DE102011108089B4 - Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung Download PDF

Info

Publication number
DE102011108089B4
DE102011108089B4 DE102011108089.2A DE102011108089A DE102011108089B4 DE 102011108089 B4 DE102011108089 B4 DE 102011108089B4 DE 102011108089 A DE102011108089 A DE 102011108089A DE 102011108089 B4 DE102011108089 B4 DE 102011108089B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silver
solution
process step
pyrrolidone
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102011108089.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011108089A1 (de
Inventor
Julia Fritsch
Benjamin Schumm
Julia Grothe
Stefan Kaskel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technische Universitaet Dresden
Original Assignee
Technische Universitaet Dresden
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technische Universitaet Dresden filed Critical Technische Universitaet Dresden
Priority to DE102011108089.2A priority Critical patent/DE102011108089B4/de
Priority to PCT/EP2012/063504 priority patent/WO2013010858A1/de
Priority to EP12733165.0A priority patent/EP2735002B1/de
Publication of DE102011108089A1 publication Critical patent/DE102011108089A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011108089B4 publication Critical patent/DE102011108089B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys

Abstract

Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber auf einer Oberfläche von Substraten, bei dem in einem ersten Verfahrensschritt Silbernitrat und 2-Pyrrolidon in einem Lösungsmittel, bevorzugt Wasser oder einem Ethanol-Wassergemisch gelöst und dabei durch Komplexierung die Bildung von [Ag(Pyl)2]NO3 erfolgt und im Anschluss an diesen Verfahrensschritt in einem zweiten Verfahrensschritt die Lösung auf eine Oberfläche des zu beschichtenden Substrats aufgebracht und dann in einem dritten Verfahrensschicht eine chemische Reduktion, die zur Trennung von Silber von den anderen enthaltenen chemischen Komponenten führt, durch eine Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum des UV-Lichts über einen Zeitraum von mindestens 15 min und im Anschluss daran bei einem vierten Verfahrensschritt eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von maximal 500°C, bevorzugt bei 220°C über einen Zeitraum von mindestens 30 min, bevorzugt 60 min durchgeführt und dabei eine zumindest nahezu ausschließlich aus Silber gebildete Schicht auf der Oberfläche des Substrats erhalten wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber auf einer Oberfläche von Substraten, einen Silberkomplex und eine Lösung des Silberkomplexes sowie die Verwendung einer Silberkomplex-Lösung. Sie kann bevorzugt für die Herstellung elektrisch leitender Strukturelemente, wie Elektroden oder Leiterbahnen, die auch optisch transparent sein können, eingesetzt werden, wie dies beispielsweise bei Dünnschichtsolarzellen oder Leuchtdioden der Fall ist.
  • Für diese Anwendungen ist der Einsatz unterschiedlicher Stoffe, wie z. B. elektrisch leitfähiger Oxide (TCO's), Modifikationen von Kohlenstoff (CNT's), elektrisch leitfähiger Polymere und von Metallen bekannt. Bis auf die Metalle weisen die anderen Stoffe jedoch einen erhöhten elektrischen Widerstand auf, wenn die ausgebildeten Schichten auch optisch transparent sein sollen. Zusätzlich ist ihr Einsatz mit erhöhten Kosten verbunden.
  • Metallschichten, die bevorzugt aus Silber hergestellt werden, können bisher in der erforderlichen Dicke lediglich mit bekannter Vakuumbeschichtungstechnik, in der erforderlichen Homogenität bei gleichzeitiger Einhaltung ausreichender optischer Transparenz, hergestellt werden, was ebenso die Herstellungskosten anhebt.
  • Außerdem sind verschiedene Möglichkeiten für die Reduktion von Silberverbindungen zu reinem Silber bekannt. Dabei ist aber ein hoher Aufwand und/oder ein erhöhter Energieeinsatz erforderlich.
  • Aus der DE 10 2009 034 822 A1 ist ein elektronisches Bauelement bekannt, das ein Substrat, wenigstens eine auf dem Substrat angeordnete, erste Elektrode und auf der dem Substrat zugewandten Seite der Elektrode eine Aufwachsschicht, aufweist, wobei die auf der Aufwachsschicht angeordnete Elektrode eine Metallschicht mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30 nm aufweist und die Aufwachsschicht eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist.
  • Aus der JP 10-241661 A ist eine Elektrode, die eine organische Disulfid-Verbindung beinhaltet, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung bekannt.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Möglichkeiten für eine Herstellung elektrisch leitfähiger dünner Schichten auf Substratoberflächen anzugeben, die kostengünstig und flexibel herstellbar sind und eine einfache Möglichkeit für eine Reduktion einer Silberverbindung zu reinem Silber anzugeben.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Verfahren, das die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Der Anspruch 7 betrifft einen Silberkomplex und der Anspruch 8 eine Lösung des Silberkomplexes. Eine Verwendung ist im Anspruch 12 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können mit in untergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen erreicht werden.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber auf einer Oberfläche von Substraten wird so vorgegangen dass, in einem ersten Verfahrensschritt Silbernitrat (AgNO3) und 2-Pyrrolidon in einem Lösungsmittel, bevorzugt Wasser oder einem Ethanol-Wassergemisch gelöst werden. Es können beispielsweise auch Wasser/Aceton oder Wasser/THF als Lösungsmittel eingesetzt werden.
  • Im Anschluss an das Lösen kann die erhaltene Lösung direkt einem zweiten Verfahrensschritt unterzogen werden. Es ist aber günstig, dass die Lösung bei Raumtemperatur unter Ausschluss von Licht über mehrere Tage gehalten wird, und dabei ein Verdampfen von Flüssigkeit erfolgt.
  • An Stelle von 2-Pyrrolidon könnte man auch 3-Pyrrolidon einsetzen. Aufgrund der abweichenden Sauerstoffatomposition könnte eine andere Kristallstruktur und ein etwas anderes Reduktionsverhalten zu Silber auftreten.
  • Im Anschluss an diesen Verfahrensschritt wird in einem zweiten Verfahrensschritt die Lösung auf eine Oberfläche des zu beschichtenden Substrats aufgebracht und dann nachfolgend in einem dritten Verfahrensschicht eine chemische Reduktion, die zur Trennung von Silber von den anderen enthaltenen chemischen Komponenten führt, durch eine Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum des UV-Lichts über einen Zeitraum von mindestens 15 min, bevorzugt 20 min durchgeführt. Im Anschluss daran wird bei einem vierten Verfahrensschritt eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von maximal 500°C, bevorzugt bei 250°C, besonders bevorzugt 220°C über einen Zeitraum von mindestens 30 min, bevorzugt 60 min durchgeführt und dabei eine zumindest nahezu ausschließlich aus Silber gebildete Schicht auf der Oberfläche des Substrats erhalten. In der Schicht können dabei Reste anderer chemischer Elemente und Verbindungen mit einem Anteil < 2% verbleiben.
  • Die maximale Temperatur richtet sich dabei nach der für ein zu beschichtendes Substrat zulässigen Temperatur und ggf. nach der Schmelztemperatur von Silber. So sollte der Substratwerkstoff durch die eingesetzte Temperatur nicht negativ beeinträchtigt werden und sich zumindest weder verformen noch chemisch reagieren. Es sollten auch Diffusionsprozesse mit im Substratwerkstoff enthaltenen Komponenten vermieden werden.
  • Im ersten Verfahrensschritt wird aus dem Silbernitrat und dem 2-Pyrrolidon [Ag(Pyl)2]NO3-(C8H14Ag1N3O5) als Komplex gebildet, der kristallisieren kann. Dabei bildet sich die monokline Raumgruppe C2/c (No. 15) mit vier Formeleinheiten zu einer Zelleinheit. Die asymmetrische Einheit enthält die 2-Pyrrolidonmoleküle, ein halbes Silberatom, ein halbes Nitratanion, die bestimmte Positionen einer zweifachen Achse, von denen eine durch die N1-O4 Bindung führt, besetzen, wie dies aus der Darstellung von 1 hervorgeht.
  • Das Silberatom weist eine gestörte irreguläre AgO6 Geometrie auf, die aus zwei Sauerstoffatomen eines Pyrrolidonmoleküls und vier Sauerstoffatomen des Nitratanions besteht. Die Abstände zwischen dem Silberatom und den Sauerstoffatomen liegen im Bereich 2,358 bis 2,683 Angström. Die Nitratanionen haben eine Linkerfunktion und verbinden die Struktur in 1-D-Polymerketten in eine Richtung. Die Silberatome sind mit linearen Polymerketten durch μ2-O Sauerstoffbrückenatomen mit signifikant größeren Abständen zwischen Ag1 und O4 von 2,683 Angström im Vergleich zum Abstand zwischen Ag1 zu O2 in Höhe von 2,536 Angström angeordnet. In der Kristallstruktur sind die 1-D-Polymerketten im 2D-Netzwerk durch intermolekulare N-H...O-Bindungen verbunden.
  • Um die Kristallisation des [Ag(Pyl)2]NO3 während des Auftrags auf die Substratoberfläche, die durch Verdampfen des Lösungsmittels auftreten kann, zu vermeiden oder zumindest zu reduzieren kann ein Pyrollidonderivat als Kristallisationsinhibitor, bevorzugt tert-Butylpyrrolidon mit einem Anteil von mindestens 2-Masse-% bis maximal 20 Masse-% der Lösung zugegeben werden. Diese Zugabe kann vor dem, während der Durchführung oder nach dem ersten Verfahrensschritt erfolgen. Durch den Einsatz eines Kristallisationsinhibitors kann eine homogene und gleichmäßige Silberschicht erhalten werden.
  • Beim ersten Verfahrensschritt zur Herstellung der Lösung sollte ein Verhältnis von Wasser zu Ethanol von 1 zu 4 vorliegen, es können aber auch kleinere Anteile an Wasser gewählt werden.
  • Bei Silber und 2-Pyrrolidon sollte ein Mol-Verhältnis von 1 zu 2 eingehalten werden.
  • Außerdem sollte während des ersten Verfahrensschritts jeglicher Einfluss elektromagnetischer Strahlung vermieden und die Lösung in einem hermetisch geschlossenen optisch nichttransparentem Behälter eingeschlossen sein.
  • Vor der Durchführung des zweiten Verfahrensschritts sollte die Oberfläche des Substrats gereinigt werden. Hierfür kann eine geeignete Flüssigkeit, die unter Berücksichtigung des Substratmaterials ausgewählt werden kann, eingesetzt werden. Bei einem Substrat aus Glas kann dies beispielsweise „Piranha-Lösung”, also eine wässrige Lösung von Peroxomonoschwefelsäure sein. Es kann mit Ultraschallunterstützung gereinigt werden.
  • Der Auftrag der Lösung nach dem ersten Verfahrensschritt auf die Oberfläche des Substrats, das neben dem bereits erwähnten Glas auch aus einem bevorzugt optisch transparenten Polymer bestehen kann, kann durch ein Tauch-, Rotationsbeschichtung oder ein Druckverfahren erfolgen. Es sollte lediglich gesichert sein, dass eine konstante Schichtdicke erreicht werden kann, um über die beschichtete Fläche homogene elektrische und/oder optische Eigenschaften der ausgebildeten Schicht zu erreichen.
  • Als Druckverfahren können beispielsweise und bevorzugt solche eingesetzt werden, die der Nanoimprint Lithografie oder dem Mikrokontaktdrucken zuzuzählen sind. Damit lassen sich auch geometrisch unterschiedlich strukturierte Schichten auf Substratoberflächen herstellen. Dies ist auch mit Siebdrucktechnik möglich. In einfachster Weise kann ein Substrat auch in die vorbereitete Lösung eingetaucht und wieder herausgezogen werden (dipcoating), bevor der dritte und vierte Verfahrensschritt durchgeführt werden. Die Ausbildung der Schichten kann auch durch Spincoating erfolgen.
  • Es sollte darauf geachtet werden, dass die mit der Erfindung ausgebildeten Schichten eine maximale Schichtdicke von 200 nm nicht überschreiten sollten. Schichtdicken im Bereich 50 nm bis 100 nm sind zu bevorzugen, um eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit einhalten zu können.
  • Das tert-Butylpyrrolidon kann aus 20 ml Tetrahydrofuran (THF), Triethylamin und tert-Butylamin hergestellt werden, die mit Argon gespült und miteinander bei einer Temperatur von 0°C vermischt werden. Der Mischung wird 4-Chlorbutyrylchlorid zugegeben und ein intensives Rühren bei dieser Temperatur durchgeführt. Anschließend wird Triethylamin-Hydro-Chiorid ausgefiltert und es wird ein zweifaches Waschen mit THF durchgeführt. Das erhaltene Filtrat wird bei verringertem Umgebungsdruck konzentriert und das so erhaltene Ausgangsprodukt mit Acetat vermischt und dann einmal mit HCL und zweimal mit Lauge gewaschen. Die gebildete organische Phase kann auf einem Substrat mit MgSO4 getrocknet und das Lösungsmittel bei reduziertem Druck entfernt werden.
  • Das dann erhaltene tert-Buty-4-Chlorbutanamid wird in THF gelöst und einer Lösung von Kalium tert-Butylat mit THF zugegeben. Nach längerem Rühren im Eisbad kann diese Mischung aus dem Behälter in ein anderes Behältnis gegeben und darin mit Ethylacetat vermischt und dann zweimal mit Lauge gewaschen werden. Die erhaltene organische Phase kann wieder mit MgSO4 getrocknet und das Lösungsmittel mit Unterdruck entzogen werden. Nach einer Destillation bei reduziertem Druck und einer Temperatur von 75°C kann das tert-Butylpyrrolidon als farblose Flüssigkeit erhalten werden.
  • Diese Herstellung ist beispielsweise von K. Takao u. a. in „Molecular and Crystal Structures of Uranyl Nitrate Complexes with N-Alkylated 2-Pyrrolidone Derivates: Design and Optimization of Promising Precepitant for Uranyl Ion„; Cristal Growth&Design; 2008; 8 (7); S. 2364–2376 beschrieben.
  • Mit der Erfindung können ausreichend leitfähige dünne Silberschichten hergestellt werden, die bei einer Dicke von 100 nm elektrische Schichtwiderstände < 10 Ω/☐ aufweisen, wobei es sich hier um einen Flächenwiderstand handelt, was mit dem „☐” zum Ausdruck gebracht ist.
  • Nachfolgend soll die Erfindung an einem Beispiel näher erläutert werden.
  • Dabei zeigt 1 – in schematischer Form die Linkfunktion von Nitratanionen, die die 1-D-Polymerketten des [Ag(Pyl)2]NO3 verbinden.
  • Bei der Herstellung einer dünnen Silberschicht auf einem Substrat wurden zuerst 0,34 g (2 mmol) Silbernitrat in 1 ml deionisiertem Wasser gelöst. Zu dieser Lösung wurden 0,34 g (4 mmol) 2-Pyrrolidon gegeben. Bereits bei der Herstellung dieser Lösung oder auch danach wurde der Einfluss elektromagnetischer Strahlung, insbesondere der von Licht, durch geeignete Maßnahmen, wie z. B. durch den Einsatz eines strahlungsundurchlässigen Gefäßes unterbunden.
  • Das gebildete Reaktionsprodukt [Ag(Pyl)2]NO3 kristallisiert während einer Lagerung bei normaler Raumtemperatur aus und das Nasser als Lösungsmittel verdampft langsam.
  • Für die Herstellung dünner Schichten kann der vorzugsweise nach mehrtägiger Lagerung der vorab in einem ersten Verfahrensschritt hergestellten Lösung zusätzliches Wasser mit Ethanol zugegeben werden, so dass ein Verhältnis von Wasser zu Ethanol von 1 zu 4 eingehalten und eine 0,8 M Lösung erhalten worden ist.
  • Das Substrat wurde vorab mit einer aus einem Teil 30% H2O2 und drei Teilen konzentrierter H2SO4 gebildeten Lösung über einen Zeitraum von 30 min gereinigt und anschließend mit deionisiertem Wasser sorgfältig gewaschen und danach getrocknet.
  • Auf die Oberfläche des so vorbereiteten Substrats wurde die vorher hergestellte Lösung mit dem [Ag(Pyl)2]NO3 durch Eintauchen und Wiederherausziehen aufgebracht und dann über einen Zeitraum von 20 min mit elektromagnetischer Strahlung in einer UV-Box mit einem F-Strahler bestrahlt. Die Bestrahlung erfolgte im Wellenlängenbereich zwischen 280 nm und 400 nm, so dass ein Teilbereich der eingesetzten Strahlung oberhalb 315 nm und der Rest im UV-Bereich lag.
  • Bei dieser Bestrahlung erfolgt die Reduktion des [Ag(Pyl)2]NO3 und es wurde reines Silber erhalten.
  • Im Anschluss daran erfolgte eine Wärmebehandlung bei der mit einer Heizrate von 5 K/min auf eine maximale Temperatur von 220°C erwärmt und die Temperatur über 60 min gehalten wurde, um die restlichen Bestandteile des Pyrrolidons zu entfernen.
  • Dabei konnte eine ca. 100 nm dicke Schicht auf dem Substrat erhalten werden, die einen elektrischen Widerstand von < 10 Ω/☐ aufwies.
  • Bei einem Auftrag der Lösung auf die Substratoberfläche durch Mikrokontaktdruck konnte eine Schichtdicke von 60 nm der Silberschicht erreicht werden. Es können dabei Linienstrukturen mit einer Breite von 20 μm gedruckt werden. Es besteht aber die Möglichkeit kleinere, filigranere Strukturen bis in den „Nanometerbereich” zu drucken.
  • Der mit dem ersten Verfahrensschritt erhaltenen Lösung können zur Unterdrückung der Kristallisation des [Ag(Pyl)2]NO3 Komplexes 10 Masse-% des Pyrrolidondervats tert-Butylpyrrolidon zugegeben werden. Dadurch kann eine Fehlordnung in der Polymerkette erreicht werden, die die Kristallisation verhindert, was das Auftragen der Lösung auf die Substratoberfläche erleichtert.

Claims (12)

  1. Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber auf einer Oberfläche von Substraten, bei dem in einem ersten Verfahrensschritt Silbernitrat und 2-Pyrrolidon in einem Lösungsmittel, bevorzugt Wasser oder einem Ethanol-Wassergemisch gelöst und dabei durch Komplexierung die Bildung von [Ag(Pyl)2]NO3 erfolgt und im Anschluss an diesen Verfahrensschritt in einem zweiten Verfahrensschritt die Lösung auf eine Oberfläche des zu beschichtenden Substrats aufgebracht und dann in einem dritten Verfahrensschicht eine chemische Reduktion, die zur Trennung von Silber von den anderen enthaltenen chemischen Komponenten führt, durch eine Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung aus dem Wellenlängenspektrum des UV-Lichts über einen Zeitraum von mindestens 15 min und im Anschluss daran bei einem vierten Verfahrensschritt eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von maximal 500°C, bevorzugt bei 220°C über einen Zeitraum von mindestens 30 min, bevorzugt 60 min durchgeführt und dabei eine zumindest nahezu ausschließlich aus Silber gebildete Schicht auf der Oberfläche des Substrats erhalten wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die im ersten Verfahrensschritt erhaltene Lösung bei Raumtemperatur unter Ausschluss von Licht über mehrere Tage gehalten wird, und dabei ein Verdampfen von Flüssigkeit erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass beim vierten Verfahrensschritt eine Heizrate im Bereich von 3 K/min bis 10 K/min, bevorzugt von 5 K/min eingehalten wird.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Molverhältnis von Silber zu 2-Pyrrolidon von 1 zu 2 eingehalten wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim oder unmittelbar nach dem ersten Verfahrensschritt der Lösung ein Pyrrolidonderivat, bevorzugt tert.-Butylpyrrolidon mit einem Anteil von mindestens 2-Masse-% bis maximal 20 Masse-% zugegeben wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Verfahrensschritt die Beschichtung mit einem Druck- oder Tauchverfahren durchgeführt wird.
  7. Silberkomplex mit der Formel [Ag(2-Pyrrolidon)2]NO3.
  8. Lösung des Silberkomplexes nach Anspruch 7, enthaltend Silbernitrat, 2-Pyrrolidon und Wasser.
  9. Lösung nach vorhergehendem Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung zusätzlich einen Kristallisationsinhibitor, bevorzugt ein Pyrrolidon-Derivat, besonders bevorzugt tert-Butylpyrrolidon aufweist.
  10. Lösung nach vorhergehendem Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Kristallisationsinhibitors mindestens 2 Masse-% bis maximal 20 Masse-% beträgt.
  11. Lösung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung weitere organische Lösungsmittel, insbesondere Ethanol und Tetrahydrofuran oder Aceton enthält.
  12. Verwendung von [Ag(2-Pyrrolidon)2]NO3 in einer Lösung, bevorzugt wässrigen Lösung zur Herstellung dünner Schichten aus Silber.
DE102011108089.2A 2011-07-18 2011-07-18 Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung Expired - Fee Related DE102011108089B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011108089.2A DE102011108089B4 (de) 2011-07-18 2011-07-18 Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung
PCT/EP2012/063504 WO2013010858A1 (de) 2011-07-18 2012-07-10 Verfahren zur herstellung dünner elektrisch leitfähiger schichten aus silber, eine silber-schicht, einen silberkomplex, dessen lösung sowie eine verwendung des silberkomplexes in einer lösung
EP12733165.0A EP2735002B1 (de) 2011-07-18 2012-07-10 Verfahren zur herstellung dünner elektrisch leitfähiger schichten aus silber, eine silber-schicht, einen silberkomplex, dessen lösung sowie eine verwendung des silberkomplexes in einer lösung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011108089.2A DE102011108089B4 (de) 2011-07-18 2011-07-18 Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011108089A1 DE102011108089A1 (de) 2013-01-24
DE102011108089B4 true DE102011108089B4 (de) 2015-11-12

Family

ID=46466583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011108089.2A Expired - Fee Related DE102011108089B4 (de) 2011-07-18 2011-07-18 Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2735002B1 (de)
DE (1) DE102011108089B4 (de)
WO (1) WO2013010858A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016125667A1 (de) * 2016-12-23 2018-06-28 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Zusammensetzung zur photochemischen Abscheidung von Metallen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10241661A (ja) * 1997-02-21 1998-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機ジスルフィド化合物を含有する電極とその製造法
DE102009034822A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000144440A (ja) * 1998-11-18 2000-05-26 Nippon Kojundo Kagaku Kk 電子部品用無電解銀めっき液
ITBO20020165A1 (it) * 2002-03-29 2003-09-29 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico con droganti cromofori
TWI318173B (en) * 2004-03-01 2009-12-11 Sumitomo Electric Industries Metallic colloidal solution and inkjet-use metallic ink
JP2008505325A (ja) * 2004-07-08 2008-02-21 スウィンバーン ユニバーシティ オブ テクノロジー ファイバーセンサー製造
US7575621B2 (en) * 2005-01-14 2009-08-18 Cabot Corporation Separation of metal nanoparticles
RU2323276C2 (ru) * 2006-03-23 2008-04-27 Закрытое акционерное общество "Драгцветмет" (ЗАО "Драгцветмет") Электролит серебрения
JP2009542006A (ja) * 2006-06-19 2009-11-26 キャボット コーポレイション 光起電力導電性機能物及びその形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10241661A (ja) * 1997-02-21 1998-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機ジスルフィド化合物を含有する電極とその製造法
DE102009034822A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt

Also Published As

Publication number Publication date
EP2735002B1 (de) 2018-09-12
EP2735002A1 (de) 2014-05-28
DE102011108089A1 (de) 2013-01-24
WO2013010858A1 (de) 2013-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69937224T2 (de) Verfahren zur herstellung von hochreinem ruthenium-sputter-target
DE2947821C2 (de)
DE69912334T2 (de) Verfahren zum Ablagern einer Metalloxyd(en)schicht
DE3322009A1 (de) Verfahren zum modifizieren der eigenschaften von metallen
EP1614771A1 (de) Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung
DE2013576C3 (de) Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsäurefilmen auf Halbleiteroberflächen
DE102005035762A1 (de) Hochporöse Schichten aus MOF-Materialien und Verfahren zur Herstellung derartiger Schichten
DE3118320A1 (de) Katalytischer koerper und verfahren zu dessen herstellung
DE3621474C1 (de) Verfahren zur Ausbildung eines Filmaufbaus einer fluorierten,aliphatischen Verbindung auf einer festen Traegeroberflaeche
DE3708894A1 (de) Waessriges sol von antimon enthaltender kristalliner fester zinnoxidloesung sowie verfahren zu dessen herstellung
CH639499A5 (de) Verfahren zur herstellung eines fluessigkristallanzeigeelementes.
DE112014002552T5 (de) Verfahren zum Herstellen von Silberteilchen
DE602004002313T2 (de) Diamantelektrode für die Elektrolyse
DE2325998A1 (de) Fluessigkristallzelle und verfahren zur herstellung derselben
DE102011108089B4 (de) Verfahren zur Herstellung dünner elektrisch leitfähiger Schichten aus Silber, ein Silberkomplex, dessen Lösung sowie eine Verwendung des Silberkomplexes in einer Lösung
DE2406891B2 (de) Korrosionsbeständiger Spiegel
DE112012005843T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metalloxidschicht und Metalloxidschicht
DE102012201489A1 (de) Zusammensetzung für eine Elektrode zum Tintenstrahldrucken sowie Verfahren zum Herstellen einer Elektrode für eine Farbstoffsolarzelle unter Verwenden derselben
CH654029A5 (de) Verfahren zur herstellung einer selektiv absorbierenden schicht fuer solarkollektoren.
DE112017007404T5 (de) Poröser Aluminium-Körper und Verfahren zur Erzeugung eines porösen Aluminium-Körpers
EP1448808B1 (de) Verfahren zur herstellung dünner, schwer löslicher beschichtungen
DE2750805A1 (de) Verfahren zur herstellung metallhaltiger schichten auf oberflaechen von halbleiterbauelementen
DE2613925C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Feldeffekt-Flüssigkristallanzeigezellen mit gewundenem nematischem Flüssigkristall
DE3401681C2 (de) Stromlos arbeitendes Kupferbad, seine Herstellung und seine Verwendung
DE3827438A1 (de) Beschichtete traeger mit ultraduenner, mehrlagiger beschichtung, verfahren zu ihrer herstellung und polyurethane als zwischenprodukte fuer die beschichteten traeger

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee