KR19980032735A - 노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법 - Google Patents

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Abstract

조명광학계를 지나고 있는 마스크에 조사하고 투영광학계를 통하여 마스크의 패턴을 기판상에 투영하는 노광장치는, 조명광학계 및 투영광학계로 이루어진 계의 일부 또는 전부의 투과율을 대략 일정하게 유지시키는 투과율 유지계를 포함하고 있다.

Description

노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법
본 발명은 노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법에 관한 것으로서, 특히 예를 들면 반도체소자(예를 들면, IC 또는 LSI), 촬상소자(예를 들면 CCD), 표시소자(예를 들면, 액정패널) 또는 센서(예를 들면, 자기헤드)와 같은 디바이스를 제조할때의 노광공정에 사용되는 노광장치에 관한 것이다.
또, 다른 양상에 있어서, 본 발명은 상기 각종 디바이스를 제조하기 위한 디바이스제조방법에 관한 것이다.
투영노광장치의 조명광학계나 투영광학계에서 사용되는 투명플레이트, 렌즈 또는 프리즘 등의 광학소자의 바닥면에는, 반사방지막(광학박막)이 형성되어 있다.
이러한 반사방지막의 형성은, 광원에서 감광기판까지 광을 효과적으로 인도하고, 또한 이 감광기판상에 플레어나 고스트가 입사하는 것을 방지하기 위한 것이다.
투영광학계의 광원은 강력한 자외선을 발생하기 때문에, 조명광학계 또는 투영광학계의 광학소자의 표면에 강력한 자외광이 조사된다. 특히, 광원이 엑시머레이저와 같은 자외영역의 펄스광을 방출하는 경우 단위 시간당 자외광의 에너지가 매우 크기 때문에, 반사방지막의 분광반사율특성 또는 각 면에서의 흡수율이 다소 변할 수도 있어, 분광투과율에 있어서의 변화를 야기시킨다. 일반적으로, 조명광학계와 투영광학계에는 총 수십개 정도의 많은 면을 지니는 광학소자가 포함된다.
따라서, 1면당의 분광투과율의 변화가 적더라도, 전체적으로는, 큰 분광투과율변화로 될 수도 있다.
이 자외광조사에 의해 변화된 반사방지막의 분광반사율은, 자외광의 조사를 정지시킨 경우에는, 원래의 분광반사율특성으로 되돌아가도록 변화할 수도 있다.
따라서, 조명광학계 또는 투영광학계의 투과율은 노광장치의 동작상태에 따라서 변동한다. 이러한 현상은, 막내의 수분이나 유기물이, 막안으로 입사되는 강력한 자외선에 의해 유리되는 한펀, 어떤 자외광도 입사되지 않는 상태에서는, 주위의 수분이나 유기물이 막으로 흡착되는 것에 기인하는 것으로 여겨진다.
일반적으로, 감광기판상에 공급되는 노광량은, 조명광학계내에 배치된 광검출기(즉, 수광소자)를 사용하여 자외광의 일부를 수광하고, 이 수광한 광량 및 해당 수광광량과 미리 결정된 노광량간의 비율에 의거해서 감광기판상의 광량을 검출함으로써 제어될 수 있다. 따라서, 이러한 수광소자 이후의 (조명)광학계와 투영광학계의 투과율이 상기 설명한 현상으로 인하여 변화하면, 수광소자에 입사된 광량과 감광기판상에 공급된 광량간의 비율이 변회되어 버려, 광량검출치에 있어서, 오차를 야기시키고, 그 결과 감광기판을 정확한 노광량으로 노광할 수 없게 되어 버린다.
또한, 반사방지막의 분광반사율(분광투과율)의 변화에 의해서, 감광기판상의 조도분포가 변화할 경우도 있다.
본 발명의 목적은, 기판을 정확한 노광량으로 노광할 수 있는 노광장치 및 디바이스제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제 1형태에 의하면, 조명광학계에 의해 마스크를 조명하여 해당 마스크의 패턴에 따라 기판을 노광하는 노광장치에 있어서, 상기 조명광학계의 일부 또는 전부의 투과율을 대략 일정하게 유지시키는 투과율 유지수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2형태에 의하면, 조명광학계에 의해 마스크를 조명하고 해당 마스크의 패턴을 투영광학계를 통하여 기판상에 투영하는 노광장치에 있어서, 상기 조명광학계 및 상기 투영광학계로 이루어진 계의 전부 또는 일부의 투과율을 대략 일정하게 유지시키는 투과율유지수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3형태에 의하면, 광원으로부터의 광을, 조명광학계를 통하여 마스크에 조사하고, 상기 마스크의 패턴을 투영광학계를 통하여 기판상에 투영하는 노광장치에 있어서, 상기 조명광학계 및 상기 투영광학계의 투과율이 대략 일정하게 유지되도록, 상기 광원으로부터의 광을 상기 조명광학계 및 상기 투영광학계에 조사하는 투과율유지수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 투과율유지수단에 의한 광원의 조사는, 기본적으로 실제로 기판을 노광하기 전에 행해도 된다.
본 발명의 제 1 내지 제 3형태에 있어서, 상기 조명광학계는, 각각 광입·출사면에 반사방지막이 형성된 광학소자를 포함할 경우가 있다.
상기 조명광학계는 증강된 반사막을 갖는 반사경을 포함할 경우가 있다.
상기 조명광학계 및 상기 투영광학계는 각각 광입·출사면에 반사방지막이 형성된 복수의 광학소자를 포함할 경우가 있고, 이때, 상기 복수의 광학소자는 복수의 렌즈소자를 포함할 경우가 있다.
본 발명의 제 1 내지 제 3형태에 있어서, 상기 조명광학계는 광원으로부터의 광을 분할하는 광분할수단을 포함할 경우가 있고, 또한 상기 장치는, 상기 광분할 수단에 의해 얻어지는 상기 광원으로부터 광의 일부분을 수광하는 광전변환수단과 상기 광전변환수단의 출력에 의거하여 상기 기판의 노광량을 검출하여 제어하는 노광량제어수단을 포함할 경우도 있다.
상기 투과율유지수단은 상기 광분할수단과 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지시킬 경우가 있다.
상기 장치는, 또한, 상기 광분할수단과 기판간의 광학계의 투과율을 측정하는 투과율측정수단을 포함할 경우가 있다.
상기 투과율측정수단은, 상기 광전변환수단 뿐만 아니라, 상기 기판을 유지하고 이동가능한 기판유지수단에 적어도 수광부를 형성한 제 2광전변환수단도, 포함할 경우가 있으며, 이때, 상기 제 2광전변환수단을 상기 광분할 수단과 기판간의 광학계의 광출사면에 대향하여 배치시킨 상태에서, 상기 광전변환수단과 상기 제 2광전변환수단에 의해 각각에 입사되는 광을 광전변환하고, 상기 광전변환수단과 상기 제 2광전변환수단의 각각의 출력의 비를 계산하여, 이 계산된 출력비에 의거하여 상기 투과율을 구하면 된다.
본 발명의 제 1 내지 제 3형태에 있어서, 상기 투과율유지수단은, 상기 광원으로부터의 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 광을 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지할 경우가 있다.
실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광전변환수단의 출력에 의거하여 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 추정하면서, 상기 광원으로부터의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 투과율을 소망의 값으로 설정하면 된다.
상기 광전변환수단의 출력과 시간정보에 의거하여 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율변화량을 추정하고, 해당 투과율의 변화량이 소정치를 초과한 때에는, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정해도 된다.
상기 광원으로부터의 소정량의 광을, 일정한 주기로, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지해도 되며, 여기서 상기 일정한 주기는 1일(24시간)당 소정시각에 1회 또는 2일(48시간)당 소정시각에 1회이다.
상기 투과율측정수단에 의해, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 측정하고, 측정치가 소정의 범위로부터 벗어난 경우에는, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정해도 된다.
이들 경우에는, 통상, 실제(초기)의 노광동작전에, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정해 놓으면 된다.
상기 광분할수단과 상기 기판상의 광학계가 상기 마스크의 패턴을 상기 기판상에 투영하는 투영광학계를 포함할 경우, 상기 장치는 또한, 상기 광원으로부터의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써 상기 투영광학계에 발생하는 광학특성의 변화를 보정하는 보정수단을 포함하는 것도 가능하다.
상기 보정수단은 소정의 시각에서의 상기 광학특성의 변동량을 예측하는 예측수단과, 상기 예측된 변동량에 따라 상기 장치를 조정하는 조정수단을 포함할 수도 있다.
상기 광학특성은, 상기 투영광학계의 투영배율을 포함할 수도 있으며, 이때, 상기 조정수단은, (i) 상기 투영광학계의 렌즈소자 및 상기 마스크 중 어느 하나를 상기 투영광학계의 광축방향으로 이동시키는 이동수단, (ii) 상기 투영광학계의 렌즈간의 공기(즉, 공간)의 압력을 변화시키는 압력변경수단 및 (iii) 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변화시키는 파장변경수단중 적어도 1개를 포함할 수도 있다.
상기 광학특성은 상기 투영광학계에 의한 상기 마스크패턴의 결상위치를 포함할 수도 있으며, 이 때 상기 조정수단은 (i) 상기 기판을 상기 투영광학계의 광축방향으로 이동시키는 이동수단, (ii) 상기 투영광학계의 렌즈간의 공기의 압력을 변경시키는 압력변경수단 및 (iii) 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변화시키는 파장변경수단 중 적어도 1개를 포함할 수도 있다.
본 발명의 상기 제 1 내지 제 3형태에 있어서, 상기 장치는, 노광동작을 위한 광원으로서 엑시머레이저를 포함할 수도 있으며, 상기 엑시머레이저는, KrF엑시머레이저 및 ArF엑시머레이저 중 어느 1개이다.
또, 상기 조명광학계는 전사해야할 마스크 패턴의 전체폭보다도 작은 폭의 슬릿형상의 조명영역을 형성하도록 구성되어 있고, 이때, 상기 마스크와 상기 기판을, 상기 조명광학계에 대해서 상대적으로 상기 슬릿형상의 조명영역의 길이방향과 직교하는 방향으로 주사함으로써, 마스크패턴전체를 상기 기판상에 전사할 수도 있다.
상기 조명광학계는, 전사해야할 상기 마스크패턴전체와 동일 크기의 조명영역을 형성하도록 구성해도 된다.
본 발명의 또다른 형태에 의하면, 디바이스제조방법은, 상슬한 바와 같은 노광장치를 이용해서 디바이스패턴을 기판상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 및 기타 목적과, 특징 및 이점 등은, 첨부도면과 관련하여 취한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 이하의 설명을 고려한다면 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 노광장치의 일실시예를 도시한 개략도
도 2는 적산광량과 투과율간의 관계를 설명하는 그래프
도 3은 광의 조사가 없는 시간과 투과율간의 관계를 설명하는 그래프
도 4는 본 발명의 노광장치의 다른 실시예를 도시한 개략도
도 5는 투영렌즈계의 포커스위치의 변동을 설명하는 그래프
도 6는 반도체디바이스제조공정을 표시한 순서도
도 7은 도 6의 공정에서의 웨이퍼공정을 설명하는 순서도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1:엑시머레이저(광원)2:빔정형·비간섭성화 광학계
3:옵티컬인티그레이터4:렌즈
5:빔스플리터6:마스킹블레이드
7:결상렌즈8:투영광학계
9:X-Y스테이지10:광검출기(디텍터)
11:조도계12:광량연산수단
13:주제어부14:조명광학계
26:광학특성예측수단R;레티클
W:웨이퍼M1, M2, M3:편향거울
도1은 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치의 구성의 개략도이다. (1)은 광원인 엑시머레이저, (2)는 레이저광원(1)으로부터 레이저광을 정형하여 비간섭화하는 빔정형·비간섭성화 광학계, (3)은 2차 광원을 형성하는 파리의 눈렌즈(fly's eye lens)를 구비한 옵티컬 인티그레이터, (4)는 옵티컬인티그레이터(3)로부터의 광으로 마스킹블레이드(6)의 개구부부근을 조명하는 집광렌즈, (5)는 옵티컬인티그레이터(3)로부터의 광의 일부를 추출하는 빔스플리터(또는 반투명거울)이다. 이 추출된 광은 광검출기(10)(이하 디텍터(10)라 칭함)로 입사되고, 이 디텍터(10)의 광전변환출력에 의거하여, 감광기판(웨이퍼)의 노광량의 모니터가 행해진다.
마스킹블레이드(6)는 상호독립적으로 이동가능한 4개의 차광판으로 구성되고, 해당 마스킹블레이드의 개부구가 결상렌즈(7)에 의해서 레티클(마스크) (R)상에 투영됨으로써, 레티클(R)사의 소정의 영역만이 조명된다, (M1), (M2), (M3)은 광로를 편향시키는 편향거울이며, 이들 거울은 반사면에 증강된 반사막이 형성되어 있다. 레티클(R)상에 형성된 회로패턴은 투영광학계(8)를 통하여 감광기판(W) 상에 투사된다. (9)는 감광기판을 유지하여, X 및 Y방향으로 스텝이동시키는 X-Y스테이지이다. 이 X-Y스테이지(9)상에는, 노광중에 감광기판(W)의 표면과 같은 높이로 되어 있는 평면상의 조도를 측정하는 조도계(11)가 배치되어 있다. (12)는, 디텍터(10)에 의해 계측된 광량으로부터, 적산노광량을 계산하기 위한 광량연산수단, (13)은 투영노광장치의 주제어부이다.
도 2는 레이저(1)로부터의 광의 조사에 감응하여, 적사(조사) 광량변화량에 대한, 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율의 변동을 설명하는 그래프로서, 미리 행한 측정결과를 표시한 것이다. 측정은, 조도계(11)를 X-Y스테이지(9)에 의해 투영광학계 아래쪽의 조사영역내로 이동시켜, 단위시간당의 디덱터(10)의 출력과 단위시간당의 조도계(11)의 출력을 검출하여, 디텍터(10)에 의해 측정된 적산치에 대해서, 이들 출력의 비를 검출해 행한다. 도 2에 표시한 바와 같이, 계의 투과율은 조사로 인해 증가하고, 소정 레벨 이상의 적산광량에서는 투과율이 포화되어 있다.
도 3은, 광을 조사하지 않고 이 장치를 방치한 상태에서의 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율의, 시간적인 변동을 설명하는 그래프이다.
측정은, 도 2의 예에서와 마찬가지 위치로 조도계(11)를 이동시켜서, 주기적으로 일정시간동안만 광원(1)을 발광시키면서 디텍터(10)와 조도계(11)의 출력을 이용해서 투과율은 측정함으로써 행한다. 도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 이 장치가 광을 조사하지 않고 장치를 방지한 경우, 시간의 경과에 따라 계의 투과율이 점차 저하하여, 어느 수준에 이르면 일정하게 된다.
도 2 및 도 3에 표시한 결과에 의거해서, 도 1의 실시예의 투영노광장치의 주제어부(13)는, 해당 장치가 사용중인 경우는 디텍터(10)에 의해서 모니터되는 단위시간당의 적산광량과, 마스킹블레이드(6)의 개구면적 및 레티클(R)의 투과율의 각 값에 따라, 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율의 값을 추정하고 있다. 또, 주제어부는, 광을 조사하지 않고 해당 장치를 방치한 경우에는, 해당 장치를 방치하기 직전의 투과율과 해당 장치를 방치한 시간으로부터, 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율을 추정하고 있다. 방치시에, 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율의 값이 미리 정해진 값(역치)을 하회한 경우에, 주제어부(13)는 실제의 노광동작과는 별도로, 레이저(1)에 신호를 인가하여, 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율이 미리 정해진 값까지 상승할때까지 레이저(1)를 발광시켜 광을 계에 조사한다.
이 때, 결상렌즈(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계에 조사된 적산광량을 디텍터(10)의 출력에 의거해서 연산수단(12)에서 계산한 값이 목적치에 이른 경우, 주제어부(13)가 레이저(1)의 발광을 정지시킨다.
노광장치의 동작개시전에, 마찬가지로, 계의 투과율이 미리 정해진 수치까지 상승(또는 하강)하도록 레이저(1)를 발광시켜서 광을 계에 조사해둔다. 이것은 후술하는 다른 실시예에 대해서도 마찬가지로 적용된다.
이와 같이 디텍터(10)를 사용해서 실제의 광량을 모니터해서 적산광량을 결정하는 대신에, 본 실시예와 같이 펄스레이저를 광원으로 하는 경우에는 조사펄스수나 조사시간에 따라 제어해도 된다. 광원(1)이 램프인 경우, 미리 결정된 시간 동안 셔터(도시생략)를 개방하는 것도 가능하다.
엑시머레이저(1)에는 스펙트럼선의 절반폭이 3pm 이하로 협대역화된 KrF엑시머레이저나 ArF엑시머레이저를 사용할 수 있다. 본 실시예의 투영광학계(8)는 SiO2만으로 구성된 렌즈계를 이용하나, SiO2렌즈와 CaF2렌즈를 조합시킨 렌즈계를 이용할 경우도 있다. 또한, 투영광학계(8)로서 렌즈와 오목면경을 구비한 카타디옵틱스를 이용할 경우도 있다. 게다가, 이 투영광학계에 있어서, 보다 해상력을 향상시키고 또 투과율을 높이기 위해서는, 비구면렌즈나, 바이너리옵틱스 또는 키노폼 등의 회절광학소자를 이용하면 된다. 이것은 이하의 다른 실시예에도 적용가능하다.
빔정형·비간섭성화광학계(2)는. 예를 들면 본 출원인의 일분국 특개평 5-47639(1993년) 공보에 개시되어 있는 공지의 구성이므로, 여기서는 그의 상세한 설명은 생략한다.
도 2에 있어서, 포화시의 투과율은, 광학계(7), (8)의 광조사개시전의 투과율 보다도 수%상승하고 있어, 포화하기까지에 수십시간이 걸리는 것을 알 수 있다.
본 실시예에서는, 정확한 노광량제어를 행하기 위해, 광학계(7), (8)의 투과율이 포화시의 투과율의 값을 중심으로 ±1% 이내의 일정범위로 유지되도록, 적절하게 노광광원으로부터 광학계(7), (8)에 광을 조사하고 있다. 또, 이와 같은 투과율제어를 행함으로써, 레티클(R)이나 감광기판(W)상에서의 조도불균일도 적게 유지할 수 있다. 이것은 이하의 다른 실시예에도 적용가능하다. 또한, 상기 범위를, 필요에 따라, 또는 장치의 종류에 따라서 변경해도 되는 것은 물론이다.
본 실시예에서는, 결상광학계(7)와 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율이 광조사에 응해서는 상승하고, 광조사의 정지에 응해서는 저하하는 예를 참조해서 설명하였으나, 조명광학계(14)나 투영광학계(8)를 구성하는 렌즈, 프리즘 또는 플레이트 등의 각종 광학소자의 광입·출사면에 형성된 반사방지막의 특성에 의해서는, 이 반대의 현상도 가능하며, 이 경우에도 본 발명은 적용가능하다. 본 실시예의 반사방지막은 Al2O3와 SiO2의 교호층으로 이루어지고, 각 거울위에 형성되어 있는 증강된 반사막은 HaO2와 SiO2의 교호층으로 이루어진다.
도 2 및 도 3에 표시한 결과로부터, 조사하지 않고 방치한 상태에서도 광학(7), (8)의 투과율의 변동이 상기 일정범위르 초과하는 데 요하는 시간이 결정될 수 있으므로, 주제어부(13)에 의해 이 시간이 경과한느 동안에 레이저(1)를, 디텍터(10)의 출력의 적산치가 소정의 레벨에 이를 때까지 발광시켜서, 광학계(7), (8)의 투과율을 상기일정범위내에 유지시켜도 된다.
또, 여하한 이유로 장치가 계속적으로 정지하여 투과율이 상기 일정범위를 초월해버린 경우에도, 이러한 상황에 대응할 수 있는 적산광량을 미리 결정해놓아, 장치가 복귀된 시점에서 실제의 노광동작개시전에 주제어부(13)에 의해서 레이저(1)를 자동적으로 발광시켜서 필요한 양의 광을 광학계(7), (8)에 조사해도 된다. 이 적산광량은 조사하는 전체 펄스수에 의거해서 제어해도 된다.
이 실시예에 있어서는, 예를 들면, 1일당 1회 또는 2일당 1회, 각각 소정시각에, 실제의 노광동작과는 별도로, 레이저(1)를 발광시킨다.
도 1의 노광장치에 있어서, 조도계(11)를 X-Y스테이지(9)에 의해서 투영광학계(8)의 조사영역내로 이동하고, 레이저(1)를 발광시켜서, 디텍터(10)와 조도계(11)산의 출력비에 의거해서 광학계(7), (8)의 투과율을 계측한다. 계측한 투과율의 결과가 상기 일정범위를 벗어날 경우에는, 주제어부(13)로부터의 신호에 응해서 광원(1)을 발광시킨다. 발광시키고 있는 사이에도, 디텍터(10)와 조도계(11)간의 출력비를 측정해서 광학계(7), (8)의 투과율을 구하여, 광학계(7), (8)의 투과율이 상기 일정범위내의 소정레벨에 이른 때에 주제어부(13)에 의해 레이저(1)의 발광을 정지시켜도 된다.
도 4는 본발명의 노광장치의 다른 실시예의 구성의 개략도이다. 도 4에 있어서, 도 1의 장치와 마찬가지로 부재에는 도 1과 마찬가지의 부호를 붙이고 간략화를 위해서, 그에 대한 중복설명은 생략한다.
(21)은 투영광학계의 성분인 필드렌즈이며, 필드렌즈구동기구(22)에 의해 지지되어, 주제어부(13)로부터의 신호에 응해서, 광학계(8)의 광축방향으로 이동가능하여, 투영광학계(8)의 투영배율의 변화를 보정하거나 소정치로 설정하고 있다. (23), (24)는 감광기판(W)의 표면의 광축방향에 대한 높이(레벨)를 검출하는 오토포커스검출계로, 감광기판(W)을 조명하는 조명장치(23)와 감광기판(W)의 표면에서 반사된 광을 수광하는 수광장치(24)로 구성되어 있다. 주제어부(13)는 수광위치에 의해서 감광기판(W)의 위치를 검출하고, 이 위치검출결과에 따라서, 감광기판(W)의 표면이 투영광학계(8)의 최적포커스면과 일치하도록 X-Y스테이지(9)상에 설치된 Z스테이지(25)를 구동한다. (26)은, 예를 들면 투영광학계의 포커스위치나 투영배율 등의 광학특성의 변동량을 계산하는 광학특성예측수단이다.
레이저(1)로부터의 광이 투영광학계(8)에 입사하면, 투영광학계(8)의 렌즈가 광의 일부를 흡수해서, 그들의 온도가 약간 상승한다. 광학특성예측수단(26)은 디텍터(10)에 의한 광량측정결과와, 마스킹블레이드(6)의 개구면적과, 레티클(R)의 투과율의 값으로부터, 투영광학계(8)의 광학특성의 변동을 예측한다.
도 5는 투영광학계(8)에 광이 입사한 경우의 포크스위치의 변동량의 예측치를 표시한 도면(즉, 그래프)이다. 이 그래프는 포크스위치에 대한 그래프이나, 투영배율의 변동도 마찬가지 방법으로 예측가능하다.
주제어부(13)는, 광학특성예측수단(26)에 의한 예측결과에 의거해서, 배율에 관해서는, 필드렌즈구동기구(22)에 구동신호를 보내어, 필드렌즈를 광축방향을 따른 소정위치로 이동시킴으로써, 투영광학계(8)의 투영배율의 변동분을 보정한다.
포커스위치의 변화에 관해서는, 주제어부(13)는 수광장치(24)에서 계측된 높이정보에 부가되는 소정의 오프셋을 고려하면서, 감광기판(W)의 표면이, 광의 조사에 의해서 그 위치가 변동하는 투영광학계(8)의 포커스면과 일치하도록 Z스테이지(25)를 광축방향으로 이동시킨다.
주제어부(13)는, 투영광학계(8)의 광학특성의 변화량을 광학특성예측수단(26)에 의해서 에측하고, 그 결과에 따라서, 센서(23, 24)를 포함하는 오토포커스계에, 예측치에 대응한 상기의 오프셋을 보낸다. 주제어부(13)는 이 변화량을 계산하기 위한 파라미터를 입수하고, 이 파라미터는, 광학계(7), (8)에의 광조사시간 t, 조사주기간의 시간 t', 디텍터(10)의 출력, 마스킹블레이드(6)의 개구면적, 레티클(R)의 투과율로부터 계산가능한 광학계(8)에의 조사광량 QD 또는 사용되는 레티클(R) 고유의 계수 Da등을 포함한다.
광학특성예측수단(26)에서는, 이들 파라미터와 장치에 원래 설정되어 있던 계수로부터, 반복해서 조사가 행해지고 있는 사이의 광학특성의 변화를 예측한다. 이 계산을 투영광학계(8)의 포커스위치의 변화 △F를 예로 들어서 설명한다. 이 계산에는 1차식을 이용한다.
△F=△F+△F2
△F1=SF·QD·Da·DT
△F2=△F'·exp(-kF·t)
여기서, SF는 비례정수, QD는 회로패턴을 통과한 광의 총광량에 대응하는 파라미터, Da는 사용되는 레티클(R)에 고유한 보정계수, DT는 계산에 사용되는 단위 시간동안에, 광조사가 행해지고 있던 시간의 비율, kF는 투영광학계(8)의 광학소자의 열전도율을 표시하는 파리미터, △F'는 이전의 단위시간에 계산된 투영광학계(8)의 포커스위치의 변화량, △F1은 투영광학계(8)의 열흡수에 의한 단위시간당의 포커스위치의 변화량, △F2는 투영광학계(8)의 발열에 의한 단위시간당의 해당 투영광학계의 포커스면의 변화량이다. △F2는 복후항의 선형결합으로서 표현해도 된다.
광학특성예측수단(26)에 의한 계산은, 단위시간마다 반복해서 행하고, 이 계산에 의해 검출된 투영광학계(8)의 포커스위치의 변화량은 도 5에 도시한 바와 같이 포락선이 자연대수의 함수로 표현되는 곡선을 따라 변화하고 있다.
투영광학계(8)의 투영배율의 보정은, 필드렌즈(21)를 이동시키는 구동수단(22) 이외에도, 예를 들면, (i) 투영광학계(8)가 광입사측에서 텔레센트릭이 아닌 경우에는 레티클(R)을 광축방향으로 이동시키는 구동수단, (ii) 투영광학계(8)의 1쌍의 렌즈간의 공간(밀폐공간)의 압력을 변화시키는 압력변경수단 및 (iii)엑시머레이저(광원)(1)의 발진파장을 변화시키는 파장변경수단의 적어도 1개를 사용해서 행하는 것도 가능하다.
또, 투영광학계(8)에 의한 레티클(R)의 패턴의 결상위치, 즉 포커스위치의 보정은, 감광기판(W)을 투영광학계(8)의 광축방향으로 이동시키는 이동수단이외에도, 예를 들면, (i) 투영광학계(8)의 1쌍의 렌즈간의 공간(밀폐공간)의 압력을 변화시키는 압력변동수단 및 (ii)엑시머레이저(1)의 발진파장을 변화시키는 파장변동수단중 적어도 1개를 사용해서 행하는 것도 가능하다.
도 1 내지 도 5의 각 실시예에서는, 투영형의 노광장치의 일례에 대해 설명하였으나, 반사방지막이 광입·출사면에 형성된 복수의 렌즈를 구비한 프록시미티형이나 콘택트형 등의 본 발명과 마찬가지의 문제가 생기는 노광장치의 어느 것에도 본 발명을 적용가능하다.
또, 도 1 내지 도 5의 실시예에 있어서는, 빔스플리터(5)와 디텍터(10)를 이용해서 노광중에 적산광량을 측정하고, 이 측정치에 의거해서 감광기판(W)에 대한 노광량제어를 행하고 있으나, 엑시머레이저(1)로부터의 정해진 수의 펄스광에 의해 감광기판을 조사해서 노광량제어를 행하는 것도 가능하다.
또한, 도 1 내지 도 5의 실시예에 있어서는, 광학계의 투과율을 일정하게 유지하고 있다. 그 이유는, 적어도 광학계(7), (8)의 투과율이 거의 일정하다면 정확한 노광량으로 감광기판을 노광할 수 있기 때문이며, 이 구조는, 조명광학계(14) 및 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율을 제어해서 거의 일정하게 유지하도록 구성해도 되는 것은 물론이다. 실제로, 이 경우, 이와 같은 계의 전체로서의 투과율변동의 특성도 도 2 또는 도 3에 표시한 것과 거의 마찬가지이므로, 도 1 내지 도 5의 실시예에 있어서, 조명광학계(14) 및 투영광학계(8)로 이루어진 계의 투과율이 거의 일정하게 유지되고 있다.
다음에 상기 설명한 바와 같은 노광장치를 이용한 디바이스제조방법의 일실시예를 설명한다.
도 6은 예를 들면, 반도체칩(예를 들면 IC 도는 LSI), 액정패널 또는 CCD 등의 미소디바이스의 제조공정을 표시한 순서도이다.
스텝 1은 반도체디바이스의 회로를 설계하는 설계공정이고, 스텝 2는 상기 설계한 회로패턴에 의거해서 마스크를 제작하는 공정이며, 스텝 3은 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조하는 공정이다. 스텝 4는 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서, 리소그래피기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성하는 소위 전(前)공정이라 불리는 웨이퍼공정이고, 다음에 스텝 5는 스텝 4에서 처리한 웨이퍼를 반도체칩으로 형성하는 소위 후공정이라 불리는 조립공정이다. 이 공정은 어셈블링(다이싱 및 본딩) 공정과 패키징(칩봉인) 공정을 포함한다. 스텝 6은 스텝 5에서 작성된 반도체디바이스의 동작체크, 내구성체크 등을 수행하는 검사공정이다. 이들 공정에 의해, 반도체디바이스가 완성되어 출하된다(스텝 7),
도 7은 웨이퍼공정의 상세를 표시한 순서도이다. 스텝 11은 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화공정이고, 스텝 12는 웨이퍼표면에 절연막을 형성하는 CDV 공정이며, 스텝 13은 증착법에 의해 웨이퍼상에 전극을 형성하는 전극형성공정이다,.
스텝 14는 웨이퍼에 이온을 주입시키는 이온주입공정이고, 스텝 15는 웨이퍼에 레지스트(감광제)를 도포하는 레지스트공정이며, 스텝 16은 전술한 노광장치에 의해서 웨이퍼상에 마스크의 회로패턴을 노광에 의해 프린트하는 노광공정이다. 스텝 17은 노광한 웨이퍼를 현상하는 현상공정이고, 스텝 18은 현상한 레지스트상이외의 부분을 제거하는 에칭공정이고, 스텝 19는 에칭공정후 웨이퍼상에 남아있는 레지스트재를 분리하는 레지스트박리공정이다. 이들 공정을 반복함으로써 웨이퍼상에 회로패턴이 중첩형성된다.
이들 공정에 의해, 고집적도의 미소디바이스를 제조하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 각 실시예에 의하면, 조명광학계나 투영광학계의 투과율이 감광기판의 노광중에 거의 일정하게 유지되므로, 정확한 노광량으로 웨이퍼 등의 감광기판을 노광할 수 있어, KrF엑시머레이저나 ArF엑시머레이저 등의 큰 강도의 펄스광을 방사하는 적외선레이저를 광원으로서 사용하는 노광장치 또는 디바이스 제조방법에 특히 효과적이다. 또, 피노광면상에서의 조도불균일을 적게 할 수 있다고 하는 부가적인 이점이 있다.
이상, 본 발명은 여기에 개시된 구조를 참조해서 설명하였으나, 본 발명은 이로써 한정되지 않고, 개량목적이나 이하의 특허청구범위의 범주내에 들어가는 그러한 변형예나 수정예도 커버하는 것임은 물론이다.

Claims (44)

  1. 조명광학계에 의해 마스크를 조명하여 해당 마스크의 패턴에 따라 기판을 노광하는 노광장치에 있어서,
    상기 조명광학계의 일부 또는 전부의 투과율을 대략 일정하게 유지시키는 투과율유지수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 조명광학계에 의해 마스크를 조명하여 해당 마스크의 패턴을 투영광학계에 의해 기판상에 투영하는 노광장치에 있어서,
    상기 조명광학계 및 상기 투영광학계로 이루어진 계의 일부 또는 전부의 투과율을 대략 일정하게 유지시키는 투과율유지수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조명광학계는 각각의 광입·출사면에 반사방지막이 형성된 복수의 광학소자를 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 조명광학계는, 증강된 반사막을 구비한 반사경을 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 조명광학계 및 상기 투영광학계는 각각의 광입·출사면에 반사방지막이 형성된 복수의 광학소자를 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제 3항 또는 제 5항에 있어서, 상기 복수의 광학소자는 복수의 렌즈소자를 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명광학계는 광원으로부터의 광을 분할하는 광분할수단을 구비하고, 상기 노광장치는, 상기 광분할수단에 의해 얻어지는 상기 광원으로부터의 광의 일부를 수광하는 광전변환수단과, 해당 광전변환수단의 출력에 의거해서 상기 기판의 노광량을 검출하여 제어하는 노광량 제어수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 투과율유지수단은 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 측정하는 투과율측정수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 투과율측정수단은, 상기 광전변환수단 뿐만 아니라, 상기 기판을 유지하고 이동가능한 기판유지수단에 적어도 수광부를 형성한 제 2광전변환수단도 지니며, 상기 제 2광전변환수단을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 광출사면에 대향하여 배치시킨 상태에서, 상기 광전변환수단과 상기 제 2광전변환수단에 의해 각각에 입사되는 광을 광전변환하고, 상기 광전변환수단과 상기 제 2광전변환수단의 각각의 출력의 비를 계산하여, 이 계산된 출력비에 의거해서 상기 투과율을 구하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제 8항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투과율유지수단은, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 상기 광원으로부터의 광을 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제 11항에 있어서, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광전변환수단의 출력에 의거해서 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 추정하면서, 상기 광원으로부터의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 광전변환수단의 출력과 시간정보에 의거해서, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율의 변화량을 추정하고, 해당 투과율의 변화량이 소정치를 초과한 때에는, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  14. 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을, 일정한 주기로, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할 수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 일정한 주기는 1일 도는 2일의 기간에 상당하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 투과율측정수단에 의해 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 측정하고, 해당 측정치가 소정의 범위로부터 벗어난 경우에는, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 제 11항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 실제의 노광동작전에, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  18. 제 11항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계가 상기 기판상에 상기 마스크의 패턴을 투영하는 투영광학계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 광원으로부터의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 투영광학계에 발생하는 광학특성의 변화를 보정하는 보정수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 보정수단은 소정시각에서의 상기 광학특성의 변동량에 예측하는 예측수단과, 상기 예측된 변동량에 따라 상기 장치를 조정하는 조정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 광학특성은, 상기 투영광학계의 투영배율을 포함하며, 상기 조정수단은, (i) 상기 투영광학계의 렌즈소자 및 상기 마스크 중 어느 하나를 상기 투영광학계의 광축방향으로 이동하는 이동수단, (ii) 상기 투영광학계의 렌즈간의 공기의 압력을 변화시키는 압력변경수단 및 (iii) 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변화시키는 파장변경수단중 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  22. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 광학특성은, 상기 투영광학계에 의한 상기 마스크패턴의 결상위치를 포함하고, 상기 조정수단은, (i) 상기 기판을 상기 투영광학계의 광축방향으로 이동시키는 이동수단, (ii) 상기 투영광학계의 렌즈간의 공기의 압력을 변화시키는 압력변경수단 및 (iii) 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변화시키는 파장변경수단 중 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  23. 광원으로부터의 광을, 조명광학계에 의해 마스크에 조사하여 해당 마스크의 패턴을 투영광학계를 통해서 기판상에 투영하는 노광장치에 있어서,
    상기 조명광학계 및 상기 투영광학계의 투과율이 대략 일정하게 유지되도록 상기 광원으로부터의 광을 상기 조명광학계 및 상기 투영광학계에 조사하는 투과율 유지수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 조명광학계는, 증강된 반사막을 구비한 반사경을 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  25. 제 23항에 있어서, 상기 조명광학계 및 상기 투영광학계는 각각의 광입·출사면에 반사방지막이 형성된 복수의 광학소자를 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 복수의 광학소자는 복수의 렌즈소자를 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  27. 제 23항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명광학계는 광원으로부터의 광을 분할하는 광분할수단을 구비하고, 상기 노광장치는, 상기 광분할수단에 의해 얻어지는 상기 광원으로부터의 광의 일부를 수광하는 광전변환수단과, 해당 광전변환수단의 출력에 의거해서 상기 기판의 노광량을 검출하여 제어하는 노광량제어수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  28. 제 27항에 있어서, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 측정하는 투과율측정수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  29. 제 28항에 있어서, 상기 투과율측정수단은, 상기 광전변환수단 뿐만 아니라, 상기 기판을 유지하고 이동가능한 기판유지수단에 적어도 수광부를 형성한 제 2광전변환수단도 지니며, 상기 제 2광전변환수단을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 광출사면에 대향하여 배치시킨 상태에서, 상기 광전변환수단과 상기 제 2광전변환수단에 의해 각각에 입사되는 광을 광전변환하고, 상기 광전변환수단과 상기 제 2광전변환수단의 각각의 출력의 비를 계산하여, 이 계산된 출력비에 의거해서 상기 투과율을 구하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  30. 제 27항에 있어서, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광전변환수단의 출력에 의거해서 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 추정하면서, 상기 광원으로부터의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  31. 제 27항 또는 제 28항에 있어서, 상기 광전변환수단의 출력과 시간정보에 의거해서, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율의 변화량을 추정하고, 해당 투과율의 변화량이 소정치를 초과한 때에는, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  32. 제 27항 또는 제 28항에 있어서, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을, 일정한 주기로, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할 수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 대략 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  33. 제 32항에 있어서, 상기 일정한 주기는 1일 또는 2일의 기간에 상당하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  34. 제 27항에 있어서, 상기 투과율측정수단에 의해 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 측정하고, 해당 측정치가 소정의 범위로부터 벗어난 경우에는, 실제의 노광동작과는 별도로, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과의 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  35. 제 27항 내지 제 34항 중 어느 한 항에 있어서, 실제의 노광동작전에, 상기 광원으로부터의 소정량의 광을 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계에 조사함으로써, 상기 광분할수단과 상기 기판간의 광학계의 투과율을 소망의 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  36. 제 27항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영광학계의 상기 광원으로부터의 광에 의한 조사에 의해 상기 투영광학계에 발생하는 광학특성의 변화를 보정하는 보정수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  37. 제 36항에 있어서, 상기 보정수단은 소정시각에서의 상기 광학특성의 변동량을 예측하는 예측수단과, 상기 예측된 변동량에 따라 상기 장치를 조정하는 조정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  38. 제 37항에 있어서, 상기 광학특성은, 상기 투영광학계의 투영배율을 포함하며, 상기 조정수단은 (i) 상기 투영광학계의 렌즈소자 및 상기 마스크 중 어느 하나를 상기 투영광학계의 광축방향으로 이동시키는 이동수단, (ii) 상기 투영광학계의 렌즈간의 공기의 압력을 변화시키는 압력변경수단 및 (iii) 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변화시키는 파장변경수단중 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  39. 제 37항 또는 제 38항에 있어서, 상기 광학특성은, 상기 투영광학계에 의한 상기 마스크패턴의 결상위치를 포함하고, 상기조정수단은, (i) 상기 기판을 상기 투영광학계의 광축방향으로 이동시키는 이동수단, (ii) 상기투영광학계의 렌즈간의 공기의 압력을 변화시키는 압력변경수단 및 (iii) 상기 광원으로부터의 광의 파장을 변화시키는 파장변경수단 중 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  40. 제 1항 내지 제 39항 중 어느 한 항에 있어서, 노광을 위한 광원으로서 엑시머레이저를 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  41. 제 40항에 있어서, 상기 엑시머레이저는 KrF엑시머레이저 및 ArF엑시머레이저 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  42. 제 1항 내지 제 41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명광학계는 전사해야 할 상기 마스크이 패턴전체의 폭보다도 작은 폭의 슬릿형상의 조명영역을 형성하도록 구성되어 있고, 상기 마스크와 상기 기판을 상기 조명광학계에 대해서 상대적으로 상기 슬릿형상의 조명영역의 길이방향과 직교하는 방향으로 주사함으로써 상기 마스크의 패턴전체를 상기 기판에 전사하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  43. 제 1항 내지 제 41항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조명광학계는 전사해야할 상기 마스크의 패턴전체의 크기와 동일한 크기의 조명영역을 형성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  44. 제 1항 내지 제 43항의 어느 한 항에 기재된 노광장치를 이용해서 디바이스 패턴을 기판상에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
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