DE681108C - Trockengleichrichter - Google Patents
TrockengleichrichterInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Trockengleichrichter, bei dem jede Zelle aus zwei durch
eine nichtleitende Zwischenschicht getrennten Elektroden bestellt und bei dem. die 1Unsymmetrische
Leitfähigkeit eine Folge der verschiedenein Elektroinenemissionsfähigkeiten
der beiden Elektroden ist.
Bei den bekannten Gleichrichtern ist eine solche nichtleitende Zwischenschicht auf chemischem
Wege oder auf andere Weise aus ■den Werkstoffen der angrenzenden _ Elektroden
gebildet.
Bei dem. Gleichrichter nach der Erfindung besteht die Zwischenschicht aus einem Stoff,
. der unabhängig· von dem Werkstoff der beiden angrenzenden Elektroden gebildet ist. Es
hat sich gezeigt, daß dadurch eine besonders gute Gleichrichterwirkiung erzielt wird, während
andererseits solche Gleichrichter einfächer und billiger als die bekannten hergestellt
werden können.
Man hat bereits bei einer Anordnung mit zwei aus demselben Material (Stahl) bestehenden
Zylindern, von denen der eine unter Zwisehenfügung eines elastischen Abstandhalters
aus Lycopodium-, Kork- oder Silberoxydpulver auf dem anderen Zylinder
ruht, eine Gleichrichterwirkung festgestellt.
Dabei ist jedoch in diesem Fall die Gleichrichterwirkung eine Folge davon, daß die
beiden Zylinder in bezug aufeinander beweglich sind.
Die Anwendung einer Zwischenschicht, die ' unabhängig von dem Werkstoff der beiden
angrenzenden Elektroden gebildet ist, ist auch bei Gleichrichtern mit Elektroden verschiedener
Emissionsfäihigkeit an sich bekannt, aber in diesem Fall bestand die Zwischenschicht
aus einem Leiter oder einem Halbleiter. Es hat sich jedoch herausgestellt,
daß sich nur ganz befriedigende Ergebnisse · erzielen lassen, wenn die Zwischenschicht
nichtleitend ist.
Gemäß der Erfindung besteht im Gegensatz zu den bisher üblichen Gleichrichtern
die Zwischenschicht zweckmäßig aus einem Stoff, der weder für sich noch als Verbindung
in den Werkstoffen der beiden angrenzenden Elektroden enthalten ist.
Vorzugsweise besteht diese Zwischenschicht aus einer Platte oder einem Streifen aus
Kunstharz, Lack, Kollodium, Wasserglas o. dgl.
Eine einfache Herstellungsweise ergibt sich, wenn die Zwischenschicht auf eine der beiden
Elektroden aufgespritzt wird. Jedoch sind
*) Von dem Patentsucher sind als die Erfinder angegeben worden:
Willem Christiaan van Geel und Hendrick Emmens in Eindhoven, Holland.
auch andere Hersteüungsweisen möglich.
Lack z.B. kann auch sehr dünn auf eine der Elektroden auf gestrichen werden.
Bei einer günstigen Ausführungsform des Gleichrichters nach der Erfindung ist die
Zwischenschicht auf eine die 'eine Elektrode bildende Platte oder einen Streifen aufgespritzt,
während die andere Elektrode in an sich bekannter Weise wieder auf diese ίο Zwischenschicht aufgespritzt ist. Dadurch
wird auf sehr einfache Weise ein Gleichrichter von sehr gedrängter Form erhalten.
Wenn geeignete Stoffe gewählt werden, kann ein aus einer großen Anzahl Zellen bestehender
Gleichrichter in der Weise aufgebaut werden, daß die verschiedenen Elektroden- und
Zwischenschichten nacheinander in der angegebenen Weise aufeinander aufgespritzt
werden. Auf eine feste Unterlage wird zuao nächst ein Metall mit guter Emissionsfähigkeit
aufgespritzt. Auf dieses Metall wird dann eine isolierende Schicht, auf diese Isolierschicht
eine Schicht aus einem Stoff mit geringer Emissionsfähigkeit und auf diese wieder
eine Schicht aus dem Metall ,aufgespritzt, mit dem man begonnen hat, usw.
Man kann so eine beliebige Zahl von Zellen zusammenfügen, die man dadurch beliebigin
Reihe oder parallel schalten kann, daß man Anschluß drähte nach außen führt. ■Die Erfindung ist an Hand -der Zeichnung
an einer Ausführungsform 'einer einzelnen
Zelle beispielsweise näher erläutert.
Auf eine als Kathode wirkende Kupferplatte ι ist eine Schicht 2 aus Kunstharz gespritzt
oder gestrichen, gegen die eine aus zusammengesetztem Kupfersulfid bestehende Platte 3 drückt, welche die Anode des Gleichrichters
bildet.
Zwecks Zusammenfügung zu einem mehrzelligen Gleichrichter können z. B. alle Platten
und Schichten der verschiedenen Zellen in der Mitte mit 'einer Öffnung versehen sein,
durch die ein Bolzen .hindurchgesteckt wird, der auf beiden Seiten leine Klemmplatte besitzt.
Durch Anziehen einer Mutter ,am einen Ende des Bolzens werden durch die Klemm- _
platten die verschiedenen Zellen aufeinandergepreßt, so' daß eine gute elektrische und
mechanische Verbindung hergestellt wird.
Für die Kathode können außer dem bereits
erwähnten Kupfer inoch viele andere Stoffe, wie z.B. Zirkonium, Titan, Hafnium,
Thorium o. dgl., verwendet werden. Ebenso eignen sich für die Anode sehr viele verschiedene
Stoffe, wie z. B. Kupferiodid mit einem. Zusatz von freiem Jod, Bleisulfid, Molybdänsulfid, Wolframsulfid, Eisensulfid,
Eisenhammerschlag, Manganoxyd, Silberchlorid mit freiem Jod, Bleiperoxyd, Cadmiumoxyd
0. dgl.
Auch für die Zwischenschicht können verschiedene andere Stoffe außer den schon erwähnten
verwendet werden. Im allgemeinen eignen sich alle Nichtleiter gut, di© sich in
einer dünnen Schicht aufbringen lassen. Zweckmäßig werden natürlich solche Nichtleiter
verwendet, die in einer dünnen Schicht aufgestrichen oder aufgespritzt werden können
und die gleichzeitig ,die Bedingung erfüllen, daß, eine solche Schicht vollkommen
dicht und gegen mechanische und atmosphärische Einflüsse genügend widerstandsfähig
ist.
Claims (6)
1. Trockengleichrichter, bei dem jede
Zelle aus zwei durch eine dünne, feste, nichtleitende Zwischenschicht getrennten
Elektroden besteht, die verschiedene Elektronenemissionsfähigkeiten
besitzen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht unabhängig von dem Werkstoff
der beiden angrenzenden Elektroden gebildet ist.
2. Trockengleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zwischenschicht aus einem Stoff besteht, der weder für sich noch in Form einer
Verbindung in den Werkstoffen 'der beidenangrenzenden
Elektroden enthalten ist.
3. Trockengleichrichter nach Anspruch ι oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zwischenschicht aus einer selir dünnen Platte oder einem Streifen aus
Kunstharz, Lack, Kollodium, Wasserglas
o. dgl. besteht.
4. Trockengleichrichter nach Anspruch ι oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß 'die Zwischenschicht auf eine der beiden
Elektroden aufgespritzt ist.
5. Trockengleichrichter nach Anspruch^
dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht auf eine die eine Elektrode
bildende Platte oder einen Streifen aufgespritzt ist, während die andere Elektrode wieder auf 'diese Zwischenschicht
aufgespritzt ist.
6. Trockengleichrichter nach Anspruch i, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß jede Zelle ,aus einer Kupferplatte besteht, die mit ,einer Kunstharzschicht
bestrichen ist, gegen die eine aus Kupfersulfid bestehende Platte drückt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE970124C (de) * | 1944-01-17 | 1958-09-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
| NL79203C (de) * | 1944-03-04 | |||
| US2452603A (en) * | 1944-04-08 | 1948-11-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Metal contact rectifier |
| US2473884A (en) * | 1946-05-07 | 1949-06-21 | Westinghouse Electric Corp | Contact means |
| NL87381C (de) * | 1950-03-31 | |||
| US2622116A (en) * | 1950-05-13 | 1952-12-16 | Edward B Gregg | Thermoelectric device |
| US2756165A (en) * | 1950-09-15 | 1956-07-24 | Dean A Lyon | Electrically conducting films and process for forming the same |
| BE510386A (de) * | 1951-04-05 | 1900-01-01 | ||
| US2761095A (en) * | 1952-12-08 | 1956-08-28 | Fansteel Metallurgical Corp | Selenium rectifier |
| DE974915C (de) * | 1953-05-02 | 1961-05-31 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einer Lackschicht zwischen Selen und Deckelektrode zur Verwendung fuer Regelzwecke |
| DE975284C (de) * | 1954-02-19 | 1961-11-02 | Licentia Gmbh | Selengleichrichter mit einem auf der Selenschicht oder auf der Traegerelektrode aufgebrachten ringfoermigen Isolierstueck |
| NL106216C (de) * | 1954-11-29 | |||
| US2968014A (en) * | 1959-04-01 | 1961-01-10 | Kentucky Res Foundation | Synthetic stibnite crystal and method for producing the same |
| DE1295700B (de) * | 1964-03-25 | 1969-05-22 | Licentia Gmbh | Selenkleingleichrichter |
| DE3110153A1 (de) * | 1980-03-28 | 1982-05-13 | Berthold H. Dr. 5630 Remscheid Daimler | Verfahren und vorrichtung zur speicherung von energie |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE976574C (de) * | 1939-10-17 | 1963-11-21 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US2002221A (en) | 1935-05-21 |
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| US2137428A (en) | 1938-11-22 |
| BE379606A (de) | 1931-06-30 |
| FR47181E (fr) | 1937-02-06 |
| GB469610A (en) | 1937-07-26 |
| GB378444A (en) | 1932-08-08 |
| BE414231A (de) | |
| DE712674C (de) | 1941-10-23 |
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