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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement mit
einer auf einer Aufwachsschicht angeordneten, eine Metallschicht
enthaltenden Elektrode sowie einen elektrischen Kontakt.±
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Bei
großflächigen Anwendungen
setzen dünne
elektrische Kontakte elektronischer Bauelemente, wie beispielsweise
optoelektronischer Bauelemente, insbesondere als Deckkontakte, eine
gute Bestromung bzw. Leitfähigkeit
und gegebenenfalls ausreichende Transparenz voraus.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, ein elektronisches Bauelement
mit einer eine Metallschicht aufweisenden Elektrode mit gegenüber dem Stand
der Technik verminderter Dicke und gegebenenfalls verbesserter Transparenz
bereitzustellen.
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Die
erfindungsgemäße Aufgabe
wird durch ein elektronisches Bauelement mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs
1 sowie einen elektrischen Kontakt mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs
15 gelöst.
Unteransprüche
geben weitere Ausführungsformen
des elektronischen Bauelements an.
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Das
erfindungsgemäße elektronische
Bauelement weist ein Substrat, wenigstens eine auf dem Substrat
angeordnete, erste Elektrode und auf der dem Substrat zugewandten
Seite der Elektrode eine Aufwachsschicht auf. Die auf der Aufwachsschicht angeordnete
Elektrode weist eine Metallschicht mit einer Dicke von kleiner oder
gleich 30 nm auf und die Aufwachsschicht besitzt eine Dicke, die
kleiner oder gleich 10 nm ist.
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Ein ”Substrat”, wie es
hierin verwendet wird, kann zum Beispiel ein Substrat, wie es im
Stand der Technik herkömmlich
für ein
elektronisches Bauelement verwendet wird, umfassen. Das Substrat
kann ein transparentes Substrat sein. Es kann jedoch auch ein nicht
transparentes Substrat sein. Beispielsweise kann das Substrat Glas,
Quarz, Saphir, Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer
oder ein anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Ein Metallsubstrat
wird im Regelfall nur dann Verwendung finden, wenn nicht direkt
darauf die Aufwachsschicht angeordnet ist. Als Substrat wird erfindungsgemäß insbesondere
die Schicht verstanden, auf der bei der Herstellung des elektronischen
Bauelements nachfolgend alle anderen Schichten aufgebracht werden. Solche
nachfolgenden Schichten können
z. B. bei einem optischen elektronischen Bauelement oder einer strahlungsemittierenden
Vorrichtung für
die Strahlungsemission erforderliche Schichten sein.
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Die „erste
Elektrode” kann
eine Anode oder eine Kathode sein.
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Der
Begriff „Aufwachsschicht”, wie er
hierin verwendet wird, bezeichnet eine Schicht, auf welcher eine
eine Metallschicht umfassende Elektrode (im Folgenden auch als Aufwachselektrode
bezeichnet) angeordnet ist.
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Die
Aufwachsschicht kann aus einem Material gebildet sein oder ein Material
umfassen, das ausgewählt
ist aus transparenten leitfähigen
Oxiden, wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertem Zinnoxid
(ITO), Aluminium- dotiertem Zinkoxid
(AZO), Zn2SnO4,
CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitender Oxide.
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Der
Beitrag der Aufwachsschicht zur lateralen Stromleitung ist meist
vernachlässigbar.
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Da
die Aufwachsschicht eine sehr dünne Schicht
ist, muss sie nicht unbedingt leitfähig sein. Die Aufwachsschicht
kann daher ebenso dielektrische Oxide wie Al2O3, WO3, Re2O7 und dergleichen aufweisen
oder aus solchen gebildet sein.
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Die
Aufwachsschicht kann mittels physikalischer Gasphasenabscheidung,
zum Beispiel Verdampfungsverfahren, wie thermischem Verdampfen, Elektronenstrahlverdampfen,
Laserstrahlverdampfen, Lichtbogenverdampfen, Molekularstrahlepitaxie und
dergleichen, Sputtern, wie ionenstrahlgestützter Deposition und dergleichen,
oder Ionenplattieren, chemischer Gasphasenabscheidung, wie plasmaunterstützter chemischer
Gasphasenabscheidung und dergleichen, oder Atomlagenabscheidung
und dergleichen aufgebracht sein.
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Die
Oberfläche
der Aufwachsschicht ist insbesondere in geeigneter Weise vorbereitet
oder ausgelegt, um eine gleichmäßige bzw.
homogene Abscheidung einer darauf abzuscheidenden Metallschicht
zu ermöglichen.
In einer Ausführungsform kann
die Oberfläche
der Aufwachsschicht eine amorphe oder im Wesentlichen amorphe Struktur
bzw. eine amorphe oder im Wesentlichen amorphe Oberfläche aufweisen.
Eine vollständig
amorphe Struktur kann beispielsweise mittels Röntgenbeugung (XRD-Aufnahmen)
bestätigt
werden (es werden keine diskreten Bragg-Reflexe erhalten).
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Der
Begriff „Metallschicht”, wie er
hierin verwendet wird, bezeichnet eine Schicht, die im Wesentlichen
oder vollständig
aus Metall gebildet ist. Die Metallschicht ist direkt auf der Aufwachsschicht
angeordnet. Sie kann epitaktisch auf der Aufwachsschicht aufgewachsen
sein. Die Dicke der Metallschicht beträgt kleiner oder gleich 30 nm,
beispielsweise zwischen 9 nm und 10 nm.
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Die
Metallschicht kann eine Dicke von kleiner oder gleich 15 nm aufweisen,
insbesondere von kleiner oder gleich 12 nm.
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Bei
Ausfühurngsformen
der vorliegenden Erfindung, bei denen es insbesondere auf die Transparenz
der Metallschicht ankommt, kann die Dicke der Metallschicht beispielsweise
kleiner oder gleich 14 nm, insbesondere kleiner oder gleich 11 nm,
betragen. Beispielsweise kann die Dicke einer Metallschicht, welche
eine Ag-Schicht oder eine Schicht aus einer Ag-Legierung (z. B.
eine Schicht aus einer Ag-Sm-Legierung)
aufweist, kleiner oder gleich 14 nm, insbesondere kleiner oder gleich
11 nm, zum Beispiel zwischen etwa 9 nm und etwa 10 nm betragen.
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Die
Aufwachselektrode kann aus der Metallschicht bestehen oder eine
oder weitere Schichten oder Funktionsschichten umfassen.
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Die
Metallschicht der Aufwachselektrode umfasst bevorzugt mindestens
ein Metall, das ausgewählt
ist aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium, Barium, Indium, Silber,
Gold, Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben.
Die Metallschicht kann alternativ aus einem der vorstehend genannten
Metalle oder einer Verbindung mit einem dieser Metalle oder aus
mehreren dieser Metalle, insbesondere einer Legierung, bestehen.
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Die
Aufwachselektrode kann in transparenten und nichttransparenten elektronischen,
optischen oder elektrooptischen Bauteilen eingesetzt werden. Die
auf der Aufwachsschicht angeordnete Aufwachselektrode kann als Deckkontakt,
Substratkontakt und/oder Zwischenkontakt eingesetzt werden.
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Das
erfindungsgemäße elektronische
Bauelement kann, ohne darauf beschränkt zu sein, zum Beispiel als
optoelektronisches Bauteil, insbesondere als organisch elektronisches
Bauteil, wie beispielsweise als Solarzelle, als Fototransistor,
Leuchtdiode und dergleichen, ausgeführt sein.
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Der
Begriff „Schicht”, wie er
hierin verwendet wird, kann eine einzelne Schicht oder eine Schichtenfolge
aus mehreren dünnen
Schichten bezeichnen. Insbesondere können die Funktionsschichten,
beispielsweise organische Funktionsschichten, aus mehreren Schichten
gebildet sein. Die Metallschicht und die Aufwachsschicht sind meist
einschichtig.
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Der
Begriff ”aufeinander
angeordnet”,
wie er hierin verwendet wird, meint, dass eine Schicht unmittelbar
in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf einer
anderen Schicht angeordnet ist. Eine Schicht kann auch mittelbar
auf einer anderen Schicht angeordnet sein, wobei dann weitere Schichten
zwischen den angegebenen Schichten vorhanden sein können. Solche
Schichten können dazu
dienen, die Funktionalität
und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu
verbessern. Die Metallschicht ist im Regelfall direkt auf der Aufwachsschicht
angeordnet.
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Mit
der in dem elektronischen Bauelement erfindungsgemäß vorgesehenen
Kombination aus Aufwachsschicht und Metallschicht ist es in vorteilhafter
Weise möglich,
einen sehr dünnen
und zugleich sehr leitfähigen
Kontakt bereitzustellen, der – falls
erfoderlich – zusätzlich auch
hochtransparent ausgebildet sein kann.
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Durch
Abscheiden der Metallschicht auf der dünnen Aufwachsschicht kann die
Aufwachselektrode in vorteilhafter Weise gleichmäßig, glatt und im Wesentlichen
homogen ausgebildet werden. Sie kann insbesondere aus diesem Grund
wesentlich dünner
ausgeführt
werden als nach dem Stand der Technik. Somit ist es – anders
als mit den im Stand der Technik eingesetzten transparenten Kontakten aus
entweder transparenten leitenden Oxiden mit einer Leitfähigkeit
von größer 15 Ω/☐ oder
dünnen
Metallschichten mit einer Dicke von mindestens 20 nm – in vorteilhafter
Weise möglich,
eine hohe Transparenz und gute Bestromung auch bei großflächigen Anwendungen
zu erreichen.
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Bei
den erfindungsgemäßen elektronischen Bauelementen,
bei denen eine Transparenz wesentlich ist, kann somit in vorteilhafter
Weise ein Kompromiss zwischen Transparenz und Leitfähigkeit
transparenter metallischer Kontakte eingegangen werden, da die auf
der Aufwachsschicht abgeschiedene Metallschicht in vorteilhafter
Weise hinreichend dünn, glatt
und geschlossen gebildet sein kann, um so beispielsweise eine ausreichende
Leitfähigkeit
und gleichzeitig eine hervorragende Transparenz bereitzustellen.
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Weitere
Ausgestaltungen der strahlungsemittierenden Vorrichtung sind Gegenstand
von Unteransprüchen.
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In
einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen elektronischen Bauelements
besitzt die Aufwachsschicht insbesondere eine Dicke von 1 nm bis 8
nm. Die Aufwachsschicht besitzt bevorzugt eine Dicke von 3 nm bis
3,5 nm. In bestimmten Ausfühurngsformen
kann eine Dicke von größer oder gleich
1,5 nm vorteilhaft sein. Die Dicke der Aufwachsschicht kann in bestimmten
Ausführungsformen
beispielsweise kleiner oder gleich 7 nm sein.
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In
einer Ausführungsform
des erfindungsgemäßen elektronischen
Bauelements ist die Aufwachsschicht ausgewählt aus einer Schicht aus Indium-dotiertem
Zinnoxid (ITO) und einer Schicht aus Aluminium-dotiertem Zinkoxid
(AZO).
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In
einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen elektronischen Bauelements
weist die Metallschicht eine Dickenhomogenität von ±10% häufig sogar ±5%, auf. Der Begriff „Dickenhomogenität”, wie er hierin
verwendet wird, meint, dass die Metallschicht eine über ihre
im Wesentlichen oder vollständige Länge nahezu
konstante Dicke, d. h. eine Dicke mit einer maximalen Abweichung
von z. B. ±10%,
besitzen kann. Dies kann beispielsweise insbesondere durch die unter
der Metallschicht angeordnete (dünne)
Aufwachsschicht erreicht werden. Die Maximaldicke einer „30 nm
dicken” Metallschicht
kann also beispielsweise maximal 33 nm betragen, die maximale Dicke
einer „12
nm dicken” Metallschicht
beispielsweise maximal 13,2 nm.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung beträgt
der Flächenwiderstand der
Aufwachselektrode auf der Aufwachsschicht kleiner oder gleich 6 Ω/☐.
Der Flächenwiderstand
kann insbesondere kleiner oder gleich 5 Ω/☐ betragen. Beispielsweise
kann der Flächenwiderstand
zwischen 4 Ω/☐ und
5 Ω/☐ betragen.
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Der
Begriff „Flächenwiderstand”, wie er
hierin verwendet wird, bezeichnet den isotropen spezifischen Widerstand
einer Schicht bezogen auf die Dicke derselben. Der Flächenwiderstand
kann beispielsweise mit Hilfe der Vier-Punkt-Methode gemessen werden. Alternativ
kann ein Flächenwiderstand auch
mit der speziellen Van-der-Pauw-Methode
gemessen werden.
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Der
Flächenwiderstand
kann damit in vorteilhafter Weise geringer sein, als es bislang
im Stand der Technik mit vergleichbaren Elektrodenschichten üblich war,
die auf einem anderen Substrat als der Aufwachsschicht gemäß der vorliegenden
Erfindung abgeschieden wurden. Mit der erfindungsgemäßen Anordnung
kann es in vorteilhafter Weise möglich sein,
eine gleichmäßige Bestromung
der dünnen
Aufwachselektrode – in
optoelektronischen Bauelementen bei ausreichender Transparenz – zu erreichen.
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In
einer weiteren Ausfühurngsform
ist das erfindungsgemäße elektronische
Bauelement ein organisch elektronisches Bauelement und weist ferner eine
zweite Elektrode und wenigstens eine zwischen der ersten Elektrode
und der zweiten Elektrode angeordnete organische Funktionsschicht
auf.
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Das
organisch elektronische Bauelement ist z. B. ein optoelektronisches
Bauelement bzw. eine strahlungsemittierende Vorrichtung.
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Die „erste
Elektrode” kann
eine Anode sein. Sie kann lochinjizierende Funktionen aufweisen.
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Die „zweite
Elektrode” kann
eine Kathode sein. Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind
in geeigneter Weise elektrisch kontaktiert.
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Die
erste und/oder die zweite Elektrode, welche auf der Aufwachsschicht
angeordnet ist, wird – wie
vorher angegeben – auch
als Aufwachselektrode bezeichnet. Die Aufwachselektrode kann als
Anode oder Kathode vorgesehen sein oder einen Teil einer solchen
bilden.
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Die
Elektrode, die nicht auf einer Aufwachsschicht angeordnet ist, kann
aus einem Material gebildet sein oder ein Material umfassen, das
ausgewählt
ist aus Metallen wie Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium,
Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder einer Verbindung
derselben, insbesondere einer Legierung, sowie transparenten leitfähigen Oxiden,
wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid,
Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO), Aluminium-dotiertem
Zinkoxid (AZO), Zn2SnO4,
CdSnO3, ZnSnO3,
MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen
unterschiedlicher transparenter leitender Oxide.
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Eine „organische
Funktionsschicht” kann Emitterschichten,
beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden
Emittern, enthalten.
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Beispiele
für Emittermaterialien,
die in dem erfindungsgemäßen elektronischen
Bauelement bzw. der strahlungsemittierenden Vorrichtung der vorliegenden
Erfindung eingesetzt werden können, schließen organische
oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren,
Polythiophen und Polyphenylen (z. B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen)
sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes
FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir(ppy)3(Tris(2-phenylpyridin)iridium III),
rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)3·2(PF6) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie
blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes
TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes
DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere
Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels
thermischem Verdampfen abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt
werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie
beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.
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Die
Emittermaterialien können
in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
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Die
Emittermaterialien der Emitterschichten des elektronischen Bauelements
können
insbesondere so ausgewählt
sein, dass das elektronische Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht kann
mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau,
grün und
rot) emittierende Emittermaterialien umfassen, alternativ kann die
Emitterschicht auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie
einer blau fluoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden
Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht.
Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von
Licht mir einem weißen
Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein,
im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission
ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise
absorbiert und eine Sekundärstrahlung
anderer Wellenlänge
emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung
durch die Kombination von primärer
und sekundärer
Strahlung ein weißer
Farbeindruck ergibt.
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Das
elektronische Bauelement kann allgemein weitere organische Funktionsschichten
umfassen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des
elektronischen Bauelements weiter zu verbessern.
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Beispielsweise
können
organische Funktionsschichten ausgewählt sein, die dazu dienen,
die Funktionalität
und die Effizienz der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode
sowie des Ladungsträger-
und Exzitonentransports zu verbessern.
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Das
elektronische Bauelement kann als „Bottom-Emitter” und/oder „Top-Emitter” ausgeführt sein.
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In
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist die Aufwachsschicht zwischen der
organischen Funktionsschicht und der zweiten Elektrode als Aufwachselektrode
angeordnet. Die zweite Elektrode kann eine Kathode sein. Die Anordnung
der Aufwachsschicht und der Aufwachselektrode kann einen transparenten
Deckkontakt für
einen Top-Emitter bilden.
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In
einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist die Aufwachsschicht zwischen dem
Substrat und der ersten Elektrode als Aufwachselektrode angeordnet.
Die erste Elektrode kann dabei eine Anode sein. Das Substrat kann bevorzugt ein
transparentes Substrat wie Glas, Quarz, Saphir, Kunststofffolie
und dergleichen sein. Die Anordnung der Aufwachsschicht und der
Aufwachselektrode kann einen transparenten Substratkontakt für einen Bottom-Emitter bilden.
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Ganz
allgemein gilt, dass bei einem Top- oder Bottom-Emitter eine Elektrode
der strahlungsemittierenden Vorrichtung in Form der Aufwachselektrode
gemäß der vorliegenden
Erfindung transparent und die andere Elektrode reflektierend ausgeführt sein
kann. Alternativ dazu können
auch beide Elektroden transparent ausgeführt sein. Die Metallschicht der
Aufwachselektrode bildet daher insbesondere einen transparenten
Dünnfilmkontakt.
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Der
Begriff „Bottom-Emitter”, wie er
hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Substratseite
des elektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist.
Insbesondere können dazu
wenigstens das Substrat, die erste Elektrode und die zwischen dem
Substrat und der ersten Elektrode angeordnete Aufwachsschicht transparent
ausgeführt
sein. Ein als Bottom-Emitter ausgeführtes elektronisches Bauelement
kann demnach beispielsweise in den organischen Funktionsschichten
erzeugte Strahlung auf der Substratseite des elektronischen Bauelements
emittieren.
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Alternativ
oder zusätzlich
dazu kann das erfindungsgemäße elektronische
Bauelement als „Top-Emitter” ausgeführt sein.
Der Begriff „Top-Emitter”, wie er
hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Seite der
zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist.
Insbesondere können
dazu die Aufwachsschicht und die zweite Elektrode transparent ausgeführt sein.
Ein als Top-Emitter ausgeführtes elektronisches
Bauelement kann demnach beispielsweise in den organischen Funktionsschichten
erzeugte Strahlung auf der Seite der zweiten Elektrode des elektronischen
Bauelements emittieren.
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Ein
als Top-Emitter ausgestaltetes elektronisches Bauelement der vorliegenden
Erfindung, bei welchem die Aufwachsschicht und die Metallschicht als
Deckkontakt vorgesehen sind, kann in vorteilhafter Weise eine hohe
Lichtauskopplung und eine sehr geringe Winkelabhängigkeit der Strahlungsdichte aufweisen.
Die erfindungsgemäße strahlungsemittierende
Vorrichtung kann in vorteilhafter Weise für Beleuchtungen, wie beispielsweise
Raumleuchten, eingesetzt werden.
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Eine
Kombination aus Bottom- und Top-Emitter ist in gleicher Weise möglich. Bei
einer solchen Ausführung
ist das elektronische Bauelement allgemein in der Lage, das in den
organischen Funktionsschichten erzeugte Licht in beide Richtungen – also sowohl
zu der Substratseite als auch zu der Seite der zweiten Elektrode
hin – zu
emittieren.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist zwischen der ersten Elektrode und
der zweiten Elektrode wenigstens eine dritte Elektrode angeordnet
und die Aufwachsschicht ist auf der dem Substrat zugewandten Seite
der dritten Elektrode angeordnet.
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Die „dritte
Elektrode” kann
als Zwischenkontakt fungieren. Sie kann dazu dienen, einen Ladungstransport
durch die Schichten des elektronischen Bauelements hindurch zu erhöhen und
damit die Effizienz des elektronischen Bauelements in vorteilhafter
Weise zu verbessern. Die dritte Elektrode kann als ambipolare Schicht
ausgestaltet sein; sie kann als Kathode oder Anode ausgestaltet
sein. Die Anordnung der Aufwachsschicht und der Aufwachselektrode
der vorliegenden Ausführungsform
bildet dann einen transparenten Zwischenkontakt. Ebenso wie die erste
und die zweite Elektrode ist die dritte Elektrode elektrisch kontaktiert.
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In
einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements der vorliegenden
Erfindung sind als organische Funktionsschichten eine Emitterschicht
und eine oder mehrere weitere organische Funktionsschichten enthalten.
Die weiteren organischen Funktionsschichten können ausgewählt sein aus der Gruppe, bestehend
aus Lochinjektionsschichten, Lochtransportschichten, lochblockierenden
Schichten, Elektroneninjektionsschichten, Elektronentransportschichten
und elektronenblockierenden Schichten. Geeignete Funktionsschichten
und geeignete organische Funktionsschichten sind dem Fachmann bekannt.
Die (organischen) Funktionsschichten können vorzugsweise mittels thermischem
Verdampfen aufgebracht werden. Die weiteren (organischen) Funktionsschichten
können
die Funktionalität und/oder
Effizienz des elektronischen Bauelements in vorteilhafter Weise
verbessern.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist das elektronische Bauelement als
organische Leuchtdiode (OLED) ausgebildet.
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In
einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements weist das elekronische
Bauelement eine im Wesentlichen Lambertsche Abstrahlcharakteristik
auf.
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Der
Begriff „Lambertsche
Abstrahlcharakteristik”,
wie er hierin verwendet wird, bezeichnet das ideale Abstrahlverhalten
eines so genannten Lambert-Strahlers.
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Eine „im Wesentlichen” Lambertsche
Abstrahlcharakteristik, wie sie hierin bezeichnet ist, meint dabei
insbesondere, dass die Abstrahlcharakteristik, welche sich nach
der Formel I(Θ)
= I0·cosΘ berechnet
und in der I0 die Intensität bezogen
auf eine Flächennormale
ist und Θ den
Winkel zur Flächennormalen angibt,
für einen
gegebenen Winkel, insbesondere bei einem Winkel zwischen –70° und +70°, für jeden
gegebenen Winkel Θ um
nicht mehr als 10% von der Intensität gemäß der oben genannten Formel
abweicht, also I(Θ)
= I0·cosΘ·x, wobei
x = 90% – 110%.
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Auf
diese Weise kann es vorteilhaft möglich sein, eine nach allen
Richtungen konstante Strahldichte bzw. Leuchtdichte des elektronischen
Bauelements der vorliegenden Erfindung zu erreichen, so dass das
elektronische Bauelement in allen Richtungen gleich hell scheint.
Die Helligkeit des elektronischen Bauelements kann sich in vorteilhafter
Weise auch dann nicht ändern,
wenn es gegenüber
der Blickrichtung verkippt wird.
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In
einer weiteren Ausführungsform
beträgt die
Transparenz des elektronischen Bauelements größer oder gleich 60%. Vorzugsweise
kann die Transparenz größer oder
gleich 65% betragen. Die Transparenz wird mittels Intensitätsmessungen
gemessen, indem vorgegebene Wellenlängenbereich abgetastet und
die durch die strahlungsemittierende Vorrichtung tretende Lichtmenge
erfasst wird.
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Der
Begriff „Transparenz”, wie er
hierin verwendet wird, bezeichnet die Fähigkeit der einzelnen Schichten
des erfindungsgemäßen elektronischen Bauelements,
elektromagnetische Wellen – und
insbesondere sichtbares Licht – durchzulassen.
Die Transparenz des elektronischen Bauelements gemäß der vorliegenden
Erfindung beträgt
im Regelfall zumindest für
wenigstens eine konkrete Wellenlänge mehr
als 60%, vorzugsweise mehr als 65%. Insbesondere kann die Transparenz
für wenigstens
eine Wellenlänge
in einem Wellenlängenbereich
von etwa 400 nm bis etwa 450 nm mehr als 60% und vorzugsweise mehr
als 65% betragen. Die erfindungsgemäße Anordnung der Aufwachsschicht
und der Aufwachselektrode kann somit in vorteilhafter Weise eine gegenüber dem
Stand der Technik verbesserte Transparenz bei gleichzeitig ausreichender
Bestromung bereitstellen.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist die Aufwachsschicht mittels Sputtern
aufgebracht. Die Aufwachsschicht kann insbesondere mittels Facing
Target Sputtern oder Hohlkathoden-Sputtern aufgebracht sein.
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Der
Begriff „Facing
Target Sputtern”,
wie er hierin verwendet wird, bezeichnet einen einstufigen Prozess,
mittels dem geschlossene epitaktische Schichten erhalten werden
können.
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Der
Begriff „Hohlkathoden-Sputtern”, wie er hierin
verwendet wird, bezeichnet ein Sputterverfahren unter Verwenden
einer Hohlkathoden-Sputteranlage, welche eine Hohlkathode aus Targetmaterial aufweist.
Im Vergleich zu den üblicherweise
bei einem Druck von < 1
Pa ablaufenden Sputterverfahren, können beim Hohlkathoden-Sputtern
verbesserte Eigenschaften der Aufwachsschicht erhalten werden, da
in vorteilhafter Weise praktisch kein Bombardement der Schicht mit
energetischen, vom Target reflektierten Neutralteilchen stattfindet.
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Die
mittels Facing Target Sputtern oder Hohlkathoden-Sputtern abgeschiedene
Aufwachsschicht weist im Regelfall ein im Wesentlichen amorphes
Erscheinungsbild bzw. eine im Wesentlichen amorphe Oberfläche auf.
Auf einer solchen amorphen Oberfläche kann besonders gut eine
dünne Metallschicht
abgeschieden werden, um auf diese Weise in vorteilhafter Weise einen
transparenten Kontakt für
ein elektronisches Bauelement der vorliegenden Erfindung bereitzustellen.
Mittels Sputtern aufgebrachte Schichten weisen im Regelfall Einschlüsse auf,
in denen das zum Sputtern verwendete Prozessgas enthalten ist (z.
B. Argon).
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Durch
Verwenden eines Sputterverfahrens zum Aufbringen der Aufwachsschicht
kann in vorteilhafter Weise ein Abscheiden nichtstöchiometrischer Schichten,
die aus einem thermischen Verdampfen bei zu hohen Temperaturen resultieren
können,
vermieden werden, wobei die bei reaktivem Sputtern häufig mit
zunehmender Beschichtungszeit auftretenden Schädigungen der unterliegenden
Schichten durch verschiedene Einflüsse aus dem Sputterplasma aufgrund
der erfindungsgemäß vorgesehenen sehr
dünnen
Aufwachsschicht vermieden werden können. Durch Aufbringen der
Aufwachsschicht mittels Sputtern kann somit in vorteilhafter Weise
ein schädigungsfreies
und/oder stöchiometrisches
Aufbringen der Aufwachsschicht erreicht werden. Dies kann insbesondere
beispielsweise bei der Beschichtung empfindlicher Strukturen, wie
sie zum Beispiel bei organischen Leuchtdioden vorhanden sind, von Vorteil
sein.
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In
einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist die Metallschicht zeitlich unmittelbar
nach der Aufwachsschicht aufgebracht.
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Der
Begriff „zeitlich
unmittelbar aufgebracht” oder
bevorzugt „hintereinander
aufgebracht”,
wie er hierin verwendet wird, meint, dass die Metallschicht während des
Herstellungsprozesses des elektronischen Bauelements zeitlich direkt
nach der Aufwachsschicht abgeschieden wird, z. B. ohne Reaktorwechsel
oder nicht später
als einen Tag nach Abscheiden der Aufwachsschicht. Durch die unmittelbare
Abscheidung der Metallschicht auf der Aufwachsschicht kann einem
Altern der Aufwachsschicht vorgebeugt werden, insbesondere tritt
keine oder eine nur geringe Alterung der z. B. amorphen Oberfläche ein,
wodurch ihr amorphes Erscheinungsbild zum geeigneten Abscheiden
der Metallschicht beibehalten werden kann.
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Das
elektronische Bauelement gemäß der vorliegenden
Erfindung kann ferner weitere Funktionsschichten, wie beispielsweise
Antireflektionsschichten, Streuschichten, Schichten zur Farbkonversion
von Licht und/oder mechanische Schutzschichten, umfassen. Derartige
Schichten können beispielsweise
auf der Metallschicht der Aufwachselektrode angeordnet sein. Die
Funktionsschichten können
vorzugsweise mittels thermischem Verdampfen abgeschieden werden.
Diese Schichten können die
Funktion und Effizienz der strahlungsemittierenden Vorrichtung weiter
verbessern.
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Die
erfindungsgemäße Aufgabe
wird ferner durch einen elektrischen Kontakt gemäß den Merkmalen des Anspruchs
15 gelöst.
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Ein
elektrischer Kontakt gemäß der vorliegenden
Erfindung ist zur Verwendung in bzw. mit einem elektronischen Bauelement
geeignet. Der erfindungsgemäße elektrische
Kontakt weist ein Substrat, wenigstens eine auf dem Substrat angeordnete,
erste Elektrode und auf der dem Substrat zugewandten Seite der Elektrode
eine Aufwachsschicht auf, wobei die auf der Aufwachsschicht angeordnete
Elektrode eine Metallschicht mit einer Dicke von kleiner oder gleich
30 nm aufweist und die Aufwachsschicht eine Dicke besitzt, die kleiner
oder gleich 10 nm ist.
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Da
bereits mit dem erfindungsgemäßen elektrischen
Kontakt im Wesentlichen alle Vorteile erzielbar sind, welche mit
dem erfindungsgemäßen elektronischen
Bauteil erzielt werden können,
wird bezüglich
weiterer Ausgestalungen zur Vermeidung von Wiederholungen auf die
vorstehenden Ausführungen
hierzu verwiesen.
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Die
vorliegende Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsformen
unter Bezugnahme auf die beigefügten
Figuren beschrieben. In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen
gleiche oder identische Elemente. Es zeigt:
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1 eine
schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen Bauelements
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in einem Teilschnitt;
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2 eine
schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen Bauelements
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in einem Teilschnitt;
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3 eine
schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen Bauelements
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in einem Teilschnitt;
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4 eine
REM-Aufnahme einer dünnen Silberschicht,
die auf einem Glassubstrat abgeschieden ist;
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5 eine
REM-Aufnahme einer dünnen Silberschicht,
die auf einem herkömmlichen
Organikuntergrund abgeschieden ist;
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6 eine
REM-Aufnahme einer dünnen Silberschicht,
die erfindungsgemäß auf einer ITO-Aufwachsschicht
abgeschieden ist;
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7 einen
Graphen, der das Ergebnis einer Transparenzmessung der Silberschichten
aus den 3 bis 5 zeigt;
und
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8 Abstrahlcharakteristiken
eines erfindungsgemäßen elektrooptischen
Bauelements zeigt.
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In
den nachfolgenden Ausführungsformen, die
anhand der Zeichnung beispielhaft beschrieben sind, ist das erfindungsgemäße elektronische
Bauelement als strahlungsemittierende Vorrichtung, insbesondere
als OLED, veranschaulicht.
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1 zeigt
eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen
Bauelements 100 gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die als Top-/Bottom-Emitter ausgestaltet ist.
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Auf
einem Substrat 1, z. B. einem Glassubstrat, ist eine erste
Elektrode 3 angeordnet. Die erste Elektrode 3 kann
z. B. eine Anode sein und beispielsweise aus Indium-dotiertem Zinnoxid
(ITO) gebildet sein.
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Auf
der ersten Elektrode 3 ist eine organische Funktionsschicht 5,
wie beispielsweise eine fluoreszierende und/oder phosphoreszierende
Emitterschicht, angeordnet.
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Auf
der organischen Funktionsschicht 5 ist eine Aufwachsschicht 7 angeordnet.
Die Aufwachsschicht 7 kann z. B. 3 nm dick sein und mittels
Facing Target Sputtern abgeschieden sein.
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Auf
der Aufwachsschicht 7 ist als zweite Elektrode eine Aufwachselektrode,
z. B. in Form einer 10 nm dicken Metallschicht 9, abgeschieden.
Die Metallschicht 9 kann beispielsweise mittels Sputtern abgeschieden
sein. Die die Metallschicht 9 umfassende zweite Elektrode 11 ist,
wenn die erste Elektrode 3 eine Anode ist, eine Kathode.
Die Aufwachsschicht 7 ist dabei erfindungsgemäß auf der
dem Substrat 1 zugewandten Seite der zweiten Elektrode 11 angeordnet.
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2 zeigt
eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen
Bauelements 100 gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die als Bottom-Emitter ausgestaltet ist.
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Auf
dem Substrat 1, wie einem Glassubstrat, ist eine Aufwachsschicht 7 und
auf der Aufwachsschicht 7 eine Aufwachselektrode in Form
einer Metallschicht 9 als erste Elektrode 3 angeordnet
sind. Die erste Elektrode 3 kann als Anode ausgestaltet sein.
Die Aufwachsschicht 7 ist erfindungsgemäß auf der dem Substrat 1 zugewandten
Seite der ersten Elektrode 3 angeordnet. Die Aufwachsschicht 7 kann in
vorteilhafter Weise dazu dienen, die Oberfläche auf der eine Aufwachselektrode
aufgebracht worden ist, zu verbessern, d. h. in einer solchen Weise
zu behandeln, dass die Metallschicht 9 dünn, glatt
und homogen abgeschieden werden kann, um eine verbesserte Bestromung
und eine verbesserte Transparenz des elektronischen Bauelements 100 zu
ermöglichen.
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Auf
der Metallschicht 9 ist eine organische Funktionsschicht 5 angeordnet.
Die organische Funktionsschicht 5 kann eine Emitterschicht
umfassen.
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Auf
der organischen Funktionsschicht 5 ist die zweite Elektrode 11 angeordnet.
Die zweite Elektrode 11 ist, wenn die erste Elektrode 3 eine
Anode ist, eine Kathode. Sie kann zum Beispiel eine herkömmliche
20 nm dicke Silberschicht sein.
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3 zeigt
eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen
Bauelements 100 gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, die als Top-Emitter ausgestaltet ist.
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Auf
einem Substrat 1 ist eine erste Elektrode 3 angeordnet.
Die erste Elektrode 3 kann, wie in 3 gezeigt,
eine Anode sein und beispielsweise aus Indium-dotiertem Zinnoxid
(ITO) gebildet sein.
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Auf
der ersten Elektrode 3 ist eine Lochinjektionsschicht 13 und
auf dieser eine Lochtransportschicht 15 angeordnet. Die
Lochinjektionsschicht 13 und die Lochtrabsportschicht 15 können mittels
thermischem Verdampfen abgeschieden sein.
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Auf
der Lochtransportschicht 15 ist eine weitere organische
Funktionsschicht 5, wie beispielsweise eine fluoreszierende
und/oder phosphoreszierende Emitterschicht, angeordnet.
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Auf
der organischen Funktionsschicht 5 ist eine Elektronentransportschicht 17 angeordnet,
welche ebenfalls mittels thermischem Verdampfen abgeschieden sein
kann. Auf der Elektronentransportschicht 17 ist eine Aufwachsschicht 7 angeordnet. Die
Aufwachsschicht 7 kann z. B. 3 nm dick sein und mittels
Facing Target Sputtern abgeschieden sein.
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Auf
der Aufwachsschicht 7 ist als zweite Elektrode eine Aufwachselektrode,
z. B. in Form einer 10 nm dicken Metallschicht 9, abgeschieden.
Die Metallschicht 9 kann bevorzugt mittels Sputtern abgeschieden
sein. Die die Metallschicht 9 umfassende zweite Elektrode 11 ist,
wie in 3 gezeigt, eine Kathode.
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4 zeigt
eine REM-Aufnahme einer dünnen
Silberschicht, die auf einem Glassubstrat abgeschieden ist. Die
Silberschicht ist 12 nm dick und wurde mittels thermischem Verdampfen
auf das Glassubstrat aufgebracht. Wie in 4 zu sehen
ist, neigt die Silberschicht stark zur Inselbildung; zwischen den Metallinseln
ist das Glassubstrat zu erkennen. Die Silberschicht ist daher nicht
glatt und homogen auf dem Glassubstrat ausgebildet. Der mit einem Vier-Spitzen-Messgerät gemessene
Flächenwiderstand
dieser Silberschicht beträgt
19,3 Ω/☐ ± 1,9 Ω/☐.
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5 zeigt
eine REM-Aufnahme einer 12 nm Silberschicht, die mittels thermischem
Verdampfen auf einem Organikuntergrund abgeschieden ist. Der Organikuntergrund
ist auf einem Glassubstrat abgeschieden und besteht aus einem herkömmlichen
Matrixmaterial, wie beispielsweise α-NPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'biphenyl-4,4''diamin. Die Inselbildungstendenz der
Silberschicht ist wesentlich geringer als in 4; es sind jedoch
deutliche Risse zu erkennen. Der mit einem Vier-Spitzen-Messgerät gemessene
Flächenwiderstand
dieser Silberschicht beträgt
7,13 Ω/☐ ± 0,37 Ω/☐.
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6 zeigt
eine REM-Aufnahme einer 12 nm dicken Silberschicht, die mittels
Sputtern erfindungsgemäß auf einer
17 nm dicken ITO-Aufwachsschicht abgeschieden wurde. Die ITO-Aufwachsschicht wiederum
wurde auf einem 90 nm dicken Organikuntergrund, wie er beispielsweise
vorstehend in Bezug auf 5 angegeben ist, aufgebracht.
Der Organikuntergrund wurde auf ein Glassubstrat aufgebracht. Die
Silberschicht ist, wie in 6 zu sehen ist,
glatt und geschlossen ausgebildet. Der mit einem Vier-Spitzen-Messgerät gemessene
Flächenwiderstand
dieser Silberschicht beträgt
4,48 Ω/☐ ± 0,20 Ω/☐.
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Die
dünne amorphe
Aufwachsschicht gemäß der vorliegenden
Erfindung ermöglicht
in vorteilhafter Weise, dass die Metallschicht – im Vergleich zu herkömmlichen
Metallschichten bzw. Elektrodenschichten mit einer Dicke von z.
B. 20 nm – dünn, glatt
und als geschlossene Schicht auf der Aufwachschicht abscheidbar
ist.
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7 zeigt
einen Graphen, der das Ergebnis einer Transparenzmessung der Silberschichten
(Silberschicht auf Glassubstrat gemäß 4, Silberschicht
auf Organikuntergrund auf Glassubstrat gemäß 5 und Silberschicht
auf ITO-Schicht auf Organikuntergrund auf Glassubstrat gemäß 5)
aus den 4 bis 6 zeigt.
Pro Beispiel wurden drei Messungen durchgeführt. Es ist die Transparenz
[%] bezogen auf die Wellenlänge
[nm] angegeben.
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Die
Silberschicht auf Glasuntergrund 19 aus 4 zeigt
eine Strahldichte von etwa 65% bei einer Wellenlänge von etwa 355 nm, das ab
ca. 410 nm auf einen minimalen Wert von etwa 35% abfällt und
bei höheren
Wellenlängen
konstant bleibt.
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Die
Silberschicht auf Organikuntergrund 21 aus 5 zeigt
ein Transparenzmaximum von etwa 43% bei etwa 400 nm. Die Transparenz
fällt bei
höheren
Wellenlängen
langsam auf einen Wert von etwa 32% ab.
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Die
erfindungsgemäße Silberschicht
auf Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO) 23 aus 6 zeigt
bei etwa 400 nm ein Transparenzmaximum von etwa 68%. Im Bereich
von etwa 380 nm bis etwa 450 nm ist die Transparenz größer als
60%. Die Transparenz der Silberschicht auf Indium-dotiertem Zinnoxid 23 ist deutlich
größer als
die der anderen Schichten 19 und 21.
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8 zeigt
die Abstrahlcharakteristiken eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements.
Es wurden drei Messungen durchgeführt. Die Abstrahlcharakteristiken
sind als Strahldichte (angegeben in [W/(sr/m2)])
bezogen auf den Betrachtungswinkel (angegeben in Grad [°]) dargestellt.
Die Einheit „sr” bezeichnet
den Steradianten, d. h. den Raumwinkel.
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Die
Abstrahlcharakteristik 25 der in 5 beschriebenen
Anordnung eines erfindungsgemäßen elektronischen
Bauelements, die beispielsweise als eine top-emittierende OLED ausgebildet
ist, zeigt eine im Wesentlichen Lambertsche Abstrahlcharakteristik
(Die Lambertsche Abstrahlcharakteristik ist als gestrichelte Linie
eingezeichnet und trägt
kein Bezugszeichen).
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Die
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung können
beliebig weiter variiert werden. Es ist weiterhin zu berücksichtigen,
dass sich die Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt, sondern weitere,
hier nicht aufgeführte
Ausgestaltungen und Ausführungen
zulässt.