DE2038564C3 - Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren - Google Patents

Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren

Info

Publication number
DE2038564C3
DE2038564C3 DE2038564A DE2038564A DE2038564C3 DE 2038564 C3 DE2038564 C3 DE 2038564C3 DE 2038564 A DE2038564 A DE 2038564A DE 2038564 A DE2038564 A DE 2038564A DE 2038564 C3 DE2038564 C3 DE 2038564C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
quartz glass
nuclei
crystal formation
device part
high temperatures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2038564A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2038564B2 (de
DE2038564A1 (de
Inventor
Karlheinz Dipl.-Phys.Dr. 6450 Hanau Rau
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH
Original Assignee
Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH filed Critical Heraeus Schott Quarzschmelze GmbH
Priority to DE2038564A priority Critical patent/DE2038564C3/de
Publication of DE2038564A1 publication Critical patent/DE2038564A1/de
Publication of DE2038564B2 publication Critical patent/DE2038564B2/de
Priority claimed from US05/370,075 external-priority patent/US3957476A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE2038564C3 publication Critical patent/DE2038564C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/25Oxides by deposition from the liquid phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C21/00Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/213SiO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/24Doped oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/11Deposition methods from solutions or suspensions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/11Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/112Deposition methods from solutions or suspensions by spraying
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00Glass manufacturing
    • Y10S65/08Quartz
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y10T428/131Glass, ceramic, or sintered, fused, fired, or calcined metal oxide or metal carbide containing [e.g., porcelain, brick, cement, etc.]
    • Y10T428/1317Multilayer [continuous layer]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/24992Density or compression of components
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31Surface property or characteristic of web, sheet or block

Description

Tiefc, die gleich der halben Wandstärke des rohr- abzuset7en.
förmigen Ce-äteteils ist, den Wert Null oder den Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge-Konzentrationsgrenzwert an Metallionen der löst, daß die Keimkonzentration an der äußeren
gleichen Ionenart annimmt, die als Verunreini- 20 Oberfläche des Quarzglasgeräteteils, insbesondere des
gungen im Quarzglas vorhanden sind. Quarzglasrohres, am größten ist und nach innen zu
2. Quarzglasgeräteteil nach Anspruch 1, da- stetig abnimmt in der Weise, daß in einer Tiefe im durch gekennzeichnet, daß die die zusätzlichen Bereich von 5 bis 100 um, äußerstenfalls aber in einer Keime enthaltende Quarzglasschicht eine Dicke Tiefe, die gleich der halben Wandstärke des rohrvon 10 bis 200 um, vorzugsweise von 10 bis 90 iim, 25 förmigen Geräteieils ist, den Wert Null oder den aufweist. Konzentrationsgrenzwert an Metallionen der gleichen
3. Quarzglasgeräteteil nach Anspruch 1 und/ Ionenart annimmt, die als Verunreinigungen im oder Ansprr^h 2, dadurch gekennzeichnet, daß Quarzglas vorhanden sind. Die Quarzglasschicht, die der Gewichtsanteil an Keimen an Metallionen an die zusätzlichen Keime enthält, weist eine Dicke von der äußeren Oberflache Ges Geräteteils einer 30 10 bis 200 [im, vorzugsweise von 10 bis 80 um, auf Flächenkonzentration von 5 bis 200 ug/cm2 ent- Der Gewichtsanteil an Keimen aus Metallionen ent spricht. spricht vorteilhafterweise an der äußeren Oberfläche
4 Qiiar7glasgeräteteil nach einem oder meh- des Geräteteils einer Flächenkonzentration von 5 bis reren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch 200 ug/cm-'. Ais Keime, die die Kristallbildung for gekennzeichnet, daß die Keime aus Aluminium-, 35 dem, haben sich insbesondere Aluminium-, Titan-, Titan-, Zirkonium-, Hafnium- und/oder Gallium- Zirkonium-, Hafnium- und/or!-:r Gallium-Ionen beIonen bestehen. sonders bewährt. Bei Ingebrauchnahme der erfindungsgemäßen Geräteteile, beispielsweise bei ihrem Einsatz als Diffusionsrohre in der Halbleitertechnik,
40 setzt bei Temperaturen oberhalb 1000° C eine
Rekristallisation unter Bildung von Cristobalit ein. Diese Rekristallisation setzt zwar schnell, gleich-
Die Erfindung betrifft ein Quarzglasgeräteteil, ins- mäßig und homogen ein, sie schreitet aber auf Grund besondere ein Quarzglasrohr zur Verwendung bei der erfindungsgemäßen Keimverteilung nur langsam hohen Temperaturen, insbesondere für die Durch- 45 und stetig fort. Kristallanisotropien, die sich festigführung halbleitertechnologischer Verfahren, welches keitsmindernd auswirken können, wurden bei den in seiner Außenoberflächenschicht Kristallbildung erfindungsgemäßen Quarzglasgeräteteilen nicht befördernde Keime enthält. obachtet. Die bessere Formstabilität der erfindungs-Es ist bekannt, Quarzglas als Werkstoff für Geräte- gemäß ausgebildeten Quarzglasgeräteteile bei hohen teile bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen 50 Temperaturen gegenüber den bekannten Quarzglaszu verwenden. Insbesondere verwendete man Quarz- rohren, bei denen die Keime gleichmäßig in SiO2 glas-Diffusionsrohre. In das Diffusionsrohr, das in verteilt sind, ist vermutlich auf die auf Grund der einem Ofen angeordnet ist, werden Halbleiterbau- erfindungsgemäßen Verteilung an Keimen hervorelemente eingebracht und anschließend zur Dotie- gerufene Stetigkeit des Wachstums der Cristobalitrung dieser Bauelemente eine vorbestimmte Gas- 55 schicht und der damit verbundenen Schrumpf- und atmosphäre bei einer vorgegebenen Diffusionstempe- Zugeffekte zurückzuführen. Schließlich ist als weiratur aufrechterhalten. Zum Einsatz gelangten vor- terer Vorteil noch anzuführen, daß durch die hohe zugsweise Diffusionsrohre aus hochreinem Quarzglas, Keimkonzentration an der äußeren Oberfläche des das weniger als 4 ppm (parts per million) metallische Quarzglasgeräteteils und die dadurch bewirkte Ver-Gesamtverunreinigungen enthält. Diese Diffusions- 60 dichtung der Quarzglasstmktur während seiner Errohre haben sich jedoch bei den zur Anwendung ge- hitzung, beispielsweise während des Dotierens von langenden hohen Dotierungstemperaturen plastisch Halbleiterbauelementen, das Eindringen von Fremdverformt, so daß sie häufig ausgewechselt werden ionen, die den Dotierungsprozeß stören, praktisch mußten. verhindert wird.
Gegenüber diesen bekannten Diffusionsrohren aus 65 Erfindungsgemäß ausgebildete Quarzglasgeräteteile
hochreinem Quarzglas zeigten ebenfalls bekannte werden in der Weise hergestellt, daß auf eine reine
Quarzglasrohre, die in ihrer Oberflächenschicht Quarzglasoberfläche beispielsweise eine Aluminium
neben SiO2 noch wenigstens einen zusätzlichen enthaltende Lösung oder eine Aluminiumverbindung
aufgetragen wird, die sich bei anschließender Erwärmung quantitativ zersetzt und reines Al2O3 bildet. Geeignet ist z. B. eine reine Aluminium-Nitrat-Lösung. Zur Herstellung einer 30 [im dicken Keimschicht werden 0,1 mg Aluminium-Ionen/cm'- aufgetragen. Anschließend wird die so behandelte Quarzglasoberfläche einer Temperatur von etwa 1800° C während einer Dauer von etwa 3 bis 30 min ausgesetzt. Diese Temperatur ist so hoch, daß schon keine Rekristallisation mehr erfolgt, die Aluminium-Keime aber in das SiO2 eindiffundieren, und zwar so, daß die Konzentration der Aluminium-Keime nach innen zu stetig abnimmt. Im Anschluß daran wird das Geräteteil rasch abgekühlt.
Außer Aluminium haben sich auch Titan-, Zirkonium-, Hafnium- und Gallium men als Keimbildner bewährt.
Die erfindungsgemäß ausgebildeten Quarzglasgeräte unterscheiden sich visuell nicht von normalen Quarzglasgeräteteilen. Nach ihrer Ingebrauchnahme bei hohen Temperaturen — vornehmlich oberhalb der Transformationstemperatur von Quarzglas — bildet sich nach kurzer Zeit die Rekristallisationsschicht aus, wodurch die vorteilhaften Eigenschaften ίο voll zur Wirkung kommen.
In der Figur ist ein erfindungsgemäß ausgebildetes
Quarzglasrohr dargestellt. Die Keime sind als Punkte
schematisch eingezeichnet. Es ist ersichtlich, daß die
Keimkonzentration von außen nach innen stetig
abnimmt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1 2 Kristallbildung fördernden Stoff in Form von Kei- Patentansprüchc: ™" aus Metallionen enthalten, deren Diffusions- koeffizient in Quarzglas klein ist gegenüber dem
1. Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarz- Diffusionskoeffizienlen von Natrium in Quarzglas glasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht 5 eine verbesserte Formstabilität. Der zusätzliche btofT enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen liegt dabei in einer Konzentration von mehr als 4 ppm aus Metallionen, deren Diffusionskoeffizient in bis einige hundert ppm, vorzugsweise in einer Kon-Quarzglas klein ist gegenüber dem Diffusions- zentraüon im Bereich zwischen 10 und 800 ppm, koeffizienten von Natrium in Quarzglas zur Ver- vor. Die Keime sind in dem SiO. fein verteilt (niederwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere io ländische Patentanmeldung 69.02534).
zur Durchführung halbleitertechnoloeischer Ver- Aufgabe der Erfindung ist es, die Formstabihtat
fahren, dadurch gekennzeichnet, daß der bekannten Qua-zglasgeräte, insbesondere der
die Keimkonzentration an der äußeren Oberfläche Quarzglasrohre, für die Dotierung von Halbleiter-
am größten ist und nach innen zu stetig abnimmt bauelementen, zu verbessern sowie die Gefahr des
in der Weise, daß sie in einer Tiefe im Bereich 15 Eindringens von Fremdionen, die die Dotierung des
von 5 bis 100 um, äußerstenfalls aber in einer Halbleiterbauelements stören, auf ein Minimum her-
DE2038564A 1970-08-04 1970-08-04 Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren Expired DE2038564C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2038564A DE2038564C3 (de) 1970-08-04 1970-08-04 Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2038564A DE2038564C3 (de) 1970-08-04 1970-08-04 Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren
US00166842A US3772134A (en) 1970-08-04 1971-07-28 Quartz glass elements
CH1142471A CH535913A (de) 1970-08-04 1971-08-03 Rohrförmiges Quarzglasgeräteteil
NL7110699A NL7110699A (de) 1970-08-04 1971-08-03
GB3668571A GB1349878A (en) 1970-08-04 1971-08-04 Quartz glass accessories
FR7128615A FR2101222B1 (de) 1970-08-04 1971-08-04
US05/370,075 US3957476A (en) 1970-08-04 1973-06-14 Method of diffusing ions into quartz glass

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2038564A1 DE2038564A1 (de) 1972-02-10
DE2038564B2 DE2038564B2 (de) 1973-02-08
DE2038564C3 true DE2038564C3 (de) 1973-09-13

Family

ID=5778770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2038564A Expired DE2038564C3 (de) 1970-08-04 1970-08-04 Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3772134A (de)
CH (1) CH535913A (de)
DE (1) DE2038564C3 (de)
FR (1) FR2101222B1 (de)
GB (1) GB1349878A (de)
NL (1) NL7110699A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2524410A1 (de) * 1974-06-05 1975-12-11 Gen Electric Glasartiges siliziumdioxyd mit einer sperrzone aus aluminiumsilikat
DE2843261A1 (de) * 1978-10-04 1980-04-10 Heraeus Schott Quarzschmelze Verfahren zum waermebehandeln von halbleiterbauelementen

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2206493C3 (de) * 1972-02-11 1975-01-30 Heraeus-Schott Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Mehrschichtiger Quarzglaskörper für die Verwendung in der Festkörpertechnologie
CH566077A5 (de) * 1972-08-05 1975-08-29 Heraeus Schott Quarzschmelze
US4411619A (en) * 1981-04-02 1983-10-25 Motorola, Inc. Flange and coupling cooling means and method
US4480989A (en) * 1981-04-02 1984-11-06 Motorola, Inc. Method of cooling a flange and coupling
DE3403378C2 (de) * 1984-02-01 1991-04-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Quarzglassubstrates und dessen Anwendung
JPH068181B2 (ja) * 1987-03-26 1994-02-02 信越石英株式会社 半導体工業用石英ガラス製品
JPH0460934B2 (de) * 1987-11-09 1992-09-29 Shinetsu Sekiei Kk
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
US5330941A (en) * 1991-07-24 1994-07-19 Asahi Glass Company Ltd. Quartz glass substrate for polysilicon thin film transistor liquid crystal display
US6216492B1 (en) 1994-10-14 2001-04-17 Heraeus Quarzglas Gmbh Methods and apparatus for providing quartz glass connectors
DE4436646C1 (de) * 1994-10-14 1995-12-21 Heraeus Quarzglas Anschlußteil eines Rohrs oder eines Behälters aus glasigem Quarz
US5976247A (en) * 1995-06-14 1999-11-02 Memc Electronic Materials, Inc. Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance
US5980629A (en) * 1995-06-14 1999-11-09 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for improving zero dislocation yield of single crystals
EP0911429A1 (de) * 1997-09-30 1999-04-28 Heraeus Quarzglas GmbH Quarzglastiegel zum Herstellen Siliciumeinkristall sowie Verfahren zu seiner Herstellung
AUPR054000A0 (en) * 2000-10-04 2000-10-26 Austai Motors Designing Pty Ltd A planetary gear apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3116137A (en) * 1958-07-01 1963-12-31 Avco Mfg Corp Hot pressed material and method of producing the same
NL252872A (de) * 1959-07-01
US3298553A (en) * 1961-11-09 1967-01-17 Owens Illinois Inc Partially devitrified glass article and method for making the same
NL295868A (de) * 1962-08-08
US3445252A (en) * 1966-09-14 1969-05-20 Corning Glass Works Alpha- and beta-cristobalite glassceramic articles and methods

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2524410A1 (de) * 1974-06-05 1975-12-11 Gen Electric Glasartiges siliziumdioxyd mit einer sperrzone aus aluminiumsilikat
DE2843261A1 (de) * 1978-10-04 1980-04-10 Heraeus Schott Quarzschmelze Verfahren zum waermebehandeln von halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
DE2038564A1 (de) 1972-02-10
FR2101222B1 (de) 1974-03-29
NL7110699A (de) 1972-02-08
FR2101222A1 (de) 1972-03-31
US3772134A (en) 1973-11-13
GB1349878A (en) 1974-04-10
DE2038564B2 (de) 1973-02-08
CH535913A (de) 1973-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2038564C3 (de) Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren
DE1148024B (de) Diffusionsverfahren zum Dotieren eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer Halbleiterbauelemente
DE1279848B (de) Verfahren zum grossflaechigen Kontaktieren eines einkristallinen Siliziumkoerpers
DE2122192A1 (de) Behandlungsverfahren für Verbindungshalbleiter
DE1521950B2 (de) Verfahren zur herstellung eines oxydbelages auf einem vor zugsweise einkristallinen halbleiterkoerper und anwendung des verfahrens zum vergleichmaessigen der oberflaeche und zum dotieren
DE1558421B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Arsen hoechster Reinheit
DD213514A1 (de) Verfahren zur herstellung von calciumfluorid-einkristallen fuer optische zwecke
DE1544281A1 (de) Verfahren zum Aufbereiten von Halbleiterkristallen
DE2447224A1 (de) Verfahren zum aufwachsen von pyrolitischen siliciumdioxidschichten
DE1250006B (de)
DE1261842B (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
DE2934744C2 (de) Bad zur Herstellung einer Isolierbeschichtung auf einem Halbleiterkörper
DE874181C (de) Verfahren zur Herstellung einer photoelektrisch wirksamen Verbindung
DE976468C (de) Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter
DE1936508C3 (de) Verfahren zur Stabilisierung der Koerzitivkraft von Pulver für Dauermagneten
DE1098316B (de) Verfahren zum Herstellen einkristalliner UEberzuege aus dotierten Halbleitergrundstoffen durch Aufdampfen im Vakuum
DE1696061A1 (de) Quarzglaskoerper fuer die Halbleitertechnik
CH345360A (de) Verfahren zur Herstellung gewalzter Erzeugnisse aus einer Siliziumeisenlegierung mit guten magnetischen Eigenschaften
DE1558421C (de) Verfahren zum Herstellen von Arsen höchster Reinheit
DE1771077C (de) Quarzglasrohr mit auf der Außenfläche angebrachtem Überzug zur Verwendung bei Temperaturen über 1000 Grad C, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren
DE1546030C (de) Ätzlösung zum Ätzen von Silizium
AT218570B (de) Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers
DE1496543C (de) Glasur zur Verwendung in elektronischen Festkorperbauelementen sowie mit dieser Glasur versehene Festkörperbauelemente
DE407411C (de) Verfahren zur Herstellung eines Schleifmittels
DE2257047C3 (de) Diffusionsverfahren zum Dotieren von Galliumarsenid

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977