DE837424C - Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten - Google Patents
Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-SchichtenInfo
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Description
- Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten In der Technik wird häufig ein elektrischer Strom durch Licht gesteuert, wobei Anwendung vom inneren oder äußeren lichtelektrischen Effekt gemacht wird. Für viele Zwecke ist erforderlich, daß der Stoff. der dafür benutzt wird, im unbelichteten Zustand vollkommen isoliert. Bei Belichtung soll dagegen eine möglichst hohe Empfindlichkeit erzielt werden. Nach dem Stand der heutigen Technik genügen einige kleinflächenförmige Zellen diesen leiden Forderungen. Ihr Nachteil besteht darin, claß sie klein sind und keine glatte Oberfläche besitzen. Dadurch ist ihre Anwendung von vornherein begrenzt, und Probleme, die eine glatte und größere hl;iche verlangen, können so nicht gelöst werden. Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung einer glasigen, hochisolierenden, lichtempfindlichen, beliebig großflächenförmigen Schicht. IhreEmpfindlichkeit liegt im Sichtbaren. Als Ausgangsmaterial dient technisches, reines Cadmiumsulfid (ebenso können andere Stoffe, wie Bleisulfid, Antimonsulfid usw., aufgedampft werden). Das Aufdampfen erfolgt bei einer Temperatur der Unterlagen zwischen 300 und 55o° C. Ein Optimum der Empfindlichkeit wird bei einer Temperatur der Unterlage zwischen 380 und 420° C erhalten. Die so erhaltenen Schichten bedurften keiner Nachbehandlung mehr, wie Tempern, Schrecken usw. Ihre Dicke betrug I bis loo /s, ihr spezifischer Widerstand ioe bis iol() 0 cm, und die Empfindlichkeit to-3 A/Lm (angelegte Feldstärke 30o V/cm). Mit einem Verstärker konnten io-19 Watt eingestrahlte Leistung nachgewiesen werden, ebenso mit einem Galvanometer. (Empfin.dlichkeit des Galvanometers 3 - io-9 A/Skt.) Die Zelle war an den Verstärker schlecht angepaßt und mußte zusätzlich mit Gleichlicht bestrahlt werden, da ihr Widerstand zu groß war. Das Eigenrauschen lag unterhalb des des Verstärkers. -Mit einem besser angepaßten Verstärker läßt sich bestimmt eine kleinere Leistung nachweisen.
- Eine Verbesserung in der Beschaffenheit der Schicht wurde erreicht durch Verwendung von Hartglas. Bei 4oo° C erfolgen hei gewöhnlichem Lilas häufigGasausbrüche, wodurch die lichtempfindliche Schicht verdorben wird.
- Nach dem beschriebenen Verfahren lassen sich für folgende Verwendungszwecke Schichten herstellen: t. Cadmiumsulfidzelleli mit großer Fläche.
- 2. Infolge der hohen Isolation ist es möglich, die Zellen mit Vorder- und Hinterwandelektroden zu versehen. So wirkt die Flächenzelle auch als hochempfindliche Punktzelle. Die Dicke beträgt i bis 100 11.
- 3. Infolge ihrer Hochohmigkeit ist es möglich, die Zellen mit Rasterelektroden zu versehen. Es können dadurch Photoströme von i Amp. und mehr erzielt werden. Viele Aufgaben der Technik lassen sich so ohne Verstärker und Relais lösen.
- @. Dadurch, daß die Spiegel hochohmig, glasig, sehr lichtempfindlich sind, ist es möglich, sie als Lichtverstärker zu verwenden. Man könnte so für viele Zwecke mit geringerer Lichtstärke auskommen, z. B. bei der Aufnahme von Filmen.
- ;. Im Fernsehen verwendet man 'llosaikkathodeti, um ein Bild in Sendeimpulse umzusetzen. NI it einer Photokathode aus CdS könnte man dieselbe Wirkung ohne Mosaikkathode erreichen. Die Arbeitsweise erfolgt ähnlich der des Ikonoskops oder Elektronenspiegels.
- 6. Durch Beschießen mit schnellen Elektronen und anderen Strahlen werden im Innern der Schicht Sekundärelektronen ausgelöst. Man kann so die Schichten zum Nachweis und zur Messung von Elektronen-, Röntgen-, a-Strahlen und andere verwenden. 7. Außerdem lassen sich damit kornlose Leuchtschirme herstellen, wodurch das Auflösungsvermögen von elektronen- und röntgenoptischen Systemen gesteigert werden kann.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen, beliebig großflächenförmigen Cad'miumsulfid-Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß CdS .auf eine Unterlage zwischen 300 bis 55o° C aufgedampft wird, wodurch äußerst lichtempfindliche. Schichten erhalten werden, deren Dunkelleitfähigkeit und Empfindlichkeit weitgehend regelbar sind.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage Hartglas verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das :Ausgangsmaterial technisches, reines CdS ist.
- Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, claß die Zelle mit Vorder- und Hinterwandelektrode versehen wird und so die Flächenzelle auch als Punktzelle benutzbar ist.
- 5. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Schicht Rasterelektroden aufgebracht Nverden, so daß große Ströme erzielt werden und ohne Verstärker und Relais zu arbeiten ist.
- 6. Cadmiumsulfid-Schicht, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht als Lichtverstärker dient, z. B. im Elektronenspiegel.
- 7. Cadmiumsulfid-Schiclit, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie in Fernsehröhren eingebaut ist. B. Cadmiumsulfid-Schicht, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht zum Nachweis und zur Messung von Elektronen-, Röntgen, a-Strählen usw. dient. g. Cadmiumsulfid-Schicht, hergestellt nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie als kornloser Leuchtschirm dient.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEW4038A DE837424C (de) | 1950-09-30 | 1950-09-30 | Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten |
Applications Claiming Priority (1)
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| DEW4038A DE837424C (de) | 1950-09-30 | 1950-09-30 | Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE837424C true DE837424C (de) | 1952-04-28 |
Family
ID=7592158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEW4038A Expired DE837424C (de) | 1950-09-30 | 1950-09-30 | Herstellung von hochempfindlichen Cadmiumsulfid-Schichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE837424C (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1032669B (de) * | 1953-03-17 | 1958-06-19 | Haloid Co | Lichtempfindliches Material zur Erzeugung eines latenten Ladungsbildes |
| DE1136429B (de) * | 1954-08-23 | 1962-09-13 | Gen Electric | Sichtbares Licht emittierender Strahlungsverstaerker in Form eines von einem elektrischen Gleichfeld beaufschlagten Leuchtschirmes |
| DE976126C (de) * | 1951-01-24 | 1963-04-04 | Walter Dr Gieseke | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kristallinen Metallsulfiden, -seleniden oder -telluriden mit Halbleitereigenschaften |
-
1950
- 1950-09-30 DE DEW4038A patent/DE837424C/de not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE976126C (de) * | 1951-01-24 | 1963-04-04 | Walter Dr Gieseke | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kristallinen Metallsulfiden, -seleniden oder -telluriden mit Halbleitereigenschaften |
| DE1032669B (de) * | 1953-03-17 | 1958-06-19 | Haloid Co | Lichtempfindliches Material zur Erzeugung eines latenten Ladungsbildes |
| DE1136429B (de) * | 1954-08-23 | 1962-09-13 | Gen Electric | Sichtbares Licht emittierender Strahlungsverstaerker in Form eines von einem elektrischen Gleichfeld beaufschlagten Leuchtschirmes |
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