DE849460C - Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung, insbesondere Messgleichrichtern, und mittels dieses Verfahrens her-gestellte Sperrschichtzelle - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung, insbesondere Messgleichrichtern, und mittels dieses Verfahrens her-gestellte Sperrschichtzelle

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DE849460C
DE849460C DEN2234D DEN0002234D DE849460C DE 849460 C DE849460 C DE 849460C DE N2234 D DEN2234 D DE N2234D DE N0002234 D DEN0002234 D DE N0002234D DE 849460 C DE849460 C DE 849460C
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DE
Germany
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barrier cells
rectifiers
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selenium
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DEN2234D
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Johannes Jacobus Asueru Amstel
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung, insbesondere Meßgleichrichtern, bei denen auf eine Trägerplatte eine halbleitende und eine gutleitende Elektrode aufgebracht werden. Die halbleitende Elektrode kann z. B. aus Selen bestehen, die gutleitende aus Gold. Es wird im allgemeinen angenommen, daß zwischen den beiden Elektroden eine Sperrschicht enthalten ist. Bereits wurde vorgeschlagen, auf eine solche Zelle nach dem Anbringen der gutleitenden Elektrode eine Lackhaut aufzubringen, unter anderem zum Zweck der Sicherung dieser Elektrode vor der Einwirkung des Metalls, mittels dessen der Stromzuführungsleiter an der Gegenelektrode befestigt wurde.
Wenn man bei Gleichrichtern die Beziehung prüft, die zwischen dem durchgelassenen Strom in Vorwärtsrichtung und der angelegten Spannung besteht, so ergibt sich, daß dieser Strom bei kleinen Spannungen verhältnismäßig kleiner ist als bei höherer Spannung. Beim Gleichrichter kleiner Spannungen im allgemeinen ist diese Eigenschaft von Nachteil, aber bei Meßgleichrichtern insbesondere wird oft schon beim Anlegen kleiner Spannungen die Erzielung eines hohen Vorwärtsstroms angestrebt. Hierdurch erhält die Skaleneinteilung des Meßinstruments einen im höheren Maße linearen Verlauf.
Es hat sich nun gezeigt, daß, wenn erfindungsgemäß
bei der Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung nach dem Anbringen der Gegenelektrode eine Lackschicht aufgebracht wird und die Zelle einer Erhitzung bis auf eine Temperatur zwischen 120 und 200° C unterworfen wird, eine erhebliche Verbesserung der Eigenschaften der Zelle in vorstehend erwähntem Sinne erzielt wird. Es versteht sich, daß ein Lack angewendet werden muß, welcher der angewendeten Erhitzung standhält.
An sich ist es wohl bekannt und üblich, einen Gleichrichter nach dem Anbringen der gutleitenden Elektrode in einen korrosionsverhütenden Lack einzutauchen. Auch werden diese Gleichrichter nach dem Lackieren meist einer Erwärmung unterworfen, entweder zielbewußt, um den Lack zu trocknen, oder unwillkürlich während des Betriebes des Gleichrichters. Diese Erwärmung wird jedoch auf die übliche, bei annähernd 650 C liegende Höchstbetriebstemperatur beschränkt. Eine solche Temperatur, und sogar eine höhere Temperatur von beispielsweise 80° C, ist nicht fähig, die mit der Erfindung erzielte Wirkung herbeizuführen.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird eine Erhitzung bei 1700 C während einer halben Stunde angewendet. Weder die Temperatur noch die Dauer der Behandlung sind jedoch kritisch.
Die Erfindung ist in der Zeichnung an einem Ausführungsbeispiel und einigen in den Figuren dargestellten Kennlinien näher erläutert.
Auf eine Trägerplatte aus mit einer Kohlenhaut überzogenem galvanisiertem Aluminium wird eine Selenschicht aufgegossen. Das Selen wird unter einer erhitzten Presse in den gutleitenden Zustand übergeführt. Aus dieser Platte werden jetzt kleine Scheiben mit einem Querschnitt von 6 mm gestanzt, die auf der Seite der Selenschicht mit runden, durch Aufstäuben erhaltenen Goldelektroden versehen werden. Der Querschnitt dieser Elektroden beträgt ι bis 3 mm. Die Scheibchen werden jetzt mit einer Lösung von Polystyren bespritzt und nach dem Trocknen in der Luft bis auf eine Temperatur von 1700C während einer halben Stunde erhitzt.
In den Kennlinien sind die Ergebnisse veranschaulicht.
In der rechten Hälfte der Fig. 1 ist der Vorwärtsstrom gegen die angelegte Spannung aufgetragen. Die Kurve A bezieht sich auf die Eigenschaften einer Zelle, die keiner Erhitzung unterworfen wurde, die Kurve B bezieht sich auf eine mittels des Verfahrens nach der Erfindung hergestellte Zelle. In der linken Hälfte der Fig. 1 ist der Rückstrom aufgetragen; der Maßstab ist hier jedoch ein anderer als in der rechten Hälfte. Es ist aus dieser Figur deutlich ersichtlich, daß der Vorwärtsstrom größer geworden ist, während der Rückstrom abnahm.
Zwecks besserer Hervorhebung der Verschiedenheiten in dem Gebiete bei den Spannungen von annähernd 0,2 Volt ist in Fig. 2 die rechte Hälfte der Fig. 1 abermals dargestellt, und die Ströme sind jetzt in logarithmischem Maßstabe aufgetragen. Es ist deutlich ersichtlich, wie die Anfangswerte bei der Kurve B bedeutend höher liegen als bei der Kurvet. Es ist dies das Gebiet, auf das es bei Meßgleichrichtern besonders ankommt.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung, insbesondere Meßgleichrichtern, bei denen auf eine Trägerplatte eine halbleitende und eine gutleitende Elektrode aufgebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden mit einer Lackschicht überzogen und darauf einer Erhitzung zwischen 100 und 2000C unterworfen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Erhitzung bis auf 1700 C während einer halben Stunde angewendet wird.
3. Sperrschichtzelle von der Selengattung, insbesondere Meßgleichrichter, die mittels des Verfahrens nach den vorausgehenden Ansprüchen hergestellt ist.
DEN2234D 1943-02-22 1944-02-19 Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen von der Selengattung, insbesondere Messgleichrichtern, und mittels dieses Verfahrens her-gestellte Sperrschichtzelle Expired DE849460C (de)

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE974915C (de) * 1953-05-02 1961-05-31 Standard Elek K Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer Lackschicht zwischen Selen und Deckelektrode zur Verwendung fuer Regelzwecke
US2807558A (en) * 1954-04-12 1957-09-24 Rca Corp Method of sealing a semi-conductor device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE529984C (de) * 1928-12-05 1931-07-20 Siemens Schuckertwerke Akt Ges Verfahren zur Herstellung einer gutleitenden elektrischen Verbindung zwischen der Metalloxydschicht eines Metalloxydgleichrichters und einem auf diese aufgebrachten duktilen Metallueberzug
NL44071C (de) * 1935-12-03 1900-01-01
US2182377A (en) * 1937-05-01 1939-12-05 Radio Patents Corp Method and means for tuning electric oscillatory circuits
US2345122A (en) * 1939-10-17 1944-03-28 Herrmann Heinrich Dry rectifier
US2419602A (en) * 1943-08-14 1947-04-29 Standard Telephones Cables Ltd Rectifier and method of making the same

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FR902072A (fr) 1945-08-17
US2502540A (en) 1950-04-04
GB633346A (en) 1949-12-12
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CH240309A (de) 1945-12-15

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