DE922726C - Photozelle zum Umsetzen von Licht in Strom- oder Spannungsaenderungen aus einem Halbleiter - Google Patents

Photozelle zum Umsetzen von Licht in Strom- oder Spannungsaenderungen aus einem Halbleiter

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DE922726C
DE922726C DES25679D DES0025679D DE922726C DE 922726 C DE922726 C DE 922726C DE S25679 D DES25679 D DE S25679D DE S0025679 D DES0025679 D DE S0025679D DE 922726 C DE922726 C DE 922726C
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DE
Germany
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semiconductor
current
converting light
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photo cell
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Expired
Application number
DES25679D
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English (en)
Inventor
Hans Dr Kerschbaum
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

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  • Electromagnetism (AREA)
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Description

  • Photozelle zum Umsetzen von Licht in Strom- oder Spannungsänderungen aus einem Halbleiter Im Patent 9I57I8 werden Einrichtungen zur Umsetzung von Licht in Strom- oder Spannungsänderungen beschrieben, bei denen eine elektromotorischie Kraft erzeugt wird, wenn das auf die Zelle fallende Licht die Berührungsfläche zwischen einem Halbleiter und einer lichtdurchlässigen Elektrode durchdringt. Als Halbleiter können Solen, Tellur und ähnliche Körper Verwendung finden. Das Patent 915 718 richtet sich auf eine Steigerung der Empfindlichkeit derartiger lichtelektrischer Zellen dadurch, daß dem Halbleiter Metalle oder Metallverbindungen, und zwar Alkalimetalle oder deren Verbindungen, zugesetzt werden.
  • Gemäß der Erfindung werden statt der Alkalimetalle als zuzusetzende Substanzen die Erdmetalle oder ihre Verbindungen gewählt. Durch den Zusatz dieser Metalle zum Halbleiter wird die Sperrwirkung an der Berührungsfläche zwischen Halbleiber und wirksamer Elektrode wesentlich erhöht, was eine Steigerung der in elektrische Energie umgesetzten Lichtenergie zur Folge hat. Außerdem zeigen die mit den genannten Zusätzen versehenen Halbleiterschichten einen geringeren elektrischen Widerstand als die reinen Halbleiter.
  • Als besonders wirkungsvoll haben sich Thorium, Zirkon und Cer gezeigt, wobei es sehr vorteilhaft ist, daß diese Metalle die Halbleiterschicht besonders widerstandsfähig gegen Einflüsse der Atmospäre machen. Sie sind auch wirksam, wenn sie bereits vom Gewinnungsverfahren der Halbleiter her in ihnen enthalten sind.
  • Es genügt in den meisten Fällen, den Gehalt an Zusätzen unterhalb 2% zu wählen. Dabei können mehrere verschiedene Metalle gleichzeitig zur Anwendung gelangen. Auch ist es gleichgültig, :ob die Metalle in Form ihrer Verbindungen oder in elementaner Form zugesetzt werden.
  • Die Herstellung der neuen Photozellen kann z. B. in der Weise erfolgen, daß geschmolzenem Selen das zuzusetzende Metall in, pulveriger Form beigefügt wird. Nach dem Erhärten des Halbleiters wird derselbe im die metallische Modifikation übergeführt, formiert und mit Elektroden versehen. Dabei hat ges sich als unwesentlich herausgestellt" in welcher Form sieh das zugesetzte Mittel mit der Halbleiterschicht verbindet. Es können sowohl Legierungen, Mischungen als auch chemische Verbindungen auf treten.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Photozelle zur Umsetzung von Lischt in Strom- oder Spannungsänderungen aus einem Halbleiter, welchem Metalle oder Metallverbindungen zugesetzt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht Erdmetalle enthält.
  2. 2. Photozelle nach Ansprach I, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht Thorium, Zirkon, oder Cer, vorzugsweise in Mengen unter 2 %, !enthält.
DES25679D 1931-01-09 1931-01-10 Photozelle zum Umsetzen von Licht in Strom- oder Spannungsaenderungen aus einem Halbleiter Expired DE922726C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1075238B (de) * 1960-02-11 Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien Selenphotoelement

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