DE819428C - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von TrockengleichrichternInfo
- Publication number
- DE819428C DE819428C DE1948P0004479 DEP0004479D DE819428C DE 819428 C DE819428 C DE 819428C DE 1948P0004479 DE1948P0004479 DE 1948P0004479 DE P0004479 D DEP0004479 D DE P0004479D DE 819428 C DE819428 C DE 819428C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- salts
- acids
- rectifiers
- aforementioned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 claims description 2
- ZKKLPDLKUGTPME-UHFFFAOYSA-N diazanium;bis(sulfanylidene)molybdenum;sulfanide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[SH-].[SH-].S=[Mo]=S ZKKLPDLKUGTPME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical class [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 240000000731 Fagus sylvatica Species 0.000 description 1
- 235000010099 Fagus sylvatica Nutrition 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical class [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXVCSRUYMINUSF-UHFFFAOYSA-N tetrathiomolybdate(2-) Chemical compound [S-][Mo]([S-])(=S)=S CXVCSRUYMINUSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern Es sind Trockengleichrichter bekannt, bei denen zwischen Elektroden, die insbesondere plattenförmig ausgebildet sind, eine feste Ventilschicht angeordnet ist. Als Material dieser Schicht dient beispielsweise Kupfersulfid, Kupferoxydul, Selen, Tellur usw.
- 'Beispielsweise die Selengleichrichter bestehen aus einer dünnen Schicht kristallisierten Selens, die durch ein geeignetes Verfahren festhaftend auf eine aufgerauhte Trägerplatte aufgebracht ist. Auf die Oberfläche dieser Selenschicht ist eine niedrigschmelzende Gegenelektrode nach einem Aufspritzverfahren aufgebracht. Anschließend wird die so aufgebaute Scheibe einem elektrischen Formierungsprozeß unterworfen, indem die aufgespritzte Gegenelektrode mit dem Pluspol einer Gleichspannungsquelle, die Grundplatte mit dem Minuspol verbunden wird. Die Spannung wird langsam bis zu dem Betrag gesteigert, der durch die Durchschlagfestigkeit oder durch die zulässige Erwärmung der Scheibe gegeben ist.
- Auf Grund der Vorstellungen über den Leitungsmechanismus des Selens kann diese Erscheinung folgendermaßen erklärt werden: Selen gehört zur Klasse der Störstellenhalbleiter. Durch elektrolytische Leitung werden bei dem beschriebenen Vorgang der elektrischen Formierung Störstellen aus der Oberflächenschicht entfernt. Infolge der Verringerung der Störstellen steigt der Widerstand dieser Selenschicht an. Da der Elektrizitätstransport im Selen in der Sperrichtung durch Defektelektronen bewirkt wird, werden diese ionisierten Störstellen als schwer bewegliche Träger der negativen Ladungen auftreten.
- Die Erfindung will nun keine elektrolytische Entfernung dieser negativen Ladungsträger aus der obersten Selenschicht durch den Prozeß der elektrischen Formierung erzielen, sondern gibt eine Methode an, um die Störstellen chemisch zu binden.
- Es wird zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere von Selengleichrichtern und Selenphotoelementen, wobei die freie Oberfläche an der Sperrschicht zur Erhöhung des Sperrwiderstandes einer chemischen Behandlung unterworfen wird, erfindungsgemäß vorgeschlagen, die Seienoberfläche mit Salzen von Säuren der Elemente der VI. und VII. Nebengruppe des Periodischen Systems zu behandeln.
- Für diese chemische Behandlung sind prinzipiell sämtliche elektropositiven Materialien geeignet. Die Zahl der brauchbaren Stoffe wird jedoch durch verschiedene Nebeneigenschaften stark eingeschränkt. So sollen beispielsweise die entstehenden Reaktionsprodukte nicht leitfähigkeitserhöhend im Selen wirken. Ferner soll die Störstellenbindung auf die oberste Selenschicht beschränkt bleiben, also nicht durch Diffusionsvorgänge auf tiefer liegende Selenschichten, bei denen Leitfähigkeit erwünscht ist, übergreifen.
- Als geeignete Substanzen haben sich die Salze der Chrom-, Molybdän-, Wolfram-, Mangan- und Permangansäure in ihren höheren Wertigkeitsstufen gezeigt. Die Verwendung von Alkalisalz ist besonders vorteilhaft. Das gleiche Verhalten zeigen die Thiosalze der vorgenannten Säuren; beispielsweise Ammoniumthiomolybdat und Natrium- bzw. Kaliumthiomolybdat. Die Lösungen werden neutral oder schwach alkalisch angewendet.
- Die vorgenannten Salze werden mit der Selenschicht am vorteilhaftesten nach der Kristallisation des Selens, unmittelbar vor dem Aufspritzen der Gegenelektrode zur Reaktion gebracht. Die Salze werden in Wasser, in einem organischen Lösungsmittel oder in einem Gemisch beider gelöst. In diese Lösung wird die Selenscheibe eingetaucht. Um den Grad der Einwirkung durch die Eintauchzeit einwandfrei bemessen zu können, empfiehlt es es sich, die Konzentration der Lösung klein zu wählen. Beispielsweise bei einer Permanganlösung genügt bereits eine Konzentration < i o/oo. Nach dem Entnehmen. der Scheibe aus dem Bad wird das Lösungsmittel zum Verdunsten gebracht und anschließend .die Gegenelektrode aufgespritzt.
- Diese chemische Behandlung kürzt den Arbeitsgang der elektrischen Formierung wesentlich ab und ermöglicht einerseits das Erreichen eines höheren Endwertes der Formierspannung sowie andererseits eine Herabsetzung des Rückstromes. Der Endwert der Formierspannung beträgt evtl. das Doppelte des bisher üblichen Wertes und darüber.
- Weiterhin wird durch diese Behandlung der Sperrwiderstand der Scheiben, insbesondere im Gebiet höherer Spannungen, beispielsweise über 2o Volt, wesentlich erhöht. Diese Widerstandserhöhung beträgt einige ,oder mehrere Zehnerpotenzen.
Claims (6)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere von Selengleichrichtern und Selenphotoelementen, wobei die freie Oberfläche an der Sperrschicht zur Erhöhung des Sperrwiderstandes einer chemischen Behandlung unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Sperrschicht mit Salzen von Säuren der Elemente der VI. und VII. Nebengruppe des Periodischen Systems behandelt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Salze der Chrom-, Molyb-,dän-, Wolfram-, Mangan- und Permangansäure verwendet werden.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgenannten Salze in ihren höheren Wertigkeitsstufen verwendet werden.
- 4. Verfahren nach den Ansprüchen i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Alkal.isalze der vorgenannten Säuren verwendet werden.
- 5. Verfahren nach den Ansprüchen i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Thiosalze der vorgenannten Säuren, beispielsweise Ammoniumthiomolybdat und Natrium- bzw. Kaliumtliiomolybbdat verwendet werden.
- 6. Verfahren nach den Ansprüchen i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Salz in wäßri,ger Lösung, in einem organischen Lösungsmittel oder in einem Gemisch beider mit der Selenoberfläche nach der Kristallisation des Selens zur Reaktion gebracht und das Lösungsmittel vor dem Aufbringen der Gegenelektrode durch Verdunsten wieder entfernt wird. Verfahren nach den Ansprüchen i bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösungen neutral oder schwach alkalisch sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1948P0004479 DE819428C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1948P0004479 DE819428C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE819428C true DE819428C (de) | 1951-10-31 |
Family
ID=7359505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1948P0004479 Expired DE819428C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE819428C (de) |
-
1948
- 1948-10-02 DE DE1948P0004479 patent/DE819428C/de not_active Expired
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2000227C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines korrosionsbeständigen Aluminiumgegenstands und dessen Verwendung | |
| EP0089510B1 (de) | Aluminiummaterial mit einer hydrophilen Oberflächenbeschichtung, ein Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung als Träger für Offsetdruckplatten | |
| DE2052424C3 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen | |
| DE2447225A1 (de) | Verfahren zum loesen von positivem photolack | |
| DE2245809A1 (de) | Aetzmittel zum aetzen von halbleitermaterial | |
| DE2545046A1 (de) | Eloxierverfahren | |
| DE2259829B2 (de) | Verfahren zur anodischen Bildung einer Oxidschicht auf mindestens 5% Gallium enthaltenden Verbindungshalbleitern, insbesondere GaP.GaAs, AIGaP, InGaP und InGaAs in einem wässrigen Elektrolyten | |
| EP0204189B1 (de) | Verfahren zum mechanisch-chemischen Polieren von Siliciumscheiben | |
| DE631649C (de) | Trockengleichrichter | |
| DE819428C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern | |
| DE856663C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern | |
| DE1160547B (de) | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang | |
| DE2621956A1 (de) | Verfahren zur passivierung einer aluminiumschicht auf einem halbleiter- schaltungsbaustein | |
| DE2326447C2 (de) | Verfahren zum Entfernen von Schichten aus organischem Material und seine Verwendung | |
| DE2252723C3 (de) | Verwendung einer wäßrigen Harz-Salz-Mischung zur anodischen Abscheidung eines Harzüberzuges auf Metalloberflächen | |
| DE1944388B2 (de) | Verfahren zum elektrolytischen beizen und entzundern von zinnhaltigen titanlegierungen | |
| DE1622361C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
| DE2061922A1 (de) | Elektrolyt fur Akkumulatoren | |
| DE2137280C2 (de) | Anwendung eines Verfahrens zum Xtzen einer Schicht aus Aluminium | |
| DE1546077C3 (de) | Verfahren zum elektrolytischen Entfernen von Oxiden auf der Oberfläche von Edelstahl | |
| AT153123B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems mit unsymmetrischer Leitfähigkeit. | |
| AT114859B (de) | Verfahren zum Überziehen von metallischen Strahlungskörpern elektrischer Strahlungsvorrichtungen mit schwer schmelzbaren Metallen oder Metallverbindungen. | |
| DE484478C (de) | Trockne Gleichrichterzelle | |
| DE1471764C (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektro den fur alkalische Akkumulatoren, die aus einem porösen und metallischen Gerüst be stehen, dessen Poren mit einer aktiven Mas se gefüllt sind | |
| DE1901860C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Passivierung der Oberfläche eines Gegenstandes aus Eisen oder einer Elsenlegierung gegen den Angriff der Atmosphäre durch Bildung einer Rostschutzschicht |