervaardigde inrichting.
NL161613C (nl) Foto-elektrische geleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL151558B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154622B (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL142347B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van vormlingen.
NL150619B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee