NL143627B - Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.

Info

Publication number
NL143627B
NL143627B NL646401014A NL6401014A NL143627B NL 143627 B NL143627 B NL 143627B NL 646401014 A NL646401014 A NL 646401014A NL 6401014 A NL6401014 A NL 6401014A NL 143627 B NL143627 B NL 143627B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
procedure
manufacture
conductor device
devices manufactured
Prior art date
Application number
NL646401014A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6401014A (nl
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NL6401014A publication Critical patent/NL6401014A/xx
Publication of NL143627B publication Critical patent/NL143627B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
NL646401014A 1963-07-20 1964-02-07 Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen. NL143627B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES86298A DE1200422B (de) 1963-07-20 1963-07-20 Verfahren zur Herstellung duennschichtiger magnetfeldabhaengiger Halbleiterkoerper, insbesondere Hallgeneratoren, aus Verbindungen des Typs A B

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6401014A NL6401014A (nl) 1965-01-21
NL143627B true NL143627B (nl) 1974-10-15

Family

ID=7512905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL646401014A NL143627B (nl) 1963-07-20 1964-02-07 Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3348987A (nl)
DE (1) DE1200422B (nl)
GB (1) GB1079043A (nl)
NL (1) NL143627B (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3405017A (en) * 1965-02-26 1968-10-08 Hughes Aircraft Co Use of organosilicon subbing layer in photoresist method for obtaining fine patterns for microcircuitry
US3849875A (en) * 1972-05-17 1974-11-26 Nasa Hall effect magnetometer
US3979240A (en) * 1975-05-02 1976-09-07 General Electric Company Method of etching indium tin oxide
NL7509341A (nl) * 1975-08-06 1977-02-08 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van elektrisch geleidende indiumoxide patronen op een isole- rende drager.
EP0226931B1 (en) * 1985-12-17 1991-02-27 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. A method of preparing semiconductor substrates
US4734151A (en) * 1987-02-06 1988-03-29 The Aerospace Corporation Non-contact polishing of semiconductor materials
SG187274A1 (en) 2011-07-14 2013-02-28 3M Innovative Properties Co Etching method and devices produced using the etching method
CN111530550A (zh) * 2020-05-25 2020-08-14 乔治平 一种利用散热冷却水控制调节谷物持续研磨的装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2592729A (en) * 1949-05-25 1952-04-15 Bell Telephone Labor Inc Method of etching ethylene diamine tartrate crystals
US2738259A (en) * 1954-02-24 1956-03-13 Raytheon Mfg Co Surface treatment of germanium
US2762036A (en) * 1954-09-02 1956-09-04 North American Aviation Inc Method of monitoring etching depth
US2847287A (en) * 1956-07-20 1958-08-12 Bell Telephone Labor Inc Etching processes and solutions
US2927011A (en) * 1956-07-26 1960-03-01 Texas Instruments Inc Etching of semiconductor materials
US3262825A (en) * 1961-12-29 1966-07-26 Bell Telephone Labor Inc Method for etching crystals of group iii(a)-v(a) compounds and etchant used therefor

Also Published As

Publication number Publication date
US3348987A (en) 1967-10-24
GB1079043A (en) 1967-08-09
DE1200422B (de) 1965-09-09
NL6401014A (nl) 1965-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL140454B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van contactlenzen.
NL139930B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van afzonderlijke blokvormige verpakkingen.
NL145826B (nl) Inrichting voor de bereiding van oxyden.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL159912C (nl) Werkwijze voor het vormen van voorwerpen en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL7713298A (nl) Inrichting voor het orienteren en achtereen- volgend afvoeren van schijfvormige voorwerpen.
NL141374B (nl) Verrijdbare inrichting voor het zittend transporteren van bedlegerige patienten.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL139495B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van rechthoekige slangen.
NL154868B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen.
NL141332B (nl) Geintegreerde halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke inrichting.
NL146546B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elastische polyurethandraden alsmede aldus vervaardigde draden.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL139912B (nl) Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van doorzichtige foelies.
NL143786B (nl) Elektro-akoestische omvormer en inrichting voor het vervaardigen van deze omvormer.
NL142110B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van luchtbanden.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL142798B (nl) Inrichting voor het verwerken van digitale informatie en het overlappend uitvoeren van opdrachten.
NL143627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.
NL143734B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.
NL145796B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van rotatiesymmetrische voorwerpen.
NL152534B (nl) Werkwijze voor het polyfluoreren van chloorkoolwaterstoffen.
NL166077C (nl) Inrichting voor het vervaardigen van draadnetten.
NL140906B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van gelaagde panelen.