DE69412548D1 - Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Mikrovorrichtung unter Verwendung desselben - Google Patents

Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Mikrovorrichtung unter Verwendung desselben

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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0614124A3 (de) * 1993-02-01 1994-12-14 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung.
JP3235078B2 (ja) 1993-02-24 2001-12-04 株式会社ニコン 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JP3101473B2 (ja) * 1993-11-05 2000-10-23 キヤノン株式会社 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法
JPH07254559A (ja) * 1994-01-26 1995-10-03 Canon Inc 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
JPH07314775A (ja) * 1994-05-24 1995-12-05 Canon Inc 発光光量の調整装置及びその方法
JP3451604B2 (ja) * 1994-06-17 2003-09-29 株式会社ニコン 走査型露光装置
JPH08179514A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Canon Inc 露光装置および露光方法
JP3630807B2 (ja) * 1994-12-28 2005-03-23 キヤノン株式会社 走査露光装置及び当該走査露光装置を用いたデバイスの製造方法
JPH08250402A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Nikon Corp 走査型露光方法及び装置
EP0748009B1 (de) * 1995-06-05 2002-12-04 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zur Kontrolle von Excimerlaserausgangsstrahlung
JPH097927A (ja) * 1995-06-26 1997-01-10 Canon Inc 照明装置及び露光装置
JP3391940B2 (ja) * 1995-06-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
JP3591922B2 (ja) * 1995-07-17 2004-11-24 キヤノン株式会社 光量測定装置
JPH09129550A (ja) 1995-08-30 1997-05-16 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5883701A (en) * 1995-09-21 1999-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Scanning projection exposure method and apparatus
KR100210569B1 (ko) * 1995-09-29 1999-07-15 미따라이 하지메 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법
JPH09115825A (ja) 1995-10-19 1997-05-02 Nikon Corp 走査型投影露光装置
JP3904034B2 (ja) * 1995-11-17 2007-04-11 株式会社ニコン 露光装置
JP3617558B2 (ja) * 1995-11-17 2005-02-09 株式会社ニコン 露光量制御方法、露光装置、及び素子製造方法
JP2682523B2 (ja) * 1995-11-22 1997-11-26 日本電気株式会社 露光方法及びモニタパターン
US5891605A (en) * 1996-01-16 1999-04-06 Lucent Technologies Inc. Reduction in damage to optical elements used in optical lithography for device fabrication
JP3459742B2 (ja) * 1996-01-17 2003-10-27 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
EP0829036B9 (de) * 1996-04-01 2001-07-25 ASM Lithography B.V. Lithographischer projektionsapparat zur abtastbelichtung
JP3659529B2 (ja) * 1996-06-06 2005-06-15 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1041225A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH10116766A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
CN1244021C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
EP1014429A4 (de) * 1997-04-18 2000-07-19 Nikon Corp Verfahren und vorrichtung zur belichtungssteuerung, verfahren und vorrichtung zur belichtung, und verfahren zur herstellung dieser vorrichtung
JP4392879B2 (ja) 1998-09-28 2010-01-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
GB9827377D0 (en) * 1998-12-11 1999-02-03 Surface Inspection Ltd Machine vision system and tile inspection apparatus incorporating such a system
US6704090B2 (en) * 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
JP2002373839A (ja) 2001-06-13 2002-12-26 Canon Inc 照明装置、露光装置及び露光方法
JP4235480B2 (ja) 2002-09-03 2009-03-11 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
JP3703447B2 (ja) 2002-09-06 2005-10-05 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
JP5653182B2 (ja) * 2003-05-22 2015-01-14 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005109304A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Canon Inc 照明光学系及び露光装置
JP2006303196A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Canon Inc 測定装置及びそれを有する露光装置
US7684014B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-23 Asml Holding B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8033826B2 (en) 2007-11-15 2011-10-11 Biomet 3I, Llc Two-piece dental abutment system
WO2012040056A1 (en) 2010-09-23 2012-03-29 Biomet 3I, Llc Dental abutment system
CN112526825B (zh) * 2019-09-17 2022-04-08 长鑫存储技术有限公司 掩膜板遮蔽叶片剐蹭监控系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2210945C3 (de) * 1972-03-07 1978-09-21 Gerhard 8200 Rosenheim Krause Belichtungsmefigerät
US4519692A (en) * 1983-04-08 1985-05-28 Warner-Lambert Technologies, Inc. Exposure and camera control
US4822975A (en) * 1984-01-30 1989-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for scanning exposure
US5171965A (en) * 1984-02-01 1992-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
JPS6197830A (ja) * 1984-10-18 1986-05-16 Canon Inc 露光装置
JPH0614508B2 (ja) * 1985-03-06 1994-02-23 キヤノン株式会社 ステップアンドリピート露光方法
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
US4884101A (en) * 1987-02-03 1989-11-28 Nikon Corporation Apparatus capable of adjusting the light amount
JPS63193130A (ja) * 1987-02-05 1988-08-10 Canon Inc 光量制御装置
US4804978A (en) * 1988-02-19 1989-02-14 The Perkin-Elmer Corporation Exposure control system for full field photolithography using pulsed sources
JP2569711B2 (ja) * 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法
US5191374A (en) * 1988-11-17 1993-03-02 Nikon Corporation Exposure control apparatus
JPH02177313A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光制御装置
JPH02177415A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光装置
JP2731953B2 (ja) * 1989-08-07 1998-03-25 キヤノン株式会社 エネルギー量制御装置
US5250797A (en) * 1990-10-05 1993-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法

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EP0632331A1 (de) 1995-01-04
JPH0774092A (ja) 1995-03-17
US5699148A (en) 1997-12-16

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