DE837424C - Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten - Google Patents

Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten

Info

Publication number
DE837424C
DE837424C DEW4038A DEW0004038A DE837424C DE 837424 C DE837424 C DE 837424C DE W4038 A DEW4038 A DE W4038A DE W0004038 A DEW0004038 A DE W0004038A DE 837424 C DE837424 C DE 837424C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cadmium sulfide
layer
layers
light
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW4038A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Karl Weiss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KARL WEISS DR
Original Assignee
KARL WEISS DR
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KARL WEISS DR filed Critical KARL WEISS DR
Priority to DEW4038A priority Critical patent/DE837424C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE837424C publication Critical patent/DE837424C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B17/00Sulfur; Compounds thereof
    • C01B17/20Methods for preparing sulfides or polysulfides, in general
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

  • Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten In der Technik wird häufig ein elektrischer Strom durch Licht gesteuert, wobei Anwendung vom inneren oder äußeren lichtelektrischen Effekt gemacht wird. Für viele Zwecke ist erforderlich, daß der Stoff. der dafür benutzt wird, im unbelichteten Zustand vollkommen isoliert. Bei Belichtung soll dagegen eine möglichst hohe Empfindlichkeit erzielt werden. Nach dem Stand der heutigen Technik genügen einige kleinflächenförmige Zellen diesen leiden Forderungen. Ihr Nachteil besteht darin, claß sie klein sind und keine glatte Oberfläche besitzen. Dadurch ist ihre Anwendung von vornherein begrenzt, und Probleme, die eine glatte und größere hl;iche verlangen, können so nicht gelöst werden. Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung einer glasigen, hochisolierenden, lichtempfindlichen, beliebig großflächenförmigen Schicht. IhreEmpfindlichkeit liegt im Sichtbaren. Als Ausgangsmaterial dient technisches, reines Cadmiumsulfid (ebenso können andere Stoffe, wie Bleisulfid, Antimonsulfid usw., aufgedampft werden). Das Aufdampfen erfolgt bei einer Temperatur der Unterlagen zwischen 300 und 55o° C. Ein Optimum der Empfindlichkeit wird bei einer Temperatur der Unterlage zwischen 380 und 420° C erhalten. Die so erhaltenen Schichten bedurften keiner Nachbehandlung mehr, wie Tempern, Schrecken usw. Ihre Dicke betrug I bis loo /s, ihr spezifischer Widerstand ioe bis iol() 0 cm, und die Empfindlichkeit to-3 A/Lm (angelegte Feldstärke 30o V/cm). Mit einem Verstärker konnten io-19 Watt eingestrahlte Leistung nachgewiesen werden, ebenso mit einem Galvanometer. (Empfin.dlichkeit des Galvanometers 3 - io-9 A/Skt.) Die Zelle war an den Verstärker schlecht angepaßt und mußte zusätzlich mit Gleichlicht bestrahlt werden, da ihr Widerstand zu groß war. Das Eigenrauschen lag unterhalb des des Verstärkers. -Mit einem besser angepaßten Verstärker läßt sich bestimmt eine kleinere Leistung nachweisen.
  • Eine Verbesserung in der Beschaffenheit der Schicht wurde erreicht durch Verwendung von Hartglas. Bei 4oo° C erfolgen hei gewöhnlichem Lilas häufigGasausbrüche, wodurch die lichtempfindliche Schicht verdorben wird.
  • Nach dem beschriebenen Verfahren lassen sich für folgende Verwendungszwecke Schichten herstellen: t. Cadmiumsulfidzelleli mit großer Fläche.
  • 2. Infolge der hohen Isolation ist es möglich, die Zellen mit Vorder- und Hinterwandelektroden zu versehen. So wirkt die Flächenzelle auch als hochempfindliche Punktzelle. Die Dicke beträgt i bis 100 11.
  • 3. Infolge ihrer Hochohmigkeit ist es möglich, die Zellen mit Rasterelektroden zu versehen. Es können dadurch Photoströme von i Amp. und mehr erzielt werden. Viele Aufgaben der Technik lassen sich so ohne Verstärker und Relais lösen.
  • @. Dadurch, daß die Spiegel hochohmig, glasig, sehr lichtempfindlich sind, ist es möglich, sie als Lichtverstärker zu verwenden. Man könnte so für viele Zwecke mit geringerer Lichtstärke auskommen, z. B. bei der Aufnahme von Filmen.
  • ;. Im Fernsehen verwendet man 'llosaikkathodeti, um ein Bild in Sendeimpulse umzusetzen. NI it einer Photokathode aus CdS könnte man dieselbe Wirkung ohne Mosaikkathode erreichen. Die Arbeitsweise erfolgt ähnlich der des Ikonoskops oder Elektronenspiegels.
  • 6. Durch Beschießen mit schnellen Elektronen und anderen Strahlen werden im Innern der Schicht Sekundärelektronen ausgelöst. Man kann so die Schichten zum Nachweis und zur Messung von Elektronen-, Röntgen-, a-Strahlen und andere verwenden. 7. Außerdem lassen sich damit kornlose Leuchtschirme herstellen, wodurch das Auflösungsvermögen von elektronen- und röntgenoptischen Systemen gesteigert werden kann.

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen, beliebig großflächenförmigen Cad'miumsulfid-Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß CdS .auf eine Unterlage zwischen 300 bis 55o° C aufgedampft wird, wodurch äußerst lichtempfindliche. Schichten erhalten werden, deren Dunkelleitfähigkeit und Empfindlichkeit weitgehend regelbar sind.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage Hartglas verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das :Ausgangsmaterial technisches, reines CdS ist.
  4. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, claß die Zelle mit Vorder- und Hinterwandelektrode versehen wird und so die Flächenzelle auch als Punktzelle benutzbar ist.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Schicht Rasterelektroden aufgebracht Nverden, so daß große Ströme erzielt werden und ohne Verstärker und Relais zu arbeiten ist.
  6. 6. Cadmiumsulfid-Schicht, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht als Lichtverstärker dient, z. B. im Elektronenspiegel.
  7. 7. Cadmiumsulfid-Schiclit, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie in Fernsehröhren eingebaut ist. B. Cadmiumsulfid-Schicht, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht zum Nachweis und zur Messung von Elektronen-, Röntgen, a-Strählen usw. dient. g. Cadmiumsulfid-Schicht, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie als kornloser Leuchtschirm dient.
DEW4038A 1950-09-30 1950-09-30 Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten Expired DE837424C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW4038A DE837424C (de) 1950-09-30 1950-09-30 Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW4038A DE837424C (de) 1950-09-30 1950-09-30 Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE837424C true DE837424C (de) 1952-04-28

Family

ID=7592158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW4038A Expired DE837424C (de) 1950-09-30 1950-09-30 Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE837424C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1032669B (de) * 1953-03-17 1958-06-19 Haloid Co Lichtempfindliches Material zur Erzeugung eines latenten Ladungsbildes
DE1136429B (de) * 1954-08-23 1962-09-13 Gen Electric Sichtbares Licht emittierender Strahlungsverstaerker in Form eines von einem elektrischen Gleichfeld beaufschlagten Leuchtschirmes
DE976126C (de) * 1951-01-24 1963-04-04 Walter Dr Gieseke Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kristallinen Metallsulfiden, -seleniden oder -telluriden mit Halbleitereigenschaften

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE976126C (de) * 1951-01-24 1963-04-04 Walter Dr Gieseke Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kristallinen Metallsulfiden, -seleniden oder -telluriden mit Halbleitereigenschaften
DE1032669B (de) * 1953-03-17 1958-06-19 Haloid Co Lichtempfindliches Material zur Erzeugung eines latenten Ladungsbildes
DE1136429B (de) * 1954-08-23 1962-09-13 Gen Electric Sichtbares Licht emittierender Strahlungsverstaerker in Form eines von einem elektrischen Gleichfeld beaufschlagten Leuchtschirmes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1087698B (de) Verfahren und Einrichtung zum Betrieb elektrolumineszierender Zellen
DE2945156C2 (de)
DE837424C (de) Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten
DE3638893C2 (de)
DE1052001B (de) Lichtelektrische Vorrichtung mit Bleioxydschicht als Photoleiter und Verfahren zu deren Herstellung
DE1162001B (de) Elektronenentladungsvorrichtung, insbesondere Fernsehaufnahmeroehre
DE2250184C3 (de) Optisches Relais, das ein photoleitendes Element enthält
DE941545C (de) Elektronenentladungsvorrichtung
DE2707129A1 (de) Photoverstaerker
DE2156427A1 (de) Abbildungs-Speichertafel für die Wiedergabe eines Bildes einfallender Strahlung
DE1537148A1 (de) Bildwandlerroehre
DE1935730C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Festkorperspeicherplatte
DE2231650C3 (de)
DE2152733C3 (de) Halbleiterspeicherelektrode für eine Bildaufnahmeröhre und Verfahren zur Herstellung einer solchen Elektrode
DE645331C (de) Photoelektrische Hochvakuumzelle hoher Leistung
DE2415466A1 (de) Photokathode
DE1144417B (de) Bildverstaerker sowie Anwendungsmoeglichkeiten desselben
DE1462101B1 (de) Verfahren zum herstellen einer photokonduktiven bildelektrode fuer bildaufnahmeroehren
DE665698C (de) Verfahren zur Abtastung eines speichernden Photozellenmosaiks
DE1297652B (de) Bildaufnahmeroehre mit einer Speicherplatte mit einer poroesen, Sekundaerelektronen emittierenden Schicht
DE2641041A1 (de) Bildwiedergabe
DE895911C (de) Speicherelektrode fuer Bildzerlegerroehren
DE1022091B (de) Lichtempfindliches xerographisches Material
DE897295C (de) Vorrichtung zum Festhalten kurzzeitig aufgenommener Vorgaenge
DE2309146C3 (de) Lichtempfindliche Halbleitervorrichtung