DE845369C - Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzufuehrungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgeloetet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle - Google Patents
Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzufuehrungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgeloetet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser SperrschichtzelleInfo
- Publication number
- DE845369C DE845369C DEN2287D DEN0002287D DE845369C DE 845369 C DE845369 C DE 845369C DE N2287 D DEN2287 D DE N2287D DE N0002287 D DEN0002287 D DE N0002287D DE 845369 C DE845369 C DE 845369C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- highly conductive
- conductive electrode
- power supply
- supply conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 13
- 210000002457 barrier cell Anatomy 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Description
- Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzuführungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgelötet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle Bei Sperrschichtzellen, welche aus einer Tragplatte, eines- halbleitenden Elektrode, einer Sperrschicht, einer dünnen darauf angebrachten gutleitenden Elektrode (ferner kurz als Sperrschichtzelle der Selentype bezeichnet) bestehen, bei welchen ein Stromzuführungsleiter auf letzterer festgelötet ist, treten verschiedene Nachteile auf hinsichtlich der Eigenschaften der gutleitenden Elektrode an der Stelle, an welcher der Stromzuführungsleiter an ihr festgelötet ist.
- Diese Nachteile treten insbesondere auf, wenn das Metall der gutleitenden Schicht sich leicht mit dem Lötmetall legiert. Dadurch, daß nämlich die gutleitende Schicht sehr dünn ist, wird sich diese Schicht beim Anbringen des Lötmetalls darin völlig lösen, so daß an dieser Stelle die spezifischen Eigenschaften der Zelle, welche vom Metall der gutleitenden Elektrode abhängen, sich in Abhängigkeit vom Lötmetall völlig ändern können.
- Man könnte diese Nachteile durch Anwendung eines Druckkontakts ausschalten, aber in diesem Falle läuft man wieder die Gefahr, daß die gutleitende Elektrode durchgedrückt und beschädigt wird, was zu einer Unstabilität, ja sogar zu einem hurzschluß der Zelle führt.
- Diese Nachteile treten vorwiegend bei Sperrschichtzellen von kleinen Abmessungen auf, d. h. bei solchen, deren gutleitende Elektroden eine Oberfläche kleiner als 30 mm2 besitzen, u. a. bei sugenannten Meßzellen. Bei diesen DIeßzellen werden nämlich an das Metall der gutleitenden Elektrode besondere Anforderungen gestellt, welche dazu dienen, der Charakteristik der Zellen einen bestimmten Verlauf zu geben. Bei größeren Zellen dagegen genügt im allgemeinen eine Verstärkung der gutleitenden Schicht an der Stelle, an welcher der Zuführungsleiter befestigt werden muß. Das Löten kann dort mit einem Material gleich jenem, aus dem die gutleitende Schicht besteht, erfolgen. Außerdem besitzt der Lötkontakt hier .im Verhältnis zur Oberfläche der ganzen Zelle eine kleine Oberfläche, so daß der Einfluß auf die Charakteristik gering ist, falls hier eine Änderung der gutleitenden Elektrode auftreten würde, vorausgesetzt, daß diese Änderung ,die Durchschlagsspannung nicht beeinträchtigt.
- Eine %%-eitere bei Meßzellen auftretende Schwierigkeit besteht darin, claß die Elektrode häufig so klein ist, daß es schwierig ist, das Lötmaterial ausschließlich innerhalb. dieser Oberfläche zu halten. Tritt es über diese Oberfläche hinaus, so kann vor allein das Lötmetall als Elektrode wirksam werden, wodurch sich die Charakteristik ändert und gleichzeitig die Kapazität der Zelle auf nachteilige Weise zunimmt. Die vorliegende Erfindung schafft eine Bauart, bei welcher diese Nachteile beseitigt "erden.
- Erfindungsgemäß wird die gutleitende Elektrode mit einer inerten Zwischenschicht bedeckt, auf welcher andererseits das Metall liegt, auf dem oder in dein der Stromzuführungsleiter befestigt ist. Inert heißt hier, daß das Material nicht nachteilig reagiert oder einwirkt auf das :Metall der gutleitenden Elektrode. Die Zwischenschicht kann z. B. aus Eisen, Aluminium oder Zink bestehen. Das Metall, aus dem -die gutleitende Elektrode besteht, kann in diesem Falle aus Gold, Wismut, Antimon oder einer Wismut-Antimon-Legierung bestehen. Letztere Metalle haben sieh zur Anfertigung von Meßzellen als besonders geeignet erwiesen. Als Lötmaterial läßt sich die sogenannte Legierung 103, welche' aus Zinn. Kadmium und \\'isinut besteht, verwenden.
- Nach einer weiteren Ausführungsform kann die Zwischenschicht aus einer Lackschicht bestehen. AI, Lack ist Athylcellulose sehr gut verwendbar. Die Lackschicht wird nach der Härtung mit einer dünnen Metallschicht bedeckt, auf welcher oder in welcher der Stromzuführungsleiter befestigt ist. Bekanntlich kann in diesem Falle doch eine leitende Verbindung zwischen der Unterschicht, hier also der gutleitenden Elektrode der Sperrschichtzelle, und der Metallschicht erzielt werden.
- Im allgemeinen wird die Oberfläche der Lackschicht nicht auf jene der gutleitenden Elektrode heschtänkt, sondern größer gewählt. Besonders wenn letztere eine sehr kleine Oberfläche aufweist, ;hart dies viel Mühe. Es hat sich nun hei diesen Zellen ergeben, daß die Kapazität beim Auftragen des Metalls, auf dein oder in dem der Stromzuführungsdraht befestigt ist, sogar wenn dies eine größere Oberfläche als jene der gutleitenden Elektrode einnimmt, doch nahezu nicht steigt. Dies läßt sich dadurch erklären, daß die Lackschicht eine Stärke besitzt, welche groß ist in bezug auf die Stärke der Sperrschicht.
- -- Diese Maßnahmen eignen sich besonders zur Anwendung bei Zellen, deren gutleitende Elektrode aus Gold besteht und eine kleinere Oberfläche als 3o min'= besitzt.
- An Hand der Figuren werden nunmehr zwei Ausführungsformen der Erfindung beschrieben.
- F ig. i zeigt eiit#2 Sperrschichtzelle, bei welcher auf der gutleitenden Elektrode eine Schicht inertes Metall aufgetragen ist, während Fig. 2 eine Sperrschichtzelle darstellt, bei welcher die Zelle von einer dünnen Lackschicht umhüllt ist, auf welcher vier Zuführungsleiter befestigt ist.
- Die beiden Figuren stellen die Zellen in stark vergrößertcnl Maßstall und nur schematisch dar. Die Sperrschichtzelle nach Fig. i besteht aus einer Tragplatte i, auf welcher eine Selenschicht 2 aufgetragen ist. Auf dieser Selenschicht ist eine genetische oder nichtgenetische Sperrschicht 3 gebildet, auf welcher eine aus Gold bestehende gutleitende Elektrode .I mit einer kleinen Oberfläche, beispielsweise mit einem Durchmesser von i mm, aufgetragen ist. Auf dieser Goldelektrode ist eine dünne Eisenschicht 5 durch Aufdampfen aufgetragen, auf welcher der Zuführungsleiter 6 mittels einer kleinen Lotnielige 7 befestigt ist. Da sich hold nicht mit Eisen legiert, sind auf diese Weise die guten Eigenschaften der Goldelektrode gewährleistet, aber es ist einleuchtend, daß mit Rücksicht auf die kleinen Abmessungen dieser Unterteile eine sehr große Gefahr bestellt. claß das Eisen oder das Lotmaterial 7 die Grenzen der Goldelektrode überschreiten werden. Diese Nachteile sind bei der Bauart nach Fig. 2 größtenteils beseitigt. Die hier dargestellte Sperrschichtzelle besitzt wieder eine Tragplatte i, eine ,eleliSelllCllt 2, eine Sperrschicht 3 und eine gutleitende Goldelektrode .I. Nachdem die Sperrschichtzelle so weit aufgebaut ist, wird sie in Lack eingetaucht, wozu Ät'hylcellulose geeignet ist. Auf der finit S bezeichneten gehärteten Lackschicht ist eine diinne Schicht 9 aus Legierung 103 aufgetragen. in welcher ein Zufühi ungsdrallt 6 -befestigt ist.
- Die Stärke der Lackschicht wird in der Größenoidnung von in Mikron geschätzt. Es ergibt sich, daß in einer solchen Lackschicht noch solche Offnurigen vorhanden sind, (lall die Metallschichten, welche sich auf beiden Seiten der Lackschicht befinden, Kontakt haben. Die Lackschicht verhindert aber, claß die gutleitende Elektrode sich löst, eine Legierung eingeht oder auf irgendeine andere \\'eise sich ändert.
- Die Stärke der gutleitenden Elektrode kann bei Anwendung der Erfindung viel dünner, bis io mal dünner, als es früher üblich war. gewählt \verden.
- Die Figur stellt die Stärke der verschiedenen Schichten nicht in den richtigen Verhältnissen dar. Die Sperrschicht ist viel dünner, als es sich in der Figur darstellen läßt. E: ist einleuchtend, daß infolge der geringen Stärke dieser Sperrschicht hinsichtlich der Stärke der Lackschicht die Kapazität der Zelle völlig durch die Oberfläche der Elektrode 4 und nicht durch die der Metallmenge 9 bedingt wird.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Sperrschichtzelle, insbesondere Meßzelle, welche aus einer Tragplatte, einer halbleitenden Elektrode, einer Sperrschicht, einer auf-letzterer aufgetragenen gutleitenden Elektrode und einem Stromzuführungsleiter besteht, welcher auf letzterer Elektrode festgelötet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die gutleitende Elektrode mit einer inerten Zwischenschicht bedeckt ist, auf welcher andererseits das Metall liegt, auf (lern oder in dein der Stromzufiihrungsleiter befestigt ist.
- 2. Sperrschichtzelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus Visen, Zink oder Aluminium besteht.
- 3. Sperrschichtzelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, claß die Zwischenschicht aus einer Lackschicht besteht. .1.
- Sperrschichtzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Äthylcellulose besteht.
- 5. Sperrschichtzelle nach Anspruch 3 oder d. dadurch gekennzeichnet, daß die Lackschicht eine größere Oberfläche bedeckt als die gutleidende Elektrode.
- 6. Sperrschichtzelle nach. Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auch die Metallschicht, auf welcher oder in welcher der Stromzuführungsleitet befestigt ist, eine größere Oberfläche bedeckt als die gutleitende Elektrode, aber eine kleinere Oberfläche als die 1_ackschicht.
- 7. Sperrschichtzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, claß die gutleitende Elektrode aus Gold besteht und eine Oberfläche kleiner als 30 mm= besitzt. B. `'erfahren zur Anfertigung einer Sperrschichtzelle nach Anspruch 3 utq,d folgende, dadurch ge'kennzeic'hnet, daß die Sperrschicht,zelle vor .dem Anbringen des Zuführungsleiters mit einer Lackschicht bedeckt wird, auf welche nach der Härtung eine Metallschicht aufgespritzt wird, auf welcher oder in welcher der Stromzuführungsleiter befestigt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL845369X | 1942-12-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE845369C true DE845369C (de) | 1952-07-31 |
Family
ID=19845148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN2287D Expired DE845369C (de) | 1942-12-07 | 1943-12-08 | Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzufuehrungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgeloetet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE845369C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE915250C (de) * | 1948-10-02 | 1954-07-19 | Licentia Gmbh | Trockengleichrichter, insbesondere fuer Messzwecke |
-
1943
- 1943-12-08 DE DEN2287D patent/DE845369C/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE915250C (de) * | 1948-10-02 | 1954-07-19 | Licentia Gmbh | Trockengleichrichter, insbesondere fuer Messzwecke |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1950994A1 (de) | Koerperelektrode | |
DE2306266A1 (de) | Unpolarisierbare muskelstimulierelektrode | |
DE3031752A1 (de) | Mehrpolige schrittmacherleistung | |
DE3432950A1 (de) | Elektrochemische messzelle mit zusatzelektrode | |
DE2502499B2 (de) | Zinkelektrode für galvanische Zellen | |
DE2125609A1 (de) | Federkontakt sowie Verfahren zur Herstellung desselben.- | |
DE3625543A1 (de) | Band- bzw. drahtfoermiges material | |
DE845369C (de) | Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzufuehrungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgeloetet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle | |
AT164430B (de) | Sperrschichtzelle der Selentype, bei welcher ein Stromzuführungsleiter auf der gutleitenden Elektrode festgelötet ist, sowie Verfahren zur Herstellung dieser Sperrschichtzelle | |
DE758107C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kabelschuhs aus Aluminium oder einer Aluminiumverbindung | |
DE102018208116A1 (de) | Kupferband zur Herstellung von elektrischen Kontakten und Verfahren zur Herstellung eines Kupferbandes und Steckverbinder | |
DE3730953A1 (de) | Verfahren zum herstellen elektrisch leitfaehiger schaltungen auf einer grundplatte | |
DE743351C (de) | Elektrischer Kondensator | |
DE869511C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren | |
DE2031446A1 (de) | Schutzuberzug fur dünne ferromagneti sehe Schichten | |
DE2706418A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines temperaturmesswiderstandes fuer ein widerstandsthermometer | |
DE1302299C2 (de) | Mit isoliermasse umhuellter elektrischer kondensator und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1639051C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines ohmschen Kontakts an einem Silicium-Halbleiterkörper | |
DE652202C (de) | Potentiometer mit auf einer isolierenden Unterlage aufgetragener Widerstandsschicht | |
DE1765090C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Nickel-Phosphor-Schichtwiderstandseiementen | |
DE898468C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden | |
DE3341756A1 (de) | Ableitvorrichtung fuer strahlenschutzdecke | |
DE932812C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern | |
DE2314495A1 (de) | Verfahren zur kontaktierung von kondensatoren | |
DE687672C (de) | Schmelzsicherung, insbesondere Hochspannungsschmelzsicherung |