DE744016C - Verfahren zur Herstellung von Photowiderstands-Flaechenzellen mit durchscheinender Deckelektrode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Photowiderstands-Flaechenzellen mit durchscheinender Deckelektrode

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DE744016C
DE744016C DEP81016D DEP0081016D DE744016C DE 744016 C DE744016 C DE 744016C DE P81016 D DEP81016 D DE P81016D DE P0081016 D DEP0081016 D DE P0081016D DE 744016 C DE744016 C DE 744016C
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DE
Germany
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production
translucent cover
cover electrode
surface cells
photoresist surface
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DEP81016D
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Dr Rudolf Frerichs
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Osram GmbH
Original Assignee
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von PhotowiderÜands-Flächenzellen mit durchscheinender Deckelektrode Es ist durch Versuche nachgewiesen worden, daß sog. Pliotoleiter, z. B. besonders präpariertes Zink- oder CadmiumsLdfid, in kleinkristalliner 'F&im zur Anfertigung sehr leistungsfähiger Photowiderstände benutzt werden können, wenn man sie in einem flüssigen Isolator aufschlämmt und mit diesem zusammen auf ein auf Glas geteiltes leitendes Doppelkammraster aufträgt. Beim Anieg gen einer Spannung g an das Raster ziehen sich dann die Teilchen unter der Wirkung des elektrischen Feldes so eng in die Zwischenräume zwischen den Rasterstrichen, daß man auf diese Weise Photo-,viderstände herstellen kann, die gegenüber den bekannten Selen- und Thallofidwiderständen sehr günstige Eigenschaften, z.B. auch ein wesentlich vermindertes elektrisches Rauschen, aufweisen. Es ist selbstverständlich., daß derartige Photowiderstände um so bessere photoelektrische Eigenschaften haben, je vollkommener die Berührung der einzelnen Körnchen, untereinander ist, je dichter diesc also gepackt sind. Nun ist die Herstellung C .von Einkristallen oder Keramiken aus derahigen Photoleitern infolge der bei den notwendigen hohen Temperaturen auftretenden Dissoziationserscheinungen schwierig.
  • Geggenstand der vorliegenden Effindung ist nun ein Verfahren zur Herstellung von Photowiderstands-Flächenzellen mit durchschein-en-,der Deckelektrode, das darin, besteht, daß die in Alkohol, Ketonen oder ähnlichen isolierenden Flüssigkeiten fein geschlämmten Photoleiter elektrophoretisch auf einer leitenden Unterlage niedergeschlagen -werden. Diese Verfahrensart hat sich bereits vielfach bei der Herstellunganderer dichter Schichten aus isolierenden Stoffen auf Metallunterla,gen, z.B. BaCO3- oder AI.03-Schichteii, bewährt. Bei dem Verfahren Bach der Erfindung werden die photoempfindlichen Stoffe fein gemahlen, etwa bis zur Größe einiger ii, und in einem nichtwäßrigen Mittel, Z. B. einem Alkohol oder einem Keton, aufgeschlämmt. Die zu überzieliende Metallplatte wird in die Aufschlämmung zusammen init einer zweiten Elektrode eingetaucht, und nach Anlegen einer hinreichenden Spannung mit einer Polarität, die sich nach der Ladung der betreffenden Teilchen im Lösungsmittel richtzt -, schlägt sich eine dichte, dünne Schicht auf der Platte nieder. Infolge der starken wirksamen elektrischen Kräfte bei der Ausbildung dieser Schicht lagern sich die Teilchen außerordentlich en- aneinander, so daß die übergangswiderstände in der fertigen Schicht gering -werden. Es ist der besondere Vorteil dieses Verfahrens-, daß die so hergestellten Schichten vollkommen dicht sind; denn die Teilchen werden ja gerade an die Stellen gezogen, an denen die Metallunterlage mit der Aufschlämmung in Berührung steht. Man kann also auf diese Weise löcherlose Photoleiters,eilichten herstellen, wie sie besonders bei der Herstellung von solchen Photowiderständen erforderlich sind, bei denen die photoelektrisch wirksame Schicht sich zwischen einer metallischen Rückwand und einer halbdurchsichtigen zweiten Elektrode befindet. Bei einem derartigen Photowiderstand würde das kleinste Loch in der Schicht bei der Aufdampfun- oder kathodischen Aufstäubung der durchsichtigen Elektrode zu einem Kurzschluß mit der Unterlage führen. Ebenfalls lassen sich auf diese Weise sehr gleichmäßig löcher- und kornlose Photoleitlerschichten herstellen, wie sie z. B. bei bestimmten elek- tronischen Geräten, z. B. den Glimmlichtbilldwandlern oder anderen auf der Widerstandsverringerung von lichtbestrahlten Photoleitern beruhenden Bildwandlern und elektronen-&ptischen Abtastgeräten, benötigt -,ierden.
    besonderen Eigenschaften der Photo-
    ermöglichen feiner bei dem elektro-
    PMetischen Verfahren die Teilchen wahlweise als Leiter oder als Isolatoren zu behandeln', je nachdem die Elektrophorese bei Bestrahlung mit geeignetem Licht oder bei Dunkelheit durchgeführt wird.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Photowiderstands-Flächenzellen mit durchscheinender Deckelektrode, dadurch g#-kennzeichnet, daß die in Alkohol, Ketonen oder ähnlichen isolierenden Flüssigkeiten fein geschlämmten Photoleiter clektrophoretisch auf einer leitenden Unterlage niedergeschlagen werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrophorese zur Einstellung einer hierzti -cei-neten EigenIeitfähigkeit der Teilchen bei Bestrahlung durch Licht einer bestimmten Wellenlänge oder iiii Dunkeln durchgeführt wird. 3. Anwendung einer nach dem Verfahren nach Anspruch i und 2 hergestelltenFlächenzelle in Glinimbildwandlern und elektronenoptischen Abtast- oder Bild-,wandlergeräten.
DEP81016D 1940-07-20 1940-07-20 Verfahren zur Herstellung von Photowiderstands-Flaechenzellen mit durchscheinender Deckelektrode Expired DE744016C (de)

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DE (1) DE744016C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE975450C (de) * 1949-07-20 1961-11-30 Sylvania Electric Prod Elektrolumineszenzlampe

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE975450C (de) * 1949-07-20 1961-11-30 Sylvania Electric Prod Elektrolumineszenzlampe

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