DE847466C - Selengleichrichter mit Lackzwischenschichten - Google Patents

Selengleichrichter mit Lackzwischenschichten

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DE847466C
DE847466C DE1950S0019304 DES0019304A DE847466C DE 847466 C DE847466 C DE 847466C DE 1950S0019304 DE1950S0019304 DE 1950S0019304 DE S0019304 A DES0019304 A DE S0019304A DE 847466 C DE847466 C DE 847466C
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DE
Germany
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selenium
selenium rectifier
lacquer layers
grid
intermediate lacquer
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Expired
Application number
DE1950S0019304
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English (en)
Inventor
Hans Dr-Phys Lauckner
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Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Original Assignee
Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers

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Description

  • Selengleichrichter mit Lackzwischenschichten 1',,s ist bekannt, die Sl>errsl>aniiung v011 Selentrocketigleichrichtern dadurch ztt erhöhen, daß auf die I fallileiterschiclit eine dünne Zwischenschicht aus Is(ilierntaterial, z. H. aus Lack, aufgebracht wird. I )fiese Zwischeiischicht ist naturgemäß verliiiltiiisiiiiil.lig schmer in gl(#icltniiiliiger Güte herzustellen. Dementsprechend schwanken auch die elelktrischcn Werte (ler si) aufgebauten (Aeiclirichter. Insbesondere ergehen sich Verschiedenheiten in den I@(>rniiereigeiisch;lften, welche sich auf die fertigen (ileiclirichterscheil>en auswirken. (la ja bei einer grüßen Anzahl \(mi Scheiben nicht jede für sich formiert @@er(lcii kaiiii.
  • I?s hat sich nun gezrigt, (lall (;leichrichter mit sehr Eigenschaften erhalten werden, insbesondere ( ;leichrichter finit reproduzierbarer Sherrkennlinie. \venn statt .einer gleichmüßig verteilten l.ackzu-ischenscliiclit eitre rasterartige Lackaufbringung (rf@ilgt, ;o (lall lackhedeckte und -unbedeckte Stellen auf (ler llall(Ieitcrschicht vorliegen. Nach (1(@i- Lackaufbringung wird dann die leckelektrode aujelirmht. \ KAMM werden Strich- oder Punktraster (luirh ein Druckverfahren auf der Selenoberfl:ic he angebracht.
  • \\' ie Versuche ergeben haben, darf inan dabei I nicht iiber eine gewisse Bedeckung der elenschicht hinausgelteii. Diese Bedeckung liegt z. fi. so, daß sich ])ei einem Strichraster, bei welchem o,i 5 iniii breite Streifen der freien SelenoberHÜche mit o.2.; iiiiii breiten Lackstreifen abwechselten, wieder die l?igenschaften einer gleichmäßig verteilten Lackschicht ergeben. Die Bedeckung der Selen-Iliiclie inull also unterhalb dieser Verhältnisse bleiben, wohei bemerkt wird, daß sie abhängig sind voni geometrischen Aufbau des Schichtensysteins, unter au(Ierein also auch abhängig von der Feinheit des Lackrasters.
  • l-)urch die gekennzeichnete Anordnung wird der \Viderstand in I)urchlaßrichtung des Gleichrichters herahgesrtzt, ohne dall die Sperrspannung beeinträchtigt wird. Zur Erklärung dieses Verhaltens kann vermutungsweise darauf hingewiesen werden, daß es sich bei der gekennzeichneten Anordnung tun eine Annäherung an die Verhältnisse des Spitzendetektors handeln mag und daß für die Sperrphase des Gleichrichters andere Stromlinien maßgebend sind als für die Durchlaßphase.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Selengleichrichter, bei welchen zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode eine die Sperrspannung erhöhende Zwischenschicht aus Isoliermaterial vorliegt, dadurch gekennzeichnet, daß diese Zwischenschicht aus einem Raster besteht.
  2. 2. Selengleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Raster aus einem Lack bestellt.
  3. 3. Selengleichrichter nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strich- oder Punktraster vorliegt, welcher z. B. aufgedruckt worden .ist.
DE1950S0019304 1950-09-21 1950-09-21 Selengleichrichter mit Lackzwischenschichten Expired DE847466C (de)

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CH300174D CH300174A (de) 1950-09-21 1951-09-06 Selengleichrichter, bei welchem zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode eine die Sperrspannung erhöhende Zwischenschicht aus Isoliermaterial angeordnet ist.

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971583C (de) * 1951-09-07 1959-02-19 Siemens Ag Trockengleichrichter
DE1205195B (de) * 1962-09-10 1965-11-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-, insbesondere Selengleichrichter-Tabletten, mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE971583C (de) * 1951-09-07 1959-02-19 Siemens Ag Trockengleichrichter
DE1205195B (de) * 1962-09-10 1965-11-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-, insbesondere Selengleichrichter-Tabletten, mit einer im Verhaeltnis zu ihrer Gesamtflaeche kleinen aktiven Flaeche

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Publication number Publication date
CH300174A (de) 1954-07-15

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