DE623502C - - Google Patents
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- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021703 Indifference Diseases 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N gold platinum Chemical compound [Pt].[Au] JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/02—Single bars, rods, wires, or strips
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Description
DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM
24. DEZEMBER 1935
24. DEZEMBER 1935
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
M 623502 KLASSE 21g GRUPPE
Patentiert im Deutschen Reiche vom 16. Februar 1932 ab.
Die Erfindung bezieht sich auf die HerstelluTig
von MetaJlstrichrastern für lichtempfindliche Widerstandszelleini, bei der das
Rastermaterial durch Niederschlagen aus einem gasgefüllten Raum aufgetragen wird,
beispielsweise durch Verdampfen oder durch kathodische Aufstäubung. Die halbleitende
Schicht, die beispielsweise aus Selen oder ThaHmmoxysulfid besteht und deren Widerstand
sich mit der Belichtung ändert, wird dann auf das Raster, das auf diese Weise hergestellt ist, aufgetragen. Von besonderer
Wichtigkeit-ist es, daß die Leitfähigkeit des Rasters trotz größter Feinheit möglichst hoch
'5 ist und daß es weiterhin auch fest an der Unterlage
haftet.
Wegen der erf orderüchen chemischen Indifferenz
wurde bisher allgemein Platin als Rastermetall benutzt. Vor allem zeichnet sich
aber Platin auch dadurch aus, daß es auf der Unterlage sehr fest haftet. Es besitzt aber
den Nachteil, daß sein Widerstand sehr hoch ist, so daß der Widerstand eines Rasterstriches
von ι ο mm Länge und 1Z10 mm Breite
oft bis zu einem Megohm betragen kann.
Um diesen Nachteil zu vermeiden, könnte man zunächst an andere Metalle denken, die
eine höhere Leitfähigkeit als Platin besitzen. Durch Versuche hat sich jedoch ergeben,
daß andere Metalle für den beabsichtigten!
Zweck nicht geeignet sind, da sie nicht genügend festhaften. Aus diesen Gründen ist
man zu einer befriedigenden Lösung bisher nicht gekommen. Man hat zwar schon für
nasse HersteUungsverfahren nach der Druckmethode
mit wäßrigen Metallösungen die gleichzeitige Verwendung von Platin mit Gold für Raster vorgeschlagen; jedoch, haften diesen
bekannten Verfahren wie allen nassen Verfahren Nachteile an, die darin bestehen,
daß sie keine genügend 'engen, störpegelarmen und ,gutleitenden Raster herzustellen
gestatten.
Die Erfindung zeigt nun einen neuen Weg, der es gestattet, die angegebenen Vorteile,
nicht die Nachteile, miteinander zu vereinigen, und zwar wird das MetaHsitriidhraster
gemäß der Erfindung aus Platin sowie einem oder mehreren anderen Metallen in einem
trockenen Verfahren, durch Verdampfen oder Kathodenzerstäubung hergestellt, deren Leitfähigkeit
besser ist als die von Platin. Besonders geeignet ist für diesen Zweck die Verwendung,
von Gold. Die genannten Zusätze erhöhen die Eigenleitfähigkeit des Rasters stark, während der Platingehalt ein sicheres
Haften gewährleistet.
Die Verwendung von Platin-Gold-Legierungen
für Metallstrichraster lichtempfindlicher Zellen ist, wie schon erwähnt, an sich zwar
*i Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
Dr.-Ing. Hermann Kessel in Berlin-Siemensstadt.
bekannt, jedoch, hat man diese Legierungen
bisher nur -für solche Zellen benutzt, bei denen das" Rästermaterial in Form einer Lösung
auf die Unterlage aufgetragen und dann -- durch Einbrennen mit dieser Unterlage innig
vereint wird. Bei diesem Herstellungsiverfahren
spielt die Haftfähigkeit des Materials überhaupt keine RoBe, da das Eindringen in
die Trägeroberfläche während des Einbrentn-Vorganges
in jedem Falle eine ausreichend sichere Vereinigung gewährleistet Anders jedoch
liegen die Verhältnisse, wenin das Rastermaterial, "wie oben ausgeführt, durch Aufdampfen,
durch kathodisch« Aufsitäubung oder in .ähnlicher Weise aufgetragen wird.
Diese Verfahren sind an sich insofern tech- - nisch vorteilhaft, als sie genauere und engere
Raster von gleichmäßigerer Stärke herzustellen gestatten. Erst die Anwendung1 des
Erfindungsgedankens gestattet es, die Schwierigkeiten zu vermeiden, die bedim Niederschlagen
des Rastermaterials aus einem gasgefüllten Raum auftreten und die bei den anderen
Verfahren ohne Bedeutung sind.
-Der Erfindungsgedanke kann auf verschiedene
Weise verwirklicht werden. Man kann beispielsweise zunächst das Platin und dann
erst auf diese Platinschicht das Gold aufstäuben, : oder aber man kann' das Aufstäuben
beider Metalle gleichzeitig- vornehmen. Das letztere/Verfahren wiederum läßt sich in der
Weise durchführen, daß eine Elektrode benutzt wird, die aus einer Legierung der gewünschten Metalle besteht, oder aber man>
kann eine Elektrode benutzen, die aus dem einen Metall, beispielsweise aus Platän, besteht
und die mit dem anderen Metall, beispielsweise mit einem Goldblech', abgedeckt ist. Eine weitere Möglichkeit für die Durchführung
des gleichzeitigen Aufstäubens wäre es, daß man die zu zerstäubende KathodeniofoerfLäche
aus Stücken der betrefiendein Metalle· zusammensetzt.
Als vorteilhaft hat es sich gemäß weiterer
+5 Erfindung herausgestellt, die Kathodenzerstäubung
in einer sauerstofEhaltigeii Atmosphäre
vorzunehmen. Es hat sich nämlich ergeben, daß die Haftfähig'keit des Platins an
aus- Glas bestehenden Rasterträgerin■· -dann
besonders groß ist, -wenm die Zerstäubung in Gegenwart von Sauerstoff vor sich geht. Besonders
günstig ist es, die Zerstäubung in atmosphärischer Luft von geeignetem Unterdruck
vorzunehmen.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung von Metallstrichrasteirn
für lichtempfindliche Widerstandszellen durch Niederschlagen aus einem gasgefüllten Raum, beispielsweise
durch Verdampfen oder durch kathodische Auf stäubung, auf eine isolierende Unterlage, dadurch gekennzeichnet, daß
auf dieser Platin sowie ein oder mehrere andere Metalle niedergeschlagen· werden,
deren Leitfähigkeit besser ist als die von Platin.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Platin in einer
sauerstoffhaltigen Atmosphäre aufgebracht wird. «,
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerstäubung
in Luft von vermindertem Druck erfolgt
4. Verfahren nach Anspruch 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Platin
das andere Metall, insbesondere Gold, aufgestäubt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2 und. 3,
dadurch gekennzeichnet, daß Platin und das oder die anderen Metalle, insbesondere
Gold, gleichzeitig aufgestäubt werden.
6. Ausführung des Verfahrens nach Anspruch 5. mittels Kathodenzerstäubung,
dadurch gekennzeichnet, daß die zu zerstäub ende Kathode aus einer Legierung von Platin und einem oder mehreren anderen
Metallen besteht. 9<>
7. Ausführung des Verfahrens nach Anspruch S mittels Kathodenzerstäubung, dadurch
gekennzeichnet, daß die zu zerstäubende Kathode aus dem einen Metall besteht
und mit dem anderen, beispielsweise; mit Gold, überdeckt ist.
S. Ausführung· des Verfahrens nach An- - Spruch 5 mittels Kathodenzerstäubung, dadurch
gekennzeichnet, daß die zu zerstäubende Oberfläche der Kathode stückweise
aus den gewünschten Metallen, z. B. aus Platin und Gold, gebildet ist.
Berlin, gedruckt in der
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE623502C true DE623502C (de) |
Family
ID=576474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT623502D Active DE623502C (de) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE623502C (de) |
-
0
- DE DENDAT623502D patent/DE623502C/de active Active
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