DE1558421B1 - Verfahren zum Herstellen von Arsen hoechster Reinheit - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Arsen hoechster Reinheit

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DE1558421B1 DE19671558421 DE1558421A DE1558421B1 DE 1558421 B1 DE1558421 B1 DE 1558421B1 DE 19671558421 DE19671558421 DE 19671558421 DE 1558421 A DE1558421 A DE 1558421A DE 1558421 B1 DE1558421 B1 DE 1558421B1
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Shigetoshi Takayangi
Masumi Yokozawa
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Matsushita Electronics Corp
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    • C22C28/00Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
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Description

1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen Abtrennung des elementaren Arsens aus Wismutvon Arsen höchster Reinheit, insbesondere von Arsen Arsen-Legierungen vorgesehen ist.
mit einem Reinheitsgrad von mindestens 99,999 %■ Durch die Erfindung wird ein Verfahren geschaffen,
Bei den bekannten Verfahren zum Herstellen von bei dem als eutektisches Legierungsmaterial für das elementarem Arsen höchster Reinheit hat es sich als 5 Überdestillieren von Arsen eine Wismut-Arsen-Leäußerst schwierig erwiesen, die normalerweise im gierung verwendet wird, um auf diesem Wege sowohl Roharsen vorhandenen anderen Elemente gänzlich die schädlichen Verunreinigungen zurückzuhalten als abzutrennen, so besonders die Chalkogen-Elemente, auch ein elementares Arsen von höherem Reinheitswie etwa Schwefel, Selen und Tellur. Es ist beispiels- grad zu erhalten. Wismut-Arsen-Legierungen weisen weise ein Verfahren vorgeschlagen worden, bei dem io bei gleichen GewichtsanteilenArsenniedrigere Schmelzelementares Arsen durch Sublimation im Vakuum punkte auf als Blei-Arsen-Legierungen. Anders aus- oder in einer Wasserstoffatmosphäre gereinigt wird. gedrückt, bei einer gegebenen Destillationstemperatur Da jedoch die Dampfdrücke der Chalkogen-Ver- ist der Arsengehalt einer Wismut-Arsen-Legierung unreinigungen hoch sind, wird hierdruch die Sauber- wesentlich höher als der einer Blei-Arsen-Legierung. keit der Abtrennung beeinträchtigt. Daher war es 15 Der Partialdruck der mit einer geschmolzenen Wismutnicht möglich, den Reinheitsgrad des Arsens in dem Arsen-Legierung im Gleichgewichtszustand befinderwünschten Maß heraufzusetzen. liehen Wismutdampfphase liegt um zwei Stellenwerte
Weiterhin ist auch ein Verfahren bekannt, bei dem tiefer als der Partialdruck der Bleidampfphase über man Roharsen zusammen mit Blei von höchster einer geschmolzenen Blei-Arsen-Legierung, und dem-Reinheit verschmilzt und das Arsen aus der Schmelze 20 zufolge ist der Mengenanteil des zusammen mit dem abdestilliert. Bei diesem Verfahren werden die in bei der fraktionierten Destillation einer Wismutdem Roharsen enthaltenen Chalkogen-Elemente mit Arsen-Legierung übergehenden Arsen niedergeschladem Blei zu Bleichalkogeniden umgesetzt, und die genen Wismuts auch weiter gering als der Mengen-Chalkogene können daher in wirksamer Weise anteil des Bleis, das zusammen mit dem bei der entfernt werden. Andererseits läßt sich jedoch nicht 25 fraktionierten Destillation einer Blei-Arsen-Legierung vermeiden, daß Anteile von metallischem Blei mit übergehenden Arsen kondensiert. Darüber hinaus in das Destillat des gereinigten elementaren Arsens zeigt Wismut in den Arseniden des Aluminiums, übergehen. Zudem handelt es sich beim Blei um einen Galliums und Indiums ein im wesentlichen elektrisch, elektrisch aktiven Störstoff, dessen Wirkweise in den neutrales Verhalten. Selbst wenn also eine geringe Arseniden des Aluminiums, Galliums und Indiums 30 Wismutmenge zusammen mit dem Arsen übergehen die eines Donators ist, während er sich in den Arseniden und in das Halbleitermaterial gelangen sollte, werden des Zinks und Cadmiums als Akzeptor verhält, so daher die Eigenschaften des Halbleiters hiervon kaum daß schon die Anwesenheit einer geringfügigen berührt. Dies ist also ein weiterer Vorteil, der sich Bleimenge die Eigenschaften von Halbleitern erheblich aus der Verwendung von Wismut ergibt,
zu beeinträchtigen vermag. Will man sichergehen, daß 35 Das erfindungsgemäße Verfahren für die Darstellung das Arsen von solchen Spurenmengen Blei im wesent- eines Arsens von höchster Reinheit soll im nachlichen frei ist, so muß das Arsen durch wiederholtes folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen Umsublimieren oder auf anderem Wege gereinigt erläutert werden. Eine Wismut-Arsen-Legierung mit werden, was nicht nur einen erheblichen Arbeits- einer Zusammensetzung entsprechend dem schraf- und Zeitaufwand erfordert, sondern sich auch hin- 40 fierten Bereich in F i g. 1, d. h. also eine solche mit sichtlich der erhaltenen Gesamtausbeute sehr nach- einem Gehalt von 5 bis 20 Gewichtsprozent Arsen, teilig auswirkt. wird in ein in den Zeichnungen nicht dargestelltes
Die Erfindung hat die Herstellung von elementarem Quarz- oder Telexglasrohr eingegeben, das an seiner Arsen zur Aufgabe, das im wesentlichen frei von Innenseite mit einer Kohlenstoffschicht überzogen ist, Chalkogen-Elementen, wie Schwefel, Selen und Tellur, 45 worauf das Glasrohr unter Anlegen eines Vakuums ist. Erfindungsgemäß läßt sich Arsen mit einem abgeschmolzen wird. Das zugeschmolzene Rohr wird Reinheitsgrad von über 99,999% ohne größeren dann 2 Stunden oder länger auf 400 bis 6000C erhitzt, Aufwand und in rationeller Weise herstellen. Er- um eine gleichmäßige Beschaffenheit der Wismutfindungsgemäß ist es ferner möglich, Roharsen durch Arsen-Legierung und die Umsetzung der Verun-Destillation bei Abwesenheit von Blei als Legierungs- 50 reinigungen mit dem Wismut zu gewährleisten. Nach bestandteil zu reinigen. dem Abkühlen des Rohrs auf Raumtemperatur wird
Die Besonderheit des erfindungsgemäßen Verfahrens die Legierung entnommen und in die in F i g. 2 besteht darin, daß man das zu reinigende Roharsen dargestellte Destillationsanlage übergeführt. Wegen mit Wismut von höchster Reinheit in solchem Mengen- der besseren Regulierbarkeit wird die Destillationsverhältnis vermischt, daß beim Erhitzen auf 400 bis 55 anlage vorzugsweise elektrisch durch Heizanordnungen 6000C eine Wismut-Arsen-Legierung mit einem Arsen- 5 beheizt, doch können hierfür erwünschtenfalls auch gehalt von 5 bis 20 Gewichtsprozent Arsen entsteht, andere Hilfsmittel benutzt werden. Die Legierung 2 und das Arsen aus dieser Legierung bei 400 bis 6000C wird auf ihren Schmelzpunkt erhitzt, während an die im Vakuum abdestilliert. Destillationsanlage 1 ein Vakuum angelegt bleibt,
Die Erfindung wird nun an Hand der folgenden 60 wodurch das Arsen unter vermindertem Druck abBeschreibung und der Zeichnungen weiter erläutert. destilliert und in Form von elementarem Arsen 4 in In den Zeichnungen bedeutet der Kühlzone 3 der Destillationsanlage kondensiert.
F i g. 1 die Schmelzpunktkurve der im Rahmen der Zur Verhinderung einer eventuellen Verunreinigung Erfindung verwendeten Wismut-Arsen-Legierungen und/oder Oxydation kann die Destillationsanlage und 65 nach dem Beschicken mit der Legierung mit einem
F i g. 2 eine mehr oder weniger schematisierte inerten Gas durchgespült werden. Der Evakuierüngs-Schnittansicht einer Destillationsanlage, wie sie im grad kann im wesentlichen der gleiche sein wie bei Rahmen der Erfindung für das Reinigen und die der Destillation von Blei-Arsen-Legierungen, doch
wird die Destillation vorzugsweise bei einem Druck in der Größenordnung von 10~4 mm Hg vorgenommen.
Der Arsengehalt der Legierung ist hierbei auf den Bereich von 5 bis 20 Gewichtsprozent beschränkt, da bei einem höheren anfänglichen Arsengehalt als 20% der Schmelzpunkt der Legierung höher liegt, was einen höheren Partialdruck der Wismutdampfphase bedingt und wodurch demzufolge die Sauberkeit der Trennung beeinträchtigt wird. Beträgt der Arsengehalt weniger als 5 %> so ist die in einem Destillationsgang erzielbare Ausbeute an gereinigtem Arsen äußerst gering, was also insbesondere im Hinblick auf die großtechnische Fertigung einen erhöhten Aufwand und verringerte Betriebsleistungen mit sich bringt. Ist darüber hinaus schon beim voraufgehenden Aufschmelzen der Wismut-Arsen-Legierung eine Temperatur von mehr als 600° C erforderlich, so übersteigt der Dampfdruck des Arsens in dem zugeschmolzenen Rohr den Wert von einer Atmosphäre, so daß eine erhebliche Explosionsgefahr besteht, wohingegen bei einer Erhitzungstemperatur von weniger als 400° C kein Legierungsschmelzfluß erzielt wird und es kaum zu einer Umsetzung der in dem Arsen enthaltenen chalkogenen Verunreinigungen mit dem Wismut kommt.
Der Reinheitsgrad des nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in der vorbeschriebenen Weise hergestellten Arsens ist ein solcher, daß der Anteil der Verunreinigungen für gewöhnlich unter der Erfassungsgrenze sowohl der üblichen Methoden der quantitativen chemischen Analyse als auch der Verfahren mit größerer Empfindlichkeit einschließlich der Massenspektralanalyse liegt. Auch bereiten hierbei der Nachweis und die Bestimmung der Nichtmetalle wie Schwefel, Selen, und Tellur Schwierigkeiten, was hinsichtlich der Schwermetalle wie beispielsweise Wismut, Blei, Kupfer und Silber allerdings nicht der Fall ist.
Hingegen kommen aber als ein geeignetes Kriterium für den Reinheitsgrad eines Arsens von höchster Reinheit, das in Halbleiterverbindungen Verwendung finden soll, die elektrischen Eigenschaften eines Kristallfragments einer Halbleiterverbindung wie Aluminiumarsenid, Galliumarsenid oder Indiumarsenid, die durch Umsetzung dieses Arsens mit einem Aluminium, Gallium bzw. Indium bekannten Reinheitsgrades unter genau einzuhaltenden Bedingungen aufgebaut wurde, in Betracht. So kann beispielsweise die Ladungsträgerkonzentration, die durch Messung des Hall-Koeffizienten eines Kristallfragments eines Indiumarsenids ermittelt wurde, das durch Verdampfen von Arsen bei 510° C und durch Umsetzen der Arsendämpfe mit einem auf 960°C erhitzten metallischen Indium mit einem Reinheitsgrad von 99,9999 % hergestellt wurde, als ein Gradmesser für die Reinheit des gemäß der Erfindung hergestellten Arsens dienen.
Die nachfolgenden Ausführungsbeispiele bezwecken die Erläuterung der Erfindung und sind nicht in einem diese einschränkenden Sinn aufzufassen.
60 Ausführungsbeispiel 1
Ein Quarzrohr, dessen Innenfläche mit Kohlenstoff beschichtet war, wurde mit 100 g eines handelsüblichen Arsens mit einem Reinheitsgrad von 99% sowie mit 40 g eines hochreinen Wismuts mit einem Reinheitsgrad von 99,9999% beschickt. Das Rohr wurde bis auf einen Unterdruck von 10~4mm Hg evakuiert und zugeschmolzen. Das zugeschmolzene Rohr wurde auf 600° C erhitzt, um die Bestandteile des Gemenges aufzuschmelzen und so die erwünschte Wismut-Arsen-Legierung zu erhalten, und das Erhitzen wurde zur Erzielung einer völligen Homogenität der Legierung und zur Umsetzung der Verunreinigungen mit dem Wismut noch 5 Stunden fortgesetzt. Danach wurde das zugeschmolzene Rohr auf Raumtemperatur abgekühlt. Sodann wurde die Wismut-Arsen-Legierung entnommen, in eine Destillationsanlage übergeführt und im Vakuum (10~4mm Hg) bei 600° C einem Destillationsvorgang unterworfen, wobei die Arsendämpfe in einer Kühlzone niedergeschlagen wurden. Nach 3stündigem Destillieren unter diesen Bedingungen belief sich die Ausbeute an gereinigtem Arsen auf über 85 %·
Die Spektralanalyse ergab einen Reinheitsgrad des in dieser Weise gereinigten Arsens von über 99,9999 %> wenn man von den unten aufgeführten Nichtmetallen absieht.
Im einzelnen sind in dem Arsen die folgenden Verunreinigungen in den betreffenden Mengen (Teile je Million) enthalten, je nach dem, ob es nach dem erfindungsgemäßen oder nach dem bekannten Verfahren dargestellt wurde:
35 Wismut Blei Silicium Kupfer
T/M T/M T/M T/M
30 Erfindungsgemäßes
Verfahren 2 bis 3 Ibis 2 weniger
alsl
Bekanntes
Verfahren 7 bis 8 Ibis 2 weniger
alsl
Weiterhin war die Ladungsträgerkonzentration («) eines durch Umsetzung dieses gereinigten Arsens mit einem Indium von höchster Reinheit (99,9999%) erhaltenen Indiumarsenids
« = 3 bis 5-10cm-3.
Demgegenüber ergab sich die Ladungsträgerkonzentration («') eines Indiumarsenids, das durch Umsetzung dieses gleichen Indiums von höchster Reinheit mit einem Arsen, das aus dem vorerwähnten handelsüblichen Arsen mit einem Reinheitsgrad von 99% durch eine Reinigung nach dem bekannten Verfahren, nämlich der Destillation einer Blei-Arsen-Legierung dargestellt worden war, zu
ri = 5 bis 12 · 1016 cm-3.
Wie aus dem oben Gesagten klar hervorgeht, weist das unter Verwendung des nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gereinigten Arsens hergestellte Indiumarsenid gegenüber dem Indiumarsenid, das unter Benutzung eines nach dem bekannten Verfahren gereinigten Arsens hergestellt wurde, hervorragende Eigenschaften auf.
Ausführungsbeispiel 2
Ein Quarzrohr, dessen Innenfläche mit Kohlenstoff beschichtet war, wurde mit 5 g eines handelsüblichen Arsens mit einem Reinheitsgrad von 99% sowie mit 45 g eines hochreinen Wismuts mit einem Reinheitsgrad von 99,9999% beschickt. Das Rohr wurde bis auf einen Unterdruck von 10-4mm Hg evakuiert
und zugeschmolzen. Das zugeschmolzene Rohr wurde auf 5200C erhitzt, um die Charge aufzuschmelzen und die Wismut-Arsen-Legierung zu bilden, und das Erhitzen wurde 10 Stunden fortgesetzt. Danach wurde das Rohr auf Raumtemperatur abgekühlt, die Wismut-Arsen-Legierung wurde entnommen, in eine Destillationsanlage übergeführt und zur Darstellung elementaren Arsens im Vakuum (10~4mm Hg) bei 5200C einem Destillationsvorgang unterworfen. Die bei diesem Verfahren erzielte Arsenausbeute belief sich auf über 70%· Das in dieser Weise gereinigte Arsen wird den gleichen Reinheitsgrad wie das Arsen des Ausführungsbeispiels 1 auf.
Wie bereits ausgeführt, bedient man sich bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Darstellung eines Arsens von höchster Reinheit einer Wismut-Arsen-Legierung als eines eutektischen Legierungsmaterials für die Arsendestillation, um das Übergehen schädlicher Verunreinigungen oder Störstoffe zu verhindern, wie ebenso auch um zu erreichen, daß das dargestellte Arsen einen höheren Reinheitsgrad aufweist. Die Erfindung ist somit ein beachtlicher Beitrag zur Technik der Arsendarstellung.
Es sei betont, daß in der obigen Beschreibung lediglich auf einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung eingegangen wurde und daß die bier zu Beschreibungszwecken herangezogenen Ausführungsbeispiele der Erfindung viele Abänderungen und Modifikationen zulassen, die sämtlich im Rahmen der Erfindung liegen.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von Arsen höchster Reinheit, dadurch gekennzeichnet, daß man das zu reinigende Roharsen mit Wismut in höchster Reinheit in solchem Mengenverhältnis vermischt, daß beim Erhitzen auf 400 bis 6000C eine Wismut-Arsen-Legierung mit einem Arsengehalt von 5 bis 20 Gewichtsprozent Arsen entsteht, und das Arsen aus dieser Legierung bei 400 bis 6000C im Vakuum abdestilliert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Roharsen mit einem Reinheitsgrad von etwa 99 Gewichtsprozent und Wismut mit einem Reinheitsgrad von etwa 99,999 % verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu Beginn der Destillation benutzte Mischung aus 10 Gewichtsteilen Arsen und 40 Gewichtsteilen Wismut besteht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19671558421 1966-05-04 1967-04-28 Verfahren zum Herstellen von Arsen hoechster Reinheit Withdrawn DE1558421B1 (de)

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