JP2000021764A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光対象領域全域における積算露光量を均一
にする。 【解決手段】 パルス光で原版１５をスリット状に照明
するとともに、この照明光に対して原版と基板１８をス
キャン移動させて原版のパターンを基板上に露光転写す
るスキャン方式の露光装置において、照明光のスキャン
方向の光強度分布をスリット方向に関して等しくする手
段３、１０を備える。
にする。 【解決手段】 パルス光で原版１５をスリット状に照明
するとともに、この照明光に対して原版と基板１８をス
キャン移動させて原版のパターンを基板上に露光転写す
るスキャン方式の露光装置において、照明光のスキャン
方向の光強度分布をスリット方向に関して等しくする手
段３、１０を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパルス光を光源とし
たスキャン方式の露光装置およびこれを用いたデバイス
製造方法に関するものであり、特にスキャン方向、およ
びスキャン方向と直交する方向の積算露光量ムラを最小
にする機能を有する露光装置およびこれを用いたデバイ
ス製造方法に関するものである。
たスキャン方式の露光装置およびこれを用いたデバイス
製造方法に関するものであり、特にスキャン方向、およ
びスキャン方向と直交する方向の積算露光量ムラを最小
にする機能を有する露光装置およびこれを用いたデバイ
ス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりスキャン動作によってレチクル
上のパターンをウエハ上に露光転写するスキャン方式の
半導体露光装置が知られている。図８は一般的なスキャ
ン方式の半導体露光装置の要部概略図である。この半導
体露光装置では、同図に示すように、レチクル１５上の
パターン５１の一部を、パルス光を発する光源からの露
光光によってスリット状に照明し、投影系１７により、
ウエハ１８上に上記パターン５１の一部の像を縮小投影
する。そして、投影系１７とスリット状照明領域５０に
対し、レチクル１５およびウエハ１８を、投影系１７の
縮小比率と同じ速度比率で互いに逆方向５２および５３
にスキャンさせながら、パルス光源からのパルス光によ
る多パルス露光を繰り返すことにより、レチクル１５全
面のパターンをウエハ１８上の１チップ領域または複数
チップ領域に転写する。このようなスキャン方式の半導
体露光装置では、ウエハ上の露光対象領域（チップ領
域）に対して、極力均一な積算露光量による露光を達成
する必要がある。
上のパターンをウエハ上に露光転写するスキャン方式の
半導体露光装置が知られている。図８は一般的なスキャ
ン方式の半導体露光装置の要部概略図である。この半導
体露光装置では、同図に示すように、レチクル１５上の
パターン５１の一部を、パルス光を発する光源からの露
光光によってスリット状に照明し、投影系１７により、
ウエハ１８上に上記パターン５１の一部の像を縮小投影
する。そして、投影系１７とスリット状照明領域５０に
対し、レチクル１５およびウエハ１８を、投影系１７の
縮小比率と同じ速度比率で互いに逆方向５２および５３
にスキャンさせながら、パルス光源からのパルス光によ
る多パルス露光を繰り返すことにより、レチクル１５全
面のパターンをウエハ１８上の１チップ領域または複数
チップ領域に転写する。このようなスキャン方式の半導
体露光装置では、ウエハ上の露光対象領域（チップ領
域）に対して、極力均一な積算露光量による露光を達成
する必要がある。
【０００３】ここで、露光対象領域の積算露光量の均一
性は、上記、スキャン方向とスリット方向（スリット状
照明領域５０の長手方向）に分けて考えられる。スキャ
ン方向の積算露光量の均一性は、露光対象領域に照射さ
れるパルス数、各パルス光のエネルギのばらつき、パル
ス光のスキャン方向エネルギ強度分布（プロファイ
ル）、パルス発光間隔、および各パルス光のエネルギ制
御方法により決まる。スリット方向の積算露光量の均一
性は、主にスリット方向の光エネルギ強度分布により決
まる。
性は、上記、スキャン方向とスリット方向（スリット状
照明領域５０の長手方向）に分けて考えられる。スキャ
ン方向の積算露光量の均一性は、露光対象領域に照射さ
れるパルス数、各パルス光のエネルギのばらつき、パル
ス光のスキャン方向エネルギ強度分布（プロファイ
ル）、パルス発光間隔、および各パルス光のエネルギ制
御方法により決まる。スリット方向の積算露光量の均一
性は、主にスリット方向の光エネルギ強度分布により決
まる。
【０００４】パルス光を光源としたスキャン方式の半導
体露光装置における積算露光量を考える場合、まず、ス
リット上の１点を通過する１次元領域の積算露光量を考
えることになる。この１次元領域における積算露光量の
均一性を決定しているのは、「確定的露光量ムラ」と、
「積算露光量制御方式」である。以下にこれらの概要を
述べる。
体露光装置における積算露光量を考える場合、まず、ス
リット上の１点を通過する１次元領域の積算露光量を考
えることになる。この１次元領域における積算露光量の
均一性を決定しているのは、「確定的露光量ムラ」と、
「積算露光量制御方式」である。以下にこれらの概要を
述べる。
【０００５】（確定的露光量ムラ）図４（１ａ）はウエ
ハ面のスキャン方向エネルギ強度分布（プロファイル）
を表わしたものである。図中のＰは、露光ピッチと呼ば
れ、スキャンスピードをパルス光光源の周波数で割った
長さであり、パルス光光源１パルス当たりのスキャン方
向の露光長を表わすものである。図４（１ａ）は、プロ
ファイルの傾斜部分および平坦部分が上記露光ピッチＰ
の整数倍の場合を示し、この場合には、各パルス光によ
る積算露光量は同図の〜の部分を積算したものとな
る。この様子を表現したものが、図４（１ｂ）および図
４（１ｃ）である。この場合には、露光ピッチＰ内の全
点において均一な積算露光が実現できていることがわか
る。
ハ面のスキャン方向エネルギ強度分布（プロファイル）
を表わしたものである。図中のＰは、露光ピッチと呼ば
れ、スキャンスピードをパルス光光源の周波数で割った
長さであり、パルス光光源１パルス当たりのスキャン方
向の露光長を表わすものである。図４（１ａ）は、プロ
ファイルの傾斜部分および平坦部分が上記露光ピッチＰ
の整数倍の場合を示し、この場合には、各パルス光によ
る積算露光量は同図の〜の部分を積算したものとな
る。この様子を表現したものが、図４（１ｂ）および図
４（１ｃ）である。この場合には、露光ピッチＰ内の全
点において均一な積算露光が実現できていることがわか
る。
【０００６】図４（２ａ）はプロファイルの傾斜部分の
みが露光ピッチＰの整数倍の場合を示し、この場合で
も、図４（２ｂ）および（２ｃ）より、露光ピッチＰ内
の全点において均一な積算露光が実現できていることが
わかる。図４（３ａ）はプロファイルの傾斜部分と平坦
部分の和の長さが露光ピッチＰの整数倍の場合であり、
この場合でも、図４（３ｂ）および（３ｃ）より、露光
ピッチＰ内の全点において均一な積算露光が実現できて
いることがわかる。
みが露光ピッチＰの整数倍の場合を示し、この場合で
も、図４（２ｂ）および（２ｃ）より、露光ピッチＰ内
の全点において均一な積算露光が実現できていることが
わかる。図４（３ａ）はプロファイルの傾斜部分と平坦
部分の和の長さが露光ピッチＰの整数倍の場合であり、
この場合でも、図４（３ｂ）および（３ｃ）より、露光
ピッチＰ内の全点において均一な積算露光が実現できて
いることがわかる。
【０００７】図４（４ａ）はプロファイルの傾斜部分お
よびプロファイルの傾斜部分と平坦部分の和の長さが、
露光ピッチと整数倍の関係にない場合であり、この場合
のみ露光ピッチＰ内の各点における積算露光量が均一に
なっていないことがわかる。この図４（４ｃ）で示すよ
うなスキャン方向の露光量ムラは、パルス光光源の出力
が安定していても、確実に発生するものであるため、
「確定的露光量ムラ」と呼んでいる。
よびプロファイルの傾斜部分と平坦部分の和の長さが、
露光ピッチと整数倍の関係にない場合であり、この場合
のみ露光ピッチＰ内の各点における積算露光量が均一に
なっていないことがわかる。この図４（４ｃ）で示すよ
うなスキャン方向の露光量ムラは、パルス光光源の出力
が安定していても、確実に発生するものであるため、
「確定的露光量ムラ」と呼んでいる。
【０００８】スキャン方式の半導体露光装置では、上記
確定的露光量ムラを回避するため、一般的に、プロファ
イルの傾斜部分と平坦部分の和の長さが露光ピッチＰの
整数倍である関係となるように、プロファイルおよび露
光ピッチを決定するようにしている。
確定的露光量ムラを回避するため、一般的に、プロファ
イルの傾斜部分と平坦部分の和の長さが露光ピッチＰの
整数倍である関係となるように、プロファイルおよび露
光ピッチを決定するようにしている。
【０００９】（積算露光量制御方式）半導体露光装置で
は、そのパルス光光源としてエキシマレーザを使用する
ことができるが、一般に、このようなパルス光光源は数
％程度の出力ばらつきを有するものである。この出力ば
らつきは、結果として場所による積算露光量のばらつき
となる。これを回避するため、積算露光量制御方式とし
て、「移動平均値一定値制御」または「パルス光発光間
隔制御」を選択もしくは併用可能なようにしている。
は、そのパルス光光源としてエキシマレーザを使用する
ことができるが、一般に、このようなパルス光光源は数
％程度の出力ばらつきを有するものである。この出力ば
らつきは、結果として場所による積算露光量のばらつき
となる。これを回避するため、積算露光量制御方式とし
て、「移動平均値一定値制御」または「パルス光発光間
隔制御」を選択もしくは併用可能なようにしている。
【００１０】移動平均値一定値制御とは、連続する所定
パルス数における光エネルギの移動平均値が常に一定に
なるように、パルス光発光毎に光エネルギを計測し、次
のパルス光のエネルギ指令値を制御することをいう（詳
細技術内容については特開平７−２５４５５９号公報を
参照のこと。）。パルス光発光間隔制御とは、パルス光
発光毎に光エネルギ指令値と実測値を比較し、もし、指
令値より実測値が大きかった場合には、次のパルスの発
光タイミングを遅らせ、もし、指令値より実測値が小さ
かった場合には、次のパルスの発光タイミングを早くす
る制御をいう（詳細技術内容については特開平７−７４
０９２号公報を参照のこと。）。
パルス数における光エネルギの移動平均値が常に一定に
なるように、パルス光発光毎に光エネルギを計測し、次
のパルス光のエネルギ指令値を制御することをいう（詳
細技術内容については特開平７−２５４５５９号公報を
参照のこと。）。パルス光発光間隔制御とは、パルス光
発光毎に光エネルギ指令値と実測値を比較し、もし、指
令値より実測値が大きかった場合には、次のパルスの発
光タイミングを遅らせ、もし、指令値より実測値が小さ
かった場合には、次のパルスの発光タイミングを早くす
る制御をいう（詳細技術内容については特開平７−７４
０９２号公報を参照のこと。）。
【００１１】以上、スリット上の１点を通過する１次元
領域における積算露光量の均一性に影響を与える「確定
的露光量ムラ」と「積算露光量制御方式」について述べ
た。
領域における積算露光量の均一性に影響を与える「確定
的露光量ムラ」と「積算露光量制御方式」について述べ
た。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】一方、前述のように、
露光量ムラはスキャン方向だけではなく、スリット方向
にも当然存在する。このスリット方向の露光量ムラを除
去するために、スリット方向の位置によりスリット幅を
変える方法が容易に考えられる。この様子を図５（ａ）
および（ｂ）を用いて説明する。
露光量ムラはスキャン方向だけではなく、スリット方向
にも当然存在する。このスリット方向の露光量ムラを除
去するために、スリット方向の位置によりスリット幅を
変える方法が容易に考えられる。この様子を図５（ａ）
および（ｂ）を用いて説明する。
【００１３】図５（ａ）の破線５４は理想的なプロファ
イルを示し、実線５５は実際のプロファイルの一例を示
す。この例ではスリット周辺部において照度の低下があ
る。このような場合に、スリット幅を変化させてスリッ
ト方向の露光ムラを除去しようとすると、図５（ｂ）の
ように、スリット中央部のスリット幅を狭くすることに
なる。この場合、スリット中央部と周辺部とで、スキャ
ン方向のプロファイル形状が変わってしまう。このこと
を「確定的露光量ムラ」から考えると、従来の半導体露
光装置では、プロファイルの傾斜部分と平坦部分の和の
長さが露光ピッチＰの整数倍の関係となるように設定し
ているため、スリット位置によりスリット幅を変える方
式によれば、スリット位置により、確定的露光量ムラが
大きくなる場所が出てくる。また、「積算露光量制御方
式」から考えると、「移動平均値一定値制御」を用いた
場合には、スリット位置により、露光に使用されるパル
ス数が変わってしまうため、スリット位置によっては、
露光量制御精度が低下してしまう。また、「パルス光発
光間隔制御」を用いた場合にも、スリット位置によりプ
ロファイル形状が違えば、当然、発光タイミングを所定
タイミングから変えた場合の積算量に対する影響度が違
ってくるため、スリット位置によっては、露光量制御精
度が低下してしまう。
イルを示し、実線５５は実際のプロファイルの一例を示
す。この例ではスリット周辺部において照度の低下があ
る。このような場合に、スリット幅を変化させてスリッ
ト方向の露光ムラを除去しようとすると、図５（ｂ）の
ように、スリット中央部のスリット幅を狭くすることに
なる。この場合、スリット中央部と周辺部とで、スキャ
ン方向のプロファイル形状が変わってしまう。このこと
を「確定的露光量ムラ」から考えると、従来の半導体露
光装置では、プロファイルの傾斜部分と平坦部分の和の
長さが露光ピッチＰの整数倍の関係となるように設定し
ているため、スリット位置によりスリット幅を変える方
式によれば、スリット位置により、確定的露光量ムラが
大きくなる場所が出てくる。また、「積算露光量制御方
式」から考えると、「移動平均値一定値制御」を用いた
場合には、スリット位置により、露光に使用されるパル
ス数が変わってしまうため、スリット位置によっては、
露光量制御精度が低下してしまう。また、「パルス光発
光間隔制御」を用いた場合にも、スリット位置によりプ
ロファイル形状が違えば、当然、発光タイミングを所定
タイミングから変えた場合の積算量に対する影響度が違
ってくるため、スリット位置によっては、露光量制御精
度が低下してしまう。
【００１４】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、スキャン方式の露光装置およびこれを用い
たデバイス製造方法において、露光対象領域全域におけ
る積算露光量を均一にすることにある。
題点に鑑み、スキャン方式の露光装置およびこれを用い
たデバイス製造方法において、露光対象領域全域におけ
る積算露光量を均一にすることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の露光装置では、パルス光で原版をスリット状に
照明するとともに、この照明光に対して原版と基板をス
キャン移動させて原版のパターンを基板上に露光転写す
るスキャン方式の露光装置において、前記照明光のスキ
ャン方向の光強度分布をスリット方向に関して等しくす
る手段を具備することを特徴とする。
本発明の露光装置では、パルス光で原版をスリット状に
照明するとともに、この照明光に対して原版と基板をス
キャン移動させて原版のパターンを基板上に露光転写す
るスキャン方式の露光装置において、前記照明光のスキ
ャン方向の光強度分布をスリット方向に関して等しくす
る手段を具備することを特徴とする。
【００１６】また、本発明のデバイス製造方法では、パ
ルス光で原版をスリット状に照明するとともに、この照
明光に対して原版と基板をスキャン移動させて原版のパ
ターンを基板上に露光転写するスキャン方式の露光によ
るデバイス製造方法おいて、前記照明光のスキャン方向
の光強度分布をスリット方向に関して等しくして露光を
行うことを特徴とする。
ルス光で原版をスリット状に照明するとともに、この照
明光に対して原版と基板をスキャン移動させて原版のパ
ターンを基板上に露光転写するスキャン方式の露光によ
るデバイス製造方法おいて、前記照明光のスキャン方向
の光強度分布をスリット方向に関して等しくして露光を
行うことを特徴とする。
【００１７】これによれば、照明光のスキャン方向の光
強度分布すなわち光強度分布のプロファイルがスリット
方向に関して等しいため、スリット方向の露光ムラが除
去されると同時に、確定的露光量ムラの防止のための設
定や、積算露光量制御方式による制御の影響が、スリッ
ト方向の位置によらずに一定化する。したがって、スキ
ャン方向およびスリット方向のいずれについても積算露
光量が均一化する。
強度分布すなわち光強度分布のプロファイルがスリット
方向に関して等しいため、スリット方向の露光ムラが除
去されると同時に、確定的露光量ムラの防止のための設
定や、積算露光量制御方式による制御の影響が、スリッ
ト方向の位置によらずに一定化する。したがって、スキ
ャン方向およびスリット方向のいずれについても積算露
光量が均一化する。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、上述のように、スリット上の任意の位置における
光エネルギ強度分布形状（プロファイル形状）を一致さ
せるために、 スリット位置における照明の光エネルギ強度分布をス
キャン方向に傾斜したものとし、そして、スリット状
光束を形成するためのスリットを固定幅可変位置スリッ
トとし、スキャン方向のスリット位置をスリット方向の
場所により任意に設定可能としている。
ては、上述のように、スリット上の任意の位置における
光エネルギ強度分布形状（プロファイル形状）を一致さ
せるために、 スリット位置における照明の光エネルギ強度分布をス
キャン方向に傾斜したものとし、そして、スリット状
光束を形成するためのスリットを固定幅可変位置スリッ
トとし、スキャン方向のスリット位置をスリット方向の
場所により任意に設定可能としている。
【００１９】すなわち好ましい形態の露光装置では、パ
ルス光をスリット状に成形してスリット状の照明を実現
するためのスリットであって、スリット幅が固定または
可変でかつスリット方向の任意の位置におけるスキャン
方向のスリット位置が可変である固定または可変幅の可
変位置スリットを備え、このスリットと、このスリット
への入射光の光強度分布をスキャン方向に傾斜したもの
とする手段とを用いて光強度分布を等しくする手段が構
成されている。より具体的には、スリットは、スリット
方向に分割され、それぞれがスキャン方向に移動可能な
複数のスリット部分を有し、このスリット部分ごとにス
リット位置が可変である。
ルス光をスリット状に成形してスリット状の照明を実現
するためのスリットであって、スリット幅が固定または
可変でかつスリット方向の任意の位置におけるスキャン
方向のスリット位置が可変である固定または可変幅の可
変位置スリットを備え、このスリットと、このスリット
への入射光の光強度分布をスキャン方向に傾斜したもの
とする手段とを用いて光強度分布を等しくする手段が構
成されている。より具体的には、スリットは、スリット
方向に分割され、それぞれがスキャン方向に移動可能な
複数のスリット部分を有し、このスリット部分ごとにス
リット位置が可変である。
【００２０】この場合、照明光のスキャン方向の光強度
分布をスリット方向に関して等しくする手段は、スキャ
ン方向の光強度分布を計測するために原版をスキャン移
動させるための基板ステージ上に設けられたセンサと、
基板ステージおよびセンサを制御して露光状態での基板
ステージ上におけるスリット方向の複数位置での光強度
分布を測定し、この結果に基づいて各スリット部分のス
リット位置を調整する手段とを備えることができる。
分布をスリット方向に関して等しくする手段は、スキャ
ン方向の光強度分布を計測するために原版をスキャン移
動させるための基板ステージ上に設けられたセンサと、
基板ステージおよびセンサを制御して露光状態での基板
ステージ上におけるスリット方向の複数位置での光強度
分布を測定し、この結果に基づいて各スリット部分のス
リット位置を調整する手段とを備えることができる。
【００２１】また、光強度分布をスキャン方向に傾斜し
たものとする手段は、照明光の光路中に配置され、照明
光の光強度分布がスキャン方向に傾斜したものとなるよ
うに透過率が調整されたフィルタによって構成すること
ができる。
たものとする手段は、照明光の光路中に配置され、照明
光の光強度分布がスキャン方向に傾斜したものとなるよ
うに透過率が調整されたフィルタによって構成すること
ができる。
【００２２】さらに、基板をスキャン移動させる基板ス
テージ上に設けられたリニアアレイセンサにより、実際
の露光時と同等のスキャンスピードおよびパルス光の周
波数で露光動作を実行しながら積算露光量の計測を実行
し、この積算露光量の計測値が露光ピッチ内において均
一となるように、スキャン方向のスリット位置を調整す
る手段を有するようにしてもよい。
テージ上に設けられたリニアアレイセンサにより、実際
の露光時と同等のスキャンスピードおよびパルス光の周
波数で露光動作を実行しながら積算露光量の計測を実行
し、この積算露光量の計測値が露光ピッチ内において均
一となるように、スキャン方向のスリット位置を調整す
る手段を有するようにしてもよい。
【００２３】デバイス製造方法においては、照明光のス
キャン方向の光強度分布をスリット方向に関して等しく
するために、上述のような構成により、照明光の光強度
分布をスキャン方向に傾斜させ、かつスリットの、スリ
ット方向の各位置におけるスリット位置を調整する。
キャン方向の光強度分布をスリット方向に関して等しく
するために、上述のような構成により、照明光の光強度
分布をスキャン方向に傾斜させ、かつスリットの、スリ
ット方向の各位置におけるスリット位置を調整する。
【００２４】本実施形態の原理を、図６および図７を用
いて具体的に説明する。図６（ａ）は従来のスキャン方
式の半導体露光装置におけるスキャン方向の光強度分布
のプロファイルを示すグラフであり、図６（ｂ）は本実
施形態に従ったスキャン方式の半導体露光装置における
スキャン方向プロファイルを示す。本実施形態では図６
（ｂ）のように、従来のプロファイルで平坦であった部
分６１を傾斜させた傾斜プロファイルとしている点に最
大の特徴がある。
いて具体的に説明する。図６（ａ）は従来のスキャン方
式の半導体露光装置におけるスキャン方向の光強度分布
のプロファイルを示すグラフであり、図６（ｂ）は本実
施形態に従ったスキャン方式の半導体露光装置における
スキャン方向プロファイルを示す。本実施形態では図６
（ｂ）のように、従来のプロファイルで平坦であった部
分６１を傾斜させた傾斜プロファイルとしている点に最
大の特徴がある。
【００２５】図７は、図６（ｂ）のようなプロファイル
の有効性を示す図である。図中の、破線７１は理想的プ
ロファイルを示し、一点鎖線７２は実際のプロファイル
の一例を示す。つまり、本実施形態に従った調整を行う
前の状態における左側、中央部、および右側のプロファ
イルは各々プロファイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４、Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４、およびＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
であり、中央部のプロファイルＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４
が左側のプロファイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４および右
側のプロファイルＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４より大きい状
況にある。本実施形態では、このような状況の場合、ス
リット上の位置によってスリット幅を変化させるのでは
なく、スリットの位置を変えるようにしている。具体的
には、中央部のスリット位置を光エネルギ強度分布が低
い方に移動させ、中央部のプロファイルＣ１，Ｃ２，Ｃ
３，Ｃ４を、プロファイルＣ１’，Ｃ２’，Ｃ３’，Ｃ
４’に変更することにより、中央部と周辺部のプロファ
イルを一致させるようにしている。
の有効性を示す図である。図中の、破線７１は理想的プ
ロファイルを示し、一点鎖線７２は実際のプロファイル
の一例を示す。つまり、本実施形態に従った調整を行う
前の状態における左側、中央部、および右側のプロファ
イルは各々プロファイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４、Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４、およびＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
であり、中央部のプロファイルＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４
が左側のプロファイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４および右
側のプロファイルＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４より大きい状
況にある。本実施形態では、このような状況の場合、ス
リット上の位置によってスリット幅を変化させるのでは
なく、スリットの位置を変えるようにしている。具体的
には、中央部のスリット位置を光エネルギ強度分布が低
い方に移動させ、中央部のプロファイルＣ１，Ｃ２，Ｃ
３，Ｃ４を、プロファイルＣ１’，Ｃ２’，Ｃ３’，Ｃ
４’に変更することにより、中央部と周辺部のプロファ
イルを一致させるようにしている。
【００２６】また、本実施形態によれば、このような傾
斜プロファイルを採用しているため、従来の台形プロフ
ァイルとは別な確定的露光量ムラの発生をしてしまう。
そこで、これを回避するため、プロファイルの前端の傾
斜部分、および中央の傾斜部（従来の平坦部）を露光ピ
ッチの整数倍となるようにしている。
斜プロファイルを採用しているため、従来の台形プロフ
ァイルとは別な確定的露光量ムラの発生をしてしまう。
そこで、これを回避するため、プロファイルの前端の傾
斜部分、および中央の傾斜部（従来の平坦部）を露光ピ
ッチの整数倍となるようにしている。
【００２７】以上により、スリット上の任意の位置にお
ける光エネルギ強度分布形状は同一なものとできるた
め、前述の従来の問題は全て解決され、露光対象領域全
域における積算露光量が均一になる。
ける光エネルギ強度分布形状は同一なものとできるた
め、前述の従来の問題は全て解決され、露光対象領域全
域における積算露光量が均一になる。
【００２８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る半導体露光
装置の構成を示すブロック図である。図中、１はパルス
光光源であるエキシマレーザ、２はエキシマレーザ１か
らの光束を拡大するエクスパンダ部、３はエクスパンダ
部２からの光束に対して、後述する傾斜した光強度分布
（傾斜プロファイル）を形成するために傾斜した高強度
の分布を付与するフィルタ、４はフィルタ３を通過した
光束がレチクル面を照明する際の照度を均一にするため
のハエの目レンズ、５は照明モードを決定する絞り、６
は内部に複数の絞り５を有する絞り交換ユニット、７は
絞り５を通過した光によりマスキングを照明するレンズ
群、８はレンズ群７を通過した光速の１％程度を反射す
る平行平面板、９はレチクル面と共役な位置に配置さ
れ、平行平面板８で反射された光を受光してレチクル面
の光量を検出するレチクル面光量検出器、１０は平行平
面板８を透過した光速をスリット状に成形し、照明領域
および照明強度分布を決定している可変位置スリット、
１１はレチクルステージ１６およびウエハステージ２０
と同期して移動することによりレチクル１５およびウエ
ハ１８上の露光領域を制限しているマスキングブレー
ド、１２はコンデンサレンズ、１３は全反射ミラー、１
４はコリメータレンズ、１５はレチクル、１６はレチク
ル１５をスキャン方向にスキャン移動させるレチクルス
テージ、１７は投影レンズ、１８は露光対象であるウエ
ハ、１９はウエハ１８を保持するウエハチャック、２０
はウエハ１８をスキャン方向（Ｙ方向）にスキャン移動
させ、かつ、Ｘ方向への移動機能も有しているウエハス
テージ、２１はスキャン方向の光エネルギの強度分布
（プロファイル）を計測するためのリニアアレイセン
サ、２２はリニアアレイセンサ２１の上部に配置されて
いるフィルタである。
装置の構成を示すブロック図である。図中、１はパルス
光光源であるエキシマレーザ、２はエキシマレーザ１か
らの光束を拡大するエクスパンダ部、３はエクスパンダ
部２からの光束に対して、後述する傾斜した光強度分布
（傾斜プロファイル）を形成するために傾斜した高強度
の分布を付与するフィルタ、４はフィルタ３を通過した
光束がレチクル面を照明する際の照度を均一にするため
のハエの目レンズ、５は照明モードを決定する絞り、６
は内部に複数の絞り５を有する絞り交換ユニット、７は
絞り５を通過した光によりマスキングを照明するレンズ
群、８はレンズ群７を通過した光速の１％程度を反射す
る平行平面板、９はレチクル面と共役な位置に配置さ
れ、平行平面板８で反射された光を受光してレチクル面
の光量を検出するレチクル面光量検出器、１０は平行平
面板８を透過した光速をスリット状に成形し、照明領域
および照明強度分布を決定している可変位置スリット、
１１はレチクルステージ１６およびウエハステージ２０
と同期して移動することによりレチクル１５およびウエ
ハ１８上の露光領域を制限しているマスキングブレー
ド、１２はコンデンサレンズ、１３は全反射ミラー、１
４はコリメータレンズ、１５はレチクル、１６はレチク
ル１５をスキャン方向にスキャン移動させるレチクルス
テージ、１７は投影レンズ、１８は露光対象であるウエ
ハ、１９はウエハ１８を保持するウエハチャック、２０
はウエハ１８をスキャン方向（Ｙ方向）にスキャン移動
させ、かつ、Ｘ方向への移動機能も有しているウエハス
テージ、２１はスキャン方向の光エネルギの強度分布
（プロファイル）を計測するためのリニアアレイセン
サ、２２はリニアアレイセンサ２１の上部に配置されて
いるフィルタである。
【００２９】また、２３はエキシマレーザ１の制御部、
２４は絞り交換ユニット６の制御部、２５は可変位置ス
リット１０の制御部、２６はマスキングブレード１１の
制御部、２７はレチクルステージ１６の制御部、２８は
ウエハステージ２０制御部、２９は半導体露光装置全体
の制御を行うＣＰＵ、３０はオペレータの操作部であ
る。
２４は絞り交換ユニット６の制御部、２５は可変位置ス
リット１０の制御部、２６はマスキングブレード１１の
制御部、２７はレチクルステージ１６の制御部、２８は
ウエハステージ２０制御部、２９は半導体露光装置全体
の制御を行うＣＰＵ、３０はオペレータの操作部であ
る。
【００３０】図２は可変スリット１０の具体的な構成を
示す図である。同図において、４２ａ〜４２ｋおよび４
３ａ〜４３ｋは各々上端および下端のスリット、４０ａ
〜４０ｅおよび４１ａ〜４１ｅは各々上端および下端ス
リット４２ａ〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋを上下方向
に駆動するリニアアクチュエータ、４４ａ〜４４ｋおよ
び４５ａ〜４５ｋは各々上端および下端スリット４２ａ
〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋと一緒に動く回転突起
部、４６および４７は各々上端および下端スリット４２
ａ〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋのガイド部、４８およ
び４９は各々上端および下端の回転突起部４４ａ〜４４
ｋおよび４５ａ〜４５ｋを連結する板バネである。
示す図である。同図において、４２ａ〜４２ｋおよび４
３ａ〜４３ｋは各々上端および下端のスリット、４０ａ
〜４０ｅおよび４１ａ〜４１ｅは各々上端および下端ス
リット４２ａ〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋを上下方向
に駆動するリニアアクチュエータ、４４ａ〜４４ｋおよ
び４５ａ〜４５ｋは各々上端および下端スリット４２ａ
〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋと一緒に動く回転突起
部、４６および４７は各々上端および下端スリット４２
ａ〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋのガイド部、４８およ
び４９は各々上端および下端の回転突起部４４ａ〜４４
ｋおよび４５ａ〜４５ｋを連結する板バネである。
【００３１】図３は可変位置スリット１０部分に傾斜し
た光強度分布を形成するためのフィルタ３の概略図であ
る。同図に示すように、斜線部３１の透過率が他の部分
３２よりも低くなっている。
た光強度分布を形成するためのフィルタ３の概略図であ
る。同図に示すように、斜線部３１の透過率が他の部分
３２よりも低くなっている。
【００３２】次に、図１〜図３を用いて、半導体露光装
置の実際の動作を説明する。エクスバンダ部２は、エキ
シマレーザ１からのパルス光を所望の形状にし、ハエの
目レンズ４の入射面に投影している。ここで、ハエの目
レンズ４の入射面に挿入されている、傾斜したプロファ
イルを作るためのフィルタ３は、図３に示されるように
各ハエの目１個毎に特定領域のみ透過率が低い膜が形成
してあるため、これによるハエの目レンズ４の入射面の
照度分布はマスキングブレード１１の位置およびレチク
ル１５面に反映される。このため、フィルタ３により、
マスキングブレード１１近くに配置されている可変位置
スリット１０付近において、スキャン方向に傾斜した光
エネルギ強度分布を有する照明が実現されることにな
る。
置の実際の動作を説明する。エクスバンダ部２は、エキ
シマレーザ１からのパルス光を所望の形状にし、ハエの
目レンズ４の入射面に投影している。ここで、ハエの目
レンズ４の入射面に挿入されている、傾斜したプロファ
イルを作るためのフィルタ３は、図３に示されるように
各ハエの目１個毎に特定領域のみ透過率が低い膜が形成
してあるため、これによるハエの目レンズ４の入射面の
照度分布はマスキングブレード１１の位置およびレチク
ル１５面に反映される。このため、フィルタ３により、
マスキングブレード１１近くに配置されている可変位置
スリット１０付近において、スキャン方向に傾斜した光
エネルギ強度分布を有する照明が実現されることにな
る。
【００３３】なお、図３はフィルタ３を簡便に示したも
のであり、実際のフィルタ３はもっと多数のハエの目に
対応したものであり、段差の無い傾斜プロファイルを実
現するようにしている。
のであり、実際のフィルタ３はもっと多数のハエの目に
対応したものであり、段差の無い傾斜プロファイルを実
現するようにしている。
【００３４】ハエの目レンズ４を通過した光束は、その
後段の絞り５を照明する。絞り５は制御部２４からの照
明モードの指令により、交換ユニット６内に複数枚収納
されている絞り５から自動的に交換されたものである。
絞り５により有効光源形状が決定された光束は、レンズ
群７によりマスキングブレード１１を照明する。このと
き、マスキングブレード１１の手前に配置されている可
変位置スリット１０の上端および下端スリット４２ａ〜
４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋがマスキングブレード１１
部に実質的なスリット形状を形成する。ここで、上端お
よび下端スリット４２ａ〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋ
はマスキングブレード１１とわずかに離れているため、
マスキングブレード１１の位置においては、スリットの
エッジ部がぼけて、図６（ｂ）に示すような、プロファ
イル両端の傾斜部６３および６４を作ることになる。
後段の絞り５を照明する。絞り５は制御部２４からの照
明モードの指令により、交換ユニット６内に複数枚収納
されている絞り５から自動的に交換されたものである。
絞り５により有効光源形状が決定された光束は、レンズ
群７によりマスキングブレード１１を照明する。このと
き、マスキングブレード１１の手前に配置されている可
変位置スリット１０の上端および下端スリット４２ａ〜
４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋがマスキングブレード１１
部に実質的なスリット形状を形成する。ここで、上端お
よび下端スリット４２ａ〜４２ｋおよび４３ａ〜４３ｋ
はマスキングブレード１１とわずかに離れているため、
マスキングブレード１１の位置においては、スリットの
エッジ部がぼけて、図６（ｂ）に示すような、プロファ
イル両端の傾斜部６３および６４を作ることになる。
【００３５】マスキングブレード１１に形成された傾斜
プロファイルを有する照明光は、コンデンサレンズ１２
およびコリメータレンズ１４によりレチクル１５上に導
かれ、レチクル１５を照明する。
プロファイルを有する照明光は、コンデンサレンズ１２
およびコリメータレンズ１４によりレチクル１５上に導
かれ、レチクル１５を照明する。
【００３６】また、本実施例の半導体露光装置では、各
照明モード毎の照度ムラを最小に抑えるために、初期設
定時、もしくは定期的に以下の動作を行う。
照明モード毎の照度ムラを最小に抑えるために、初期設
定時、もしくは定期的に以下の動作を行う。
【００３７】（ａ）特定照明モードヘの切替え ＣＰＵ２９は、絞り切替えユニット制御部２４に指令を
出し、絞り切替えユニット６内の特定の絞り５を光軸上
に位置させる。 （ｂ）プロファイルの確認 ＣＰＵ２９はウエハステージ制御部２８に指令を出し、
リニアアレイセンサ２１をスリット照明領域の中央と周
辺部に順次位置させ、各位置において、エキシマレーザ
制御部２３に指令を出すことにより、レーザ発振を実行
させて、スリット方向の各スリット位置におけるプロフ
ァイル形状の計測を行う。 （ｃ）（ｂ）の複数位置におけるプロファイル形状間
に、予め設定されているトレランス値よりも大きな差が
ある場合には、ＣＰＵ２９は可変位置スリット制御部２
５に指令を出し、上記プロファイル間の差が最小になる
ように可変位置スリット１０を駆動し、再度、上記
（ｂ）と同様な計測を実行させ、複数位置におけるプロ
ファイル形状間の差が設定トレランス以内になるまで、
同様の動作を実行させ、設定トレランス以内に入った時
の可変位置スリット１０の位置情報を記憶する。 （ｄ）ＣＰＵ２９は、他の照明モードについても上記
（ａ）〜（ｃ）を実行させ、各照明モード毎の理想的な
可変位置スリット１０の位置情報を記憶する。
出し、絞り切替えユニット６内の特定の絞り５を光軸上
に位置させる。 （ｂ）プロファイルの確認 ＣＰＵ２９はウエハステージ制御部２８に指令を出し、
リニアアレイセンサ２１をスリット照明領域の中央と周
辺部に順次位置させ、各位置において、エキシマレーザ
制御部２３に指令を出すことにより、レーザ発振を実行
させて、スリット方向の各スリット位置におけるプロフ
ァイル形状の計測を行う。 （ｃ）（ｂ）の複数位置におけるプロファイル形状間
に、予め設定されているトレランス値よりも大きな差が
ある場合には、ＣＰＵ２９は可変位置スリット制御部２
５に指令を出し、上記プロファイル間の差が最小になる
ように可変位置スリット１０を駆動し、再度、上記
（ｂ）と同様な計測を実行させ、複数位置におけるプロ
ファイル形状間の差が設定トレランス以内になるまで、
同様の動作を実行させ、設定トレランス以内に入った時
の可変位置スリット１０の位置情報を記憶する。 （ｄ）ＣＰＵ２９は、他の照明モードについても上記
（ａ）〜（ｃ）を実行させ、各照明モード毎の理想的な
可変位置スリット１０の位置情報を記憶する。
【００３８】このようにして、半導体露光装置は各照明
モード毎に最適な可変位置スリット１０の理想的位置を
記憶しているため、実際のウエハ露光時には、短時間で
可変位置スリット１０を設定することができる。
モード毎に最適な可変位置スリット１０の理想的位置を
記憶しているため、実際のウエハ露光時には、短時間で
可変位置スリット１０を設定することができる。
【００３９】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
となく、適宜変形して実施することができる。例えば、
可変位置スリット１０の位置決定に際し、さらに、実際
の露光時と同様なスキャンスピードおよびレーザの発振
周波数で積算露光量制御を実行しながら、ウエハステー
ジ上のリニアアレイセンサで積算露光量計測を実行し、
この積算露光量の計測値が露光ピッチ内においてより均
一になるように、スリット方向各位置におけるスリット
位置の精密位置出しを行うようにしてもよい。また、可
変位置スリット１０に、従来の可変幅機能を追加して、
目標積算露光量に最適なスリット幅を実現することによ
り、露光装置のスループットの向上を達成するようにし
てもよい。
となく、適宜変形して実施することができる。例えば、
可変位置スリット１０の位置決定に際し、さらに、実際
の露光時と同様なスキャンスピードおよびレーザの発振
周波数で積算露光量制御を実行しながら、ウエハステー
ジ上のリニアアレイセンサで積算露光量計測を実行し、
この積算露光量の計測値が露光ピッチ内においてより均
一になるように、スリット方向各位置におけるスリット
位置の精密位置出しを行うようにしてもよい。また、可
変位置スリット１０に、従来の可変幅機能を追加して、
目標積算露光量に最適なスリット幅を実現することによ
り、露光装置のスループットの向上を達成するようにし
てもよい。
【００４０】また、傾斜プロファイルを実現しているフ
ィルタ３に駆動機構を持たせ、傾斜の程度を制御可能と
することにより、露光量ムラの制御範囲を拡大可能とす
るようにしてもよい。
ィルタ３に駆動機構を持たせ、傾斜の程度を制御可能と
することにより、露光量ムラの制御範囲を拡大可能とす
るようにしてもよい。
【００４１】さらに、傾斜プロファイルを実現するため
に、ハエの目レンズ４の手前にフィルタ３を配置する代
わりに、スリット１０位置にスキャン方向に透過率が徐
々に変化しているようなフィルタを設けるようにしても
よい。
に、ハエの目レンズ４の手前にフィルタ３を配置する代
わりに、スリット１０位置にスキャン方向に透過率が徐
々に変化しているようなフィルタを設けるようにしても
よい。
【００４２】＜デバイス製造方法の実施例＞次に、上記
説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形
態を説明する。図９は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステッ
プ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
説明した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形
態を説明する。図９は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステッ
プ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４３】図１０は上記ウエハプロセス（ステップ
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４４】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
キャン方向の光強度分布をスリット方向に関して等しく
するようにしたため、露光対象領域全域における積算露
光量を均一にすることができる。具体的には、パルス光
光源を用いるスキャン方式の半導体露光装置において、
スリット位置における照明の光エネルギ強度分布をス
キャン方向に傾斜したものとし、そして、スリット状
光束を形成するためのスリットを可変位置スリットと
し、そのスリット位置をスリット方向の場所により任意
に設定可能とするという容易な変更より、スキャン方向
およびスリット方向の露光量ムラを最小にする効果があ
る。
キャン方向の光強度分布をスリット方向に関して等しく
するようにしたため、露光対象領域全域における積算露
光量を均一にすることができる。具体的には、パルス光
光源を用いるスキャン方式の半導体露光装置において、
スリット位置における照明の光エネルギ強度分布をス
キャン方向に傾斜したものとし、そして、スリット状
光束を形成するためのスリットを可変位置スリットと
し、そのスリット位置をスリット方向の場所により任意
に設定可能とするという容易な変更より、スキャン方向
およびスリット方向の露光量ムラを最小にする効果があ
る。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の全
体図である。
体図である。
【図２】 図１の装置の可変位置スリットの具体的な構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】 図１の装置の可変スリット部に傾斜した光強
度分布を形成するためのフィルタの概略図である。
度分布を形成するためのフィルタの概略図である。
【図４】 確定的露光量ムラの説明図である。
【図５】 可変幅スリットにおける確定的露光量ムラの
発生の説明図である。
発生の説明図である。
【図６】 従来および本発明のスキャン方式の半導体露
光装置のスキャン方向プロファイルを示す図である。
光装置のスキャン方向プロファイルを示す図である。
【図７】 本発明におけるプロファイル作成の説明図で
ある。
ある。
【図８】 一般的なスキャン方式の半導体露光装置の要
部概略図である。
部概略図である。
【図９】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図１０】 図９中のウエハプロセスの詳細なフローチ
ャートである。
ャートである。
１：エキシマレーザ、２：エクスパンダ部、３：フィル
タ、４：ハエの目レンズ、５：絞り、６：絞り交換ユニ
ット、７：レンズ群、８：平行平面板、９：レチクル面
光量検出器、１０：可変位置スリット、１１：マスキン
グブレード、１２：コンデンサレンズ、１３：全反射ミ
ラー、１４：コリメータレンズ、１５：レチクル、１
６：レチクルステージ、１７：投影レンズ、１８：ウエ
ハ、１９：ウエハチャック、２０：ウエハステージ、２
１：リニアアレイセンサ、２２：フィルタ、２３：エキ
シマレーザの制御部、２４：絞り交換ユニットの制御
部、２５：可変位置スリット制御部、２６：マスキング
ブレード制御部、２７：レチクルステージ制御部、２
８：ウエハステージ制御部、２９：ＣＰＵ、３０：オペ
レータ操作部、３１：斜線部、３２：他の部分、４０ａ
〜４０ｅ，４１ａ〜４１ｅ：リニアアクチュエータ、 ４
２ａ〜４２ｋ，４３ａ〜４３ｋ：各々上端および下端ス
リット、 ４４ａ〜４４ｋ，４５ａ〜４５ｋ：回転突起
部、４６，４７：ガイド部、４８，４９：板バネ、５
０：スリット状照明、５１：レチクル上のパターン、６
１：平坦部分、６３，６４：プロファイル両端の傾斜
部、７１：理想的プロファイル、７２：実際のプロファ
イル、７３：傾斜照明、７４：スキャン方向。
タ、４：ハエの目レンズ、５：絞り、６：絞り交換ユニ
ット、７：レンズ群、８：平行平面板、９：レチクル面
光量検出器、１０：可変位置スリット、１１：マスキン
グブレード、１２：コンデンサレンズ、１３：全反射ミ
ラー、１４：コリメータレンズ、１５：レチクル、１
６：レチクルステージ、１７：投影レンズ、１８：ウエ
ハ、１９：ウエハチャック、２０：ウエハステージ、２
１：リニアアレイセンサ、２２：フィルタ、２３：エキ
シマレーザの制御部、２４：絞り交換ユニットの制御
部、２５：可変位置スリット制御部、２６：マスキング
ブレード制御部、２７：レチクルステージ制御部、２
８：ウエハステージ制御部、２９：ＣＰＵ、３０：オペ
レータ操作部、３１：斜線部、３２：他の部分、４０ａ
〜４０ｅ，４１ａ〜４１ｅ：リニアアクチュエータ、 ４
２ａ〜４２ｋ，４３ａ〜４３ｋ：各々上端および下端ス
リット、 ４４ａ〜４４ｋ，４５ａ〜４５ｋ：回転突起
部、４６，４７：ガイド部、４８，４９：板バネ、５
０：スリット状照明、５１：レチクル上のパターン、６
１：平坦部分、６３，６４：プロファイル両端の傾斜
部、７１：理想的プロファイル、７２：実際のプロファ
イル、７３：傾斜照明、７４：スキャン方向。
Claims (10)
- 【請求項１】 パルス光で原版をスリット状に照明する
とともに、この照明光に対して原版と基板をスキャン移
動させて原版のパターンを基板上に露光転写するスキャ
ン方式の露光装置において、前記照明光のスキャン方向
の光強度分布をスリット方向に関して等しくする手段を
具備することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記パルス光をスリット状に成形して前
記スリット状の照明を実現するためのスリットであっ
て、スリット幅が固定でかつスリット方向の任意の位置
におけるスキャン方向のスリット位置が可変である固定
幅可変位置スリットを備え、このスリットと、このスリ
ットへの入射光の光強度分布をスキャン方向に傾斜した
ものとする手段とを用いて前記光強度分布を等しくする
手段が構成されていることを特徴とする請求項１に記載
の露光装置。 - 【請求項３】 前記パルス光をスリット状に成形して前
記スリット状の照明を実現するためのスリットであっ
て、スリット幅が可変でかつスリット方向の任意の位置
におけるスキャン方向のスリット位置が可変である可変
幅可変位置スリットを備え、このスリットと、このスリ
ットへの入射光の光強度分布をスキャン方向に傾斜した
ものとする手段とを用いて前記光強度分布を等しくする
手段が構成されていることを特徴とする請求項１に記載
の露光装置。 - 【請求項４】 前記スリットは、スリット方向に分割さ
れ、それぞれがスキャン方向に移動可能な複数のスリッ
ト部分を有し、このスリット部分ごとに前記スリット位
置が可変であることを特徴とする請求項２または３に記
載の露光装置。 - 【請求項５】 前記光強度分布を等しくする手段は、ス
キャン方向の光強度分布を計測するために前記原版をス
キャン移動させるための基板ステージ上に設けられたセ
ンサと、前記基板ステージおよびセンサを制御して露光
状態での前記基板ステージ上におけるスリット方向の複
数位置での光強度分布を測定し、この結果に基づいて前
記スリット位置を調整する手段とを備えることを特徴と
する請求項２〜４のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記光強度分布をスキャン方向に傾斜し
たものとする手段は前記照明光の光路中に配置され、前
記照明光の光強度分布がスキャン方向に傾斜したものと
なるように透過率が調整されたフィルタによって構成さ
れていることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項
に記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記基板をスキャン移動させる基板ステ
ージ上に設けられたリニアアレイセンサにより、実際の
露光時と同等のスキャンスピードおよび前記パルス光の
周波数で露光動作を実行しながら積算露光量の計測を実
行し、この積算露光量の計測値が露光ピッチ内において
均一となるように、前記照明光のスキャン方向における
光強度分布をスリット方向において等しくする手段を調
整する手段を有することを特徴とする請求項１〜６のい
ずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記基板をスキャン移動させる基板ステ
ージ上に設けられたリニアアレイセンサにより、実際の
露光時と同等のスキャンスピードおよび前記パルス光の
周波数で露光動作を実行しながら積算露光量の計測を実
行し、この積算露光量の計測値が露光ピッチ内において
均一となるように、前記スキャン方向のスリット位置を
調整する手段を有することを特徴とする請求項２〜６の
いずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項９】 パルス光で原版をスリット状に照明する
とともに、この照明光に対して原版と基板をスキャン移
動させて原版のパターンを基板上に露光転写するスキャ
ン方式の露光によるデバイス製造方法おいて、前記照明
光のスキャン方向の光強度分布をスリット方向に関して
等しくして露光を行うことを特徴とするデバイス製造方
法。 - 【請求項１０】 前記スリット状の照明はスリットによ
り前記パルス光をスリット状に成形して行うとともに、
前記照明光のスキャン方向の光強度分布をスリット方向
に関して等しくするために、前記照明光の光強度分布を
スキャン方向に傾斜させ、かつ前記スリットの、スリッ
ト方向の各位置におけるスリット位置を調整することを
特徴とする請求項９に記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10202848A JP2000021764A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10202848A JP2000021764A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021764A true JP2000021764A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16464204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10202848A Pending JP2000021764A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021764A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| WO2007145139A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
1998
- 1998-07-03 JP JP10202848A patent/JP2000021764A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JPWO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2007-05-31 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| US7889320B2 (en) | 2003-11-13 | 2011-02-15 | Nikon Corporation | Variable slit apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method |
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| TWI471679B (zh) * | 2006-06-16 | 2015-02-01 | 尼康股份有限公司 | 可變狹縫裝置、照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
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