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TECHNISCHES
GEBIET
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Die vorliegende Erfindung betrifft
eine fenoelektrische Speichervrrichtung gemäß dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und
2.
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STAND DER TECHNIK
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Unlängst wurde unter Verwendung
eines ferroelektrischen Materials in dem Kondensator einer Speicherzelle
eine ferroelektrische Speichervorrichtung erfunden, die Nichtflüchtigkeit
von gespeicherten Daten verwirklicht. Der ferroelektrische Kondensator
besitzt eine Hysterese-Charakteristik, und wenn das elektrische
Feld null ist, bleibt abhängig von
der Hysterese eine Restpolarisation unterschiedlicher Polarität zurück. Indem
die gespeicherten Daten durch die Restpolarisation des ferroelektrischen Kondensators
ausgedrückt
werden, wird eine nichtflüchtige
Speichervorrichtung verwirklicht.
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Die Beschreibung von US-Patent Nr. 4,873,664
offenbart zwei Typen von ferroelektrischen Speichervorrichtungen.
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In einem ersten Typ besteht eine
Speicherzelle aus einem Transistor und einem Kondensator pro Bit
(1T1C), und ein ferroelektrischer Kondensator für eine Bezugsspeicherzelle
wird z. B. in allen 256 ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen
(normale Zellen) bereitgestellt.
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In einem zweiten Typ, der keinen
ferroelektrischen Kondensator für
eine Bezugsspeicherzelle verwendet, besteht eine Speicherzelle aus
zwei Transistoren und zwei Kondensatoren pro Bit (2T2C), wobei ein
Paar komplementärer
Daten in einem Paar ferroelektrischer Kondensatoren für die Hauptkörper-Speicherzelle
gespeichert wird.
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Für
eine größere Speicherkapazität ist der 1T1C-Typ
vorteilhaft, und gegenwärtig
ist für
Niederspannungsbetrieb und Betrieb für längere Lebensdauer die Konstruktion
mit ferroelektrischem Kondensator für die Bezugszelle in dem ferroelektrischen Zellenkondensator
für die
Hauptkörper-Speicherzelle wichtig.
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Als ferroelektrisches Material zum
Bilden des Kondensators sind KNO3, PbLa203-ZrO2-TiO2 und PbTiO3-PbZrO3 neben anderen bekannt. Nach PCT International
Disclosure Nr. W093/ 12542 Veröffentlichung
sind ferroelektrische Materialien mit im Vergleich zu PbTiO3-PbZrO3 extrem kleiner
Ermüdung, die
für ferroelektrische
Speichervorrichtungen geeignet sind, ebenfalls bekannt.
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EP-A-0 702 372 betrifft allgemein
ferroelektrische Speicherzellen und Anordnungen solcher Zellen und
insbesondere eine Spannungsreferenz für eine gemeinsame Leseverstärkeranordnung
einen Ein-Transistor, Ein-Kondensator- (1T-1C) ferroelektrischen
Speicher. Die Spannungsreferenz umfasst eine Bezugszelle ähnlich den
in 7 gezeigten, die einen ferroelektrischen
Speicher nach einem Stand der Technik darstellt.
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Ein weiterer Stand der Technik wird
in IEEE Journal of Solid-State Circults, Vol. SC-22, 5. Okt. 1987,
New York, USA, MIYAMOTO et al,. : "A Fast 256kx4 CMOS DRAM with a Distributed
Sense and Unique Restore Circuit" Seiten
861-867 offenbart. Ein besonderes Merkmal dieses DRAM ist, dass
eine verteilte Lese- und einmalige Wiederherstellungsschaltung bereitgestellt
wird, was eine kleine Chipgröße ergibt.
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Die Zusammensetzung der herkömmlichen ferroelektrischen
Speichervorrichtung des 1T1C-Typs
wird unten kurz beschrieben.
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7 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild, 8 ist
ein Leseverstärker-Schaltbild
und 9 ist ein Betriebs-Timing-Diagramm.
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In 7 betreffen
C00 bis C37 ferroelektrische Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen, CD00 bis
CD31 sind ferroelektrische Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen, CPD
ist ein Zellenplattentreiber und REW0 und REW1 sind Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitungen.
Des Werteren sind SA0 bis SA3 Leseverstärker, und CP ist ein Zellenplattensignal.
WL0 bis WL7 sind Wortleitungen, RWL0 und RWL1 sind Bezugswortleitungen, und
BL0 bis BL3, /BL0 bis /BL3 sind Bitleitungen. In 8 und 9 ist BP ein Bitleitungs-Vorladesignal, und
/SAP und SAN sind Leseverstärker-Steuersignale.
Des Werteren ist VSS ein Erdungssignal, und VDD ist eine Versorgungsspannung.
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In der Speicherzellen-Zusammensetzung, wie
z. B. in den Zeichnungen gezeigt, sind Bitleitungen BL0 und /BL0
mit dem Leseverstärker
SA0 verbunden. Außerdem
ist ein ferroelektrischer Kondensator für die Hauptkörper-Speicherzelle
C00 mit der Bitleitung BL0 über
einen N-Kanal-MOS-Transistor Tr1, an dessen Gate die Wortleitung
WL0 liegt, verbunden. Mit der Bitleitung /BL0 ist außerdem ein
ferroelektrischer Kondensator für
die Bezugsspeicher zelle CD00 über
einen N-Kanal-MOS-Transistor Tr2, an dessen Gate die Bezugswortleitung
RWL0 liegt, verbunden. Die ferroelektrischen Kondensatoren C00,
CD00 sind mit der Zellenplatten-Signalleitung CP verbunden, die
durch den Zellenplattentreiber CPD getrieben wird.
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Die Bitleitungen /BL0 und /BL1 sind über einen
N-Kanal-MOS-Transistor Tr3, an dessen Gate die Bezugswortleitung
RWL0 liegt, verbunden. Die Bitleitung BL0 und der ferroelektrische
Kondensator für
die Bezugsspeicherzelle CD00 sind über einen N-Kanal-MOS-Transistor
Tr5, an dessen Gate die Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitung REW0
liegt, verbunden.
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Wie in 8 gezeigt,
wird der Leseverstärker
SA0 durch Leseverstärker-Steuersignale
ISAP, SAN gesteuert, und die Schaltung ist daher so aufgebaut, dass
das Vorladen der Bitleitungen BL0 und /BL0 durch das Bitleitungs-Vorladesignal
BP gesteuert wird.
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Diese herkömmliche ferroelektrische Speichervorrichtung
mit 1T1C-Zusammensetzung basiert auf einem Verfahren des Verwendens
von zwei ferroelektrischen Kondensatoren fast gleicher Größe als den
ferroelektrischen Kondensator für
die Hauptkörper-Speicherzelle,
des Auslesens einer N (hohen) Date und einer L (tiefen) Date und
des Mittelns dieser zwei Daten (s. Japanische Offenlegungs-Patent
Nr. 7-262768).
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Die Arbeitsweise dieser herkömmlichen
ferroelektrischen Speichervorrichtung mit 1T1C-Zusammensetzung wird
mit Verweis auf 9 beschrieben, die
hauptsächlich
das Auswählen
der Wortleitung WL0 betrifft.
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Zuerst werden die Bitleitungen BL0
und /BL0 auf eine logische Spannung L vorgeladen, wenn das Bitleitungs-Vorladesignal
BP H ist. Desgleichen werden die Bitleitungen BL1 und /BL1 auf die
logische Spannung L vorgeladen.
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Wenn das Bitleitungs-Vorladesignal
BP auf die logische Spannung L gesetzt wird, werden folglich die
Bitleitungen BL0 und /BL0 und die Bitleitungen BL1 und /BL1 in einen
schwebenden Zustand gesetzt.
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Als Nächstes werden die Wortleitung
WL0 und die Bezugswortleitung RWL0 auf die logische Spannung H gesetzt,
und die Zellenplatten-Signalleitung CP wird auf die logische Spannung
H gesetzt. Der Potenzialpegel der logischen Spannung H der Wortleitung
WL0 ist hierin eine Spannung, die über die Versorgungsspannung
VDD angehoben wird. Da die Bezugswortlei tung RWL0 auf die logische
Spannung H gesetzt ist, werden die N-Kanal-MOS-Transistoren Tr2
bis Tr4 eingeschaltet. In dieser Beschreibung bedeutet, wenn, wie
oben erwähnt,
z. B. die Wortleitung WL0 auf die logische Spannung H gesetzt wird,
dass das Potenzial der Wortleitung WL0 auf die logische Spannung
H gesetzt wird.
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Zu diesem Zeitpunkt wird ein elektrisches Feld
an beide Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren C00, CD00,
C10, CD10 einzeln angelegt, und jedes Potenzial wird durch das Kapazitätsverhältnis des
ferroelektrischen Kondensators und der Bitleitungskapazität bestimmt.
Ihre Potenziale werden aus den einzelnen Bitleitungen BL0, /BL0,
BL1, /BL1 ausgelesen.
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Zu diesem Zeitpunkt sind die Daten,
die aus dem ferroelektrischen Kondensator für die Bezugsspeicherzellen
CD00 und CD10 ausgelesen werden, gemittelte Daten (Potenzial) der
zwei Daten, weil die N-Kanal-MOS-Transistoren Tr2 bis Tr4 eingeschaltet sind
und folglich die Bitleitungen /BL0 und /BL1 elektrisch verbunden
sind. Hierin werden H (hohe) Daten in dem ferroelektrischen Kondensator
für die
Bezugsspeicherzellen CD00 und CD01 und L (tiefe) Daten in dem ferroelektrischen
Kondensator für
die Bezugsspeicherzellen CD10 und CD11 aufgezeichnet.
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Dann werden durch Setzen der Bezugswortleitung
RWL0 auf logische Spannung L und Ausschalten der N-Kanal-MOS-Transistoren
Tr2 bis Tr4 die Bitleitung /BL0 und die Bitleitung /BL1 elektrisch getrennt.
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Folglich werden das Leseverstärker-Steuersignal
/SAP auf logische Spannung L und des SAN auf logische Spannung N
gesetzt, und der Lesenverstärker
wird betätigt.
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Die Folge ist, dass das in die Bitleitung
ausgelesene Potenzial auf die Versorgungsspannung VDD und die Erdungsspannung
VSS verstärkt
wird.
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Die Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitung
REW0 wird auf logische Spannung H gesetzt, sodass sie jetzt bereit
ist, die Potenziale von H (hoch) und L (tief) für die nächste Leseoperation in die
ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00 und CD10 zu schreiben.
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Zum Rückschreiben wird folglich das
Zellenplattensignal CP auf logische Spannung L gesetzt. Danach wird
das Bitleitungs-Vorladesignal BP auf logische Spannung H gesetzt,
und die Bitleitungen BL0 und /BL0 werden auf logische Spannung L
vorgeladen, und die Wortlei tung WL0 und die Bezugswortleitung RWL0
werden auf logische Spannung L gesetzt, um in den Ausgangszustand
gesetzt zu werden.
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Auf diese Weise ist in der herkömmlichen
ferroelektrischen Speichervorrichtung des 1T1C-Typs, wenn die Wortleitung WL0 ausgewählt wird,
das beim Auslesen der Potenziale der Bitleitungen BL0 und BI1 benutzte
Bezugspotenzial das Mittel des ferroelektrischen Kondensators für die Bezugsspeicherzellen
CD00 und CD10. Der Mittelwert wird aus den Bitleitungen (BL0 und
/BL1 ausgelesen. Das beim Auslesen der Potenziale der Bitleitungen
BL2 und BL3 benutzte Bezugspotenzial ist der Mittelwert des ferroelektrischen
Kondensators für
die Bezugsspeicherzellen CD20 und CD30. Der Mittelwert wird aus
den Bitleitungen /BL0 und /BL1 ausgelesen.
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Im Übrigen wird, wenn die Wortleitung
WL1 ausgewählt
wird, die Rolle des Bitleitungspaares umgekehrt, und die ferroelektrischen
Kondensatoren für die
Bezugsspeicherzellen sind auch verschieden.
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Das heißt, das beim Auslesen der Potenziale der
Bitleitungen /BL0 und /BL1 benutzte Bezugspotenzial ist der Mittelwert
des ferroelektrischen Kondensators für die Bezugsspeicherzellen
CD01 und CD11. Der Mittelwert wird aus den Bitleitungen BL0 und
BL1 ausgelesen. Das beim Auslesen der Potenziale der Bitleitungen
/BL2 und /BL3 benutzte Bezugspotenzial ist der Mittelwert des ferroelektrischen Kondensators
für die
Bezugsspeicherzellen CD21 und CD31. Der Mittelwert wird aus den
Bitleitungen BL0 und BL1 ausgelesen.
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Bie dem in 7 gezeigten
u für acht
Wortleitungen WL0 bis WL7 gibt es daher vier Arten von Bezugspotenzialen.
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Das Bezugsspeicherzellensystem der
herkömmlichen
ferroelektrischen Speicherzellenvorrichtung des 1T1C-Typs hatte
jedoch die folgenden Probleme.
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Das heißt, bisher waren zwei ferroelektrische Kondensatoren
für Bezugsspeicherzellen,
in die H (hohe) und L (tiefe) Daten geschrieben werden (z. B. ferroelektrische
Kondensatoren für
die Bezugsspeicherzellen DC00 und CD10), elektrisch verbunden, beide
Potenziale wurden gemittelt, und der Mittelwert wurde als das Bezugspotenzial
zum Auslesen der Daten benutzt. Die Folge war, dass infolge von Schwankungen
dieser ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen die
Bezugspotenziale verändert
wurden. Demnach wurde das ideale Bezugspotenzial, das immer den
gleichen Wert haben sollte, nicht immer erhalten, und die Ausbeute
der ferroelektrischen Speichervorrichtung wurde gesenkt.
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Insbesondere standen solche Schwankungen
der ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen in enger
Verbindung mit der Layout-Konfiguration, und wenn die Konfiguration
der ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen und
die ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen voneinander
entfernt war, konnte ein ideales Bezugspotenzial nicht erhalten
werden.
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Außerdem waren in dem Bezugsspeicherzellensystem
der herkömmlichen
ferroelektrischen Speicherzellenvorrichtung des 1T1C-Typs die N-Kanal-MOS-Transistoren
und ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen als
Steuersignale und Steuerschalterlemente in jeder Bitleitung erforderlich,
die eine größe Fläche im Layout
belegten.
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OFFENBARUNG
DER ERFINDUNG
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Angesichts der Probleme des Standes
der Technik ist es demnach eine Aufgabe der Erfindung, eine ferroelektrische
Speichervorrichtung vorzulegen, die imstande ist, die Schwankungen
des Bezugspotenzials gegenüber
dem herkömmlichen
Pegel wesentlich zu verringern.
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Diese Aufgabe wird durch die Merkmale
der unabhängigen
Ansprüche
erfüllt.
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Eine ferroelektrische Speichervorrichtung zum
Speichern nichtflüchtiger
Daten in ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen umfasst:
eine Vielzahl erster ferroelektrischer Speicherzellen, die im Wesentlichen
Daten mit hohem Pegel speichert, eine Vielzahl zweiter ferroelektrischer
Speicherzellen, die im Wesentlichen Daten mit tiefem Pegel speichert,
eine Ausgleichsschaltungseinrichtung zum Mitteln der Potenziale,
die aus den ersten und zweiten ferroelektrischen Speicherzellen
ausgelesen werden, und eine Leseeinrichtung zum Auslesen der in
den ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen gespeicherten
Daten unter Verwendung des gemittelten Potenzials als ein Bezugspotenzial.
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Eine Ausführung der vorliegenden Erfindung ist
eine ferroelektrische Speichervorrichtung zum Speichern nichtflüchtiger
Daten in ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen, wobei Wortleitungen
zum Auswählen
der ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen und Bitleitungen,
die beim Lesen der Potenziale aus den ferroelektrischen Kondensatoren
für Hauptkörper-Speicherzellen
benutzt werden, in einer Matrix angeordnet sind, umfassend: eine
ferroelektrische Bezugsspeicherzelle, die von den verschiedenen
Wortleitungen geteilt wird, und eine Leseeinrichtung zum Auslesen
der Daten der ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen unter Verwendung des
Bezugspotenzials, das auf der Basis des Potenzials erhalten wird,
das aus der ferroelektrischen Bezugsspeicherzelle ausgelesen wird.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild, das zum Verstehen der vorliegenden
Erfindung hilfreich ist.
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2 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild einer ersten Ausführung der
Erfindung.
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3 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild einer zweiten Ausführung der
Endung.
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4 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild in einem anderen Beispiel der
zweiten Ausführung der
Erfindung.
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5 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild, das keine Ausführung der
Erfindung darstellt.
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6 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild in einem anderen Beispiel.
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7 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild in einer früheren Technik.
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8 ist
ein Leseverstärker-Schaltbild
in einer früheren
Technik.
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9 ist
ein Betriebs-Timing-Diagramm in einer früheren Technik.
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VERWEISZEICHEN
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C00-C37 Ferroelektrischer Kondensator
für Hauptkörper-Speicherzelle
CD00-CD31
Ferroelektrischer Kondensator für
Bezugsspeicherzelle
CPD Zellenplattentreiber
SA0-SA3 Leseverstärker
CP
Zellenplattensignal
WL0-WL7 Wortleitung
RWK0, RWL1 Bezugswortleitung
REW0,
REW1 Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitung
EQ0,
EQ1 Bezugspotenzial-Signalleitung
BL0-BL3, /BL0-/BL3 Bitleitung
BP
Bitleitungs-Vorladesignal
/SAP, SAN Leseverstärker-Steuersignal
VSS
Erdungssignal
VDD Versorgungsspannung
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BESTE WEISE
ZUR AUSFÜHRUNG
DER ERFINDUNG
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Mit Verweis auf die Zeichnungen werden
im Folgenden Ausführungen
der Erfindung beschrieben.
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1 zeigt
einen Aufbau einer ferroelektrischen Speichervorrichtung, der beim
Verstehen der vorliegenden Erfindung hilfreich ist.
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Die Leseverstärkerschaltung und das Betriebs-Timing-Diagramm
sind dieselben wie in 8 und 9, die sich auf den Stand der Technik beziehen.
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Wie in 1 gezeigt,
sind C00 bis C37 ferroelektrische Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen, und
CD00 bis CD31 sind ferroelektrische Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen.
Des Werteren ist CPD einen Zellenplattentreiber, und REW0 und REW1
sind Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitungen.
Es sei angenommen, dass in den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD20 H (hohe) Daten und in den ferroelektrischen Kondensatoren
für die
Bezugsspeicherzellen CD10, CD30 L (tiefe) Daten aufgezeichnet werden.
Weiter sei angenommen, dass in den ferroelektrischen Kondensatoren
für die
Bezugsspeicherzellen CD01, CD21 H (hohe) Daten und in den ferroelektrischen
Kondensatoren für
die Bezugsspeicherzellen CD11, CD31 L (tiefe) Daten aufgezeichnet werden.
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Des Werteren sind EQ0 und EQ1 Bezugspotenzial-Signalleitungen,
SA0 bis SA3 sind Leseverstärker,
und CP ist eine Zellenplatten-Signalleitung. WL0 bis WL7 sind Wortleitungen,
RWL0 und RWL1 sind Bezugswortleitungen, und BL0 bis BL3, /BL0 bis /BL3
sind Bitleitungen. Außerdem
ist BP ein Bitleitungs-Vorladesignal, und /SAP, SAN sind Leseverstärker-Steuersignale. Daneben
ist VSS eine Erdungsspannung, und VDD ist eine Versorgungsspannung.
Die Bezugspotenzial-Signalleitungen EQ0 und EQ1 sind Signalleitungen
zum Erzeugen des Bezugspotenzials, wenn die Bezugswortleitungen RWL0,
RWL1 ausgewählt
werden.
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Wie in der Zeichnung gezeigt, sind
die Wortleitungen zum Auswählen
der ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen und die beim
Lesen der Potenziale benutzten Bitleitungen in einer Matrixform
angeordnet. Eine später
beschriebene Speicherzellenanordnung besteht aus den ferroelektrischen
Kondensatoren für
Hauptspeicherzellen und anderen.
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In der in 1 gezeigten Zusammensetzung der Speicherzellenanordnung
sind die Bitleitungen BL0 bis BL3 und /BL0 bis /BL3 mit den Leseverstärkern SA0
bis SA3 verbunden. Mit den Bitleitungen BL0 bis BL3 sind ferroelektrische
Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen
C00, C10, C20, C30 über
einen N-Kanal-MOS-Transistor, an dessen Gate die Wortleitung WL0
liegt, verbunden. Mit den Bitleitungen /BL0, /BL1, /BL2, /BL3 sind
ferroelektrische Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen CD00, CD10, CD20, CD30 jeweils über N-Kanal-MOS-Transistoren
Tr2, Tr4, Tr7, Tr9, an deren Gates die Bezugswortleitung RWL0 liegt,
verbunden.
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Die Ausgleichsschaltung ist eine
Schaltung, die aus N-Kanal-MOS-Transistoren Tr0, Tr3, Tr6, Tr8 usw.
besteht. Das heißt,
die Ausgleichsschaltung ist eine Schaltung zum Mitteln der Potenziale,
wenn die in den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD10, CD20, CD30 gespeicherten Daten als Potenziale aus den
Bitleitungen /BL0, /BL1, /BL2, /BL3 ausgelesen werden. Das durch
die Ausgleichsschaltung gemittelte Potenzial ist ein Bezugspotenzial,
das zum Verstärken
der Daten benutzt wird, die durch den Leseverstärker aus dem ferroelektrischen
Kondensator für
die Hauptkörper-Speicherzelle
ausgelesen werden.
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Die ferroelektrischen Kondensatoren
C00 bis C37, CD00 bis CD31 sind mit einer Zellenplattenleitung CP
verbunden, die von einem Zellenplattentreiber CPD getrieben wird.
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Die Bitleitung BL0 und der ferroelektrische Kondensator
für die
Bezugsspeicherzelle CD00 sind über
den N-Kanal-MOS-Transistor Tr5, an dessen Gate die Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitung REW0
liegt, verbunden. Die anderen Bitleitungen /BL0, BL2, /BL2 sind,
wie die Bitleitung BL0, mit den ferroelektrischen Kondensatoren
für die
Bezugsspeicherzellen CD10, CD20, CD30 über jeweilige N-Kanal-MOS-Transistoren
verbunden.
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Der Leseverstärker SA0 wird durch die Leseverstärker-Steuersignale
/SAP, SAN gesteuert, und ist so aufgebaut, dass das Vorladen der
Bitleitungen BL0 bis BL3 und /BL0 bis /BL3 durch das Bitleitungs-Vorladesignal
BP gesteuert wird. Die Leseeinrichtung der Erfindung entspricht
dem Leseverstärker SA0
usw.
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In dieser ersten Ausführung, die
vier ferroelektrische Kondensatoren fast gleicher Größe als die ferroelektrischen
Kondensatoren für
Hauptkörper-Speicherzellen
verwendet, werden H-Daten
aus zweien davon und L-Daten aus den anderen zwei ausgelesen, und
diese Daten werden gemittelt.
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Die Arbeitsweise der Vorrichtung
wird unten beschrieben.
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Das Betriebs-Timing der Vorrichtung
ist dasselbe wie in dem in 9 gezeigten
Stand der Technik.
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Hierin werden hauptsächlich Punkte
beschrieben, die sich vom Stand der Technik von 7 unterscheiden.
Das heißt,
beim Stand der Technik, wie oben beschrieben, der eine H-Date und
eine L-Date benutzt, wurden diese gemittelt, um ein Bezugspotenzial
zu gewinnen. In der Vorrichtung von 1,
die eine Vielzahl von H-Daten und eine Vielzahl von L-Daten benutzt,
werden sie hingegen gemittelt, um ein Bezugspotenzial zu erlangen,
das sich wesentlich vom Stand der Technik von 7 unterscheidet.
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Auf diese Weise ist in der ferroelektrischen Vorrichtung,
wenn die Wortleitung WL0 ausgewählt wird,
das beim Auslesen der Potenziale der Bitleitungen BL0, BL1, BL2,
BL3 benutzte Bezugspotenzial der Mittelwert der ferroelektrischen
Kondensatoren für
die Bezugsspeicherzellen CD00, CD10, CD20, CD30. Der Mittelwert
wird aus den Bitleitungen /BL0, /BL1, /BL2, /BL3 ausgelesen.
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Wenn die Wortleitung WL1 ausgewählt wird, ist
andererseits die Rolle des Bitleitungspaares umgekehrt zu dem obigen
Fall, und die ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
sind ebenfalls verschieden.
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Das heißt, das beim Auslesen der Potenziale der
Bitleitungen /BL0, BL1, /BL2, /BL3 benutzte Bezugspotenzial ist
der Mittelwert der ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD01, CD11, CD21 und CD31. Dieser Mittelwert wird aus den Bitleitungen
BLO, BL1, BL2 und BL3 ausgelesen.
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In der in 1 gezeigten Zusammensetzung für acht Wortleitungen
WL0 bis WL7 gibt es daher zwei Arten von Bezugspotenzialen. Die
erste ferroelektrische Speicherzelle der Erfindung entspricht z. B.
den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD20, und die zweite ferroelektrische Speicherzelle entspricht
den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen CD10,
CD30.
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Es ist ein Merkmal der in 1 gezeigten Vorrichtung,
dass ein fast ideales Bezugspotenzial erhalten wird, wenn es eine
Schwankung in den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
gibt, weil eine Mehrzahl von H (hohen) Daten und eine Mehrzahl von
L (tiefen) Daten gemittelt werden, sodass die Auswirkung klein ist.
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Hierin werden vier ferroelektrische
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen (CD00 bis CD30) gemittelt, aber nicht darauf
begrenzt kann die Zahl zu mittelnder ferroelektrischer Kondensatoren
für Bezugsspeicherzellen
frei erhöht
werden.
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Es ist somit einleuchtend, dass die
Auswirkung von Schwankungen der ferroelektrischen Kondensatoren
für Bezugsspeicherzellen
kleiner sein wird, wenn die Zahl zu mittelnder ferroelektrischer Kondensatoren
für Bezugsspeicherzellen
erhöht wird.
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Vergleicht man z. B. den Mittelwert
von 16 Stücken
und den Mittelwert von 2 Stücken
kann unter der Annahme, dass ein ferroelektrischer Kondensator,
der H (hohe) Daten ausgeben soll, tatsächlich L (tiefe) Daten liefert,
die Abweichung von dem idealen Bezugspotenzial auf 1/8 unterdrückt werden.
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Auf diese Weise kann die Abweichung
von dem idealen Bezugspotenzial auf einen kleinen Wert unterdrückt werden,
und wenn ein bestimmter Betriebsspielraum in dem Leseverstärker bereitgestellt wird,
wird daher eine ferroelektrische Speichervorrichtung, die normal
sicherer arbeitet, erhalten werden.
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(Ausführung 1)
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2 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
in einer ersten Ausführung
der Erfindung, und der Aufbau und die Wirkungsweise der Ausführung werden
mit Verweis auf die Zeichnung beschrieben.
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Die Zusammensetzung der Ausführung ist im
Grunde dieselbe wie in der Vorrichtung von 1, einschließlich der elektrischen Verbindung,
mit Ausnahme der folgenden Punkte.
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Das heißt, es ist ein Merkmal der
Ausführung,
dass die ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00 bis CD31, die Bezugspotenzial-Erzeugungsschaltung, einschließlich der
Ausgleichsschaltungen, und der Zellenplattentreiber CPD nahe der
Mitte der Längsrichtung
der Bitleitungen angeordnet sind, wie in 2 gezeigt.
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Die Ausgleichsschaltung in der Ausführung besteht
aus einer ersten Ausgleichsschaltung A und einer zweiten Ausgleichsschaltung
B, wie in 2 gezeigt.
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Das heißt, die erste Ausgleichsschaltung
A ist eine Schaltung, die aus N-Kanal-MOS-Transistoren Tr0, Tr3,
Tr6, Tr8 usw. besteht. Genauer, die Ausgleichsschaltung ist eine
Schaltung zum Mitteln der Potenziale, wenn verschiedene Daten, die
in den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD10, CD20, CD30 gespeichert sind, als Potenziale aus den
Bitleitungen /BL0, /BL1, /BL2, /BL3 ausgelesen werden. Das gemittelte
Potenzial wird in der Signalleitung EQ0 erzeugt.
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So wie die erste Ausgleichsschaltung
A wird die zweite Ausgleichsschaltung B bereitgestellt. Das heißt, die
zweite Ausgleichsschaltung ist eine Schaltung zum Mitteln der Potenziale,
wenn verschiedene Daten, die in den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD01, CD11, CD21, CD31 gespeichert sind, als Potenziale aus den
Bitleitungen BL0, BL1, BL2, BL3 ausgelesen werden. Das gemittelte
Potenzial wird in der Signalleitung EQ1 erzeugt.
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Durch Anordnen der Bezugspotenzial-Erzeugungsschaltung
nahezu in der Mitte der Längsrichtung
der Bitleitungen, wie in der Zeichnung gezeigt, werden die folgenden
Wirkungen hervorgebracht.
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Das heißt, wenn es eine Abweichung
in den Eigenschaften gibt, die vom Ort der ferroelektrischen Kondensatoren
abhängt,
können,
da sich die ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
nahe der Mitte der ferroelektrischen Kondensatorgruppe für die Hauptkörper-Speicherzellen
befinden, die Auswirkungen minimiert werden.
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Desgleichen werden durch Anordnen
des Zellenplattentreibers CPD auf der rechten Seite der Bitleitung
/BL3 und nahe der Mitte der Längsrichtung der
Bitleitungen, wie in der Zeichnung gezeigt, die folgenden Wirkungen
hervorgebracht.
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Das heißt, die Wirkung von Verzögerungsunterschieden
im Antriebs-Timing durch den Zellenplattentreiber CPD wird vermindert,
und ein Hochgeschwindigkeitsbetrieb wird ermöglicht. Zum Beispiel kann zwischen
dem Zeitpunkt des Auswählens
des ferroelektrischen Kondensators für die Hauptkörper-Speicherzelle
C00 und dem Zeitpunkt des Auswählens
des ferroelektrischen Kondensators für die Hauptkörper-Speicherzelle
C06 der Verzögerungsunterschied
im Timing des Zellenplattensignals verringert werden. Genauer, in 2 ist der Timing-Verzögerungsunterschied
etwa halb so groß wie
der der in 1 gezeigten
Struktur.
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(Ausführung 2)
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3 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
in einer zweiten Ausführung
der Erfindung, und der Aufbau und die Wirkungsweise der Ausführung werden
mit Verweis auf die Zeichnung beschrieben.
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Die Zusammensetzung der Ausführung ist im
Grunde dieselbe wie in der ersten Ausführung, mit Ausnahme der folgenden
Punkte.
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Das heißt, es ist ein erstes Merkmal
der Ausführung,
dass ferroelektrische Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen in einer
Mehrzahl von Stellen in der Längsrichtung
der Bitleitungen verstreut sind.
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Genauer, die ferroelektrischen Kondensatoren
für die
Bezugsspeicherzellen CD00, CD01, CD10, CD11 befinden sich nahe den
Leseverstärkern SA0,
SA1, und die ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD20, CD21, CD30, CD31 befinden sich weg von den Leseverstärkern SA2,
SA3.
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Es ist ein zweites Merkmal, dass,
wie in 3 gezeigt, eine Ausgleichsschaltung
D nahe der Mitte der Längsrichtung
der Bitleitungen angeordnet ist.
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Durch solches Versteuen der ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen kann die Wirkung der Abweichung von Eigenschaften
der ferroelektrischen Kondensatoren im Layout verringert werden,
und wenn die H (hohen) Daten und die L (tiefen) Daten gemittelt
werden, kann die Wirkung infolge des Unterschieds im Zeitunterschied in
der Längsrichtung
der Bitleitungen des gemittelten Potenzials verrindert werden, und
ist auch für
Hochgeschwindigkeitsbetrieb wirkungsvoll.
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Das heißt, wie in 3 gezeigt,
die mit den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD10 verbundene Zellenplatten-Signallleitung befindet sich
dicht an der Zellenplatten-Treiberschaltung CPD, und das Potenzial
erscheint folglich früh.
Andererseits ist die mit den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD20, CD30 verbundene Zellenplatten-Signalleitung entfernt von der
Zellenplatten-Treiberschaltung CPD, und das Potenzial erscheint
folglich spät.
Durch Mitteln dieser ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD10, CD20, CD30 wird die Erscheinungsgeschwindigkeit der Bezugspotenziale
gemittelt. Die Wirkungen des Unterschieds in den Bezugspotenzialen
infolge des Zeitunterschieds in der Längsrichtung der Bitleitungen
können daher
vermindert werden.
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Hierin befinden sich die Bitleitungs-Ausgleichsschaltungen
zum Erzeugen der Bezugspotenziale an einer Stelle nahe der Mitte
der Längsrichtung der
Bitleitungen, aber sie können
sich auch auf der nahen Seite und der entfernten Seite der Leseverstärker befinden.
Es ist ebenfalls möglich,
die ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
nahe der Mitte der Längsrichtung
der Bitleitungen anzubringen.
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Ein anderes, in 4 gezeigtes,
Beispiel wird kurz beschrieben.
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Was sich in diesem Beispiel, wie
in der Zeichnung gezeigt, von der in 3 erklärten Struktur
unterscheidet ist, dass der Zellenplattentreiber CPD sich im Wesentlichen
in der Mitte der Anordnung einer Vielzahl von Bitleitungen und längs der Anordnung
befindet. Der restliche Aufbau ist derselbe wie in 3 gezeigt,
und seine Erklärung
wird weggelassen.
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Die Folge ist, dass die Länge von
der Zellenplatten-Signalleitung CP zu jedem ferroelektrischen Kondensator
für die
Bezugsspeicherzelle gleichmäßig ist.
Die Ortsabhängigkeit
der Verzögerungszeit beim
Treiben der Zellenplatten-Treiberschaltung CPD ist folglich klein,
und der Zeitunterschied ist klein.
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5 ist
ein Speicherzellen-Blockschaltbild einer nicht-erfindungsgemäßen ferroelektrischen Speichervorrichtung,
und der Aufbau und die Wirkungsweise derselben werden mit Verweis
auf die Zeichnung beschrieben.
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Es ist ein Merkmal dieser Vorrichtung,
dass ein ferroelektrischer Kondensator für eine Bezugsspeicherzelle
selektiv mit einer Mehrzahl von Bitleitungen verbunden wird, sodass
die Layout-Fläche der
ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen zum
Erzeugen von Bezugspotenzialen gespart werden kann.
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In der Speicherzellen-Zusammensetzung, wie
in 5 gezeigt, sind die Bitleitungen
BL0 bis BL3 und /BL0 bis /BL3 mit Leseverstärkern SA0 bis SA3 verbunden.
Mit den Bitleitungen BL0 bis BL3 sind ferroelektrische Kondensatoren
für die
Hauptkörper-Speicherzellen
C00, C10, C20, C30 über
einen N-Kanal-MOS-Transistor, dessen Gate die Wortleitung WL0 ist,
verbunden. Mit den Bitleitungen /BL0 bis /BL3 sind ferroelektrische
Kondensatoren für
die Bezugsspeicherzellen CD00, CD10; CD20, CD30 über einen N-Kanal-MOS-Transistor,
dessen Gate die Bezugswortleitung RWL0 ist, verbunden. Des Weiteren
sind mit den Bitleitungen BL0 bis BL3 die ferroelektrischen Kondensatoren
für die
Bezugsspeicherzellen CD00, CD10, CD20, CD30 über einen N-Kanal-MOS-Transistor,
dessen Gate die Bezugswortleitung RWL1 ist, verbunden. Das heißt, die
ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD10, CD20, CD30 können
mit sowohl den Bitleitungen BL0 bis BL3 auch den Bitleitungen /BI0
bis /BL3 verbunden werden.
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Die ferroelektrischen Kondensatoren
C00 bis C37, CD00 bis CD31 sind mit einer Zellenplatten-Signalleitung
CP verbunden, die von einem Zellenplattentreiber CPD getrieben wird.
Die Bitleitungen /BL0 bis /BL3 sind über einen N-Kanal-MOS-Transistor, dessen
Gate die Bezugswortleitung RWL0 ist, verbunden. Die Bitleitungen
BL0 bis BL3 und die ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD00, CD10, CD20, CD30 sind über
einen N-Kanal-MOS-Transistor, dessen Gate die Bezugsspeicherzellen-Rückschreibsignalleitung
REW0 ist, verbunden.
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Der Leseverstärker SA0 wird durch die Leseverstärker-Steuersignale
/SAP, SAN gesteuert, und die Schaltung ist so aufgebaut, dass das
Vorladen der Bitleitungen BL0 bis BL3 und /BL0 bis /BL3 durch das
Bitleitungs-Vorladesignal BP gesteuert wird.
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Auch in der Vorrichtung von 5 werden, wie in der ersten Ausführung, unter
Verwendung von vier ferroelektrischen Kondensatoren fast gleicher Größe als die
ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen H (hohe)
Daten aus zweien davon und L (tiefe) Daten aus den anderen zwei
ausgelesen, und diese Daten werden gemittelt.
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In der ferroelektrischen Speichervorrichtung von 5 ist somit, wenn die Wortleitung WL0
ausgewählt
wird, das beim Auslesen der Potenziale der Bitleitungen BL0, BL1,
BL2, BL3 benutzte Bezugspotenzial der Mittelwert der ferroelektrischen
Kondensatoren für
die Bezugsspeicherzellen CD00, CD10, CD20, CD30. Dieser Mittelwert
wird aus den Bitleitungen /BL0, /BL1, /BL2, /BL3 ausgelesen.
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Wenn die Wortleitung WL1 ausgewählt wird, wird
die Rolle des Bitleitungspaares umgekehrt, aber es werden die gleichen
ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
wie oben verwendet.
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In der in 5 gezeigten
Zusammensetzung mit acht Wortleitungen WL0 bis WL7 gibt es daher eine
Art von Bezugspotenzial. Die erste ferroelektrische Speicherzelle
der Efindung entspricht z. B. den ferroelektrischen Kondensatoren
für die
Bezugsspeicherzellen CD00, CD20, und die zweite ferroelektrische
Speicherzelle entspricht den ferroelektrischen Kondensatoren für die Bezugsspeicherzellen
CD10, CD30.
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Hierin wird ein ferroelektrischer
Kondensator für
die Bezugsspeicherzelle von einem Paar aus zwei Bitleitungen geteilt,
aber er kann auch von mehr Bitleitungen geteilt werden. Das Layout
des Teilens durch ein Paar von zwei Bitleitungen ist in der Anzahl von
Schichten klein und ist relativ einfach. Die Layout-Fläche beträgt, verglichen
mit der ersten Ausführung,
die Hälfte
in der Anzahl von ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen.
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Im Übrigen können die Bezugspotenzial-Erzeugungsschaltung
und die Bitleitungs-Ausgleichsschaltung zum Erzeugen des Bezugspotenzials
auch nahe der Mitte der Längsrichtung
der Bitleitungen angebracht werden.
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Ein anderes, in 6 gezeigtes,
Beispiel wird kurz beschrieben.
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Wie in der Zeichnung gezeigt, ist
dieses Beispiel ein anderes Beispiel der in 5 gezeigten
Vorrichtung.
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Das heißt, in 5 wird
z. B. der ferroelektrische Kondensator für die Bezugsspeicherzelle CD00
von einem Paar von Bitleitungen geteilt (z. B. ein Paar von Bitleitungen
BL0 und /BL0, das mit einem bestimmten Leseverstärker SA0 verbunden ist). Im
Gegensatz dazu wird er in 6 zwischen
verschiedenen Paaren von Bitleitungen geteilt. Zum Beispiel wird,
wie in 6 gezeigt, der ferroelektrische Kondensator
für die
Bezugsspeicherzelle CD00 zwischen der Bitleitung /BL0 und der Bitleitung
BL1 geteilt.
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Nach 6 kann
somit, da der ferroelektrische Kondensator für Bezugsspeicherzellen von
verschiedenen Wortleitungen geteilt wird, die Anzahl der ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen eingespart werden.
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Wenn es Schwankungen in den ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen gibt, kann daher ein fast ideales Bezugspotenzial
erhalten werden.
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Des Weiteren kann durch das Layout
des ferroelektrischen Kondensators für die Bezugsspeicherzelle oder
Ausgleichsschaltung ein idealeres Bezugspotenzial erhalten werden,
und es ist wirksam, um eine ferroelektrische Speichervorrichtung
für den Betrieb
mit hoher Geschwindigkeit zu verwirklichen.
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Außerdem kann die Layout-Fläche von
ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen zum
Erzeugen von Bezugspotenzialen reduziert werden.
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Wie aus der Beschreibung bis jetzt
klar ist, sind nach einer Ausführung
der Erfindung, da die Potenziale, die z. B. aus einer Vielzahl von
ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen zum Speichern
von Daten mit hohem Pegel und einer Vielzahl von ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen zum Speichern von Daten mit tiefem Pegel ausgelesen
werden, gemittelt werden, wenn es Schwankungen in den ferroelektrischen Kondensatoren
für Bezugsspeicherzellen
gibt, die Auswirkungen klein, und ein Bezugspotenzial mit einer
kleineren Schwankung als beim Stand der Technik kann erhalten werden.
Da außerdem
die Ausgleichsschaltung zwischen mehrere Bitleitungen geschaltet
ist, ist es wirksam, um die Layout-Fläche von ferroelektrischen Kondensatoren
für Bezugsspeicherzellen
zum Erzeugen von Bezugspotenzialen einzusparen.
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Nach einer anderen Ausführung der
Erfindung können
z. B. durch Schalten der Ausgleichsschaltung zwischen mehrere Bitleitungen
und Anordnen nahe der Mitte der Längsrichtung der Bitleitungen
Auswirkungen durch die Lage des Ausgleichszustands der Bitleitungen
verringert werden, und ein fast ideales Bezugspotenzial kann an
jeder Stelle der Bitleitungen erhalten werden.
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Nach einer werteren Ausführung der
Erfindung können
z. B. durch Verbinden des ferroelektrischen Kondensators für eine Bezugsspeicherzelle mit
einer Mehrzahl von Bitleitungen und Anordnen nahe der Mitte der
Längsrichtung
der Bitleitungen Auswirkungen infolge der Stellen der ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen und der ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen
vermindert werden, und wenn es Schwankungen zwischen den ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen gibt, sind die Auswirkungen klein, und ein
fast ideales Bezugspotenzial kann erhalten werden.
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Nach noch einer anderen Ausführung der
Erfindung werden z. B. durch Verbinden des ferroelektrischen Kondensators
für eine
Bezugsspeicherzelle mit einer Mehrzahl von Bitleitungen und Anordnen nahe
der Mitte der Längsrichtung
der Bitleitungen Auswirkungen infolge der Stellen der ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen und der ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen
verringert, und wenn es Schwankungen zwischen den ferroelektrischen
Kondensatoren für
Bezugsspeicherzellen gibt, sind die Auswirkungen klein, und ein
nahezu ideales Bezugspotenzial kann erhalten werden.
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Nach noch einer anderen Ausführung der
Erfindung können
z. B. Auswirkungen des Verzögerungsunterschieds
im Antriebs-Timing durch den Zellenplattentreiber verringert werden,
und es wird ein Hochgeschwindigkeitsbetrieb verwirklicht.
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Nach noch einer anderen Ausführung der
Erfindung kann ein fast ideales Bezugspotenzial erhalten werden,
sodass es zum Verwirklichen einer ferroelektrischen Speichervorrichtung
wirksam ist, die imstande ist, bei hoher Geschwindigkeit zu arbeiten.
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Nach noch einer anderen Ausführung der
Erfindung wird z. B. durch Verbinden eines bestimmten ferroelektrischen
Kondensators für
eine Bezugsspeicherzelle mit einer Mehrzahl von Bitleitungen durch ein
Schalterelement die Layout-Fläche
der ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen zum
Erzeugen von Bezugspotenzialen kleiner als beim Stand der Technik.
Ferner sind mit einer der oben erörterten Ausführungen
Auswirkungen von Schwankungen von ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen
klein, und ein fast ideales Bezugspotenzial wird erhalten, während die
Layout-Fläche
eingespart wird.
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Nach einer weiteren Ausführung der
Erfindung ist z. B. durch Verbinden eines ferroelektrischen Kondensators
für eine
Bezugsspeicherzelle mit einem Paar von zwei Bitleitungen, das durch
Schalterelemente mit Leseverstärkern
verbunden ist, die Layout-Fläche
der ferroelektrischen Kondensatoren für Bezugsspeicherzellen zum
Erzeugen von Bezugspotenzialen kleiner als beim Stand der Technik.
In diesem Fall ist verglichen mit dem obigen Beispiel, da nur der
ferroelektrische Kondensator für
die Bezugsspeicherzelle von einem Paar von zwei Bitleitungen geteilt
wird, die Benutzungshäufigkeit
des ferroelektrischen Kondensators für die Bezugsspeicherzelle niedrig,
was für
die Lebensdauer von Vorteil ist. Es ist nur erforderlich, Schalterelemente
zwischen einem Paar von gegenüberliegenden
Bitleitungen anzubringen, und die Layout-Fläche ist folglich klein.
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INDUSTRIELLE
ANWENDBARKEIT
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Wie hierin beschrieben, umfasst die
ferroelektrische Speichervorrichtung der Erfindung z. B. eine Vielzahl
erster ferroelektrischer Speicherzellen, die im Wesentlichen Daten
mit hohem Pegel speichern, eine Vielzahl zweiter ferroelektrischer
Speicherzellen, die im Wesentlichen Daten mit tiefem Pegel speichern,
eine Ausgleichsschaltungseinrichtung zum Mitteln der Potenziale,
die aus den ersten und zweiten ferroelektrischen Speicherzellen
ausgelesen werden, und eine Leseeinrichtung zum Auslesen der in
den ferroelektrischen Kondensatoren für Hauptkörper-Speicherzellen gespeicherten
Daten unter Verwendung des gemittelten Potenzials als ein Bezugspotenzial,
und Schwankungen des Bezugspotenzials können daher verglichen mit dem
Stand der Technik weiter unterdrückt
werden.