DE1764372B2

DE1764372B2 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE1764372B2
Application number: DE19681764372
Authority: DE
Inventors: John Anthony Kerr; Eric Wadham
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1967-05-26
Filing date: 1968-05-27
Publication date: 1974-06-12
Also published as: FR1573306A; NL6807438A; GB1228754A; SE352196B; NL151558B; DE1764372A1; CH474158A; DE1764372C3

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zui.i Herstellen einer Halbleiteranordnung mil einem Transistor mit Emitter-, Basis- und Kollektorzonen, wobei die Basiszone und, oder die Emitterzone durch Ionenimplantation gebildet werden. Die Erfindung bezieht sich insbesondere, aber nicht ausschließlich, auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Planar-Transistor für hohe Frequenzen. Unter einem Planar-Transistor wird in diesem Zusammenhang ein Halbleiterkörper oder ein Teil desselben mit einer Kollektorzone des einen Lcitungstyps, einer Basiszone des entgegengesetzten Leitungstyps und einer Emitterzone des einen Leitungstyps verstanden, wobei der Basis-Kollektor-Übergang den Emitter-Basis-Übergang innerhalb des Halbleiterkörpers oder eines Teils desselben umgibt und beide genannten Übergänge an ein und derselben Oberfläche, beispielsweise einer flachen Oberfläche des Halbleiterkörpers oder eines Teils desselben unter schützendem Isoliermaterial auf dieser Oberfläche enden.

In der Halbleitertechnik wird die Ionenimplantation bei der Herstellung von Solarbatterien und Strahlungsdetektoren aus Silizium angewandt Ionenimplantation umfaßt einen Beschüß von Halbleitermaterial mit Strahlen cncrgiercichcr Dotierungsionen zur Bildung von Zonen unterschiedlicher Leittähigkeit und/oder eines unterschiedlichen Leitungstyps. Es wurde bereits vorgeschlagen, die Ionenimplantation bei der Herstellung von Transistoren für hohe Frequenzen anzuwenden, da durch dieses Verfahren eine genaue Einstellung der Übcrpangsticfen und die für derartige Transistoren erforderlichen genauen Abmessungen erreicht werden können. Durch Ionenimplantation kann, im Gegensatz zu Diffusion, nls Verfahren zur Erzeugung der Basis7nnen eines Transistors eine größere Dotierungskonzentration und ein verbesserter Dotierungskonzentrationsgradient in der Basiszone erreicht werden. Dies führt zu einer Vcr-

Besserung des Basis-Reihenwiderstandes und dadurch zu einem niedrigeren Rauschwert, Der verbesserte Konzentrationsgradient der Dotierung bewirkt ebenfalls ein verbessertes eingebautes Driftfeld,

Der vorliegenden Erfindung sind mehrere Versuche vorangegangen, um unter Anwendung eines Implantationsverfahrens Siliziumtransistoren herzustellen. Bei der konventionellen Herstellung von Planar-Transistoren durch einen Doppeldiffusionsprozeß wurde die Basiszone durch Diffusion eines den Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes, kennzeichnend für den entgegengesetzten Leitungstyp, in einem beschränkten Oberflächenteil eines Halbleiterkörpers oder eines Teils desselben des einen Leitungstyps und danach durch Diffusion eines den Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes, kennzeichnend für den einen Leituugstyp, in einem anderen beschränkten Oberflächenteil des Halbleiterkörpers oder eines Teils desselben derart gebildet, daß die erhaltene Emitterzone innerhalb der zuvor gebildeten Basiszone lag. Bei einem der obengenannten Versuche ist die oben beschriebene Herstellung durch die Bildung des Emitters durch Ionenimplantation geändert worden, was als ein hybrider Basisdiffusions- und Emitterionenimplantationsprozeß bezeichnet werden kann.

Der Prozeß der Ionenimplantation bringt eine Beschädigung der kristallinen Struktur des Halbleitermaterials mit sich, so daß zur Wiederherstellung der kristallinen Form nach dem Beschüß mit energiereichen Dotierungsionen eine Temperung durchgeführt werden muß.

Zum Erreichen eines nahezu einheitlichen Dotierungspegels in einer implantierten Emitterzone wird die Implantation schrittweise mit zunehmender Energie durchgeführt. Außerdem zeigt es sich in der Theorie, daß es ebenfalls notwendig ist, zum Erreichen dieses einheitlichen Pegels die Implantation schrittweise mit zunehmender Dosis durchzuführen. Eine weitere wichtige Erwägung ist, die Abhängigdes Prozentsatzes an implantierten Ionen, die durch Substitution in das Kristallgitter aufgenommen sind und auf diese Weise zu den Leitungsmechanismen der Temperung nach der Implantation beitragen können. Bei sehr hoher Konzentration, beispielsweise 10²⁰ Dotierungsatome pro cm³ und mehr, die für einen Emitter mit einem hohen Injeküonswirkungsgrad notwendig sind, muß eine Temperatur in der Größenordnung von 900° C angewendet werden. Bei den obengenannten Versuchen wird diese Temperung in einem spaten Stadium der Herstellung durchgeführt, und zwar nach der Implantation der den Emitter bestimmenden Ionen. Es hat sich herausgestellt, daß sich eine genaue Einstellung der Emilterkonzentrationen und Übergangstiefc schwer verwirklichen läßt, da während der genannten Temperung bei hoher Temperatur eine Wiedereinteilung der den Emitter bestimmenden implantierten Ionen erfolgt, und die Diffusion oder Basisdotierung unter der Emitterzone örtlich verstärkt wird, so daß der Basis-Kollektor-Übergang unter den Emitter örtlich hervorgestoßen wird. Letztere Erscheinung tritt normalerweise bei der Herstellung doppeldiffundierter Silizium-npn-Transistoren auf und wird als »Emitter-Basis-Verdrängung« (»emitter dip effect« oder »base pushout effect«) bezeichnet. Es wurde gefunden, daß diese Erscheinung beim obengenannten Verfahren auftritt, wenn eine Emitterionenimplantation bei der Bildung sowohl vor npn-SiUziumtransistoren als auch von pnp-Siliziumtransistoren angewandt wird, obschon in den letztgenannten Bauelementen in geringerem Maße, Diese Erscheinung erschwert die Einstellung

der Breite der Basiszone, und wenn diese Erscheinung in beträchtlichem Maße auftritt, führt dies zu der Bildung von Transistoren mit einer schlechten Frequenzkurve. Dieselben Ergebnisse lassen sich erwarten bei einem Verfahren, Ld dem eine Basisionenimplantation vor der Emitterionenimplantaiion durchgefülirt wird, da die Temperung bei hoher Temperatur nach der Emitterionenimplantation noch immer ihren Einfluß geltend macht.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, bei dem die obengenannten, den beschriebenen Verfahren anhaftenden Nachteile vermieden oder wenigstens beträchtlich verringert werden und bei dem unter anderem die erwähnte, durch das Tempern verursachte »Emitter-Basis-Verdiängung« vermieden worden kann.

Diese Aufgabe wird b.i dem eingangs genannten Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in einem Halbleiterkörper oder einem Teil desselben vorn einen Leitungstyp zunächst zur Bildung der Emitterzone ein denselben Leitungstyp bestimmendes Dotierungselement eingebracht wird und daß danach die Basiszone und der Emitter-Basis-Übergang gleichzeitig mit dem Kollektor-Basis-Übergang durch Implantation von Ionen eines den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes gebildet werden, wobei die implantierte Zone die zuvor gebildete Emitterzone umschließt. Die verwendete Formulierung: »Implantation von Ionen eines den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes,« umfaßt selbstverständlich, insofern angewandt, eine Temperung nach der Implantation, wobei es einleuchten dürfte, daß die schlußendliche Bildung der genannten Übergänge in bestimmten Fällen erst durch eine derartige Temperung erfolgt.

Aus der deutschen Auslegeschrift 1 232 269 ist es bekannt, zuerst die Emitterzone und dann die Basiszone anzubringen. Diese Veröffentlichung betrifft aber im Gegensatz zu der Frfindung nur Transistoren mit diffundierter Emitter- und Basiszone, wobei die obenerwähnten Probleme nicht auftreten.

Aus »Semiconductor Products«, September 1966, S. 48 bis 52, und »Solid State Electronics«, 1964, S. 487. ist die Anwendung der Ionenimplantation zur Herstellung von Halblciterzonen an sich bekannt. Auf die Herstellung eines Transistors, entsprechend dem Verfahren nach der Erfindung, und die damit erreichbaren Vorteile ist in dieser Entgegenhaltung aber nicht eingegangen.

Die Vorteile eines derartigen Verfahrens werden im folgenden beschrieben, insbesondere in bezug auf zwei bevorzugte DurchführungsfonT-en des Verfahrens, aber, wie im vorstehenden beschrieben worden ist, weist die Anwendung eines Ionenimplantation: prozesses zur Bestimmung der Basiszone im allgcmeinen die Vorteile auf, daß ein niedrigerer Basis-Rcihcnwiderstand und ein verbessertes eingebautes Basis-D; iftfeld erhalten werden. Weiter tritt durch die Reihenfolge der wesentlichen Stufen des Verfahrens, nach dem die Ionenimplantation der Basisdoticrung nach der Herstellung der Emitterzonenkonzentration durchgeführt wird, die »Emittcr-Basis-Verdrängung« nicht auf. Dies hat zur Folge, daß das Dotierungskonzentrationsprofil und die Stärke der

Basiszone besser beherrschbar ist und keine Basisbreiten auf eine reproduzierbare Weise erhaltbar sind.

In einer bevorzugten Durchführung des Verfahrens wird die Emitterzonenkonzentration durch Implantation von Ionen des den einen Leitungstyp bestimmenden Elementes in der genannten Oberfläche hergestellt, und danach wird der Halbleiterkörper oder der Teil desselben vor der Implantation von Ionen des den entgegengesetzten Leitungsiyp bestimmenden Elementes zur Bildung der Basiszone einer Temperung unterworfen. Diese bevorzugte Durchführung zur Bildung eines Transistors durch einen doppelten Ionenimplantationsprozeß bringt keine Erscheinungen wie »Emitter-Basis-Verdrängung« mit sich, da die nach der Emitterionenimplantation notwendige Temperung bei verhältnismäßig hoher Temperatur jetzt vor der Basisionenimplantation durchgeführt wird, der eine Temperung bei verhältnismäßig niedriger Temperatur folgen kann.

Das Verfahren ist bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem Planar-Transistor anwendbar, aber ist nicht darauf beschränkt, da es ziemlich gut möglich ist, mit Hilfe dieses Verfahrens Mesa-Transistoren herzustellen.

In der genannten bevorzugten Durchführung des Verfahrens, bei dem die Emitterzonenkonzentration durch Ionenimplantation hergestellt wird, kann die genannte Emitterionenimplantation in Gegenwart einer Isolierschicht, beispielsweise aus Siliziumoxid, auf der Oberfläche durchgeführt werden, und das Implantationsgebiet wird durch das Vorhandensein einer metallener. Maskierungsschicht, beispielsweise aus Aluminium, auf der Isolierschicht auf ein beschränktes Oberflächengebiet des Halbleiterkörpcrs oder des Teils desselben beschränkt. Durch diese Technik wird nach der Basisionenimplantation ein Emitter-Basis-Übergang erhalten, der an der genannten Oberfläche endet; sie läßt sich beispielsweise bei der Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem Planar-Transistor anwenden.

In einer anderen bevorzugten Durchführung des Verfahrens wird die Emitterzonenkonzentration durch Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmendes Elementes in der Oberfläche des Halbleiterkörpers oder des Teils desselben hergestellt. Dieses Verfahren, das ein gemischter Diffusions- und Ionenimplantationsprozeß ist, verursacht ebensowenig »Emitter-Basis-Verdrängung«, da die Temperung nach der Basisimplantation bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur durchgeführt wird.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Planar-Transistor kann weiter die Basisionenimplantation des den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmendes Elementes ebenfalls in Anwesenheit einer Isolierschicht, beispielsweise aus Siliziumoxid, auf der Oberfläche erfolgen, und das Implantationsgebiet wird auf einen beschränkten Oberflächenteil des Halbleiterkörpers oder der Teile desselben durch die Anwesenheit einer Maskierungsschicht, beispielsweise aus Aluminium, auf der Isolierschicht begrenzt.

In der genannten bevorzugten Durchführung des Verfahrens, bei dem die Emitterzonenkonzentration durch Diffusion des den einen Leitungstyp bestimdtsndes Elementes erfolgt, kann die genannte Diffu-StOB über einen Teil der Oberfläche, der durch eine •.Öffnung in der Isolierschicht auf der Oberfläche frei ί Wild, erfolgen und die darauffolgende Implantation von Ionen des den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Elementes kann durch einen Teil der genannten Isolierschicht erfolgen.

Bei diesem Verfahren nach der Implantation von den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Ionen kann eine metallische Emitterkontaktschicht angebracht werden, und zwar in einer aufs neue hergestellten Öffnung in der Isolierschicht, die der anfangs gebildeten Öffnung in der Isolierschicht

ίο nahezu entspricht, welche Iet2tere öffnung bei der Diffusion des den einen Leitfäliigkeitstyp kennzeichnenden Elementes hergestellt wurde.

Es lassen sich mehrere Techniken anwenden, um die genannte Öffnung aufs neue herzustellen. Wenn es jedoch erwünscht ist, einen f jr sehr hohe Frequenzen geeigneten Transistor herzustellen, ist es in vielen Fällen erwünscht, die Eimitterdiffusionsöffnung so klein wie möglich zu machen, wie dies mit den heutigen verfügbaren photographii.chen Prozessen und Ätztechniken erreicht werden kann. Daher ist zum Anbringen des Emitterkontaktes die genaue abermalige Herstellung einer derartigen öffnung in einer späteren Stufe der Bearbeitung wesentlich und führt zu bestimmten Schwierigkeiten, die ebenso wie Fehler Nm m Ausrichten dei Maske unzulässig sind.

Deswegen wird in einer bevorzugten Durchführung des Verfahrens, bei dem die öffnung aufs neue hergestellt wird, in der anfangs gebildeten Öffnung ein gläserner Isolicrschichtteil gebildet, und zwar während der Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmenden Elementes und nach der Implantation der Ionen des den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Elementes und vor dem Anbringen der metallischen Emitterkontaktschicht die Öffnung durch selektives Ätzen des gläsernen Isolierschichtteils aufs neue hergestellt, wobei die angrenzenden Teile der Isolierschicht praktisch unberührt bleiben.

Bei diesem Verfahren erfolgt die Implantation von den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Ionen teilweise durch den gläsernen Isolierschichtteil und teilweise durch die angrenzenden Teile der Isolierschicht hindurch. Im allgemeinen kann der gläserne Tsolierschichtteil eine Stärke aufweisen, die geringer ist als die der angrenzenden Teile der Iso-

lierschicht. Dies kann dazu führen, daß die Ionen tiefer in denjenigen Teil des Halbleiterkörpers eindringen, der unmittelbar unter der Glas-chicht liegt, was dazu führen kann, daß sich der Kollektor-Basis- Übergang etwas tiefer in diesem Teil des Körpers erstreckt.

Als Lösung !für dieses Problem kann nach dar Dif fusion des den einen Leitungsiyp bestimmenden Elementes und vor der Implantation der Ionen des der entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden EIe mentes eine anodische Oxydationsbehandlung durch geführt werden, damit die Stärke des gläsernen Isolierschichtteiles, selektiv vergrößert wird, bis die Stärke des dadurch entstehenden lsolierschichtteile« der Stärke der angrenzenden Teile der Isolierschich nahezu entspriidit. Es stellt sich heraus, daß in einei späteren Stufe der Bearbeitung ein derartiges durct eine anodische Oxidationsbehandlung angebrachte Oxid zusammen mit dem gläsernen Isolierschichttei selektiv geätzt werden kann, wobei die angrenzen dei

Teile der Isolierschicht praktisch unberührt bleiben Das Verfahren läßt sich bei der Herstellung voi Halbleiteranonlnungen mit Siliziumtransistoren mi

einer npn-odesr pnp-Konfiguration anwenden. Ob

schon das Verfahren weiter unten insbesondere in bezug aiii die Herstellung von Siliziumtransistoren beschrieben wird, wird die Anwendung desselben bei der Herstellung von Transistoren aus anderen Halbleitermaterialien, beispielsweise Germanium und Galliumarsenid, klar sein.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden naher beschrieben.

Es zeigen

Fig. 1. 2 und 3 einen senkrechten Schnitt durch •inen Halbleiterkörper in den unterschiedlichen Siulen einer ersten Durchführungform des Verfahrens tür Herstellung eines epitaxialcn planaren npn-Sililiumtransistors.

F i g. 4 eine Draufsicht der Oberfläche des in Fi g. 3 dargestellten Halbleiterkörper.

Fig. 5, 6 und 7 senkrechte Schnitte durch einen Halbleiterkörper in den unterschiedlichen Stufen tincr zweiten Durchführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines epitaxialcn planaren npn-Silizium-Iransistors,

F i g. 8 eine Draufsicht der Oberfläche des Halbleiterkörper des in Fig. 7 dargestellten Transistors.

Fig. 9 bis 12 senkrechte Schnitte durch einen Halbleiterkörper in den unterschiedlichen Stufen Cincr dritten Durchführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines epitaxialen planaren npn-Silizium-Iransistors.

Fig. 13 eine Draufsicht der Oberfläche des Halbleitcrkörpcrs eines durch die dritte Durchführungsiorm des Verfahrens hergestellten Transistors.

Fig. Wund 15 senkrechte Schnitte durch einen Halbleiterkörper während zwei Zwischenstufen einer Vierten Durchführungsform des Verfahrens, das eine Abänderung der dritten Durchführungsform ist.

Die Vorrichtung für Ionenimplantation, die zum Gebrauch bei den nun beschriebenen Durchführungsformen geeignet ist. wobei Bor- oder Phosphorionen in Silizium implantiert werden, enthält eine hochfrequente Ionenquelle, die mit Borchlorid oder Phosphortrichloridgas gespeist wird. Der beschleunigte Ionenstrahl enthält außer Bor und Phosphor eine Anzahl Ionenarten, und deswegen ist es. notwendig, den Strahl, bevor er in die Zielkammer mit dem Siliziumkörper eintritt, magnetisch zu analysieren. Es 1st dafür gesorgt worden, daß die Menge der von den Pumpen herrührenden organischen Gase durch Anordnung einer Vorrichtung zum Auffangen dieser Gase an den Verbindungsleitungen und durch den Gebrauch so von Diffusionspumpen mit einer aus flüssigem Stickstoff bestehenden Kühlung für die BescWeunigungsdriftröhre auf ein Minimum beschränkt wird.

In der nun folgenden Beschreibung der ersten Durchführungsform in bezug auf die Fi g. 1 bis 4 ist das Ausgangsmaterial eine Siliziumscheibe (Halbleiterkörper mit einem Durchmesser von etwa 2,5 cm; diese besteht aus einem Q⁺ -leitenden Substrat mit einem spezifischen Widerstand von 0,008 Ohm · cm und einer Stärke von 200 μπι, mit einer n-leitenden epitaxialen Schicht mit einem spezifischen Widerstand von 0,5 Ohm · cm und einer Stärke von etwa 3 μπι darauf. Die Hauptflächen der Scheibe liegen in der (111 )-Richtung. Die Bildung eines einzigen Bauelementes auf der Scheibe wird nun beschrieben, wobei bemerkt wird, daß, wo auf Bearbeitungen, wie photographische Prozesse, Diffusion und Ionenamplantation, verwiesen wird, diese Bearbeitungen je auf einer Anzahl Stellen auf der Scheibe gleichzeitig durchgeführt werden können, so daß eine Anzahl separater Bauelemente auf der Scheibe gebildet werden, die durch Aufteilung der Scheibe in einer späteren Phase der Herstellung getrennt werden.

Eine Siliziumoxidschicht mit einer Stärke von 3000 Ä läßt man dadurch auf der Oberfläche der Epitaxialschicht aufwachsen, daß der Halbleiterkörper 45 Min. lang bei 1000 C in einem Strom feuchten Sauerstoffs gehalten wird. Durch einen pholographischcn Prozeß und eine Ätzbehandlung wird eine Öffnung von 3 um a 20 ym in der Siliziumoxidschicht hergestellt, um die darunterliegende n-lcitcnde Epitaxialschicht freizulegen.

Der Halbleiterkörper wird dann in einen Diffusionsofen gestellt, und 10 Min. lang bei 950" C in einem phosphorhaltigen Gasstrom gehalten, der von Phosphin (PH_;!) hergeleitet wird. Dies ergibt die Eindiffundicrung von Phosphor in den frei gemachten Teil der Schicht und die Bildung einer an die Oberfläche grenzenden η'-leitenden Zone, wo die eindiffundierte Phosphorkonzentration etwa 1 bis 5 · 10³" At, cm' beträgt. Während der Diffusionsbearbeitung wird eine Phosphorsilikatschicht auf den frei gemachten Oberflächenteil des Siliziums und auf dci Oberfläche der Siliziumoxidschicht gebildet.

Fig. 1 zeigt den Halbleiterkörper nach der Phosphordiffusionsbearbeitung mit dem rr-leitenden Subsrtat21. das die η-leitende epitaxiale Schicht 22 trägt, wobei die flache Oberfläche 23 der Schicht 22 die Siliziiimoxidschicht 24 trägt und wobei sich die Phosphors;!)! schicht 25 über der Schicht 24 des ziuOr frei gen achten Oberflächentcils der n-!eitcndcn Schicht 22 erstreckt. Das durch Phosphordiffusion gebildete η -leitende Gebiet 27 ist mit dem hinausragenden Teil der durch die gestrichelte Linie 28 angedeuteten Diffusionsfront dargestellt.

Nach Entfernung des Halblcitcrkörpi^irs aus dem Diffusionsofen werden die Siliziiimoxidschicht und die Glasschicht durch einen weiteren photographischen Prozeß und eine Ätzbearbeitung in denjenigen Gebieten auf der Scheibe, die von den Basiszonen der Transistoren beansprucht werden, von der Oberfläche der Scheibe entfernt. Der Halbleiterkörper wird dann zur Durchführung einer Silanbearbeitung in einen Ofen gestellt, wobei Tetraethoxysilan (TEOS) verwendet wird, wobei der Halbleiterkörper /.lim Niederschlagen einer Siliziiimoxidschicht m* einer Stärke von 1000 A auf eine Temperatur von 450 C in der TEOS-Atmosphäre erhitzt wird. Eine Verdichtung der Siliziumoxidschicht wird dann durch eine zeitweilige Erhitzung bis zu 850° C erreicht.

Der Halbleiterkörper wird aus dem Ofen entfernt und in eine Aufdampfvorrichtung gestellt, in der sich eine Aluminiumschicht mit einer Stärke von 1,0 μπι auf der Oberfläche der Siliziumoxidschicht niederschlägt.

Bei einem weiteren photographischen Prozeß und einer Ätzbearbeitung wird eine öffnung von 25 · 30 μΐη in der Aluminiumschicht gebildet, wobei das zuvor gebildete n⁺-leitende Gebiet 27 zentral in dieser Öffnung liegt.

Der Siliziumkörper wird dann in die Zielkammer eines Gerätes für Ionenimplantation hineingebracht, und die Implantation von Borionen im Körper erfolgt in dem durch die öffnung in der Aluminiumschicht frei gemachten Gebiet. Die Borionenquelle

besteht aus Bortrichlorid. Die Implantation wird schrittweise mit zunehmender oder abnehmender Energie im Bereich von 10 KeV bis 130 KcV durchgeführt. Die Dosis beträgt 10" At/cm-. und die Lage des Körpers ist derart, daß die Achse des Ionenstrahl* und die (11 l)-RiclHung einen Winkel von 7
bilden. Die Implantation von Borionen erfolgt durch die Siliziumoxidschicht 24 und die zuvor eincüffundierte Phosphorkonzentration in dem rr -leitenden Gebiet 27 hindurch. Während einer Temperun.e bei niedriger Temperatur werden die Stellen eines Emittcr-Basis-Übcrganges und eines Kollektor-Basis-Überganges gleichzeitig bestimmt.

Fig. 2 zeigt den Halbleiterkörper nach der Borionenimplantation gerade vor der Temperung. Die mit Silan niedergeschlagene Siliziumoxidschicht 29 trägt die aus Aluminium bestehende Maskierungsschicht 30, in der sich eine Öffnung befindet, durch welche die Borioncnimplantation zur Erhaltung einer p-leitendcn Basiszonenkonzentration 31. einer η -leitenden Emitterzonenkonzentration 32, eines Basis-Kollektor-Überganges 33 und eines Einitter-Basis-Überganges 34 stattgefunden hat. wobei die Übergänge in F i g. 2 mit einer gestrichelten Linie angedeutet sind, da es einleuchten dürfte, daß ihre endgültige Lage durch die darauffolgende Temperung bestimmt wird.

Nach der Borionenimplantation wird die restliche aus Aluminium bestehende Maskicrungsschicht 30 entfernt und der Siliziumkörper 30 Min. lang in trockncm Stickstoff einer Tcmpcrung bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur von 600 bis 800 C unterworfen.

Nach der Temperung beträgt die Bor-Obcrflächcnkon/entration in der Basiszone 31 etwa IO^1S At'cm³. Der Emitter-Basis-Übcrgang 34 liegt in einer Tiefe von der Oberfläche 23 von 0.25 um, und der Kollektor-Basis-Übergang 33 liegt in einer Tiefe von der Oberfläche 23 von 0.4 bis 0,5 um. was eine Basiszonentiefe von 0,15 bis 0,25 um ergibt.

Bei einer weiteren photographischen Behandlung und Ätzbcarbeilung werden Öffnungen in der Siliziumoxidschicht 29 gebildet, um die Emitterzone 32 und die Basiszone 31 an denjenigen Stellen frei zu machen, wo diese Zonen an die Oberfläche treten. Die Öffnung für die Emitterzone 32 beträgt etwa 1,5· 16 um, und die zwei Öffnungen, durch welche die Basiszone 31 frei gemacht worden ist. sind etwa 3 · 20 iim groß. Eine Ahiminiumschicht mit einer Stärke von 0,5 μΐη wird danach auf der ganzen Oberfläche niedergeschlagen. Die Aluminiumschicht wird dann separat durch einen weiteren photographi schen Vorgang und eine Ätzbearbeitung entfernt, so daß eine Emitterkontaktschicht, wie in den F i g. 3 und 4 in Form eines Fingers 36 mit einer Breite von 3 μτη zurückbleibt, der sich weiter über die Siliziumoxidschicht 29 erstreckt und in einer Kontaktschicht 37 auf der Siliziumoxidschicht über der Kollektor -zone endet, und eine Basiskontaktschicht in Form von zwei Fingern 38 mit einer Breite von je 3 μη*, die sich weiter über die Süiziumoxidschicht 29 erstrecken und in einer Kontaktschicht 39 auf der Siliziumoxidschicht über der KoIHktorzone enden.

Die Siliziumscheibs wird danach in eine Anzahl

Transistoreinheiten von 35θ·350μηι unterteilt, die

danach einzeln auf einem Tf ager aageordnet werden,

. $robei die Verbindungen mit dÄijEänitier- und den

Basisköntafetschichiea järam^tg|ignuag von Drah

ten und durch Einkapselung hergestellt werden, was auf eine bei der Herstellung von Planar-Transisioren übliche Weise erfolgt.

In der zweiten Ausführungsfonn, die jetzt in bezug auf die Fig. 5 bis 8 beschrieben wird, ist der Halbleiterkörper derselbe, und zwar eine Siliziumscheibc. die aus einem rr-leitenden Substrat mit einer daraufliegenden n-leilenden cpitaxialen Schicht besteht. Die Siliziumoxidschicht mit einer Stärke von 3Ü00 A

ίο läßt man dadurch auf der Oberfläche der cpitaxialen Schicht aufwachsen, daß der Körper 45 Min. lang in einem Strom feuchten Sauerstoffs bei einer Temperatur von 1000 C gehalten wird. Durch einen photographischen Prozeß und eine Ätzbearbeitung wird eine öffnung von 25 · 30 um in der thermisch aufgewachsenen Siliziumoxidschicht gebildet. Line dünnere Siliziumoxidschicht mit einer Stärke von 1000 A läßt man nun dadurch auf dem frei gemachten Teil des Siliziumkörpers aufwachsen, daß der Körper I 5 Min. lang in einem Strom feuchten Sauerstoffs bei einer Temperatur von 950 C gehalten wird. Die Stärke der zurückgebliebenen Teile des anfangs angeordneten 3000 Ä dicken Siliziumoxids wird also während dieser Bearbeitung vergrößert.

Eine Aluminiumschicht mit einer Stärke von 1,0 um danach auf die ganze Oberfläche der Siliziumoxidschichten aufgedampft. Durch einen photographischen Prozeß und eine Ätzbearbeitung wird eine Öffnung von 3 · 20 inn in der Aluminiumschicht gebildet, damit der darunterliegende dünne Teil der Siliziumoxidschicht frei gemacht wird. Diese Öffnung liegt zentral in dem durch den 25 · 30 imi dünnen Siliziiimoxidschichtleil beanspruchten Gebiet. Der Halbleiterkörper wird danach in die Zielkammer einer Vorrichtung für Ionenimplantation gestellt, und die Implantation von Phosphorionen in den Körper erfolgt in dem durch die Öffnung in der Aluminiumschicht frei gemachten Gebiet. Die Phosphorionenquelle besteht aus Phosphor .richlorid. Die Implantationscncrgic beträgt 80 KeV, die Dosis etwa 10"¹AtCnV-, und die Lage des Körpers ist derart, daß die Achse des Ionenstrahl und die (111 ^Richtung einen Winkel von 7" bilden. Die Implantation von Phosphorionen erfolgt durch die dünne Siliziumoxidschicht hindurch, welche durch die Öffnung in der aus Aluminium bestehenden Maskicrungsschicht frei gemacht worden ist.

F i g. 5 zeigt den Halbleiterkörper nach der Phosphorionenimplantation mit dem n^-leitenden Substrat

41. über dem die η-leitende Epitaxialschicht 42 liegt, wobei die flache Oberfläche 43 der Schicht 42 eine aus einem dicken Teil 44 und einem dünnen Teil 45 bestehende Siliziumoxidschicht trägt. Die aus Aluminium bestehende Maskierungsschicht 46 befindet sich auf der Oberfläche der Siliziumoxidschicht 44, 45 und weist eine öffnung 47 auf. Die durch die Phosphorionenimplantation gebildete η ^r-leitende Zone4i ist mit einer durch eine gestrichelte Linie 49 darge stellten Phosphorionenpenetration dargestellt.

Die aus Aluminium bestehende Maskierungsschich 46 wird entfernt und der Siliziumkörper 30 Min. lanj einer Temperung in trocknem Stickstoff bei 90° C unterworfen. Nah der Tempening beträgt die Phos phoroberflächenkonzentratiom m der implantierte!

+ü-leitende Zone 48 etwa 10²⁰ At/cm³.

Eine weitere aus Aluminium bestehende Maskie

rungsschicht mit einer Stärke von 1,0 um wird da mach durch Aufdampfen auf der Oberfläche der Si

liziumoxidschichl 44, 45 angebracht. Durch einen photographischen Prozeß und cine Ätzbearbcilung wird eine Öffnung von 25 · 30 [im im Aluminium gebildet, welche Öffnung den dünnen Siliziumschichtteil 45 von 25 · 30 μηι freigibt, und damit, was die Lage anbelangt, übereinstimmt.

Der Halbleiterkörper wird danach in die Zielkammer einer Vorrichtung für Ionenimplantation gestellt, und die Implantation von Borionen in den Körper erfolgt in dem durch die Öffnung in der aus Aluminium bestehenden Maskierungsschicht frei gemachten Gebiet. Die Borionenquelle und die Beschußverhältnisse sind dieselben wie die, welche bei tier ersten Ausführungsform beschrieben worden sind. Implantation von Borionen erfolgt durch die Siliziumoxidschicht 45 und durch die zuvor implantierte Phosphorkonzentration in der rr-leitenden Zone 48. Während der Temperung bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur werden eine Basiszone und die Stellen eines Emitter-Basis-Überganges und eines Kollcktor-Basis-überganges gleichzeitig bestimmt.

Fi g. 6 zeigt den Halbleiterkörper nach der Borionenimplantation, gerade vor der Temperung. Der dickere Teil 44 der Siliziumoxidschicht trägt die aus Aluminium bestehende Maskiert'ngsschicht 50 mit einer Öffnung darin, durch welche die Borimplanlation erfolgt, zum Erzeugen einer p-lcitenden Basiszonenkonzentration 51, einer η -leitenden Emitterzoncnkonzcntralion 52 eines Basis-Kollektor-Überganges 53 und eines Emitter-Basis-Überganges 54. wobei die Übergänge durch gestrichelte Linien angegeben sind, da es einleuchten dürfte, daß ihre endgültige Lage durch die darauffo'gende Temperung bestimmt wird.

Nach der Borionenimplantation wird die zurückgebliebene, aus Aluminium bestehende Maskierungsschicht 50 entfernt und der Siliziumkörper 30 Min. lang einer Temperung bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur von 600 bis 800° C in trocknem Stickstoff unterworfen.

Nach der Temperung beträgt die Boroberflächenkonzentration in der Basiszone 51 etwa 10¹⁸ At/cm³. Der Emitter-Basis-Übergang 54 liegt in einer Tiefe von der Oberfläche 43 von 0,25 μηι. und der Kollektor-Basis-Übergang 53 liegt in einer Tiefe von der Oberfläche 43 von OA bis 0.5 um. was eine Basiszonenbreite von 0.15 bis 0.25 μηι ergibt.

Bei einem weiteren photographischen Prozeß und einer Ätzbearbeitung werden ÖSnungen im Siliziumoxidschichtteil 45 gebildet, um die Emitterzone 52 und die Basiszone 51, an den Stellen, an denen sich diese Zonen bis zur Oberfläche erstrecken, freizulegen. Die öfEnung, durch welche die Emitterzone 52 freigelegt wird, ist etwa 1,5 ■ 16 μηι groß, und die zwei Öffnungen, durch welche die Basiszone 51 freigelegt wird, sind etwa 3 · 20 μπι groß. Eine Aluminiumschicht mit einer Stärke von 0,5 pm wird danach auf der ganzen Oberfläche niedergeschlagen. Die Aluminiumschicht wird dann einzeln durch einen weiteren photographischen Prozeß und eine Ätzbearbeitung entfernt, um eine Emitterkontaktschicht, wie in Fig. 7 und 8 dargestellt ist, in Form eines Fingers 56 mit einer Breite von 3 μχα zurückzulassen, welcher Finger sich weiter über die Siliziumoxidschichtteile 45 und 44 erstreckt und in einer Kontaktschicht 57 auf einem Siliziumoxidschichtteil 44 über der Kollektorzone endet, und eine Basiskontaktschicht in Form von zwei Fingern 58 aiit einer Breite von je 3 μιη, die sich weiter über die Siliziumoxidschichtlcilc 45 und 44 erstrecken und in einer großen Kontaktschicht 59 auf der Siliziumoxidschicht 4J über der Kollektorzonc enden.

Die Siliziumscheibe wird danach in eine Anzahl Transistoreinheiten von 350 · 350 um unterteilt, die danach einzeln auf einem Träger angeordnet weiden, wobei Verbindungen mit den Emitter- vid den Basiskontaktschichten durch Anordnung von Drähten und einer Einkapselung auf die bei der Herstellung von Planar-Transistoren übliche Weise angebracht werden.

Eine dritte Ausführungsform wird nun in bezug auf die F i g. 9 bis 13 beschrieben, wobei der Halbleiterkörper, Non dem ausgegangen wird, derselbe ist. wie in den im obenstchenden beschriebenen Ausführungen, und zwar eine Siliziiimschcibc. die aus einem η'-kitenden Substrat mit einer n-lcitcnden epitaxialcn Schicht besteht. Eine Siliziumoxidschicht mit einer Stärke von 3000 Ä Hißt man dadurch auf der Epitaxialschicht aufwachsen, daß der Körper 45 M.i. lang bei KlOO"' C in einem Strom feuchten Sauerstoffs gehalten wird. Durch einen photographischen Prozeß und eine Ätzbearbeitung wird eine Öffnung von 25 · 30 um in der Siliziumoxidschicht gebildet, um die darunterliegende n-lcitcndc Epitaxialschicht freizulegen.

Eine weitere Oxydationsbearbeitung wird dadurch ausgeführt, daß der Körper 15 Min. lang bei einer Temperatur von 950 C in einem Strom feuchten Sauerstoffs gehalten wird. Dies führt zur Bildung einer dünnen Siliziumoxidschicht mit einer Stärke von etwa i 200 A auf dem Obcrflächentcil. der durch den vorhergehenden photographischen Prozeß und die Ätibearbcitung freigelegt worden ist. Die zurückbleibenden Teile der anfangs gebildeten dickeren Siliziumoxicischicht werden während der letzten Oxydationsbehandlung etwas dicker gemacht. Eine Öffnung von 3 · 20 um wird in der dünnen Siliziumoxidschicht gebildet, um die darunterliegende n-leitende Epitaxialschicht f-eizu'cgcn. Diese Öffnung liegt zentral in der zuvor gebildeten Öffnung von 25 · 30 um. auf der die dünne Siliziumox'Hschicht vorhanden ist.

Fig. ') zeigt den Halbleiterkörper nach dieser Bearbeitung mit dem n^J-leitenden Substrat 61. das die η-leitende Epitaxialschicht 62 trägt wobei eine flache Oberfläche 63 der Schicht, die anfangs gebildete dickere Siliziumoxidschicht 64. die danach gebildete dünne Siliziumoxidschicht 65 auf dem Teil der Oberflache innerhalb der 25 * 30 tun großer Öffnung in der dicken Schicht 64 und die 3 · 30 μϋ große Öffnung 66 in der dünnen Schicht 65 trägt.

Der Halbleiterkörper wird in einen Diffusionsofei gestellt und 15 Min. lang bei einer Temperatur voi 900" C in einem Gasstrom gehalten, der Phospho enthält, das von Phosphin (PH₃) hergeleitet ist. Die führt zur Diffusion von Phosphor in denjenigen Teil der η-leitenden Epitaxialschicht. der durch die ÖS nung 66 frei gemacht ist, und zur Bildung eine n⁴· -leitenden Emitterzonenkonzentration, die an di Oberfläche grenzt, wo die eindiffundierte Phosphor konzentration 1 bis 5 · lö²⁰ At/cm^s beträgt. Währen der Diffusionsbehandlung wird auf dem freigelegte Teil des Siliziums und in geringerem Maße auf de Oberfläche der Isolierschichtteile eine Phosphoi silikatglasschicht gebildet.

Fig. IO zeigt den Halbleiterkörper nach der Phosjhordiffusionsbehandlung mit der E⁺-leitenden Emit- :erzonenkonzentration 67. Die Lage der Diffusions-Eront wird durch die gestrichelte Linie 68 angedeutet. Die Phosphorsilikatsjhicht 69 hat eine Stärke von etwa 500 A.

Der Körper wird aus dem Diffusionsofen entfernt, und auf der Oberfläche der Isolierschichtteile 64, 65 vnä 69 wird eine Aluminiumschicht mit einer Stärke von 1,0 μΐη niedergeschlagen.

Bei einem weiteren phoiographischen Prozeß und einer Ätzbehandiung wird eine öffnung von 25 · jO um in der Aluminiumschicht gebildet, wobei die genannte Öffnung in ihrer Lage der Lage des Außenumtanges der dünnen Schicht 64 nahezu entspricht.

Der Siliziumkörper wird danach in die Zielkammer einer Vorrichtung für Ionenimplantation gestellt, und die Implantation von Borionen in den Körper erfolgt in dem durch die Öffnung in der Aluminiumfreigelegten Gebiet. Die Borionenquelle besteht aus Bortrichlorid. Die Implantation wird schrittweise mit entweder zunehmender oder abnehmender Energie in der Größenordnung von 10 KeV bis 130 KeV mit einer Dosis von etwa 10^uAt/cm² durchgeführt, und die Pachtung des Körpers ist derart, daß die Achse des Ioncnstrahles und die (111)-Richtung einen Winkel von 7^C bilden. Die Implantation der Borionen erfolgt durch den Siliziumoxidschichtteil 65, durch die Phosphorsilikatglasschicht 69 und durch die zuvor eindiffundierte Phosphorkonzentration in der η ⁺-leitenden Zone 67. Während einer Temperung bei 600 bis 800 C mit einer Dauer von 30 Min. werden eine Basiszone und die Stellen eines Emitter-Basis-Überganges und eines Kollektor-Basis-Überganges gleichzeitig bestimmt.

Fig. 11 zeigt den Halbleiterkörper nach der Implantation vim Borionen gerade vor der Temperung. Der Isolierschichtteil 64 aus Siliziumoxid trägt die aus Aluminium bestehende Maskierungsschicht mit einer Öffnung 71. welche die Isolierschichtteile 65 und 69 freilegt, durch welche die Borionenimplantation zum Herstellen eine ^-leitenden Basiszonenkonzentration 72. einer n⁺-leitenden Emitterzonenkonmntration 73. eines Basis-Kollektor-Überganges 74 und eines Emitter-Basis-Überganges 75 durchgeführt wird, wobei die Übergänge mit gestrichelter Linie angegeben sind, da es einleuchten dürfte, daß ihre endgültige Lage durch die nachfolgende Temperung bestimmt wird. Weiter zeigt die Figur den Teil des Kollektor-Basis-Überganges 74, der unter der Glasschicht 69 liegt und sich in einem etwas größeren Abstand von der Oberfläche 63 erstreckt als der angrenzende Teil des Überganges 74. Der Grund dazu ist, daß die durch die verhältnismäßig dünne Glasschicht 69 implantierten Borionen eine Penetration aufweisen, die etwas tiefer ist als die der Borionen, welche durch die Siliziumoxidschicht 65 implantiert worden sind.

Nach der Borimplantation wird die zurückgebliebene, aus Aluminium bestehende Maskierungsschicht 70 entfernt, und eine Temperung, wie diese im obenstehenden beschrieben wenden ist, wird durchgeführt.

Nach der Temperung beträgt die Borobcrftächeiikonzentration in der Basiszone 72 etwa H)¹-At cm¹. Der Teil des Kollektor-Basis-Übcrganges 74 unter der Glasschicht 69 liegt in einer Tiefe von der Ober fläche 63 von 0,4 bis 0,5 um, und der Emittcr-Basis-Übergang liegt ία einer Tiefe van der Oberfläche 63 von 0,25 μτη, was eine Basiszonenbreite von 0,15 bis 0,25 iim gibt. Die Glasschicht 69 wird danach dadurch entfernt, daß sie 5 Sekunden lang in eine sehr schwache HF-Lösung eingetaucht wird. Bei einem weiteren photograpbischen Prozeß und einer Atzbehandhmg werden Öffnungen von etwa 3 · 20 inn in der Siliziumoxidschicht 65 gebildet, damit die Basiszone 72 an der Stelle, wo diese sich bis zur Oberfläche 63 erstreckt, freigelegt wird. Eine Aluminiumschicht mit einer Stärke von 0,5 μΐη wird danach auf der ganzen Oberfläche niedergeschlagen. Die Aluminiumschicht wird selektiv durch einen weiteren photographischen Prozeß und eine Ätzbehandlung entfernt, damit eine metallene Emitterkontaktschicht und eine metallene Basiskontaktschicht, wie diese in Fig. 12 und 13 dargestellt ist, eines Finaers 76 mit einer Breite von 5 μίτι. der in zurückbleibt. Die Emitterkontaktschicht hat die Form der Öffnung liegt, die zuvor durch eine Glasschicht 69 beansprucht wurde, welche sich über die Siliziumoxidschicht 65 auf beiden Seiten der genannten Öffnung erstreckt und in einer Kontaktschicht 77 auf der ^Siliziumoxidschicht 64 über der Kollektorzone endet. Die Basiskontaktschicht hat die Form von zwei Fingern 78 mit einer Breite von je 3 ion. die sich weiter über iie Siliziumoxidschicht 65 erstrecken und in einer Kontaktschicht 79 auf der Siliziumoxidschicht 64 über der Kollektorzone enden.

Danach wird die Siliziumscheibe in eine Anzahl Ti-ansistoreinhciten von 350-350 um unterteilt, die danach einzeln auf einem Träger angeordnet werden. Die Verbindungen mit den Emitter- und Basiskontaktschichten werden durch die Anordnung von Drähten durchgeführt und danach auf die übliche Weise eingekapselt.

In einer vierten Ausführungsform, die jetzt insbesondere mit Hilfe der Fig. 14 und 15 beschrieben wird, entspricht die Herstellung den Stufen der im vorstehenden beschriebenen dritten Ausführungsform bis einschließlich der Phosphordiffusionsstufe (Fig. 10). Entsprechende Teile des Halbleiterkörpers und der darauf befindhuien Schichten sind in F i g. 14 mit denselben Bezugsziffern wie in den F i g. ⁽> und 10 bezeichnet. Nach der Phosphordiffusion wird eine anodische Oxydationsbehandlung in einer Athylenglykolkaliumnitritlösung (5 Gewichtsprozent) durchgeführt, und zwar zur Bildung eines anodischen Oxidschichttcils 81. der auf dem zwischen dem Silizium und der Phosphorsilikatglasschicht 69 aufwächst, wobei die Stärke des Isolierschichtlcils 69, 81 der Stärke des angrenzenden Isolierschichtteils 65 nahezu entspricht. Danach entspricht das Verfahren dem im dritten Ausführungsbeispiel beschriebenen Verfahren, wobei die aus Aluminium bestehende Maskierungsschicht 70 angeordnet und die Borimplanlatinn durchgeführt wird. Zur Erhaltung einer einheitlichen Stärke der Isolicrscliichttcilc. durch weiche die Borionen implantiert werden, ragt der Kollektor-Basis-Übcrgang 74 bis unter den Emitter. Dies zeigt Fig. 15. die übrigens der Fig. 12 entspricht. Die zusammengestellte Schicht 69, 81 wird danach dadurch gelöst, daß die Schicht 5 Sek. lang in eine sehr schwache HF-Lösung eingetaucht wird. Danach entspricht die Behandlung den entsprechenden Behandlungen der dritten Ausführungsform. Abänderungen des in den oben stehenden Ausführuimsformen beschriebenen Verfahrens sind möszlich.

So kann es beispielsweise bei der zweiten Ausführungsform, bei der die Emitterzonenkonzentration durch Implantation von Phosphorionen erfolgt, unter bestimmten Umständen erwünscht sein, den Teil des Siliziumkörpers, der von den implantierten Phosphorionen beansprucht wird, zuvor einem Beschüß mit Ionen auszusetzen, welche die Leitfähigkeit des Siliziums nahezu nicht beeinflussen, damit der genannte Teil des Halbleiterkörpers für Phosphor-Ltnplantation amorph gehalten wird. Es stellte sich heraus, daß eine derartige Behandlung als eine zusätzliche Maßnahme wirkt, um Kan^ildung de implantierten Phosphorionen zu beschranken^ Weiter kann in einer geänderten Form der ntt« und J^ vierten Ausführungsform, bei der di, «»etomsoie Emitterkontaktschicht in einer öffnung,in·de r Isoher schicht liegt, welche der anfangs E^eblldete" ⁰^'

kommt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Transistor mit Emitter-, Basis- und Kollektorzonen, wobei die Basiszone und/oder die Emitterzone durch Ionenimplantation erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halbleiterkörper oder einem Teil desselben vom einen Leitungstyp zunächst zur Bildung der Emitterzone ein denselben Leitungstyp bestimmendes Doüerungselement eingebracht wird und daß danach die Basiszone und der Emitter-Basis-Übergang gleichzeitig mit dem Kollektor-Basis-Übergang durch Implantation von Ionen eines den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes gebildet werden, wobei die implantierte Zone die zuvor gebildete Emitterzone umschließt.

2. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone durch Implantation vop Ionen des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes gebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper oder der Teil desselben nach der Implantation der Emitterzone und vor Bildung der Basiszone getempert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Implantation der Ionen des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungslemetues durch eine Isolierschicht auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers hindurch erfolgt und das Implantationsgebiet dieser Ionen durch eine metallische Maskievunj. .schicht auf der Isolierschicht begrenzt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone durch Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes in den Halbleiterkörper oder einen Teil desselben gebildet wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5. dadurch gekennzeichnet, daß die Implantation der Ionen des den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes durch eine Isolierschicht auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers hindurch erfolgt und das Implantationsgebiet dieser Ionen durch eine metallische Maskierungsschicht auf der Isolierschicht begrenzt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes In den Teil der Oberfläche erfolgt, der durch eine öffnung in der Isolierschicht bestimmt wird, und daß die darauffolgende Implantation der Ionen ties den entgegengesetzten Leitungstyp bcstim-Inenden Dotierungselementes durch einen Teil tier genannten Isolierschicht erfolgt.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Implantation der den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Ionen eine metallische Emitterkontaktschicht in •iner aufs neue hergestellten Öffnung in der Isolierschicht angeordnet wird, die der anfangs gekildeten öffnung in der Isolierschicht, die bei der Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes verwendet wurde, nahefu entspricht.

9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß während der Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes in der anfangs gebildeten Öffnung eine glasige Isolierschicht gebildet wird und daß die öffnung nach der Implantation der Ionen des den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Dotierungslementes und vor dem Aufbringen der metallischen Emitterkontaktschicht durch einen selektiven Ätzvorgang der glasigen Isolierschicht aufs neue hergestellt wird, wobei die angrenzenden Teile der Isolierschicht unberührt bleiben.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Diffusion des den einen Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes und vor der Implantation der Ionen des den entgegengesetzten Leitungstyp bestimmenden Dotierungselementes eine anodische Oxydationsbehandlung durchgeuüu: wird, um die Stärke der glasigen Isolierschicht in der ursprünglichen öffnung bis auf die Stärke des angrenzenden Teiles der Isolierschicht zu vergrößern.