DE652202C - Potentiometer mit auf einer isolierenden Unterlage aufgetragener Widerstandsschicht - Google Patents

Potentiometer mit auf einer isolierenden Unterlage aufgetragener Widerstandsschicht

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DE652202C
DE652202C DES114598D DES0114598D DE652202C DE 652202 C DE652202 C DE 652202C DE S114598 D DES114598 D DE S114598D DE S0114598 D DES0114598 D DE S0114598D DE 652202 C DE652202 C DE 652202C
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Germany
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resistance
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potentiometer
shunt
resistance layer
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DES114598D
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English (en)
Inventor
Dr Walter Deutschmann
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Siemens and Halske AG
Siemens AG
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Siemens and Halske AG
Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C10/00Adjustable resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Adjustable Resistors (AREA)

Description

  • Potentiometer mit auf einer isolierenden Unterlage aufgetragener Widerstandsschicht Für Rundfunkempfangsapparate und andere Einrichtungen zur Nachrichtenübermittlung sowie auf ;andere Gebieten der Elektrotechnik werden häufig Potentiometer verwendet. Diese besitzen entweder eine Widerstandsdrahtwicklung oder auf einer isolierenden Unterlage als Widerstand eine schlecht leitende Schicht. Die Schicht kann z. B. aus Lack bestehen, dem durch Zumischen von Ruß oder Graphit eine gewisse Leitfähigkeit gegeben wird. Meist besitzen solche Schichten flächenhafte Ausdehnung und können z. B. durch Katho-denzerstäubung oder nach anderen Verfahren auf der isolierenden Unterlage aufgetragen werden. Als Unterlagt werden häufig Ringscheiben oder Zylinderstücke benutzt, die auf einer Seite mit der Widerstandsschicht überzogen sind. Diese Ringscheiben sind nicht vollkommen geschlossen, sondern besitzen :eine keilförmige Aussparung. An den beiden Enden der nicht geschlossenen Ringscheibe sind die Anschlußelektroden für die Widerstandsschicht .angebracht. Diese können z. B. durch Anbringen schmaler Streifen eines gut leitenden Materials auf der Unterlage hergestellt werden.
  • Bei der Herstellung von Potentiometern mit einer schlecht leitenden Widerstandsschicht ergeben sich Schwierigkeiten, wenn ein verhältnismäßig geringer Gesamtwiderstand verlangt wird. Die Schichtdicke muß nämlich dann verhältnismäßig stark gemacht werden, wobei häufig die Gefahr des, Abblätterns der Schicht von der Unterlage eintritt. Andererseits könnte die Leitfähigkeit der Lacklösung durch Erhöhung des Ruß- oder Graphitgehalts verbessert werden. Die hachrußhaltigen Lacke zeigen jedoch ebenfalls den Nachteil, daß beim Einbrennen auf den isoh@erenden Trägerkörper Rißbildungen und Abblätternerfolgen.' Ein weiterer Übelstand bei Potentiometern mit einer schlecht leibenden Widerstandsschicht besteht darin, daß sich der gewünschte Widerstandswert nur ungenau einhalten läBt, da sowohl die Schichtdicke als auch die Leitfähigkeit der Schicht in weiten Grenzen schwanken. Eine Abhilfe kann dadurch geschaffen werden, daß die Anschlußelektroden mehr oder weniger breit gemacht werden, so daß die Widerstandsschicht an den Enden auf verschieden großen Strecken berührt wird. Daraus ergibt sich jedoch der Nachteil, daß *bei den einzelnen Pofientiometern einer Fabrikation die Widerstandscharakteristiken ganz verschieden voneinander sind. Diese Maßnahme ist überhaupt nicht anwendbar, wenn ein bestimmter, vom linearen Verlauf erheblich abweichender Widerstandsverlauf, z. B. ein annähernd logarithmischer, gefordert wird. Ein solcher Verlauf wird näm, ]ich durch Aufbringen von Stücken erhöhter Leitfähigkeit auf der isolierenden Unterlage; die die Widerstandsschicht auf ihrer Längenausdehnung teilweise begrenzen und z. B. keilförmige Gestalt besitzen, bewirkt -oder durch Verändern der Schichtdicke oder Schichtbreite. Ebenso können der Widerstandsschicht teihveiäe Schichten geringerer Leitfähigkeit überlagert werden, wodurch eine Hinteneinanderschaltung von Schichten verschiedenen Leitwertes erzielt wird, die die Charakteristik dies Gesamtwiderstandes bestimmt. In ähnlicher Weise sind auch Potentiometer aufgebaut, deren Widerstandsbahn aus ,einzelnen keilförmig gestalteten Stücken verschiedenen Leitwertes besteht, die hintereinandergeschaltet sind. Bei Potentiometern mit in ,der vorstehend beschriebenen Weise abgestimmtem Widerstandsverlauf würde die Widerstandscharakteristik erheblich geändert, wenn zur Abstimmung des Gesiamtwiderstande.s die Berührungsbreite der Anschlußelektroden mit der Widerstandsschicht geändert würde.
  • Nach der Erfindung werden diese übelstände bei Potentiometern mit auf einer isolierenden Unterlage aufgetragener Widerstandsschicht dadurch vermieden, daß ein aus einem Vollring bestehender isolierender Trägerkörper verwendet wird, der außer der vom Abnahmekontakt berührten Widers.tands-@schicht zwischen -deren Anschlußelektroden, also auf dem bisher frei gebliebenen Teil des Trägers, eine .weitere mehr Moder weniger schlecht leitende Schicht trägt, die einen Nebens.chluß zur ersteren bildet und zum Abgleich des Potentiometerwiderstandes dient.
  • Soll z. B. ein hochohmigas Potentiometer auf einen bestimmten hohen Wert abgeglichen werden, so ist, damit der Gesamtwiderstand durch die Abgleichung nicht wesentlich herabgesetzt wird, der Widerstand des Neben-Schlusses mehrmals größer als der Widerstand der vom Abnehmer berührten Schicht zu bemessen. Ein Potentiometer dieser Art kann in der Weise hergestellt werden, daß man den ringförmigen Trägerkörper vollkommen mit einer Widerstandsschicht gleicher Dicke und Zusammensetzung bedeckt. Darauf werden die Anschlußelektro,den angebracht und dann der Abgleich des Potentiometers. in der Weise vo=rgenommen, daß der Widerstand der zwischen den Anschluß:elektroden auf der Unterlage ,angebrachten und bisher bei Potentiometern fehlenden Schiabt durch Abkratzender teilweises Entfernen des Trägerkörpers an dieser Stelle vergrößert oder durch Abdecken mit einer gut leitenden Substanz verringert wird. Es kann auch vor dem Auftragen der schlecht leitenden Schicht ;.auf den ringförmigen Trägerkörper an der ;:stelle, die vom Nebenschluß später bedeckt .-werden soll, eine Querschnittsverringerimg des . T rägerkörpers vorgenommen werden, um auf diese Weise zu Herreichen, daß der Querschnitt der schlecht leitenden Schicht, die den Nieb.enschluß bildet, wesentlich geringer ist als der vom Abnelur@er bestrichenen Schicht. Der Widerstandswert des Nebenschlusses wird dadurch mehrfach erhöht gegenüber dem eigentlichen Pütentiometerwide.rstand. Falls @er noch nicht den erforderlichen Betrag aufweist, kann @er beim Abgleich des Potentiometers.durch Abkratzen, wie bereits erwähnt wurde, noch weiter verändert werden.
  • Bei P,otentiom@etern, die einen geringen Gesamtwiderstand aufweisen sollen, kann man bei der Herstellung in der Weise verfahren, daß die vom Abnahmekontakt bestrichene Schicht eine Dicke erhält, die der von hochohmigen Potentlometern entspricht. Es wird dann beim Einbrennen das Abblättern vermieden. Der niederohmige Widerstand des Potentiorneters wird dadurch erzielt, da:ß der Nebenschluß einen Widerstandswert erhält, der nur einen Bruchteil der vom Abnehmer bestrichenen Schicht beträgt. Zu diesem Zweck kann auf dem Stück der Widerstandsschicht, das auf dem ringförmige Trägerkörper für den Nebenschluß vorgesehen ist, eine Schicht eines besser leitenden Stoffes aufgetragen werden. Andererseits kann auch an .dieser Stelle die Leitfähigkeit der Widerstandsschicht seine wesentlich andere, also, im vorliegenden Falle bessere, sein als auf demjenigen Teil, der vom Abnahmekontakt bestrichen wird.
  • Die Erfindung wird nachstehend an zwei Ausführungsbeispielen, die in den Fig. i :und 2 .dargestellt sind, noch näher erläutert. Bei ,dem Potentiometer nach der Fig. i dient eine ringförmige Kreisscheibe i aus Preßspan, B,akelithartpapier @o. dgl. als Träger für die schlecht leitende Widerstandsschicht 2. Die Anschlüsse dazu werden durch die gut leitenden Beläge 3 und ¢ gebildet, während als Ab- nahmekontakt etwa eine Schleiffeder 5 dient, ,die an einer Achse 6 befestigt ist und längs der ,gestrichelten Linie 7 die Widerstandsschicht berührt. Dafür kann jedoch jede andere Kontaktanordnung verwendet werden. Mit 8 ist eine gut leitende Schicht bezeichnet, die -ebenfalls, auf dem isolierenden Trägerkörper aufgebracht ist und die schlecht leitende Widerstandsschicht, wie die Fig. i zeigt, längs eines beträchtlichen Stückes berührt. Durch besondere Ausgestaltung der Berührungskurve dieser hintereinandergeschalteten Widerstandsschichten können, wie hereit. s vorgeschlagen worden ist, die verschiedensten Widerstandscharakteristiken erzielt werden.
  • Der für den Abgleich des Potenti:ometerwiderstandes zwischen den Anschlüssen 3 und 4 vorgesehene Nebenschluß ist mit 9 bezeichnet und bestellt aus einer ebensolchen schlecht leitenden. Schicht wie die des eigentlichen Potentiometers, die in der Fig. i mit 2 bezeichnet ist. Ihr Widerstand ist lediglich, wenn ges sich um hochohnvge Potentiometer handelt, wesentlich größer als der der Schicht 2, was schon daraus hervorgdht, wie die Fig. i verkennen läßt, daß die von ihr bedeckte Oberfläche des. Trägerkörpers sehr schmal ist. Anderterseits ist ihr Widerstand sehr gering, wenn .das Potentiomleter niederohmig sein soll. In diesem Falle wird auf dem für den Nebenschluß 9 vorgesehenen Stück .des isolierenden Trägerkörpers Beine Schicht besserer Leitfähigkeit, als die Schicht 2 besitzt, aufgetragen.
  • Wie bereits oben erwähnt wurde, kann der schmale, vom Nebenschluß 9 bedeckte Steg gleich beim Anfertigen des isolierenden Trägerkörpers hergestellt werden, worauf der Trägerkörper vollständig mit der schlecht leitenden Schicht, die die endgültige Dicke bereits aufweist, bedeckt wird. Zum Abgleich des eigentlichen Potentiameterwiderstandes ist dann nur noch erforderlich, daß Zusammensetzung oder Dicke der Schicht auf dem Steg 9 etwas verändert wird, letzteres z. B. durch Abkratzen. Andererseits kann auch zunächst sein Trägerkörper in Form eines Vollringes mit einer schlecht leitenden Schicht versehen werden und nachträglich erst durch Ausstanzen oder Ausschneiden der dünne Steg 9 an der für den Nebenschluß vorgesehenen Stelle ausgearbeitet werden. Für niederohmige Potentiometer wird, wie hereits @erwähnt wurde, auf den Steg eine Schicht besserer Leitfähigkeit aufgetragen. Soll der Potentiometerwiderstand sehr geringe Werte annehmen, so ist auch denkbar, daß an Stelle einer Widerstandsschicht auf dem Steg 9 eine Wicklung dünnen Widerstandsdrahtes aufgebracht wird.
  • In der Fig.2 ist eine andere Ausbildung des neuen Potentiometers dargestellt. Dort ist die Widerstandsschicht i o, die vom Abnahmekontakt i i berührt wird, auf dem Mantel .eines Zylinderstückes 12 aus Preßspan 1o..dgl. angeordnet. 13 und 14 bilden die Anschlüsse für das .Potentiometer. Die schraffierte Fläche 15 ist die im Nebenschluß zur Widerstandsschicht io liegende Abgleichswiderstandsschicht. Bei diesem Ausführungsbeispiel des Potentiometers nach der Erfindung isst die Oberfläche des Trägerkörpers für die Verringerung des Widerstandes des Nebenschlusses nicht verkleinert worden, sondern der Abgleich erfolgt einzig dadurch, daß die Widerstandsschicht an dieser Stelle durch Abkratzen sehr viel dünner als die Schicht 1 o gemacht worden ist. Man könnte natürlich ebenso gut wie bei dem Ausführungsbeispiel nach der Fig. i die Oberfläche des Trägerkörpers an der für den Nebenschluß vorgesehenen Stelle verringern, um den Widerstand des Nebenschlusses größer als den der vom Abnahmekontakt bieistrichenen Schicht zu machen. Bei niederohmigen Potentiometern würde man entsprechend dem zuerst beschriebenen. Ausführungsbeispiel auf der Oberfläche 15 des Zylinderstückes eine besser leitende Schicht als die Schicht io auftragen.

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Potentiom@eter mit auf einer isolieren; den, vorzugsweise rangförmigen Unterlage aufgetragenen und von einem Abnahmekontakt bestrichenen Widerstandsschicht, dadurch gekernnzeiclmet, daß auf der Unterlage zwischen den Anschlußelektrodei1. der Widerstandsschicht eine- einen Nehenschluß zu dieser bildende weitere Widerstandsschicht (9, 15) zum Abgleich des Potentiometerwiderstandes aufgetragen ist.
  2. 2. Potentiometer nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß zum Feinabgleich dies Potentiometers der Widerstand ,der den Nebenschluß bildenden Schicht ein Vielfaches. des-eigentlichen Potentiometerwiders,tande.s beträgt.
  3. 3. Potentiometer nach Anspruch i, da-,durch gekennzeichnet, daß der Widerstand ,des Nebenschlusses einen Bruchteil des eigentlichen Potentiometerwiderstandes beträgt.
  4. Verfahren zum Herstellen von Potentio@metern nach Ansprüchen i bis 3, da-.durch gekennzeichnet, daß ein ringförmiger isolierender Trägerkörper, z. B. eine Ringscheibe oder Zylinderstück aus Preßspan @a. dgl., völlig mit einer schlecht leitenden Schicht bedeckt wird, deren Widerstand auf dem den Nebenschluß bildenden Teil in irgendeiner bekannten Weise abgeglichen wird, beispielsweise durch Änderung ihrer Flächenleitfähigkeit oder ihres Querschnittes. -
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß aus dem für den Nebenschluß vorgesehenen Teil bis auf seinen schmalen Verbindungsstreifen Stücke des ringförmigen Trägerkörpers ausgeschnitten oder aasgestanzt werden, der vor- oder nachher mit der Widerstandsschicht (9) bedeckt wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch q., dadurch gekennzeichnet, daß der Abgleich des Nebenschlusses .durch teilweises Entfernen, z. B. Abkratzen der Widerstandsschicht, vorgenommen wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch q., dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand des Nebenschlusses durch Auftragen eines besser leitenden Widerstandsstoffes abgeglichen wird.
DES114598D 1934-07-01 1934-07-01 Potentiometer mit auf einer isolierenden Unterlage aufgetragener Widerstandsschicht Expired DE652202C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE926675C (de) * 1951-02-20 1955-04-21 Preh Elektro Feinmechanik Spannungsteiler, insbesondere Drehspannungsteiler, aus homogenem Widerstandsmaterial
DE3821562C1 (de) * 1988-06-25 1990-02-08 Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De

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