NL151558B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL151558B NL151558B NL6807438A NL6807438A NL151558B NL 151558 B NL151558 B NL 151558B NL 6807438 A NL6807438 A NL 6807438A NL 6807438 A NL6807438 A NL 6807438A NL 151558 B NL151558 B NL 151558B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacture
- accordance
- device manufactured
- manufactured
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB2476267 | 1967-05-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL6807438A NL6807438A (nl) | 1968-11-27 |
| NL151558B true NL151558B (nl) | 1976-11-15 |
Family
ID=10216859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL6807438A NL151558B (nl) | 1967-05-26 | 1968-05-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH474158A (nl) |
| DE (1) | DE1764372C3 (nl) |
| FR (1) | FR1573306A (nl) |
| GB (1) | GB1228754A (nl) |
| NL (1) | NL151558B (nl) |
| SE (1) | SE352196B (nl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2059999B1 (nl) * | 1969-03-31 | 1976-03-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| GB1332931A (en) * | 1970-01-15 | 1973-10-10 | Mullard Ltd | Methods of manufacturing a semiconductor device |
| FR2096876B1 (nl) * | 1970-07-09 | 1973-08-10 | Thomson Csf | |
| NL170348C (nl) * | 1970-07-10 | 1982-10-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een tegen dotering en tegen thermische oxydatie maskerend masker wordt aangebracht, de door de vensters in het masker vrijgelaten delen van het oppervlak worden onderworpen aan een etsbehandeling voor het vormen van verdiepingen en het halfgeleiderlichaam met het masker wordt onderworpen aan een thermische oxydatiebehandeling voor het vormen van een oxydepatroon dat de verdiepingen althans ten dele opvult. |
| GB1355806A (en) * | 1970-12-09 | 1974-06-05 | Mullard Ltd | Methods of manufacturing a semiconductor device |
-
1967
- 1967-05-26 GB GB1228754D patent/GB1228754A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-05-22 SE SE698168A patent/SE352196B/xx unknown
- 1968-05-27 FR FR1573306D patent/FR1573306A/fr not_active Expired
- 1968-05-27 DE DE19681764372 patent/DE1764372C3/de not_active Expired
- 1968-05-27 NL NL6807438A patent/NL151558B/nl not_active IP Right Cessation
- 1968-05-27 CH CH785568A patent/CH474158A/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE352196B (nl) | 1972-12-18 |
| DE1764372B2 (de) | 1974-06-12 |
| DE1764372A1 (de) | 1972-04-20 |
| NL6807438A (nl) | 1968-11-27 |
| DE1764372C3 (de) | 1975-01-16 |
| GB1228754A (nl) | 1971-04-21 |
| CH474158A (de) | 1969-06-15 |
| FR1573306A (nl) | 1969-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
| NL159912C (nl) | Werkwijze voor het vormen van voorwerpen en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
| NL156631B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies. | |
| NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
| NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL143167B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gestrekte polypropeenfoelies. | |
| NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
| NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL153025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis. | |
| NL154062B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze. | |
| NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL146522B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van georienteerde foelies van polyethyleentereftalaat. | |
| NL144777B (nl) | Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL166820B (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL141401B (nl) | Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen. | |
| NL142278B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL153950B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een draagstrook voor naalden en draagstrook vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
| NL80 | Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent |
Owner name: PHILIPS |