JP2856608B2 - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JP2856608B2 JP2856608B2 JP4229080A JP22908092A JP2856608B2 JP 2856608 B2 JP2856608 B2 JP 2856608B2 JP 4229080 A JP4229080 A JP 4229080A JP 22908092 A JP22908092 A JP 22908092A JP 2856608 B2 JP2856608 B2 JP 2856608B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- transmittance
- reticle
- exposure
- semiconductor exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレチクルへの塵埃の付着
を防止するためのペリクル付レチクルを用いた半導体露
光装置に関する。
を防止するためのペリクル付レチクルを用いた半導体露
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体露光装置は、ペリクル付レ
チクルを用いたことによる露光量の減少を補正する手段
として、図６の装置構成図に示すように、ペリクル１２
付のペリクルフレーム１３をレチクル１４に接着してな
るペリクル付レチクルに入射する水銀ランプ２１側のレ
ンズ系の照明光束１５の照度を照度センサー１で測定
し、この信号に基づいてＡ／Ｄコンバータ３、積算露光
量制御部９、シャッター駆動制御部１０を介して照度変
化に対応する値だけ露光範囲絞り部２４を動作させてシ
ャッターのオープン時間を調整し、ウェーハホルダ１７
上に載せたウェーハ３２への露光量を制御していた。な
お、水銀ランプ側のレンズ系は反射ミラー１９、楕円ミ
ラー２０、レンズ２２、照明光学部３３などから構成さ
れている。
チクルを用いたことによる露光量の減少を補正する手段
として、図６の装置構成図に示すように、ペリクル１２
付のペリクルフレーム１３をレチクル１４に接着してな
るペリクル付レチクルに入射する水銀ランプ２１側のレ
ンズ系の照明光束１５の照度を照度センサー１で測定
し、この信号に基づいてＡ／Ｄコンバータ３、積算露光
量制御部９、シャッター駆動制御部１０を介して照度変
化に対応する値だけ露光範囲絞り部２４を動作させてシ
ャッターのオープン時間を調整し、ウェーハホルダ１７
上に載せたウェーハ３２への露光量を制御していた。な
お、水銀ランプ側のレンズ系は反射ミラー１９、楕円ミ
ラー２０、レンズ２２、照明光学部３３などから構成さ
れている。
【０００３】また、ペリクル付レチクルを使用する場
合、図８の説明図に示すように、別置の反射率測定器３
５を用いてペリクル１２の反射率を求め、図９に示すよ
うなペリクル透過率と反射率との相関図より透過率を換
算し、ペリクルの透過率劣化を確認していた。また、ほ
とんどの場合、ペリクル透過率測定に長時間かかること
やレチクル枚数が非常に多いことのために、一部のレチ
クルのみを抜き取りで検査を行なっていた。さらに、透
過率が任意の許容値以内であっても、透過率の減少分を
露光量に対し補正することは行なわれていなかった。
合、図８の説明図に示すように、別置の反射率測定器３
５を用いてペリクル１２の反射率を求め、図９に示すよ
うなペリクル透過率と反射率との相関図より透過率を換
算し、ペリクルの透過率劣化を確認していた。また、ほ
とんどの場合、ペリクル透過率測定に長時間かかること
やレチクル枚数が非常に多いことのために、一部のレチ
クルのみを抜き取りで検査を行なっていた。さらに、透
過率が任意の許容値以内であっても、透過率の減少分を
露光量に対し補正することは行なわれていなかった。
【０００４】図７は従来のペリクル付レチクルを使用す
る場合の作業フローチャート図である。すなわち、透過
率計測有りの場合、まず図８に示した反射率測定器３５
で測定を行なう。そして図９から透過率が許容値以内な
らば、このペリクル付レチクルを露光装置へロードし露
光作業を行なう。その際、前工程でロードしたレチクル
があれば交換作業を行なう。
る場合の作業フローチャート図である。すなわち、透過
率計測有りの場合、まず図８に示した反射率測定器３５
で測定を行なう。そして図９から透過率が許容値以内な
らば、このペリクル付レチクルを露光装置へロードし露
光作業を行なう。その際、前工程でロードしたレチクル
があれば交換作業を行なう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体露光
装置でペリクル付レチクルを使用する場合、ペリクル自
体はニトロセルロース膜で作られているため、照射され
る紫外線と化学反応を起してペリクルの厚さが変化し透
過率が低下する。そのため、露光量制御を行なう照度セ
ンサーによる受光強度よりも、ウェーハステージ上の照
度がペリクル透過率の減少分だけ低下していた。この関
係を示した図が図１０である。従って、露光量制御され
た値と実際にウェーハ面に照射される露光量との間に差
が生じることにより、露光、現像後のフォトレジストの
線幅寸法が変化するという問題があった。この関係を示
した図が図１１である。
装置でペリクル付レチクルを使用する場合、ペリクル自
体はニトロセルロース膜で作られているため、照射され
る紫外線と化学反応を起してペリクルの厚さが変化し透
過率が低下する。そのため、露光量制御を行なう照度セ
ンサーによる受光強度よりも、ウェーハステージ上の照
度がペリクル透過率の減少分だけ低下していた。この関
係を示した図が図１０である。従って、露光量制御され
た値と実際にウェーハ面に照射される露光量との間に差
が生じることにより、露光、現像後のフォトレジストの
線幅寸法が変化するという問題があった。この関係を示
した図が図１１である。
【０００６】さらに、各レチクル毎のペリクル透過率の
減衰量は使用条件により大きくばらつくため、露光、現
像後のフォトレジスト寸法のばらつきとなり、品質を低
下させるという問題点があった。また、半導体露光装置
で使用するレチクル枚数は、通常、一製造ライン（露光
装置２０〜３０台、４００〜５００品種）で４０００枚
から５０００枚と膨大なため、使用する直前にペリクル
透過率を測定するとレチクル交換に要する総時間が長く
なり、半導体露光装置の稼働率を低下させてしまうとい
う問題点があった。
減衰量は使用条件により大きくばらつくため、露光、現
像後のフォトレジスト寸法のばらつきとなり、品質を低
下させるという問題点があった。また、半導体露光装置
で使用するレチクル枚数は、通常、一製造ライン（露光
装置２０〜３０台、４００〜５００品種）で４０００枚
から５０００枚と膨大なため、使用する直前にペリクル
透過率を測定するとレチクル交換に要する総時間が長く
なり、半導体露光装置の稼働率を低下させてしまうとい
う問題点があった。
【０００７】また、ペリクル透過率を測定する場合、レ
チクルケースから取り出して測定するため、作業者や作
業環境によってはペリクル上に異物を付着させてしま
い、透過率が合格でもペリクル上の異物検査で不合格と
なり、使用できなくなるという問題点があった。さら
に、半導体露光装置とペリクル透過率を測定する装置と
の間でレチクルを運搬する必要があり、その分、レチク
ルを運搬する作業者を増やさなければならないという問
題点があった。
チクルケースから取り出して測定するため、作業者や作
業環境によってはペリクル上に異物を付着させてしま
い、透過率が合格でもペリクル上の異物検査で不合格と
なり、使用できなくなるという問題点があった。さら
に、半導体露光装置とペリクル透過率を測定する装置と
の間でレチクルを運搬する必要があり、その分、レチク
ルを運搬する作業者を増やさなければならないという問
題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体露光装置
は、ウェーハステージ上に照度センサーを設け、使用す
るペリクル付レチクルにペリクル部分で照明光束を透過
させるペリクル透過率測定領域とレチクルのみの部分で
照明光束を透過させるレチクル透過率測定領域とを持た
せ、ペリクル部分を透過してくる光強度とレチクル部分
のみを透過してくる光強度とを前記ウェーハステージ上
の照度センサーで測定し、照度差からペリクル透過率の
減少分を計算し、処理データから露光量の補正量を演算
する手段を備えている。また、ペリクル透過率データの
表示や透過率データから露光処理動作を停止させる透過
率異常検知部を備えている。
は、ウェーハステージ上に照度センサーを設け、使用す
るペリクル付レチクルにペリクル部分で照明光束を透過
させるペリクル透過率測定領域とレチクルのみの部分で
照明光束を透過させるレチクル透過率測定領域とを持た
せ、ペリクル部分を透過してくる光強度とレチクル部分
のみを透過してくる光強度とを前記ウェーハステージ上
の照度センサーで測定し、照度差からペリクル透過率の
減少分を計算し、処理データから露光量の補正量を演算
する手段を備えている。また、ペリクル透過率データの
表示や透過率データから露光処理動作を停止させる透過
率異常検知部を備えている。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の構成図である。図２はペ
リクル付レチクルのペリクル部およびレチクル単体部の
透過率測定領域の説明図で、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ断面図である。ペリクル付レ
チクルは図２（ａ）に示すように、ペリクルフレーム１
３の内側の半導体素子パターン領域２６との間にペリク
ル透過率測定領域２７が設けられ、また、ペリクルフレ
ーム１３の外側にレチクル透過率測定領域３６が設けら
れている。
る。図１は本発明の一実施例の構成図である。図２はペ
リクル付レチクルのペリクル部およびレチクル単体部の
透過率測定領域の説明図で、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ断面図である。ペリクル付レ
チクルは図２（ａ）に示すように、ペリクルフレーム１
３の内側の半導体素子パターン領域２６との間にペリク
ル透過率測定領域２７が設けられ、また、ペリクルフレ
ーム１３の外側にレチクル透過率測定領域３６が設けら
れている。
【００１０】次に、本実施例をその動作とともに説明す
る。まず、図２（ｂ）に示すように、露光範囲絞り部２
４にて絞りを変え、ペリクル付レチクルのペリクル透過
率測定領域２７にだけ照明光束１５を照射し、ウェーハ
ステージ１８上に設けた照度センサー２でペリクル部透
過光束２８の透過後照度３０を測定し、図３に示す照度
Ｎ2 を得る。次に、図２（ｃ）に示すように、絞りを変
えてレチクル単体のレチクル透過率測定領域３６にだけ
照明光束１５を照射し、ウェーハステージ１８上の照度
センサー２でレチクル単体透過光束３１の透過後照度３
０を測定し、図３に示す照度Ｎ1 を得る。
る。まず、図２（ｂ）に示すように、露光範囲絞り部２
４にて絞りを変え、ペリクル付レチクルのペリクル透過
率測定領域２７にだけ照明光束１５を照射し、ウェーハ
ステージ１８上に設けた照度センサー２でペリクル部透
過光束２８の透過後照度３０を測定し、図３に示す照度
Ｎ2 を得る。次に、図２（ｃ）に示すように、絞りを変
えてレチクル単体のレチクル透過率測定領域３６にだけ
照明光束１５を照射し、ウェーハステージ１８上の照度
センサー２でレチクル単体透過光束３１の透過後照度３
０を測定し、図３に示す照度Ｎ1 を得る。
【００１１】次に、ペリクル透過率演算部４でペリクル
透過率Ｐ＝（Ｎ2 ／Ｎ1 ）×１００（％）を求め、ペリ
クル透過率表示部６に表示し、任意の許容値を越える場
合は、ペリクル透過率異常検出部８にて露光装置のメイ
ン制御部１１に処理中止命令を出す。次に、上述のペリ
クル透過率Ｐより、露光量補正演算部５にて図４に示す
シャッターオープン時間Ｔ1 の延長量ΔＴ＝Ｔ1 ×
〔（１／０．０１Ｐ）−１〕を演算し、露光量補正値表
示部７に補正値を表示し、積算露光制御部９にシャッタ
ーオープン時間の補正値ΔＴを加えることによって、ペ
リクル透過率の低下分に相当するウェーハ面上の露光量
の減少分Ｑ1 に等しい露光量Ｑ2 を補正することができ
る。
透過率Ｐ＝（Ｎ2 ／Ｎ1 ）×１００（％）を求め、ペリ
クル透過率表示部６に表示し、任意の許容値を越える場
合は、ペリクル透過率異常検出部８にて露光装置のメイ
ン制御部１１に処理中止命令を出す。次に、上述のペリ
クル透過率Ｐより、露光量補正演算部５にて図４に示す
シャッターオープン時間Ｔ1 の延長量ΔＴ＝Ｔ1 ×
〔（１／０．０１Ｐ）−１〕を演算し、露光量補正値表
示部７に補正値を表示し、積算露光制御部９にシャッタ
ーオープン時間の補正値ΔＴを加えることによって、ペ
リクル透過率の低下分に相当するウェーハ面上の露光量
の減少分Ｑ1 に等しい露光量Ｑ2 を補正することができ
る。
【００１２】図５は上述のペリクル透過率の測定を半導
体露光装置の処理プログラムに組み込んだ場合の処理手
順について示したフローチャート図である。すなわち、
ペリクル付レチクルを露光装置へロードし、ペリクル透
過率を測定し、透過率が許容値以内ならばペリクル透過
率の変化分に応じて露光量を補正しウェーハ露光処理を
行なう。また、透過率が許容値を越える場合は警報を発
し、露光処理を中止する。
体露光装置の処理プログラムに組み込んだ場合の処理手
順について示したフローチャート図である。すなわち、
ペリクル付レチクルを露光装置へロードし、ペリクル透
過率を測定し、透過率が許容値以内ならばペリクル透過
率の変化分に応じて露光量を補正しウェーハ露光処理を
行なう。また、透過率が許容値を越える場合は警報を発
し、露光処理を中止する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体露
光装置にペリクル付レチクルを装填した状態でペリクル
透過率を計測できる機能を持たせたので、ペリクル透過
率の変化分を露光量の補正量とすることができ、ペリク
ル透過率変化によるフォトレジスト寸法変化を皆無にで
きるという効果を有する。また、半導体露光装置自体が
ペリクル透過率計測機能を持つため、別置の反射率測定
器が不要となることや実際に使用するペリクル透過率を
計測できることから、ペリクルの管理が大幅に簡素化さ
れ、また作業者を増やす必要もなくなるという効果を有
する。
光装置にペリクル付レチクルを装填した状態でペリクル
透過率を計測できる機能を持たせたので、ペリクル透過
率の変化分を露光量の補正量とすることができ、ペリク
ル透過率変化によるフォトレジスト寸法変化を皆無にで
きるという効果を有する。また、半導体露光装置自体が
ペリクル透過率計測機能を持つため、別置の反射率測定
器が不要となることや実際に使用するペリクル透過率を
計測できることから、ペリクルの管理が大幅に簡素化さ
れ、また作業者を増やす必要もなくなるという効果を有
する。
【００１４】さらに、露光処理直前にペリクル透過率を
計測するため、突発的なペリクルの変質や膜厚変化が発
生しても未然に発見できるという効果を有する。また、
半導体露光装置自体でペリクル透過率を計測できるた
め、計測中にペリクル上に異物が付着することもなくペ
リクル付レチクルの異物管理が容易になるという効果を
有する。
計測するため、突発的なペリクルの変質や膜厚変化が発
生しても未然に発見できるという効果を有する。また、
半導体露光装置自体でペリクル透過率を計測できるた
め、計測中にペリクル上に異物が付着することもなくペ
リクル付レチクルの異物管理が容易になるという効果を
有する。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】本発明の一実施例に用いるペリクル付レチクル
を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）、（ｃ）
はそれぞれ断面図である。
を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）、（ｃ）
はそれぞれ断面図である。
【図３】本発明の一実施例におけるペリクル透過率変化
時の露光量の変化を示す説明図である。
時の露光量の変化を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施例におけるペリクル透過率変化
時の露光量補正原理の説明図である。
時の露光量補正原理の説明図である。
【図５】本発明の一実施例の操作手順を示すフローチャ
ート図である。
ート図である。
【図６】従来の半導体露光装置の構成図である。
【図７】従来の半導体露光装置の操作手順を示すフロー
チャート図である。
チャート図である。
【図８】従来のペリクル透過率測定方法の説明図であ
る。
る。
【図９】ペリクル透過率と反射率の相関図である。
【図１０】ペリクル透過率とウェーハステージ上の照度
との関係図である。
との関係図である。
【図１１】露光量とフォトレジスト寸法との関係図であ
る。
る。
１ 照度センサー ２ 照度センサー ３ Ａ／Ｄコンバータ ４ ペリクル透過率演算部 ５ 露光量補正演算部 ６ ペリクル透過率表示部 ７ 露光量補正値表示部 ８ ペリクル透過率異常検出部 ９ 積算露光量制御部 １０ シャッター駆動制御部 １１ 露光装置メイン制御部 １２ ペリクル １３ ペリクルフレーム １４ レチクル １５ 照明光束 １６ 投影レンズ １７ ウェーハホルダ １８ ウェーハステージ １９ 反射ミラー ２０ 楕円ミラー ２１ 水銀ランプ ２２ レンズ ２３ シャッター部 ２４ 露光範囲絞り部 ２５ コンデンサレンズ ２６ 半導体素子パターン領域 ２７ ペリクル透過率測定領域 ２８ ペリクル部透過光束 ２９ 透過前照度 ３０ 透過後照度 ３１ レチクル単体透過光束 ３２ ハーフミラー ３３ 照明光学部 ３４ 反射率測定光 ３５ 反射率測定器 ３６ レチクル透過率測定領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−274131（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−216324（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−100047（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−261033（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−20739（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−83321（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−154054（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−42521（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】ペリクルとレチクルとを積層してなるペリ
クル付レチクルを用いた半導体露光装置において、前記
ペリクル付レチクルのレチクル透過率を測定する第１の
測定手段と、前記ペリクル付レチクルのペリクル付レチ
クル透過率を測定する第２の測定手段と、前記ペリクル
付レチクル透過率と前記レチクル透過率とからペリクル
透過率を演算する手段とを備えることを特徴とする半導
体露光装置。 - 【請求項２】前記第１の測定手段は、前記ペリクルの外
周の外側に沿ったレチクル透過率測定領域における前記
レチクル透過率を測定し、前記第２の測定手段は前記ペ
リクルの外周の内側に沿ったペリクル付レチクル透過率
を測定することを特徴とする請求項１記載の半導体露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4229080A JP2856608B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4229080A JP2856608B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677107A JPH0677107A (ja) | 1994-03-18 |
| JP2856608B2 true JP2856608B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=16886439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4229080A Expired - Lifetime JP2856608B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856608B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140412A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-06-02 | Ebara Corp | ポリゴンミラーの取付構造 |
| JPH10116766A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR19980051522A (ko) * | 1996-12-23 | 1998-09-15 | 김영환 | 하프톤 위상반전마스크의 투과율 측정방법 |
| KR20010006467A (ko) | 1997-04-18 | 2001-01-26 | 오노 시게오 | 노광 장치, 해당 장치를 이용한 노광 방법 및 회로 장치 제조 방법 |
| IL132431A0 (en) * | 1997-04-18 | 2001-03-19 | Nikon Corp | Method and device for exposure control method and device for exposure and method of manufacture of device |
| DE69817663T2 (de) * | 1997-04-23 | 2004-06-24 | Nikon Corp. | Optischer Belichtungsapparat und optisches Reinigungsverfahren |
| ATE358888T1 (de) * | 1997-07-25 | 2007-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsverfahren und belichtungsapparat |
| JP5381226B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-01-08 | 凸版印刷株式会社 | 露光量制御方法及び露光装置 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4229080A patent/JP2856608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677107A (ja) | 1994-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060238749A1 (en) | Flare measuring method and flare measuring apparatus, exposure method and exposure apparatus, and exposure apparatus adjusting method | |
| WO1998059364A1 (fr) | Aligneur de projection, son procede de fabrication, procede d'exposition dudit aligneur et procede de fabrication de composants au moyen de l'aligneur | |
| KR101267144B1 (ko) | 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크 | |
| JP2856608B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP3378271B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びに前記方法を使用するデバイス製造方法 | |
| JP3473649B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH08162397A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0513292A (ja) | 露光装置 | |
| US7936442B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method | |
| JP3282300B2 (ja) | 露光装置及び半導体素子製造方法 | |
| KR100588127B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그것에 의하여제조된 디바이스 | |
| JP2796404B2 (ja) | 露光方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜生産制御方法及びその装置 | |
| JP3245026B2 (ja) | 露光方法及び露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH04198740A (ja) | ペリクルの透過率測定方法 | |
| JP4433609B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPS6370522A (ja) | 紫外線露光方法 | |
| JPH09106075A (ja) | 基板の露光装置 | |
| JPS63103951A (ja) | ゴミ検査装置 | |
| JPH03156347A (ja) | 透過率測定方法 | |
| US20080175467A1 (en) | System for accumulating exposure energy information of wafer and management method of mask for exposure utilizing exposure energy information of wafer accumulated with the system | |
| JPH0850359A (ja) | 露光装置 | |
| JPS6144427A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3265574B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法 | |
| JP6506670B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2780302B2 (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981027 |