KR0163972B1 - 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법 - Google Patents

노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에는, 순차 공급되는 펄스광에 의해 기판을 노광하는 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스제조방법이 개시되어 있다. 상기 노광장치는, 각 펄스의 광량을 검출하는 검출기와, 금회의 방사펄스이전의 적어도 1개의 펄스에 의한 광량에 의거해서, 금회의 펄스에 의한 기판의 노광타이밍을 제어하는 제어기를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스제조방법
제1도는 종래의 주사형 노광장치의 일례의 개략도.
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치의 개략도.
제3도는 레티클과 그 위의 조명영역을 설명하기 위한 개략도.
제4도는 레티클상의 점의 조명영역을 통한 변위를 설명하기 위한 개략도.
제5도는 Hg램프 등의 연속발광형 광원을 구비한 장치에 있어서의 노광량의 적산과정을 설명하기 위한 그래프.
제6도는 광량이 일정한 펄스광에 의한 노광량의 적산과정을 설명하기 위한 그래프.
제7도는 광량이 변하는 펄스광에 의한 노광량의 적산과정을 설명하기 위한 그래프.
제8도는 제2도의 장치에 있어서의 노광량의 적산과정을 설명하기 위한 그래프.
제9도는 조명영역의 슬릿의 폭방향의 조도분포를 설명하기 위한 그래프.
제10도는 균일한 조도분포의 일례를 설명하기 위한 그래프.
제11도는 반도체장치제조공정을 표시한 순서도.
제12도는 웨이퍼프로세스를 표시한 순서도.
제13도는 제2도의 장치에 있어서의 노광량제어의 상세를 표시한 순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 광원 2 : 빔정형광학계
3 : 옵티컬인터그레이터 4 : 집광렌즈
5 : 하프미러 6 : 마스킹블레이드수단
7 : 결상렌즈 8 : 거울
9 : 레티클 10 : 투영광학계
11 : 반도체기판 12 : 광량검출기
101 : 이동제어계 102 : 광량연산기
103 : 제어계
본 발명은 노광장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체소자(예를 들면 IC, LSI등), 액정 소자, 촬상소자(예를 들면 CCD) 또는 자기헤드 등의 마이크로디바이스를 제조할때 이용되는, 복수개의 펄스광을 노광에 사용하는 노광장치에 관한 것이다. 또, 다른 양상에 있어서는, 본 발명은 상기 노광장치를 이용한 마이크로디바이스제조방법에 관한 것이다.
제1도는 종래의 주사형 노광장치의 일례의 개략도이다. 제1도에 있어서, (201)은 예를 들면 Hg(수은)램프 등의, 자외선을 방사하는 광원이다. 이 광원의 발광부는 타원형 거울(202)의 제1초점근방에 배치되어, 이 발광부로부터의 광은 타원형 거울(202)에 의해 그의 제2초점(203)에 집광된다. 이 제2초점(203)에 집광된 광은 집광렌즈(204)와 거울(205)을 개재해서 예를 들면 파리의 눈렌즈로 구성된 옵티컬인터그레이터(206)의 광입사면에 다시 집광된다. 파리의 눈렌즈는 다수의 작은 렌즈의 조합으로 이루어진 것이며, 그의 광출사면부근에 복수의 2차광원이 형성된다. (207)은 집광렌즈로서, 2차광원으로부터의 광에 의해 마스킹블레이드수단(209)을 조사(쾰러조사(Kohler illumination))하는 역할을 한다. 마스킹블레이드수단(209)과 레티클(212)은 결상렌즈(210)와 거울(211)에 대해서 서로 광학적 공액(켤레)관계로 배치되어 있어, 마스킹블레이드수단(209)의 개구형상에 의해 레티클(212)에 있어서의 조명영역의 모양과 치수가 규정된다. 통상, 레티클(212)에 있어서의 조명영역은, 레티클(212)의 주사방향의 길이가 해당 주사방향과 직교하는 방향의 길이보다도 짧은 직사각형의 슬릿형상을 지닌다. (213)은 투영광학계로서, 레티클(212)의 회로패턴을 반도체기판(웨이퍼)(214)에 축소투영한다. (216)은 레티클(212)과 반도체기판(214)을, 구동수단(도시생략)에 의해, 투영광학계(213)의 배율과 동일한 비율로 정확히 일정속도로 이동시키기 위한 제어계이다. (215)는 광량검출기로서, 하프미러(half mirror)(208)에 의해 분할된 일부의 광을 모니터함으로써, 간접적으로 반도체기판(214)에 있어서의 노광량을 모니터한다. 노광제어계(218)는 반도체기판(214)에 있어서의 노광량을 일정하게 유지하도록, 광량연산기(217)에 의해 계산된 노광량에 따라 Hg램프에 인가되는 전력을 제어하고 있다.
이상과 같이 레티클(212) 및 반도체기판(214)의 각 주사속도를 일정하게 유지하면서 노광량을 일정하게 유지함으로써, 반도체기판에 있어서의 노광량불균일을 최소한으로 억제하고 있다.
그러나, 스루풋(throughput)의 향상 또는 해상도의 향상을 위하여 이런 유형의 노광장치에 광원으로서 예를 들면 엑시머레이저 등의 펄스방사형 광원을 이용한 경우, 펄스마다 광량에 변동이 있어, 바람직하지 못한 노광량 불균일이 초래된다.
따라서, 본 발명의 목적은 노광량불균일을 충분히 작게 할 수 있는 개량된 노광장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일양상에 의하면, 순차 공급된 복수개의 펄스광에 의해 기판을 노광하는 노광장치에 있어서, 금회의 방사펄스이전의 적어도 1개의 펄스에 의한 노광량에 의거해서, 금회의 방사펄스에 의한 기판의 노광타이밍을 제어하는 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 태양에 있어서는, 레티클(마스크)과 반도체기판(웨이퍼)의 주사 속도를 일정하게 유지하면서 각 펄스광에 의한 노광량을 모니터하면 된다. 그래서 소정의 펄스에 의한 노광량이 소정의 또는 원하는 노광량보다도 커진 경우에는, 다음의 펄스의 방사타이밍을 늦추고, 또 소정의 펄스에 의한 노광량이 소정의 노광량보다도 작아진 경우에는 다음펄스의 방사타이밍을 빠르게 함으로써, 펄스광마다의 광량편차에 관계없이 반도체기판상에 있어서의 각 점의 노광량불균일을 최소화할 수 있다. 또 노광에 필요한 펄스광의 펄스수가 적은 경우에도, 펄스수에 의한 디지틀오차를 없애기 위하여, 레티클의 주사방향의 강도(조도)분포를 완전히 균일하게 하지 않고, 경계부분의 강도분포를 완만하게 변화시키면 된다. 또, 이를 위하여, 본 발명의 바람직한 태양에 의하면, 완만한 변화를 지닌 강도분포의 경계부분의 폭을 조정하는 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 노광장치를 이용함으로써, 예를 들면 반도체소자(예를 들면 IC,LSI 등), 액정소자, 촬상소자(예를 들면 CCD) 또는 자기헤드 등의 마이크로디바이스를 정확하게 제조할 수 있다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과 특성, 그리고 장점 등은 첨부도면을 참조한 이하의 본 발명의 바람직한 실시예의 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명의 일실시예의 개략도로서, 예를 들면 반도체소자(예를 들면 IC,LSI 등), 액정소자, 촬상소자(예를 들면 CCD)또는 자기헤드 등의 마이크로디바이스를 제조할 때 이용되는 주사형 투영노광장치를 도시한 것이다.
제2도에 있어서, 예를 들면 엑시머 레이저로 이루어진 펄스광을 방사하는 광원(1)으로부터의 광은 빔정형광학계(2)에 의해 소망의 형상으로 정형되어, 예를 들면 파리의 눈렌즈로 이루어진 옵티컬 인터그레이터(3)의 광입사면으로 향한다. 파리의 눈렌즈는 복수의 작은 렌즈의 조합으로 이루어진 것으로, 그 광출사면근방에 복수의 2차광원이 형성된다. (4)는 집광렌즈로, 옵티컬인터그레이터의 2차광원으로부터의 광으로 마스킹블레이드수단(6)을 조사(쾰러조사)하는 역할을 한다. 마스킹블레이드수단(6)과 레티클(9)은 결상렌즈(7)와 거울(8)에 대해 서로 광학적 공액관계로 배치되어 있으므로, 마스킹블레이드수단(6)의 개구형상을 설정함으로써, 레티클(9)에 있어서의 펄스광이 조사되는 조명영역의 모양과 치수가 결정된다. 통상, 레티클(9)에 있어서의 조명영역은 레티클(9)의 주사방향을 따라 짧은 변이 배치된 직사각형의 슬릿형상을 지닌다. (10)은 레티클상에 형성된 회로패턴을 반도체기판(11)상에 축소투영하는 투영광학계이다. (101)은 레티클(9)과 반도체기판(11)을 도시하지 않은 구동수단에 의해 투영광학계(10)의 투영배율과 동일한 비율로 정확하게 일정한 속도로 이동시키는 이동제어계이다. (12)는 광량검출기로서, 하프미러(5)에 의해 분할된 펄스광의 일부를 모니터함으로써 간접적으로 반도체기판(11)에 있어서의 각 펄스의 노광량을 모니터한다. 제어계(103)는 광량연산기(102)에 의해 계산된 노광량에 따라 펄스레이저(1)의 발광타이밍을 제어한다.
제3도는 노광시에 레티클(9)이 조명광(104)의 경로와 수직인 화살표방향으로 이동해가는 상태를 도시한 것이다. 레티클(9)이 화살표방향으로 이동함에 따라, 슬릿형상의 조명광(104)에 의해 형성된 조명영역(105)에 의해 레티클(9)이 주사·노광된다. 제4도는 제3도의 레티클을 조명방향 즉 바로 위쪽에서 본 평면도로서, 레티클(9) 상의 점 a가 레티클(9)의 이동과 함께 조명영역(105)을 횡절해 가는(위치 a로부터 위치a1을 거쳐 위치 a2로) 태양을 나타낸 것이다. 점a가 a1의 위치에 온 때에 점 a의 노광이 개시되고, 점 a가 a2위치에 온 때에 점 a의 노광이 종료한다.
제5도 내지 제8도는 레티클(9)상의 소정의 점(이 예에서는 점 a)에서 레티클(9)의 이동과 함께 적산노광량이 증가해가는 상태를 설명하기 위한 그래프이다. 여기에서 Eo은 적산노광량의 목표치, T1은 점 a가 a1의 위치에 온 때(예를 들면 조명영역에 막 들어 온 때, 즉 노광개시순간), T2는 점 a가 a2위치에 온 때(예를 들면 조명영역을 막 나간 때, 즉 노광종료순간)를 나타내고 있다.
Hg램프 등의 연속발광형 광원을 노광광원으로서 사용한 경우, 제5도에 도시한 바와 같이, 노광개시로부터 노광종료까지 연속적으로 노광량이 증가해 가므로, 미리 레티클의 이동속도와 단위시간당의 에너지조사량뿐만 아니라 조사슬릿의 폭을 설정해 놓고, 이들을 일정하게 유지하면서 노광을 수행해가면, 노광불균일을 일으키지 않고 또 정확한 노광제어가 가능하다. 또한, 본 발명과 같이 펄스광을 노광광으로서 사용한 경우에도, 1펄스당의 조사에너지가 일정하면, 연속발광형 광원의 경우와 마찬가지로 노광불균일을 일으키지 않고 정확한 노광제어가 가능하다.
그러나, 엑시머레이저 등의 펄스광원의 경우에는, 특히, 발진(방사)주사수를 일정하게 할 수 있더라도 각 펄스광의 에너지를 정확하게 유지하기는 곤란하다. 따라서, 1펄스당의 평균에너지조사량으로부터 산출된 조건(예를들면, 에너지설정, 슬릿폭설정, 레티클과 웨이퍼의 주사속도설정, 발진주파수설정)에 의거해서 노광을 행하면, 각 펄스광의 에너지의 편차 또는 변동에 의해 제7도에 도시한 바와 같이 정확한 노광량 제어가 불가능하다(본 예에서는 과다노광). 이것은, 노광주기가 거의 일정한 주사형 노광장치의 경우 반도체기판의 노광량불균일을 초래하게 된다.
제8도는 본 발명의 본 실시예에 있어서의 노광량제어를 설명하기 위한 그래프이다. 간단히 말하면, 본 실시예에 있어서는, 레티클 및 반도체기판의 주사속도를 일정하게 유지하면서 주사노광하는 동안, 순차 공급된 각 펄스에 의한 노광량을 모니터하고 있다. 즉, 소정의 펄스광에 의한 노광량이 소망의 레벨보다도 커진 경우에는, 다음의 펄스광의 발광타이밍을 지연시키고, 또 한편, 소정의 펄스광에 의한 노광량이 소망의 레벨보다도 작아진 경우에는 다음 펄스광의 발광타이밍을 빠르게 함으로써, 각 펄스의 광량의 편차에 관계없이 반도체기판상에 있어서의 각 점의 노광량불균일을 최소한으로 억제할 수 있다.
제13도는 노광제어순서를 나타낸 순서도이다. 스텝 101에서는, 기판(예를 들면 시험대상웨이퍼)의 레지스트의 노광에 필요한 노광량을 결정하고, 스텝 102에서는 상기 스텝 101에서 결정된 필요노광량에 의거하여, 엑시머레이저(1)의 설정에너지와 레이저발진 주파수와 마스킹블레이드수단(6)의 슬릿폭뿐만 아니라 레티클스테이지와 웨이퍼스테이지의 이동속도를 결정한다. 이들 파라미터는, 노광량불균일을 줄이기 위하여 스테이지 이동속도, 발진주파수 또는 노광펄스의 최소수를 모두 변경할 수 있다는 점을 고려하면서 결정하고, 또한 가능한 한 스루풋을 증대시키도록 결정한다. 필요시, 광량조절에는 ND(중성 밀도)필터를 사용해도 된다. 스텝 103에서는, 노광개시준비를 위하여 웨이퍼와 레티클을 그들의 소정의 위치에 설치하여, 이들의 상대위치를 조정한다. 이들의 상대위치조정을 수행한 후에는, 레티클스테이지와 웨이퍼스테이지의 이동과 레이저(1)의 방사를 개시한다(스텝 104 및 105), 레티클(9)의 노광대상영역이 조명광으로 조사될 영역으로 들어가기 전에 레이저(1)의 방사를 개시한 경우에는, 레티클(9)상에 차광 영역을 마련해 놓거나, 레이저의 셔터를 폐쇄하여, 웨이퍼에의 노광광의 침입을 방지하는 것이 바람직하다. 스텝 106에서는, 노광수행에 사용된 펄스광의 에너지 Ei를 검출한다. 여기에서는, 설정펄스노광에너지Eo와 실제로 검출된 펄스노광에너지 Ei에 의거해서, 다음 펄스광의 발광시간을 결정한다(스텝 107), 그후, 1샷(1주사)노광이 완료되지 않았다면, 그 계산된 시각에 다음의 펄스광을 방사한다.
바람직하게는, 레이저(1)의 설정에너지는 노광장치의 노광량검출계에 대해서 검정하면 되고, 레이저(1)의 설정에너지에 대응하는 평균노광량은 미리 측정하는 것이 바람직하다.
전술한 실시예에 있어서는, 펄스광 P1, P2, P3, P4, ……에 의해 순차 노광을 수행하고, 전회의 펄스광 Pi-1에 의한 노광량에 의거하여 금회의 펄스 Pi의 발광타이밍을 제어하였으나, 이 발광타이밍은 예를 들면, 바로 전회의 펄스광Pi-1이 아니라 그이전, 즉 펄스 Pi-2또는 Pi-3에 의한 노광량에 의해 제어해도 된다. 그러나, 방사할 펄스에 가까운 펄스에 의거해서 발광을 제어하는 것이 바람직하다. 또, 펄스 Pi의 발광타이밍은, 펄스 Pi에 가까운 복수의 펄스에 의한 노광량에 의거해서(예를 들면 펄스 Pi-1과 Pi-2에 의한 총 노광량에 의거해서)제어하는 것이 바람직하다.
또, 전술한 실시예에 있어서는, 전회의 펄스광에 의한 검출된 노광량에 관하여, 다음에 방사될 펄스의 방사의 시간간격을 계산하여 다음에 방사될 펄스의 방사타이밍을 제어하였으나, 대안적으로는 검출된 노광량에 관하여, 다음 펄스에 의해 노광될 레티클 또는 웨이퍼의 위치를 계산하여, 레티클 또는 웨이퍼가 그 위치에 왔을때 펄스를 방사할 수 있도록 다음 펄스의 방사타이밍을 제어해도 된다. 이것은 레티클 또는 웨이퍼의 이동속도의 편차가 작은 경우에 특히 유효하다. 그 경우, 바람직하게는 레티클 또는 웨이퍼에 관한 위치정보는, 예를 들면 고정밀레이저간섭계를 사용해서 연속적으로 모니터·검출할 수 있다.
노광에 이용될 펄스광의 수가 많을 경우(예를 들면 수백개의 펄스)에는, 레티클의 주사 방향에서의 레티클(9)상에서의 조도분포를 특히 의식할 필요는 없고, 예를 들면 제10도에 도시한 바와 같이 완전히 균일한 분포이어도 되지만, 노광에 사용될 펄스광의 수가 많지 않을 때에는, 펄스수에 의한 디지틀오차를 없애기 위하여, 제9도에 도시한 바와 같이 경계영역에서의 분포를 완만하게 변화시킨 상태에서 조사하면, 보다 정확한 노광량제어가 가능해진다.
특히, 레티클(9)의 주사방향에서의 조도분포(편중적인 강도분포)의 경계영역(제9도의△X)은, 관계식 △X = M*(1펄스당의 레티클의 평균이동거리)(식중 M은 자연수)를 만족하고, 또, 이들 경계영역은 제9도에 도시한 바와 같이 대칭(도시된 모양에 가까운 형상이라면 충분하다)인 것이 바람직하다. 예를 들면, 균일한 조도분포를 형성한 후, 제2도의 마스킹블레이드수단(6)중 적어도 1개의 블레이드를 광축방향으로 이동시켜 레티클(9)상에서 그의 상(像)을 다소 디포커스시킴으로써 레티클(9)상의 조명영역을 희미하게 해도 된다.
본 실시예에 있어서는, 마스킹블레이드수단을 2개의 직교하는 가변슬릿으로 구성하고, 이들 가변슬릿중, 주사방향에서의 조명영역의 폭을 결정하는 하나의 슬릿의 상을 디포커스가능하게 해서 △X의 양을 원하는 대로 조절할 수 있도록 하고 있다.
또, 본 실시예에 있어서는, 결상렌즈(7)를 개재해서 마스킹블레이드수단(6)의 개구의 상을 레티클(9)의 패턴면에 투영하고 있으나, 결상렌즈(7)는 반드시 필요한 것은 아니고, 예를 들면, 레티클(9) 바로앞에 마스킹블레이드수단을 배치해도 된다.
또, 발진주파수의 초기설정에 있어서는, 사용되는 펄스광원의 최고주파수에 대해서, 각 펄스의 에너지편차를 고려한 레벨로 발진주파수를 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 펄스에너지의 편차가 ±5%이고 최고발진주파수가 500Hz인 레이저를 사용한 경우, 또 바로 전회의 1펄스에 의거해서 발광타이밍을 제어하는 경우에 있어서, 발진주파수는 5%의 편차를 가질 것이 예상되므로, 발진주파수의 초기설정치는 475Hz이하로 설정하는 것이 바람직하다.
다음에, 제2도의 투영노광장치를 이용한 반도체장치제조방법의 일실시예를 설명한다.
제11도는 예를 들면, 반도체칩(예를 들면 IC또는 LSI), 액정패널 또는 CCD등의 반도체장치의 제조순서를 표시한 순서도이다. 스텝 1은 반도체장치의 회로를 설계하는 설계공정이고, 스텝 2는 상기 설계한 회로패턴에 의거해서 마스크를 제작하는 공정이며, 스텝 3은 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조하는 공정이다.
스텝 4는 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서, 리소그래피기술에 의해 웨이퍼 상에 실제의 회로를 형성하는 소위 전(前) 공정이라 불리는 웨이퍼프로세스이고, 다음의 스텝 5는 스텝 4에서 처리된 웨이퍼를 반도체칩으로 형성하는 소위 후공정이라 불리는 조립공정이다. 이 공정은 어셈블링공정(다이싱 및 본딩공정)과 패키징공정(칩봉인)을 포함한다. 스텝 6은 스텝 5에서 작성된 반도체장치의 동작체크, 내구성 체크 등을 수행하는 검사공정이다. 이들 공정에 의해, 반도체장치가 완성되어 출하된다(스텝 7).
제12도는 웨이퍼프로세스의 상세를 표시한 순서도이다.
스텝 11은 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화공정이고, 스텝 12는 웨이퍼표면에 절연막을 형성하는 CVD공정이며, 스텝 13은 증착법에 의해 웨이퍼상에 전극을 형성하는 전극형성공정이다. 스텝 14는 웨이퍼에 이온을 주입시키는 이온주입공정이고, 스텝 15는 웨이퍼에 레지스트(감광재료)를 도포하는 레지스트공정이며, 스텝 16은 전술한 노광장치에 의해서 웨이퍼상에 마스크의 회로패턴을 노광에 의해 프린트하는 노광공정이다. 스텝 17은 노광한 웨이퍼를 현상하는 현상공정이고, 스텝 18은 현상한 레지스트상이외의 부분을 제거하는 에칭공정이고, 스텝 19는 에칭공정후 웨이퍼상에 남아있는 레지스트를 박리하는 박리공정이다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼상에 회로 패턴이 중첩형성된다.
이상 본 발명은 여기에 개시된 구조를 참조해서 설명하였으나, 본 발명은 이로써 한정되지 않고, 개량목적이나 이하의 특허청구범위의 범위내에 들어가는 그러한 모든 변형이나 수정도 커버하는 것임은 물론이다.

Claims (20)

  1. 순차적으로 공급되는 펄스광에 의해 마스크를 통하여 기판을 노광하는 노광장치에 있어서, 펄스광에 의해 마스크와 기판을 주사하는 주사수단과; 적어도 1개의 펄스의 광량을 검출하는 검출수단과; 방사되는 펄스에 선행하는 적어도 한 개의 펄스에 의하여 형성된 광량에 의거하여, 방사되는 펄스의 방사타이밍을 제어하는 제어수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서 상기 제어수단은, 방사되는 펄스의 직전에 선행하는 펄스에 의해 형성된 광량에 관한 정보에 의거하여 방사타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 방사되는 펄스에 선행하는 복수의 펄스에 의해 형성된 광량에 의거하여 방사타이밍을 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 방사되는 펄스에 선행하는 펄스의 광량이 소정의 광량보다도 많은 경우에는, 방사타이밍을 지연하도록 제어하고, 또한 방사되는 펄스에 선행하는 펄스의 광량이 소정의 광량보다도 적은 경우에는, 방사타이밍을 빠르도록 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제1항에 있어서 상기 노광장치는 광펄스를 공급하는 광원을 부가하여 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제5항에 있어서 상기 광원은 엑시머레이저를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제5항에 있어서 상기 광원은, 주사방향으로 강도분포의 가장자리에서 0까지 점차적으로 변화하는 강도분포를 각각 가지는 펄스를 공급하도록 작동가능한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제7항에 있어서 상기 광원은, 주사방향으로 대략 사다리꼴형상의 강도 분포를 각각 가지는 펄스를 공급하도록 작동가능하고, 사다리꼴형상의 하부에 대응하는 영역의 주사방향의 길이는, 상부에 대응하는 영역보다, 한 개의 펄스에 대한 기판의 이동거리에 전체개수를 곱한 양의 대략 두배인 양 만큼 긴 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노광장치는, 펄스광으로 조사되는 조사영역을 제한하기 위하여, 복수의 차광판을 가지는 광차단수단을 부가하여 포함하고, 상기 적어도 한 개의 차광판은 펄스의 광축의 방향으로 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 광펄스에 대한 기준광량과 기준기간이 미리 설정되어 있을 때, 상기 제어수단은, 계속해서 방사되는 후속의 광펄스에 대한 기간을 결정하고, 또한 이 결정에 따라 후속의 광펄스의 방사타이밍을 제어할 수 있도록 기준광량과 기준기간 및 상기 펄스의 검출광량에 의거하여 작동가능한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제1항 내지 제8항에 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 광펄스에 대한 기준광량과 각각의 광펄스에 대응하는 기판의 기준위치가 미리 설정되어 있을 때, 상기 제어수단은, 계속해서 방사되는 후속의 광펄스에 관련하여 기판의 위치를 결정하고, 또한 이 결정에 따라 후속의 광펄스의 방사타이밍을 제어하도록 기준광량과 기준위치 및 상기 펄스의 검출광량에 의거하여 작동가능한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 순차적으로 공급되는 광펄스에 의해 마스크를 통하여 노광되는 기판 가공부재의 노광방법에 있어서, 광펄스에 의해 마스크와 기판가공부재를 주사하는 주사공정과; 적어도 한 개의 방사된 펄스의 광량을 검출하는 검출공정과; 검출된 광량에 의거하여 방사되는 펄스의 방사타이밍을 제어하는 제어공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제어공정에서, 적어도 한 개의 펄스의 검출광량이 소정의 광량보다 많은 경우에는 방사타이밍이 지연되고, 또한 적어도 한 개의 펄스의 검출광량이 소정의 광량보다 적은 경우에는 방사타이밍이 빠르게 되는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  14. 제13항에 있어서, 방사되는 펄스의 방사타이밍은 선행의 펄스의 광량에 의거하여 제어되는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  15. 제13항에 있어서, 방사되는 펄스의 방사타이밍은 방사되는 펄스에 선행하는 복수의 펄스의 광량에 의거하여 제어되는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 펄스는 주사방향으로 강도분포의 가장자리에서 0까지 점차적 변화하는 강도분포를 가지는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 주사방향의 강도분포는 대략 사다리꼴형상을 가지며, 사다리꼴 형상의 하부에 대응하는 영역의 주사방향의 길이는, 사다리꼴형상의 상부에 대응하는 영역보다, 한개의 펄스에 대한 기판가공부재의 이동거리에 전체개수를 곱한 양의 대략 2배인 양만큼, 긴 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  18. 제12항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 각각의 광펄스에 대한 기준광량과 기준기간이 미리 설정되어 있고, 또한 상기 노광방법은, 기준광량과 기준기간 및 적어도 한 개의 펄스의 검출광량에 의거하여 계속해서 방사되는 후속의 광펄스에 대한 기간을 결정하는 공정과, 상기 결정에 의해 후속의 펄스의 방사타이밍을 제어하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  19. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 각 광펄스에 대한 기준광량과 각 펄스에 대응하는 기판가공부재의 기준위치가 미리 설정되어 있고, 또한 상기 노광방법은, 기준광량과 기준위치 및 적어도 한 개의 펄스의 검출광량에 의거하여 계속해서 방사되는 후속의 펄스에 관련하여 기판가공부재의 위치를 결정하는 공정과, 상기 결정에 의해 후속의 광펄스의 방사타이밍을 제어하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판가공부재의 노광방법.
  20. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 노광방법에 의해 노광된 기판가공부재로부터 마이크로디바이스를 제조하는 공정을 포함하는 마이크로디바이스의 제조방법.
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