DE915593C - Verfahren zum Anbringen einer Sperrschicht und mit einer solchen Sperrschicht versehene Zelle - Google Patents
Verfahren zum Anbringen einer Sperrschicht und mit einer solchen Sperrschicht versehene ZelleInfo
- Publication number
- DE915593C DE915593C DEP19306A DEP0019306A DE915593C DE 915593 C DE915593 C DE 915593C DE P19306 A DEP19306 A DE P19306A DE P0019306 A DEP0019306 A DE P0019306A DE 915593 C DE915593 C DE 915593C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- barrier layer
- layer
- barrier
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 6
- 210000002457 barrier cell Anatomy 0.000 claims description 6
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003197 gene knockdown Methods 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/105—Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02444—Carbon, e.g. diamond-like carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/101—Application of the selenium or tellurium to the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Anbringen einer insbesondere aus Selen bestehenden
Sperrschicht auf eine Elektrode für eine Sperrschichtzelle und auf eine Sperrschichtzelle mit einer solchen
Sperrschicht.
Man hat schon verschiedene Verfahren zum Anbringen einer Sperrschicht vorgeschlagen. Es sind z. B.
nichtgenetische Sperrschichten bekannt, die aus einem Kunstharz bestanden und aus einer Lösung auf die zu
überziehende Oberfläche niedergeschlagen wurden. Ein solches Verfahren hat aber vor allem den Nachteil, daß
nur Stoffe angebracht werden können, die in einem geeigneten Mittel zur Lösung gebracht werden können.
Zweitens zeigt es sich, daß solche Schichten für die Sperrwirkung nicht immer sehr homogen hinsichtlich
Zusammensetzung und Stärke sind.
Auch hat man schon vorgeschlagen, Stoffe, wie Quarz, Magnesium- oder Berylliumoxyd, durch Aufdampfen
niederzuschlagen. Insbesondere wenn die Stoffe eine niedrige Dampfspannung haben, ist es so
schwer, sie anzubringen, da dann sehr hohe Temperaturen angewendet werden müssen. Auch sind diese
Schichten für die richtige Sperrwirkung nicht hinreichend homogen.
Weiter ist es bekannt, Schwefel auf eine Selenelek- as
trode aufzudampfen. Dies geschah während einer Wärmebehandlung, bei der das Selen in die leitende
kristallinische Modifikation übergeführt wurde. Ein derartiges Verfahren ist umständlich und kostspielig.
Die Erfindung bezweckt, die oben geschilderten Nachteile zu beseitigen, und sie gestattet, darüber hinaus
noch weitere Vorteile zu erzielen. Gemäß der Erfindung wird bei einem Verfahren zum Anbringen einer
aus Selen bestehenden Sperrschicht auf einer Elektrode für eine Sperrschichtzelle das Selen durch Ionen-
beschuß zur Zerstäubung und zum Niederschlag auf den Sperrschichtträger gebracht.
Eine mittels des Verfahrens nach der Erfindung aufgetragene Sperrschicht ist sehr homogen. Dies läßt
sich schon mit dem bloßen Auge beobachten, wenn man eine Platte mit einer auf die vorerwähnte Art und
Weise hergestellten Sperrschicht unter einem schräg einfallenden Lichtbündel betrachtet. Es wird dann
eine bestimmte Interferenzfarbe beobachtet. Ein weiterer Vorteil, der bei einer solchen Selensperrschicht
auftritt, besteht darin, daß das in dieser Weise aufgebrachte Selen sehr angriffsbeständig ist. Im Gegensatz
zu auf bekannte Weise angebrachten Selenschichten, die schon bei normaler Temperatur von verschiedenen
Stoffen, insbesondere Salpetersäure, angegriffen werden, geht eine nach dem Verfahren gemäß der Erfindung
aufgebrachte Schicht erst bei hoher Temperatur in Salpetersäure in Lösung.
Die auf bekannte Weise angebrachten Selensperrao schichten weisen alle den Nachteil auf, daß sie sich bei
Erhitzung oberhalb des Schmelzpunktes zusammenziehen. Die neue Schicht aber behält bei Erhitzung
ihren Zusammenhang völlig bei.
Es stellt sich heraus, daß die letzten beiden Vorteile a5 insbesondere auftreten, wenn die Zerstäubung in der
Luft erfolgt. Wenn man die Sperrschicht aufdampft, zeigt es sich, daß im Gegensatz zum Aufstauben unter
diesen Umständen oft eine Haut gebildet wird, die dagegen dem Angriff ausgesetzt ist. DieseBedenken haften
also auch dem Aufdampfen von Schwefel oder Selen an.
Es erweist sich, daß nach der Erfindung Sperrschichtzellen erhalten werden, die eine hohe Durchschlagspannung
mit gut reproduzierbarem Werte aufweisen, was der großen Homogenität und Dichtheit der
Schicht zu verdanken ist. Zugleich hat der Vorwärtsstrom einen günstigen Wert.
Bei einer besonders günstigen Ausführungsform des - neuen Verfahrens zur Herstellung einer Sperrschichtzelle,
in der eine der Elektroden aus Selen besteht, wird zunächst eine Sperrschicht dadurch gebildet, daß man
auf die Oberfläche der Selenschicht eine Flüssigkeit einwirken läßt, worauf eine zweite sperrschichtbildende
Behandlung gemäß dem obengeschilderten Zerstäubungsverfahren stattfindet.
Wenn man eine Flüssigkeit auf die Oberfläche einer Selenschicht einwirken läßt, entsteht zwar eine Sperrschicht
oder wenigstens eine Schicht von sehr niedriger Leitfähigkeit, aber es zeigt sich, daß, wenn auf einer
solchen Sperrschicht eine Gegenelektrode angebracht wird, z.B. durch Aufspritzen einer Legierung mit niedrigem
Schmelzpunkt, das Legierungsmaterial mit auf der Sperrschicht zurückgebliebenen Flüssigkeitsresten
eine isolierende Verbindung bildet. Das Vorhandensein einer Schicht aus dieser Verbindung bewirkt, daß nach
dem Formieren einer Sperrschichtzelle der Vorwärtsstrom abnimmt. Wenn man aber nach einer sperrschichtbildenden
Behandlung durch Einwirkung einer Flüssigkeit eine weitere Behandlung anwendet, bei der
das Anbringen des Sperrschichtmaterials durch Aufstäuben mittels Ionenbeschuß auf dieschon vorgesehene
isolierende Schicht stattfindet, so wird der Legierung die Möglichkeit genommen, eine Verbindung mit
Flüssigkeitsresten einzugehen, da diese Rückstände durch die durch Zerstäubung angebrachte Sperrschicht
vom Legierungsmaterial getrennt sind.
Es ist vorteilhaft, die obengenannte erste sperrschichtbildende Behandlung mit einer Flüssigkeit
durchzuführen, aus der eine Harzschicht gebildet wird, die auf die Oberfläche der Selenschicht niedergeschlagen
wird. Hierdurch entsteht nämlich schon eine mehr oder weniger zusammenhängende Sperrschicht.
Im folgenden wird ein Äusführungsbeispiel des neuen
Verfahrens gegeben, das zugleich an Hand von Meßergebnissen die mit der Erfindung erreichten Vorteile
erkennen läßt.
Auf einer aus Aluminium bestehenden Tragplatte 1, die aufgerauht und mit einer Kohleschicht 2 versehen
ist, wird eine Selenschicht 3 angebracht. Dem Selen ist zur Steigerung der Leitfähigkeit ein flüchtiges Halogenid,
z. B. Zinnchlorid, zugesetzt. Die Selenoberfläche wird nun unter einer Presse flachgemacht, wobei die
Oberfläche der Preßplatte vorher mit einer harzbildenden Flüssigkeit, z. B. Chinolin, bedeckt worden ist. Die
Platte wird dann in einem Ofen auf etwa 2000C geheizt,
wobei das Selen in die leitende kristallinische Modifikation übergeführt wird. Zugleich wird eine harzbildende
Flüssigkeit, z. B. Triäthanolamin, auf die Selenoberfläche gespritzt, wodurch eine Harzschicht 4
von einer Stärke bis zu einigen Zehntel Mikron gebildet wird. Das Ganze wird in einem Raum gegenüber einer
aus Selen bestehenden plattenförmigen Elektrode (Kathode) angeordnet, die an die negative Seite einer
Spannungsquelle von einigen Kilovolt angeschlossen ist, während eine andere plattenförmige Elektrode an
die positive Seite der gleichen Quelle angeschlossen wird. Die mit Selen bedeckte Platte wird nun im Feld
zwischen den beiden Elektroden angeordnet, wobei die freie Selenseite der Platte r, 2 der Kathode zugewandt
ist. Der Raum wird bis zu einem Druck von etwa hundert Einheiten evakuiert. Der Strom beträgt einige
Zehn Milliampere. Die Stärke der durch Ionenbeschuß zerstäubten Selenschicht, die in der Figur mit 5 bezeichnet
ist, hängt von der Zeit ab, während der die Zerstäubung durchgeführt wird. Im allgemeinen wird
so lange zerstäubt, bis die Stärke einige Zehn Mikron beträgt. Man kann diese Stärke entsprechend dem
Zweck einstellen, für den die Platte verwendet wird. Während des Verfahrens wird Sauerstoff verbraucht.
Die Spannung und der Strom können dadurch konstant gehalten werden, daß vorsichtig Luft zugelassen wird.
Eine auf diese Weise mit einer Sperrschicht versehene Selenelektrode wird nun mit einer aus einer
Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt bestehenden Gegenelektrode bedeckt. Auf diese Weise hergestellte
Zellen lieferten bei Messung die nachfolgenden Werte für den Vorwärtsstrom und die Gegenspannung.
Links sind die Daten der nichtformierten, rechts
jene für die formierten Zellen erwähnt.
Vor Formierung
Vorwärtsstrom
5,0 A
7,0 A
6,5 A
7,0 A
6,5 A
Gegeilspannung ι
8V
9.V
8V
Nach Formierung
Vorwärtsstrom
5.7 A 9,0 A 7,2 A
Gegenspannung ι
23 V
24 V 20 V
ι. Die Gegenspannung ist die Spannung, die angelegt
werden muß, um einen Strom von ioo mA in der Sperrrichtung
fließen zu lassen. Die Messungen sind alle an Zellen mit einem Durchmesser von 45 mm angestellt.
Es fällt auf, daß im Gegensatz zu den auf bekannte Weise hergestellten Sperrschichtzellen, die nach Formierung
zwar eine erhöhte Gegenspannung, jedoch einen niedrigeren Vorwärtsstrom aufweisen, nach dem
neuen Verfahren hergestellte Zellen nach Formierung einen erhöhten Vorwärtsstrom haben. Auch hat sich
herausgestellt, daß gemäß dem erfindungsgemäß durchgeführten Verfahren hergestellte Zellen während des
Betriebes ihre elektrischen Eigenschaften beibehalten.
Auf ähnliche Weise, wie oben beschrieben, geht man vor, wenn man einen anderen Stoff, wie Schwefel, aufstäubt.
Claims (8)
- PATENTANSPRÜCHE:i. Verfahren zum Anbringen einer aus Selen bestehenden Sperrschicht auf einer Elektrode für eine Sperrschichtzelle, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen durch Ionenbeschuß zur Zerstäubung und zum Niederschlag auf den Sperrschichtträger gebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäubung in Luft erfolgt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 zur Herstellung einer Sperrschichtzelle, in der eine der Elektroden aus Selen besteht, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Sperrschicht dadurch gebildet wird, daß auf die Oberfläche der Selenschicht eine Flüssigkeit einwirkt, wonach eine zweite sperrschichtbildende Behandlung angewendet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß aus der auf das Selen reagierenden Flüssigkeit eine Harzschicht gebildet wird, die auf die Oberfläche der Selenschicht niedergeschlagen wird.
- 5. Sperrschichtzelle, deren Sperrschicht gemäß dem Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche hergestellt ist.
- Angezogene Druckschriften:
Ries, Das Selen, 1918, S. 52;
Gmelin, Handbuch der anorg. - Chemie,
- 8. Aufl., System Nr. 10, Teil B, S. 25;
österreichische Patentschrift Nr. 153 134;
schweizerische Patentschrift Nr. 214 020.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 9532 7.54
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL253109X | 1944-08-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE915593C true DE915593C (de) | 1954-07-26 |
Family
ID=19781189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP19306A Expired DE915593C (de) | 1944-08-08 | 1948-10-23 | Verfahren zum Anbringen einer Sperrschicht und mit einer solchen Sperrschicht versehene Zelle |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2468527A (de) |
BE (1) | BE467879A (de) |
CH (1) | CH253109A (de) |
DE (1) | DE915593C (de) |
FR (1) | FR942904A (de) |
GB (1) | GB637736A (de) |
NL (2) | NL66146C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1026874B (de) * | 1951-10-29 | 1958-03-27 | Int Standard Electric Corp | Selengleichrichter mit Kunststoff-Zwischenschicht zwischen Selen und Gegenelektrode |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1090768B (de) * | 1957-05-11 | 1960-10-13 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern |
US2892136A (en) * | 1957-09-09 | 1959-06-23 | Int Rectifier Corp | Rectifier with multiple barrier layers |
NL275667A (de) * | 1961-04-28 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
CH214020A (de) * | 1938-06-07 | 1941-03-31 | Sueddeutsche Apparate Fabrik G | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern. |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2221596A (en) * | 1938-01-22 | 1940-11-12 | Fides Gmbh | Method of manufacturing dry rectifiers |
NL57635C (de) * | 1938-09-09 | |||
DE742762C (de) * | 1939-03-15 | 1943-12-10 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichtelektrodensystems mit einer Selenelektrode |
-
0
- NL NL118416D patent/NL118416B/xx unknown
- NL NL66146D patent/NL66146C/xx active
- BE BE467879D patent/BE467879A/xx unknown
-
1946
- 1946-04-10 US US661022A patent/US2468527A/en not_active Expired - Lifetime
- 1946-08-30 CH CH253109D patent/CH253109A/de unknown
- 1946-11-18 FR FR942904D patent/FR942904A/fr not_active Expired
-
1947
- 1947-04-15 GB GB10007/47A patent/GB637736A/en not_active Expired
-
1948
- 1948-10-23 DE DEP19306A patent/DE915593C/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
CH214020A (de) * | 1938-06-07 | 1941-03-31 | Sueddeutsche Apparate Fabrik G | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern. |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1026874B (de) * | 1951-10-29 | 1958-03-27 | Int Standard Electric Corp | Selengleichrichter mit Kunststoff-Zwischenschicht zwischen Selen und Gegenelektrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL118416B (de) | 1900-01-01 |
BE467879A (de) | 1900-01-01 |
NL66146C (de) | 1900-01-01 |
FR942904A (fr) | 1949-02-22 |
GB637736A (en) | 1950-05-24 |
CH253109A (de) | 1948-02-15 |
US2468527A (en) | 1949-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE892193C (de) | Selengleichrichter | |
DE2516172B2 (de) | Elektrisch leitfaehige masse | |
DE2638097B2 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kunststofflinsen | |
DE1026874B (de) | Selengleichrichter mit Kunststoff-Zwischenschicht zwischen Selen und Gegenelektrode | |
DE915593C (de) | Verfahren zum Anbringen einer Sperrschicht und mit einer solchen Sperrschicht versehene Zelle | |
DE2846101A1 (de) | Elektrochrome vorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2457474A1 (de) | Verfahren zur herstellung von reflexmindernden mehrfachschichten mit interferenzwirkung und durch das verfahren hergestellter optischer koerper | |
DE2235814C3 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Glasformkörpern durch Aufbringen einer wäßrigen, Aluminiumphosphat enthaltenden Lösung auf die erhitzte Glasoberfläche und Lösung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2406891C3 (de) | Korrosionsbeständiger Spiegel | |
DE975545C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einfolien-Bandes fuer selbstregenerierende elektrische Kondensatoren mit Lackdielektrikum | |
DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE1017292B (de) | Aluminiumoxydueberzug fuer den Heizdraht mittelbar geheizter Kathoden elektrischer Entladungsroehren und Verfahren zur Herstellung eines Isolierueberzuges auf einem Heizdraht | |
DE879581C (de) | Photoelement mit Traegerelektrode aus Aluminium | |
DE849460C (de) | Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung, insbesondere Messgleichrichtern, und mittels dieses Verfahrens her-gestellte Sperrschichtzelle | |
DE765253C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE683330C (de) | Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen | |
DE734887C (de) | Elektrische Entladungsroehre mit einer oder mehreren nicht beheizten Elektroden oder sonstigen Innenteilen, welche wenigstens teilweise mit einer Kohlenstoffschicht ueberzogen sind, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2637066C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Überzugs auf ein Werkstück aus Stahl | |
DE528600C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Schmelzsicherungen fuer sehr geringe Stroeme, bei dem eine duenne Metallschicht auf einer Ioeslichen Elektrode niedergeschlagen und die Elektrode sodann von dem Niederschlag geloest wird | |
DE737996C (de) | Elektrische Entladungsroehre mit einem eine Sekundaeremissionselektrode enthaltenden Elektrodensystem | |
AT152740B (de) | Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit. | |
DE1564285C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Selengleichrichterplatte mit zweilagiger Selenschicht | |
DE911049C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters | |
DE1297137B (de) | Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen Bildspeicherplatte aus Glas fuer Fernseh-Kameraroehren | |
DE1446065C (de) | Bad zum galvanischen Abscheiden von Antimonüberzügen |