NL143734B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL143734B NL143734B NL646408428A NL6408428A NL143734B NL 143734 B NL143734 B NL 143734B NL 646408428 A NL646408428 A NL 646408428A NL 6408428 A NL6408428 A NL 6408428A NL 143734 B NL143734 B NL 143734B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- field defect
- conductor field
- defect device
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
- H01L29/8083—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/965—Shaped junction formation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR942896A FR1377330A (fr) | 1963-07-26 | 1963-07-26 | Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés |
FR6722A FR87873E (fr) | 1963-07-26 | 1965-02-23 | Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6408428A NL6408428A (nl) | 1965-01-27 |
NL143734B true NL143734B (nl) | 1974-10-15 |
Family
ID=26162207
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL646408428A NL143734B (nl) | 1963-07-26 | 1964-07-23 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze. |
NL666602337A NL152119B (nl) | 1963-07-26 | 1966-02-23 | Veldeffecttransistor waarbij het stuurgebied door een p-n-overgang van het kanaal is gescheiden. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL666602337A NL152119B (nl) | 1963-07-26 | 1966-02-23 | Veldeffecttransistor waarbij het stuurgebied door een p-n-overgang van het kanaal is gescheiden. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3372316A (nl) |
CH (2) | CH414872A (nl) |
DE (2) | DE1293900B (nl) |
FR (2) | FR1377330A (nl) |
GB (2) | GB1045314A (nl) |
NL (2) | NL143734B (nl) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1377330A (fr) * | 1963-07-26 | 1964-11-06 | Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés | |
US3430113A (en) * | 1965-10-04 | 1969-02-25 | Us Air Force | Current modulated field effect transistor |
US3443172A (en) * | 1965-11-16 | 1969-05-06 | Monsanto Co | Low capacitance field effect transistor |
IT981240B (it) * | 1972-03-10 | 1974-10-10 | Teszner S | Perfezionamenti ai gridistori per iperfrequenze |
JPS5017771A (nl) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 | ||
EP0167810A1 (en) * | 1984-06-08 | 1986-01-15 | Eaton Corporation | Power JFET with plural lateral pinching |
US4670764A (en) * | 1984-06-08 | 1987-06-02 | Eaton Corporation | Multi-channel power JFET with buried field shaping regions |
US4633281A (en) * | 1984-06-08 | 1986-12-30 | Eaton Corporation | Dual stack power JFET with buried field shaping depletion regions |
US4635084A (en) * | 1984-06-08 | 1987-01-06 | Eaton Corporation | Split row power JFET |
US4959697A (en) * | 1988-07-20 | 1990-09-25 | Vtc Incorporated | Short channel junction field effect transistor |
JP2713205B2 (ja) * | 1995-02-21 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2930950A (en) * | 1956-12-10 | 1960-03-29 | Teszner Stanislas | High power field-effect transistor |
FR1210880A (fr) * | 1958-08-29 | 1960-03-11 | Perfectionnements aux transistors à effet de champ | |
GB912114A (en) * | 1960-09-26 | 1962-12-05 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor devices |
FR1317256A (fr) * | 1961-12-16 | 1963-02-08 | Teszner Stanislas | Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs dits tecnetrons multibâtonnets |
FR1329626A (fr) * | 1962-04-04 | 1963-06-14 | Europ Des Semi Conducteurs Soc | Perfectionnements aux transistors à effet de champ, de hautes performances |
US3268374A (en) * | 1963-04-24 | 1966-08-23 | Texas Instruments Inc | Method of producing a field-effect transistor |
FR1377330A (fr) * | 1963-07-26 | 1964-11-06 | Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs à effet de champ à canaux multiples intégrés |
-
1963
- 1963-07-26 FR FR942896A patent/FR1377330A/fr not_active Expired
-
1964
- 1964-07-23 NL NL646408428A patent/NL143734B/nl unknown
- 1964-07-23 DE DET26654A patent/DE1293900B/de not_active Withdrawn
- 1964-07-24 CH CH970464A patent/CH414872A/fr unknown
- 1964-07-24 US US385023A patent/US3372316A/en not_active Expired - Lifetime
- 1964-08-04 GB GB30972/64A patent/GB1045314A/en not_active Expired
-
1965
- 1965-02-23 FR FR6722A patent/FR87873E/fr not_active Expired
-
1966
- 1966-02-17 CH CH231666A patent/CH429953A/fr unknown
- 1966-02-21 US US528896A patent/US3407342A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-02-22 GB GB7612/66A patent/GB1090696A/en not_active Expired
- 1966-02-23 NL NL666602337A patent/NL152119B/nl unknown
- 1966-02-23 DE DE1514932A patent/DE1514932C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1514932B2 (de) | 1974-06-12 |
FR1377330A (fr) | 1964-11-06 |
US3407342A (en) | 1968-10-22 |
US3372316A (en) | 1968-03-05 |
FR87873E (fr) | 1966-07-08 |
CH414872A (fr) | 1966-06-15 |
NL152119B (nl) | 1977-01-17 |
DE1514932A1 (de) | 1969-09-11 |
NL6408428A (nl) | 1965-01-27 |
GB1045314A (en) | 1966-10-12 |
NL6602337A (nl) | 1966-08-24 |
CH429953A (fr) | 1967-02-15 |
DE1514932C3 (de) | 1975-01-30 |
DE1293900B (de) | 1969-04-30 |
GB1090696A (en) | 1967-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL162791C (nl) | Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
AT259014B (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
NL141029B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderinrichting en inrichting of stel inrichtingen gevormd volgens deze werkwijze. | |
NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL142281B (nl) | Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL154868B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL141332B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke inrichting. | |
NL143167B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gestrekte polypropeenfoelies. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL148060B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een betaine. | |
NL143734B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL153025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL155663B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL144777B (nl) | Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL143627B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen. | |
BE750088A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting | |
NL143428B (nl) | Inrichting voor het kristalliseren van zouten uit oplossingen. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
VJC | Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: TESZNER |