AT155758B - Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockenplattengleichrichtern. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Herstellung von   Selen-Trockenplattengleiehrichtern.   



   Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Trockengleichrichtern, bei denen eine Halb- leiterschicht, beispielsweise Selen, auf ein Trägermaterial, wie Aluminium, aufgebracht wird. Es ist bekannt, die einzelnen Gleichrichterelemente so herzustellen, dass die Halbleiterschicht in flüssiger
Form auf das Trägermaterial aufgebracht wird, z. B. durch Aufschmelzen von festem Selen. Bei diesem Verfahren kann nur die eine Seite der Trägerelektrode mit der Halbleiterschicht bedeckt werden. 



   Gemäss der Erfindung wird auf beide Seiten der Trägerelektrode eine Halbleiterschicht gleich- zeitig oder nacheinander aufgedampft. Die nach diesem Verfahren hergestellten Gleichrichterelemente werden auf beiden Seiten mit Gegenelektroden versehen, die zur Ableitung des Stromes dienen. Als 
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 wird. Durch die Ausnutzung beider Seiten der Trägerelektrode ergeben sich wesentliche Vorteile, da die Gleichrichter bei gleicher Leistung besonders klein und leicht ausgeführt werden können. 



   Eine Ausführungsform eines Gleichrichters gemäss der Erfindung ist in der Fig. 1 dargestellt. 



  Sie zeigt ein Gleichrichterelement, das bei a mit der Halbleiterschicht bedeckt ist. Es ist mit einer 
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 gestanzt ist und keine Halbleiterschicht trägt.. Die Lasche dient als Stromzuführung zur Träger- elektrode und kann auch als Verbindung zu den Elektroden der parallel-oder hintereinander- geschalteten Gleichrichterelemente dienen. 



   Wenn man das Herstellungsverfahren der   erfindungsgemässen   Gleichrichter dadurch wirtschaftlich gestalten will, dass man den Halbleiter auf ein fortlaufendes Metallband aufdampft, so ergeben sich beim Ausschneiden oder Ausstanzen der einzelnen Gleichrichterelemente aus diesem Band dadurch
Schwierigkeiten, dass die Halbleitersehieht infolge der mechanischen Beanspruchung abspringt oder von der Unterlage gelockert wird. 



   Diese Schwierigkeiten lassen sich in Fortbildung der Erfindung dadurch beheben, dass das Band des Trägermetalls während des Aufdampfen der Halbleiterschicht teilweise abgedeckt wird. 



  Zweckmässig wird die Führungsleiste des Metallbandes als   Abdecksehablone   benutzt. u. zw. so, dass die Stellen, an denen die einzelnen Elemente voneinander getrennt werden sollen, von der Halbleiterschicht frei bleiben. Besonders vorteilhaft ist es ferner. schon vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht das Metallband so vorzustanzen, dass nachher nur noch kleine Verbindungsstücke zwischen den einzelnen Elementen zu durchschneiden sind. 



   Ausführungsbeispiele sind in Fig. 2 und 3 dargestellt. Fig. 2 zeigt das gestanzte Metallband für kreisförmige Gleichrichterelemente. Bei diesen Elementen ist die Selenschicht durch Schraffur a gekennzeichnet. Bei b wird das Metallband durch die Schablone der Führungsleiste abgedeckt, so dass das Grundmaterial frei bleibt. Die einzelnen Elemente lassen sich in einfachster Weise durch Durchschneiden der Verbindungsstücke trennen. Fig. 3 zeigt ein Metallband für rechteckige Gleichrichterelemente, wobei a und b die gleichen Bedeutungen haben. 



   Den Aufbau eines Gleichrichters, der aus hintereinandergeschalteten Zellen mit einer Elektroden- 
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 Bolzen c aus Isoliermaterial oder mit isolierender Hülle aufgereiht. Die Trägerelektroden sind mit   a   bezeichnet. Sie tragen die aufgedampften Schichten d. Die etwas kleineren Gegenelektroden sind mit e benannt. Durch die Laschen   b   ist jede Trägerelektrode mit den Gegenelektroden des folgenden Elements verbunden. Die einzelnen Elemente sind durch   Scheiben i aus Isoliermaterial getrennt,   

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Je nach dem Verwendungszweck können die einzelnen Zellen auch parallel oder teilweise parallel und teilweise hintereinander geschaltet sein. Zur Parallelschaltung werden die Trägerelektroden und die Gegenelektroden für sich miteinander verbunden. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung von   Selen-Trockenplattengleichrichtern,   bei denen die Trägerelektrode auf beiden Seiten mit der Selen-Halbleiterschicht überzogen werden soll, dadurch gekennzeichnet, dass die   Selenriberzfige   aufgedampft werden, wobei solche Stellen der Elektrode, die später mechanischen Beanspruchungen ausgesetzt sind, durch Abdecken von Selen freigehalten werden.

Claims (1)

1. 2. Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockenplattengleichrichtern nach Anspruch 1 in Fliessfabrikation, dadurch gekennzeichnet, dass die Führungseinrichtung an der Aufdampfvorrichtung das bandförmige Trägermaterial derart abdeckt, dass am Trägermaterial vom Selen freie Stellen verbleiben.

   3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Bedampfen aus dem bandförmigen Trägermaterial elektrodenförmige Teile vorgestanzt werden, die nur noch durch schmale Trennstege zusammenhängen, welche während des Aufdampfens des Selens abgedeckt sind. EMI2.1