DE684446C - Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern

Info

Publication number
DE684446C
DE684446C DEA79662D DEA0079662D DE684446C DE 684446 C DE684446 C DE 684446C DE A79662 D DEA79662 D DE A79662D DE A0079662 D DEA0079662 D DE A0079662D DE 684446 C DE684446 C DE 684446C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
base electrode
vapor deposition
rectifier elements
semiconductor
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEA79662D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AEG AG
Original Assignee
AEG AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AEG AG filed Critical AEG AG
Priority to DEA79662D priority Critical patent/DE684446C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE684446C publication Critical patent/DE684446C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials

Description

  • Verfahren zur Herstellung vgzy-Trockenplattengleichrichtern Die Erfindung bezieht sich auf die serienmäßige Herstellung von Trockenplattengleichrichtern, bei denen die Halbleiterschicht durch Aufdampfen des Halbleiters auf die Grundplatte aufgebracht wird. Wenn man -das Herstellungsverfahren derartiger Gleichrichter dadurch wirtschaftlich gestalten will, daß man den Halbleiter auf ein fortlaufendes Metallband aufdampft, so ergeben sich beim Ausschneiden oder Ausstanzen der einzelnen Gleichrichterelemente aus diesem Band dadurch Schwierigkeiten, daß die Halbleiterschicht infolge der mechanischen Beanspruchung abspringt oder an den Schnitt- bzw. Stanzstellen gelockert wird.
  • Diese Schwierigkeiten lassen sich gemäß der Erfindung dadurch beheben, daß das Band der Grundelektrode, auf das die Halbleiterschicht durch Aufdampfen in einem laufenden Arbeitsgang aufgebracht wird und danach die einzelnen Gleichrichterelemente von der bandförmigen Grundelektrode abgeschnitten werden, an den Schnittstellen auf der an der <Alufdampfvorrichtung vorbeigeführten Fläche der Grundelektrode so abgedeckt wird, daß sich auf diesen Stellen kein Halbleiter niederschlagen kann, so daß die Abtrennung der einzelnen Gleichrichterelemente an diesen Stellen erfolgen kann, ohne daß die Halbleiterschicht beschädigt wird. Zweckmäßig wird die Führungsleiste des Metallbandes als Abdeckschablone benutzt. Besonders vorteilhaft ist es ferner, schon vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht das Metallband so vorzustanzen, daß nachher nur noch kleine Verbindungsstücke zwischen den einzelnen Elementen zu durchschneiden sind.
  • Ausführungsbeispiele sind in Abb. i und 2 - dargestellt.
  • Abb. i zeigt das gestanzte Metallband für kreisförmige Gleichrichterelemente. Bei diesen Elementen ist die Selenschicht durch Schraffur a gekennzeichnet. Bei b wird das Metallband durch die Schablone der Führungsleiste abgedeckt, so daß das Grundinaterial frei bleibt. Die einzelnen Elemente lassen sich in einfachster Weise durch Durchschneiden der Verbindungsstücke trennen.
  • Abb. a zeigt ein Metallband für rechteckige Gleichrichterelemente, wobei a und b die gleichen Bedeutungen haben.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCIiE: i. Verfahren zur Herstellung von Trol,#-kenplattengleichrichtern, bei dem die Halbleiterschicht durch Aufdampfen des Halbleiters auf eine z. B. bandförmige Grundelektrode in einem laufenden Arbeitsgang aufgebracht wird und danach die .einzelnen Gleichrichterelemente von der bandförmigen Grundelektrode abgeschnitten werden,-dadurch gekennzeichnet, daß die Schnittstellen der an der Aufdampfvorrichtung vorbeigeführten Fläche der Grundelektrode so abgedeckt werden, daß auf diesen Stellen kein Halbleiter niedergeschlagen wird, so daß die Abtrennung der einzelnen Gleichrichterelemente an diesen Stellen erfolgen kann, ohne daß die Halbleiterschicht beschädigt wird. a. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung durch die Führungseinrichtung des laufenden metallischen Bandes vorgenommen wird. 3. Verfahren nach Anspruch i oder :2, dadurch gekennzeichnet, daß aus dem Metallband an den Schnittstellen bereits vor dem Aufdampfen Teile ausgestanzt sind, so daß einzelne Gleichrichterelemente entstehen.
DEA79662D 1936-06-14 1936-06-14 Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern Expired DE684446C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEA79662D DE684446C (de) 1936-06-14 1936-06-14 Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEA79662D DE684446C (de) 1936-06-14 1936-06-14 Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE684446C true DE684446C (de) 1939-11-28

Family

ID=6947805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEA79662D Expired DE684446C (de) 1936-06-14 1936-06-14 Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE684446C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE887380C (de) * 1941-02-13 1953-08-24 Siemens Ag Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit
DE966387C (de) * 1942-10-02 1957-08-01 Erich Holz Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung
DE974194C (de) * 1953-04-02 1960-10-13 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen sehr kleiner wirksamer Flaeche

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE887380C (de) * 1941-02-13 1953-08-24 Siemens Ag Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit
DE966387C (de) * 1942-10-02 1957-08-01 Erich Holz Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung
DE974194C (de) * 1953-04-02 1960-10-13 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen sehr kleiner wirksamer Flaeche

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE892193C (de) Selengleichrichter
DE2511925A1 (de) Verfahren zum herstellen einer vielzahl von halbleiterbauteilen
DE2454595C2 (de) Verfahren zur dielektrischen Isolation von Bauelementen einer integrierten Schaltungsanordnung
DE684446C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern
US2137831A (en) Method of producing dry plate elements for selenium rectifiers and the like
DE733726C (de) Verfahren zur Herstellung von metallisierten Isolierstoffolien
DE571289C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Gluehzuendern
AT155758B (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockenplattengleichrichtern.
DE368034C (de) Verfahren zur Herstellung von Lamellensicherungen
DE507628C (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlringen aus ringfoermigen Blechscheiben
DE386632C (de) Verfahren zur Entharzung und Reinigung von Montanwachs
DE234911C (de)
DE526295C (de) Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren fuer die Hochfrequenztechnik
DE1292761B (de) Planar-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE674530C (de) Behandlung eines Stahlbandes fuer die Rasierklingenherstellung vor dem Zerteilen mittels mit Schneiden ausgestatteter Trennwerkzeuge
DE838633C (de) Elektrischer Kleinstkondensator und Verfahren zu seiner Serienherstellung
CH207922A (de) Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleichrichtern.
DE886178C (de) Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern
DE741137C (de) Blitzlicht
DE629443C (de) Verfahren zur Herstellung von metallischen Belegungen fuer Kondensatorwickelbaender, bei denen die Metallisierung des Dielektrikums durch Aufdampfen oder Aufspritzen durchgefuehrt ist
DE475039C (de) Verfahren zur Herstellung von Taschenmessererlen und deren Beschalung aus Celluloid oder aehnlichem Material in einem Arbeitsgange
AT143856B (de) Vorrichtung zum Abdecken von Filmfeldern.
DE1464296C (de) Verfahren zum Atzen eines Halbleiter bauelementes
DE929313C (de) Aluminiumoxydkondensator mit auf der Aluminiumfolie aufgebrachter Oxydschicht, die eine regenerierfaehig duenne Belegung traegt
DE497704C (de) Druckknopfmatrize