JP3282300B2 - 露光装置及び半導体素子製造方法 - Google Patents
露光装置及び半導体素子製造方法Info
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- JP3282300B2 JP3282300B2 JP17616393A JP17616393A JP3282300B2 JP 3282300 B2 JP3282300 B2 JP 3282300B2 JP 17616393 A JP17616393 A JP 17616393A JP 17616393 A JP17616393 A JP 17616393A JP 3282300 B2 JP3282300 B2 JP 3282300B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置及び半導体素子
製造方法に関し、特に紫外光を利用して、マスクのパタ
ーンを感光剤を塗布したウエハーまたは他の基板等に転
写する半導体素子の製造に好適な露光装置及び半導体素
子製造方法に関するものである。
製造方法に関し、特に紫外光を利用して、マスクのパタ
ーンを感光剤を塗布したウエハーまたは他の基板等に転
写する半導体素子の製造に好適な露光装置及び半導体素
子製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来用いられている反射型の露光
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【０００３】露光装置は大きくは４つの部分より構成さ
れており、６０は露光装置の光源及び照明光学系を有す
る照明系、２０はマスク像（マスクパターン）をウエハ
ーに転写する投影光学系と走査機構と不図示のアライメ
ント機構等を有する本体である。３０は露光装置全体の
シーケンス動作をコントロールするＣＰＵを含むコント
ロール・ボックス、４０は露光装置の光源である超高圧
水銀灯１を点灯し、点灯時の電力を制御する点灯装置で
ある。これらの各ユニットはケーブルを通して信号伝
達、電力供給を行っている。
れており、６０は露光装置の光源及び照明光学系を有す
る照明系、２０はマスク像（マスクパターン）をウエハ
ーに転写する投影光学系と走査機構と不図示のアライメ
ント機構等を有する本体である。３０は露光装置全体の
シーケンス動作をコントロールするＣＰＵを含むコント
ロール・ボックス、４０は露光装置の光源である超高圧
水銀灯１を点灯し、点灯時の電力を制御する点灯装置で
ある。これらの各ユニットはケーブルを通して信号伝
達、電力供給を行っている。
【０００４】次に光の進む順番に本装置の作用を説明す
る。
る。
【０００５】１は光源の超高圧水銀灯で、以下、略して
水銀灯１と記す。水銀灯１は点灯装置４０の点灯操作に
より、高電圧を印加するスターター４３を通して点灯さ
れる。２は前記水銀灯１からの光源光を１点鎖線で示し
た光路方向に光を収束させる球面鏡である。
水銀灯１と記す。水銀灯１は点灯装置４０の点灯操作に
より、高電圧を印加するスターター４３を通して点灯さ
れる。２は前記水銀灯１からの光源光を１点鎖線で示し
た光路方向に光を収束させる球面鏡である。
【０００６】水銀灯１及び球面鏡２で反射された光は１
点鎖線で示した光路をたどり、ミラー４、ミラー５、ミ
ラー６、コンデンサーレンズ７、ミラー８を経て、スリ
ット９へ入射する。スリット９は投影露光に使用する有
効光を切り出す作用を行い、照明光の形状をスリット状
にする。スリット状になった光は球面ミラー１０で反射
され、ハーフミラー１１により照明照度を一定に保つ定
照度制御用の光量モニターセンサー１２へ入射する光
と、本装置の露光用シャッタ１３へ入射する光とに分け
られる。
点鎖線で示した光路をたどり、ミラー４、ミラー５、ミ
ラー６、コンデンサーレンズ７、ミラー８を経て、スリ
ット９へ入射する。スリット９は投影露光に使用する有
効光を切り出す作用を行い、照明光の形状をスリット状
にする。スリット状になった光は球面ミラー１０で反射
され、ハーフミラー１１により照明照度を一定に保つ定
照度制御用の光量モニターセンサー１２へ入射する光
と、本装置の露光用シャッタ１３へ入射する光とに分け
られる。
【０００７】光量モニターセンサー１２は光量信号を電
流値に変換する。２７は光量モニターセンサー１２の電
流信号出力を電圧に変換し、電圧増幅するアンプ回路で
ある。アンプ回路２７により電圧増幅された光量モニタ
ー信号は、定照度モニター信号として点灯装置４０に入
力される。
流値に変換する。２７は光量モニターセンサー１２の電
流信号出力を電圧に変換し、電圧増幅するアンプ回路で
ある。アンプ回路２７により電圧増幅された光量モニタ
ー信号は、定照度モニター信号として点灯装置４０に入
力される。
【０００８】露光シャッター１３に入射する光は露光シ
ャッター１３により開放、遮断制御される。露光シャッ
ター１３は装置動作シーケンスが露光になると開放とな
り、スリット状の照明光がミラー１４、凹面ミラー１５
で反射されてマスク１６に入射する。
ャッター１３により開放、遮断制御される。露光シャッ
ター１３は装置動作シーケンスが露光になると開放とな
り、スリット状の照明光がミラー１４、凹面ミラー１５
で反射されてマスク１６に入射する。
【０００９】マスク１６とウエハー２２はキャリッジ２
１により一体に担持されている。マスク１６の像（パタ
ーン）は台形ミラー１７、凹面ミラー１８、凸面ミラー
１９、凹面ミラー１８、台形ミラー１７を介してウエハ
ー２２上に結像される。マスク１６とウエハー２２が一
体で移動することで、マスク１６に入射するスリット状
の光のマスクに対する位置が移動し、マスク１６の投影
像の全体がウエハー２２全面に転写される。
１により一体に担持されている。マスク１６の像（パタ
ーン）は台形ミラー１７、凹面ミラー１８、凸面ミラー
１９、凹面ミラー１８、台形ミラー１７を介してウエハ
ー２２上に結像される。マスク１６とウエハー２２が一
体で移動することで、マスク１６に入射するスリット状
の光のマスクに対する位置が移動し、マスク１６の投影
像の全体がウエハー２２全面に転写される。
【００１０】３０のコントロール・ボックスは装置全体
のシーケンスプログラムを内蔵しているＲＯＭ３１、前
記動作シーケンスプログラムを演算、シーケンス処理す
る中央処理装置ＣＰＵ３６、演算処理データを記憶する
ＲＡＭ３２、装置各部の不図示のアクチュエーター信号
を入出力するインターフェイス回路３３、前記のキャリ
ッジ２１を不図示のアクチュエーターを駆動して移動動
作をさせるキャリッジ駆動回路３４、露光用シャッター
１３を駆動するシャッター駆動回路３５等より成ってい
る。
のシーケンスプログラムを内蔵しているＲＯＭ３１、前
記動作シーケンスプログラムを演算、シーケンス処理す
る中央処理装置ＣＰＵ３６、演算処理データを記憶する
ＲＡＭ３２、装置各部の不図示のアクチュエーター信号
を入出力するインターフェイス回路３３、前記のキャリ
ッジ２１を不図示のアクチュエーターを駆動して移動動
作をさせるキャリッジ駆動回路３４、露光用シャッター
１３を駆動するシャッター駆動回路３５等より成ってい
る。
【００１１】本装置はスリット状の光をマスク１６とウ
エハー２２の平行度を保って、等速で走査する露光方式
を取っているため、露光量を露光動作中一定に保たねば
ならない。そのため露光中に投影光の照度、即ちマスク
像面の照度を一定に保つことが必要とされる。またウエ
ハー露光工程で、等速走査露光するスピードで露光条件
を管理できるようにするため、繰り返しの照度を一定に
保つことも必要となっている。従って超高圧水銀灯は安
定した状態で点灯されることが要求される。
エハー２２の平行度を保って、等速で走査する露光方式
を取っているため、露光量を露光動作中一定に保たねば
ならない。そのため露光中に投影光の照度、即ちマスク
像面の照度を一定に保つことが必要とされる。またウエ
ハー露光工程で、等速走査露光するスピードで露光条件
を管理できるようにするため、繰り返しの照度を一定に
保つことも必要となっている。従って超高圧水銀灯は安
定した状態で点灯されることが要求される。
【００１２】超高圧水銀灯は構造状の特性から、点灯し
て安定した照度を得るために内部の水銀の蒸気圧が安定
することが必要で、点灯後数十分時間を置かないと使用
できない。また、点灯時に高電圧を印加する必要がある
が、装置の電源が入っている状態で点灯すると高電圧に
よる放電ノイズにより装置が誤動作するため、装置電源
を落とした状態でなければ点灯動作ができない。
て安定した照度を得るために内部の水銀の蒸気圧が安定
することが必要で、点灯後数十分時間を置かないと使用
できない。また、点灯時に高電圧を印加する必要がある
が、装置の電源が入っている状態で点灯すると高電圧に
よる放電ノイズにより装置が誤動作するため、装置電源
を落とした状態でなければ点灯動作ができない。
【００１３】即ち反射型の投影露光装置では、装置が稼
働している状態で超高圧水銀灯１は常に点灯していなけ
ればならないし、繰り返し露光動作中は照度が一定であ
ることが必要不可欠である。そのため光量モニターセン
サー１２に入射する光量を一定に保つように、超高圧水
銀灯１に供給する電力を制御するフィードバックループ
が点灯装置４０、超高圧水銀灯１、光量モニター１２に
より構成されている。この点灯方式は定照度点灯方式と
呼ばれている。
働している状態で超高圧水銀灯１は常に点灯していなけ
ればならないし、繰り返し露光動作中は照度が一定であ
ることが必要不可欠である。そのため光量モニターセン
サー１２に入射する光量を一定に保つように、超高圧水
銀灯１に供給する電力を制御するフィードバックループ
が点灯装置４０、超高圧水銀灯１、光量モニター１２に
より構成されている。この点灯方式は定照度点灯方式と
呼ばれている。
【００１４】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら従来
の定照度点灯方式には以下のような問題点があった。即
ち超高圧水銀灯はメンテナンス時以外は常に点灯状態と
なっているため、光路がシャッター１３より光源に近い
光学部品には常に強力な紫外線が照射されている。光学
部品であるミラー及びレンズには各種の反射率、透過率
をコントロールする多層膜が表面にコーティングされて
いる。
の定照度点灯方式には以下のような問題点があった。即
ち超高圧水銀灯はメンテナンス時以外は常に点灯状態と
なっているため、光路がシャッター１３より光源に近い
光学部品には常に強力な紫外線が照射されている。光学
部品であるミラー及びレンズには各種の反射率、透過率
をコントロールする多層膜が表面にコーティングされて
いる。
【００１５】これらの多層膜は長時間の紫外線の照射に
より膜の劣化が生じたり、強い紫外線によって膜の表面
に空気中に浮遊するある種のガスが析出して、光学部品
の表面にクモリが生じてしまう。そのため光学部品の透
過率または反射率が下がり、光学系全体の透過光量が減
少する。
より膜の劣化が生じたり、強い紫外線によって膜の表面
に空気中に浮遊するある種のガスが析出して、光学部品
の表面にクモリが生じてしまう。そのため光学部品の透
過率または反射率が下がり、光学系全体の透過光量が減
少する。
【００１６】また光学部品のクモリは光量モニターセン
サーへの光量の減少につながる。その結果、定照度点灯
のため水銀灯１に供給する電力が増加して光源の光量が
上がり、更に光学部品の劣化を加速する。
サーへの光量の減少につながる。その結果、定照度点灯
のため水銀灯１に供給する電力が増加して光源の光量が
上がり、更に光学部品の劣化を加速する。
【００１７】電力の増加は超高圧水銀灯の電極の劣化を
加速し、水銀灯の寿命がより短くなるという悪循環を導
く。超高圧水銀灯の発光効率は長期間の点灯にともない
段々と劣化するものであるが、寿命の短縮は装置のラン
ニングコストに大きな影響を与える。そのためこれらの
光学部品の透過率、反射率の劣化を状態が悪化する前に
未然に検出することが重要な課題となっている。
加速し、水銀灯の寿命がより短くなるという悪循環を導
く。超高圧水銀灯の発光効率は長期間の点灯にともない
段々と劣化するものであるが、寿命の短縮は装置のラン
ニングコストに大きな影響を与える。そのためこれらの
光学部品の透過率、反射率の劣化を状態が悪化する前に
未然に検出することが重要な課題となっている。
【００１８】発明者の知見によると、上記のような劣化
現象の対象となる光学部品は、比較的光源である水銀灯
１に近い光学部品において発生していることが判明し
た。これは水銀灯に近いほど熱の影響で高温であり、光
の強度も強いことによる。
現象の対象となる光学部品は、比較的光源である水銀灯
１に近い光学部品において発生していることが判明し
た。これは水銀灯に近いほど熱の影響で高温であり、光
の強度も強いことによる。
【００１９】現在問題となっているのはこれらの光学部
品の劣化を検知する手段である。現状は前記照明系６０
内の光学部品を外して目視確認を行うか、該部品を基準
となる新品部品と交換し、投影露光装置内に専用の照度
計を入れて、交換前後の照度の比較を行うことで判別す
る方法が常用されている。
品の劣化を検知する手段である。現状は前記照明系６０
内の光学部品を外して目視確認を行うか、該部品を基準
となる新品部品と交換し、投影露光装置内に専用の照度
計を入れて、交換前後の照度の比較を行うことで判別す
る方法が常用されている。
【００２０】これらいずれの方法も、実施時には装置を
停止する必要があり、チェックはメンテナンスの時しか
行うことができない。目視確認の方法は劣化の状況が定
量化できないという問題があり、部品を交換して比較す
る方法では、特定の光学部品の劣化は判別可能だが、全
系の劣化の評価を判別するまでに時間がかかるという問
題がある。
停止する必要があり、チェックはメンテナンスの時しか
行うことができない。目視確認の方法は劣化の状況が定
量化できないという問題があり、部品を交換して比較す
る方法では、特定の光学部品の劣化は判別可能だが、全
系の劣化の評価を判別するまでに時間がかかるという問
題がある。
【００２１】本発明は、従来例のこれらの問題点に鑑み
て成されたものであり、照明光学系の光学部品の劣化を
認識できる露光装置及び半導体素子製造方法を提供する
ことを目的としている。
て成されたものであり、照明光学系の光学部品の劣化を
認識できる露光装置及び半導体素子製造方法を提供する
ことを目的としている。
【００２２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の露光装
置は光源と該光源からの光で第１物体を照明する照明光
学系を有し、該光源及び照明光学系を用いて前記第１物
体を照明することにより前記第１物体のパターンを感光
材を塗布した第２物体上に投影する露光装置において、
前記照明光学系に設けた、光量制御用の第１の光量検出
系と、前記光源の近傍に設けた、前記光源の光量を検出
する第２の光量検出系と、前記第１の光量検出系で検出
された光量と前記第２の光量検出系で検出された光量を
比較する手段とを有することを特徴としている。請求項
２の発明は請求項１の発明において前記第２の光量検出
系が前記照明光学系を構成する光学素子を介さないで前
記光源からの光を受光することを特徴としている。請求
項３の発明は請求項１の発明において前記第２の光量検
出系は前記光源側から順にシャッター機構と受光素子を
有することを特徴としている。請求項４の発明は請求項
１の発明において前記第２の光量検出系は冷却装置を有
することを特徴としている。請求項５の発明は請求項３
の発明において前記シャッター機構と前記受光素子の間
に前記光源からの光の量を弱めるフィルターを有するこ
とを特徴としている。請求項６の発明は請求項１の発明
において前記比較する手段の初期設定値とある期間経過
後の出力値の変化量が所定の基準を超えた場合に警報を
発生することを特徴としている。請求項７の発明は請求
項１〜６のいずれか１項の発明において前記第１物体と
前記第２物体の間に投影光学系を有することを特徴とし
ている。請求項８の発明の半導体素子製造方法はウエハ
または他の基板に感光材を塗布し、該感光材を塗布した
ウエハまたは他の基板に請求項１〜７のいずれか１項に
記載の露光装置を用いてマスクのパターンを転写するこ
とを特徴としている。
置は光源と該光源からの光で第１物体を照明する照明光
学系を有し、該光源及び照明光学系を用いて前記第１物
体を照明することにより前記第１物体のパターンを感光
材を塗布した第２物体上に投影する露光装置において、
前記照明光学系に設けた、光量制御用の第１の光量検出
系と、前記光源の近傍に設けた、前記光源の光量を検出
する第２の光量検出系と、前記第１の光量検出系で検出
された光量と前記第２の光量検出系で検出された光量を
比較する手段とを有することを特徴としている。請求項
２の発明は請求項１の発明において前記第２の光量検出
系が前記照明光学系を構成する光学素子を介さないで前
記光源からの光を受光することを特徴としている。請求
項３の発明は請求項１の発明において前記第２の光量検
出系は前記光源側から順にシャッター機構と受光素子を
有することを特徴としている。請求項４の発明は請求項
１の発明において前記第２の光量検出系は冷却装置を有
することを特徴としている。請求項５の発明は請求項３
の発明において前記シャッター機構と前記受光素子の間
に前記光源からの光の量を弱めるフィルターを有するこ
とを特徴としている。請求項６の発明は請求項１の発明
において前記比較する手段の初期設定値とある期間経過
後の出力値の変化量が所定の基準を超えた場合に警報を
発生することを特徴としている。請求項７の発明は請求
項１〜６のいずれか１項の発明において前記第１物体と
前記第２物体の間に投影光学系を有することを特徴とし
ている。請求項８の発明の半導体素子製造方法はウエハ
または他の基板に感光材を塗布し、該感光材を塗布した
ウエハまたは他の基板に請求項１〜７のいずれか１項に
記載の露光装置を用いてマスクのパターンを転写するこ
とを特徴としている。
【００２３】後述する本発明の実施例は、照明系６０内
の光学部品を通過する前の位置での光量を検出できるよ
うに、照明系６０の中に、照明光源である超高圧水銀灯
の光量モニター用センサーを新たに配置することを特徴
としている。照明系内の超高圧水銀灯付近は該水銀灯の
発熱により高温であるため、センサーは動作保証温度範
囲を超えてしまい、取り付けが不可能である。そのため
本発明ではセンサーを照明系外部に取り付けると同時
に、熱、光に対しそれぞれ冷却、減光手段を設けること
でセンサーの配置を可能とした。
の光学部品を通過する前の位置での光量を検出できるよ
うに、照明系６０の中に、照明光源である超高圧水銀灯
の光量モニター用センサーを新たに配置することを特徴
としている。照明系内の超高圧水銀灯付近は該水銀灯の
発熱により高温であるため、センサーは動作保証温度範
囲を超えてしまい、取り付けが不可能である。そのため
本発明ではセンサーを照明系外部に取り付けると同時
に、熱、光に対しそれぞれ冷却、減光手段を設けること
でセンサーの配置を可能とした。
【００２４】即ち超高圧水銀灯付近の外壁に穴をあけて
熱遮蔽板でできたシャッターを取り付け、装置稼働時は
該シャッターが閉じることで熱及び強力な光の遮断を行
う。シャッターの開放は装置アイドル時等、読み取りを
行うときのみ行われ、また該シャッターの後に耐熱フィ
ルターを配置し、その後の照明系外部にセンサーを配置
する。更に空冷ノズルによりシャッター以降の部分の冷
却も行われる。
熱遮蔽板でできたシャッターを取り付け、装置稼働時は
該シャッターが閉じることで熱及び強力な光の遮断を行
う。シャッターの開放は装置アイドル時等、読み取りを
行うときのみ行われ、また該シャッターの後に耐熱フィ
ルターを配置し、その後の照明系外部にセンサーを配置
する。更に空冷ノズルによりシャッター以降の部分の冷
却も行われる。
【００２５】以上の手段により、照明系外部に配置した
光学部品とセンサーの熱及び光により劣化を防止する。
その結果、光量モニターセンサーを経時変化なく、動作
保証範囲内で使用することを可能とした。
光学部品とセンサーの熱及び光により劣化を防止する。
その結果、光量モニターセンサーを経時変化なく、動作
保証範囲内で使用することを可能とした。
【００２６】本発明の実施例で新たに設けた光源の光量
モニター用の光量センサーからの出力は以下の手順で処
理されることを特徴とする。
モニター用の光量センサーからの出力は以下の手順で処
理されることを特徴とする。
【００２７】即ち、従来例で説明した定照度用の光量セ
ンサー信号と新たに配置した光源モニター用の光量セン
サーの出力信号（アナログ信号）をデジタル化し、ＣＰ
Ｕで数値を読み取るために新たにＡ／Ｄ変換の入力部を
設け、読み取ったデータをメモリに格納する。そして読
み取った該２つの光量比が規定条件上回ったら、警報を
出力するシーケンスをソフトにより作成し、表示及びブ
ザー等で警報出力する。
ンサー信号と新たに配置した光源モニター用の光量セン
サーの出力信号（アナログ信号）をデジタル化し、ＣＰ
Ｕで数値を読み取るために新たにＡ／Ｄ変換の入力部を
設け、読み取ったデータをメモリに格納する。そして読
み取った該２つの光量比が規定条件上回ったら、警報を
出力するシーケンスをソフトにより作成し、表示及びブ
ザー等で警報出力する。
【００２８】光量比の規定条件を決める方法は装置の設
置時に光源である超高圧水銀灯のモニター光量と定照度
センサーの光量比を基準値として設定される。この比が
一定値を上回った場合に警報出力が行われ、光学部品の
劣化が報知される。
置時に光源である超高圧水銀灯のモニター光量と定照度
センサーの光量比を基準値として設定される。この比が
一定値を上回った場合に警報出力が行われ、光学部品の
劣化が報知される。
【００２９】以上の手段により、本発明の実施例では水
銀灯の光路上に配置した光学部品の劣化の自動検知を可
能とした。定照度用の光量センサーとの組み合わせで光
量比を定量化できることで、光学部品の劣化の判断を投
影露光装置が稼働中でも自動検知することが可能となっ
た。
銀灯の光路上に配置した光学部品の劣化の自動検知を可
能とした。定照度用の光量センサーとの組み合わせで光
量比を定量化できることで、光学部品の劣化の判断を投
影露光装置が稼働中でも自動検知することが可能となっ
た。
【００３０】
【実施例】図１は本発明の実施例１の反射投影型の露光
装置の概略図である。以下、従来例と同一の部材につい
ては同一の番号を付けて表わす事とする。
装置の概略図である。以下、従来例と同一の部材につい
ては同一の番号を付けて表わす事とする。
【００３１】図中、６０は露光装置の光源及び照明光学
系を有する照明系、２０はマスク像をウエハーに転写す
る投影光学系と走査機構と不図示のアライメント機構等
を有する本体である。３０は露光装置全体のシーケンス
動作をコントロールするＣＰＵを含むコントロール・ボ
ックス、４０は露光装置の光源である超高圧水銀灯１を
点灯し、点灯時の電力を制御する点灯装置である。これ
らの各ユニットはケーブルを通して信号伝達、電力供給
を行っている。
系を有する照明系、２０はマスク像をウエハーに転写す
る投影光学系と走査機構と不図示のアライメント機構等
を有する本体である。３０は露光装置全体のシーケンス
動作をコントロールするＣＰＵを含むコントロール・ボ
ックス、４０は露光装置の光源である超高圧水銀灯１を
点灯し、点灯時の電力を制御する点灯装置である。これ
らの各ユニットはケーブルを通して信号伝達、電力供給
を行っている。
【００３２】次に光の進む順番に本装置の作用を説明す
る。１は光源の超高圧水銀灯で、以下、略して水銀灯１
と記す。水銀灯１は点灯装置４０の点灯操作により、高
電圧を印加するスターター４３を通して点灯される。２
は前記水銀灯１からの光源光を１点鎖線で示した光路方
向に光を収束させる球面鏡である。水銀灯１及び球面鏡
２で反射された光は１点鎖線で示した光路をたどり、ミ
ラー４、ミラー５、ミラー６、コンデンサーレンズ７、
ミラー８を経て、スリット９へ入射する、スリット９は
投影露光に使用する有効光を切り出す作用を行い、照明
光の形状をスリット状にする。
る。１は光源の超高圧水銀灯で、以下、略して水銀灯１
と記す。水銀灯１は点灯装置４０の点灯操作により、高
電圧を印加するスターター４３を通して点灯される。２
は前記水銀灯１からの光源光を１点鎖線で示した光路方
向に光を収束させる球面鏡である。水銀灯１及び球面鏡
２で反射された光は１点鎖線で示した光路をたどり、ミ
ラー４、ミラー５、ミラー６、コンデンサーレンズ７、
ミラー８を経て、スリット９へ入射する、スリット９は
投影露光に使用する有効光を切り出す作用を行い、照明
光の形状をスリット状にする。
【００３３】スリット状になった光は球面ミラー１０で
反射され、ハーフミラー１１により照明照度を一定に保
つ定照度制御用の光量モニターセンサー１２へ入射する
光と、本装置の露光用シャッタ１３へ入射する光とに分
けられる。光量モニターセンサー１２は光量信号を電流
値に変換する。光量モニターセンサー１２はハーフミラ
ー１１の透過光を受光するため光量は十分に減光されて
おり、使用温度環境も水銀灯１より十分離れているた
め、使用温度範囲に入っている。そのため光量モニター
センサー１２は使用上の劣化はない。
反射され、ハーフミラー１１により照明照度を一定に保
つ定照度制御用の光量モニターセンサー１２へ入射する
光と、本装置の露光用シャッタ１３へ入射する光とに分
けられる。光量モニターセンサー１２は光量信号を電流
値に変換する。光量モニターセンサー１２はハーフミラ
ー１１の透過光を受光するため光量は十分に減光されて
おり、使用温度環境も水銀灯１より十分離れているた
め、使用温度範囲に入っている。そのため光量モニター
センサー１２は使用上の劣化はない。
【００３４】２７は光量モニターセンサー１２の電流信
号出力を電圧に変換し、電圧増幅するアンプ回路であ
る。アンプ回路２７により電圧増幅された光量モニター
信号は定照度モニター信号として点灯装置４０に入力さ
れる。
号出力を電圧に変換し、電圧増幅するアンプ回路であ
る。アンプ回路２７により電圧増幅された光量モニター
信号は定照度モニター信号として点灯装置４０に入力さ
れる。
【００３５】露光シャッター１３に入射する光は露光シ
ャッター１３により開放、遮断制御される。露光シャッ
ター１３は装置動作シーケンスが露光になると開放とな
り、スリット状の照明光がミラー１４、凹面ミラー１５
で反射されてマスク１６に入射する。
ャッター１３により開放、遮断制御される。露光シャッ
ター１３は装置動作シーケンスが露光になると開放とな
り、スリット状の照明光がミラー１４、凹面ミラー１５
で反射されてマスク１６に入射する。
【００３６】マスク１６とウエハー２２はキャリッジ２
１により一体に担持されている。マスク１６の像（パタ
ーン）は台形ミラー１７、凹面ミラー１８、凸面ミラー
１９、凹面ミラー１８、台形ミラー１７を介してウエハ
ー２２上に結像される。マスク１６とウエハー２２が一
体で移動することで、マスク１６に入射するスリット状
の光のマスクに対する位置が移動し、マスク１６の投影
像の全体がウエハー２２全面に転写される。
１により一体に担持されている。マスク１６の像（パタ
ーン）は台形ミラー１７、凹面ミラー１８、凸面ミラー
１９、凹面ミラー１８、台形ミラー１７を介してウエハ
ー２２上に結像される。マスク１６とウエハー２２が一
体で移動することで、マスク１６に入射するスリット状
の光のマスクに対する位置が移動し、マスク１６の投影
像の全体がウエハー２２全面に転写される。
【００３７】以上は図５の従来例と同一の配置である
が、本発明の特長は照明系６０の水銀灯１の近傍に配置
された要素２６以下のセンサー系である。この系には耐
熱ガラスフィルター（フィルター）２３が水銀灯１の強
い光量を弱める働きをする目的で配置されている。２４
は水銀灯１の光量をモニターする基準光量センサー、２
５は該基準光量センサー２４を保持し、光の外部への漏
れを防止するカバーである。これらは不図示の空冷ノズ
ルにより強制冷却されている。
が、本発明の特長は照明系６０の水銀灯１の近傍に配置
された要素２６以下のセンサー系である。この系には耐
熱ガラスフィルター（フィルター）２３が水銀灯１の強
い光量を弱める働きをする目的で配置されている。２４
は水銀灯１の光量をモニターする基準光量センサー、２
５は該基準光量センサー２４を保持し、光の外部への漏
れを防止するカバーである。これらは不図示の空冷ノズ
ルにより強制冷却されている。
【００３８】２６はフィルター２３、基準光量センサー
２４の光学部品及びセンサー２４の保護シャッターで、
シャッター駆動回路３５により不図示のアクチュエータ
ーを駆動することで動作する。保護シャッター２６は基
準光量センサー２４を用いて光量計測しないときには閉
じる構造となっており、フィルター２３、基準光量セン
サー２４の光学部品及びセンサーの劣化を防止する。こ
のため保護シャッター２６には部品も熱遮蔽を行うもの
を使用し、熱伝達を押さえている。
２４の光学部品及びセンサー２４の保護シャッターで、
シャッター駆動回路３５により不図示のアクチュエータ
ーを駆動することで動作する。保護シャッター２６は基
準光量センサー２４を用いて光量計測しないときには閉
じる構造となっており、フィルター２３、基準光量セン
サー２４の光学部品及びセンサーの劣化を防止する。こ
のため保護シャッター２６には部品も熱遮蔽を行うもの
を使用し、熱伝達を押さえている。
【００３９】以上の強光、高温から保護する手段によ
り、基準光量センサー２４は劣化することなく基準値を
示すセンサーとして使用できる。
り、基準光量センサー２４は劣化することなく基準値を
示すセンサーとして使用できる。
【００４０】また保護シャッター２６以下の新たなセン
サー系は照明系で本来使用していなかった部分の光を利
用して配置されるか、または照明系のごく一部の光を利
用するだけなので、照明系の光量の損失は実質的にまっ
たくないようにすることができる。
サー系は照明系で本来使用していなかった部分の光を利
用して配置されるか、または照明系のごく一部の光を利
用するだけなので、照明系の光量の損失は実質的にまっ
たくないようにすることができる。
【００４１】コントロール・ボックス３０は装置全体の
シーケンスプログラムを内蔵しているＲＯＭ３１、前記
動作シーケンスプログラムを演算、シーケンス処理する
中央処理装置ＣＰＵ３６、演算処理データを記憶するＲ
ＡＭ３２、該ＲＡＭ３２を装置電源ＯＦＦ時にバックア
ップするバッテリー電源３８、装置各部の不図示のアク
チュエーター信号を入出力するインターフェイス回路３
３、前記のキャリッジ２１を不図示のアクチュエーター
を駆動して移動動作をさせるキャリッジ駆動回路３４、
露光用シャッター１３を駆動するシャッター駆動回路３
５、Ａ／Ｄ変換回路３７より成っている。
シーケンスプログラムを内蔵しているＲＯＭ３１、前記
動作シーケンスプログラムを演算、シーケンス処理する
中央処理装置ＣＰＵ３６、演算処理データを記憶するＲ
ＡＭ３２、該ＲＡＭ３２を装置電源ＯＦＦ時にバックア
ップするバッテリー電源３８、装置各部の不図示のアク
チュエーター信号を入出力するインターフェイス回路３
３、前記のキャリッジ２１を不図示のアクチュエーター
を駆動して移動動作をさせるキャリッジ駆動回路３４、
露光用シャッター１３を駆動するシャッター駆動回路３
５、Ａ／Ｄ変換回路３７より成っている。
【００４２】Ａ／Ｄ変換回路３７は光量モニターセンサ
ー１２及び基準光量センサー２４のアナログ信号をデジ
タル化してインターフェイス回路３３を通して、ＣＰＵ
３６により数値読み取りを可能としている。
ー１２及び基準光量センサー２４のアナログ信号をデジ
タル化してインターフェイス回路３３を通して、ＣＰＵ
３６により数値読み取りを可能としている。
【００４３】図２はＡ／Ｄ変換回路３７の内部ブロック
図である。図中、５１は電流電圧変換回路、５２は可変
電圧増幅器、５３はアナログスイッチ、５４はサンプル
ホールド、５５はＡ／Ｄ変換器である。Ａ／Ｄ変換回路
３７には水銀灯１の光量モニターセンサー２４からの信
号と、定照度モニター１２からの信号という２つの信号
が入力される。基準光量センサー２４の電流信号ｉは電
流電圧変換回路５１で出力電圧Ｖ1 となり、可変電圧増
幅器５２で電圧出力Ｖ2 に変換される。
図である。図中、５１は電流電圧変換回路、５２は可変
電圧増幅器、５３はアナログスイッチ、５４はサンプル
ホールド、５５はＡ／Ｄ変換器である。Ａ／Ｄ変換回路
３７には水銀灯１の光量モニターセンサー２４からの信
号と、定照度モニター１２からの信号という２つの信号
が入力される。基準光量センサー２４の電流信号ｉは電
流電圧変換回路５１で出力電圧Ｖ1 となり、可変電圧増
幅器５２で電圧出力Ｖ2 に変換される。
【００４４】可変電圧増幅器５２の調整は以下のように
行う。
行う。
【００４５】まず反射型投影露光装置の照明系の光学部
品の透過率、反射率の劣化のない初期状態で校正のため
の調整を行う。水銀灯１の基準光量をモニターするセン
サー２４は照明光学系を介さずに直接水銀灯１から来る
光を受光している。水銀灯１から射出される基準光量に
比例する電圧Ｖ2 は基準となる新しい水銀灯を点灯し、
投影露光装置で使用するウエハー像面での照度を測定す
る測定器を用いて校正し、基準光量と電圧の比を規定す
る。
品の透過率、反射率の劣化のない初期状態で校正のため
の調整を行う。水銀灯１の基準光量をモニターするセン
サー２４は照明光学系を介さずに直接水銀灯１から来る
光を受光している。水銀灯１から射出される基準光量に
比例する電圧Ｖ2 は基準となる新しい水銀灯を点灯し、
投影露光装置で使用するウエハー像面での照度を測定す
る測定器を用いて校正し、基準光量と電圧の比を規定す
る。
【００４６】同様に定照度センサー１２への入射光量
と、該光量に比例する電圧Ｖ3 も前記照度測定器により
電圧／光量の基準値の校正を行う。次いで電圧Ｖ3 に対
して電圧Ｖ2 を一定倍した値に校正する。この一定倍の
比率は基準となる光源、照明光学系、基準光量センサー
系の構成等によって決まる値で、各々の初期値の相互関
係が分かれば明確に規定することができる。
と、該光量に比例する電圧Ｖ3 も前記照度測定器により
電圧／光量の基準値の校正を行う。次いで電圧Ｖ3 に対
して電圧Ｖ2 を一定倍した値に校正する。この一定倍の
比率は基準となる光源、照明光学系、基準光量センサー
系の構成等によって決まる値で、各々の初期値の相互関
係が分かれば明確に規定することができる。
【００４７】基準光量センサーの電圧出力Ｖ2 と定照度
モニター信号出力Ｖ3 はアナログスイッチ５３によりサ
ンプルホールド５４への入力信号として選択される。切
り替え信号はインターフェイス回路３３より入力され、
ソフトシーケンスで切り替え可能となっている。サンプ
ルホールド５４でサンプルされた信号はＡ／Ｄ変換器５
５でデジタル値に変換され、インターフェイス回路３３
を通してＣＰＵ３６で読み取られる。
モニター信号出力Ｖ3 はアナログスイッチ５３によりサ
ンプルホールド５４への入力信号として選択される。切
り替え信号はインターフェイス回路３３より入力され、
ソフトシーケンスで切り替え可能となっている。サンプ
ルホールド５４でサンプルされた信号はＡ／Ｄ変換器５
５でデジタル値に変換され、インターフェイス回路３３
を通してＣＰＵ３６で読み取られる。
【００４８】即ちＡ／Ｄ変換回路３７を通して水銀灯１
の基準光量と、水銀灯１の光が４〜１１の光学部品を通
過した後の照明照度をＣＰＵ３６にて読み取ることが可
能となる。
の基準光量と、水銀灯１の光が４〜１１の光学部品を通
過した後の照明照度をＣＰＵ３６にて読み取ることが可
能となる。
【００４９】次に光学部品４〜１１の透過率、反射率の
劣化をソフトシーケンスにより検出するアルゴリズムに
ついて記述する。基本的な考え方は水銀灯１の基準光量
センサー２４に入射する光量と光量モニターセンサー１
２で読み取った照明照度の比の数値が、照明光学系の劣
化により変化することを検出することである。この数値
に一定の基準を設けることで、光学部品の劣化を検出す
ることができる。
劣化をソフトシーケンスにより検出するアルゴリズムに
ついて記述する。基本的な考え方は水銀灯１の基準光量
センサー２４に入射する光量と光量モニターセンサー１
２で読み取った照明照度の比の数値が、照明光学系の劣
化により変化することを検出することである。この数値
に一定の基準を設けることで、光学部品の劣化を検出す
ることができる。
【００５０】水銀灯１の基準光量センサー２４に比例す
る電圧Ｖ2、光量モニターセンサー１２に比例する電圧Ｖ
3 による初期設定値の比をＡ、ある期間経過後の基準光
量センサー２４に比例する電圧Ｖ2' 、光量モニターセン
サー１２に比例する電圧Ｖ3'による比をＡ' とすると Ａ＝Ｖ2/Ｖ3 ， Ａ' ＝Ｖ2'/ Ｖ3' ・・・・・・（１） となる。ここで電圧Ｖ3 と電圧Ｖ3'の値は定照度制御が
行われているためほとんど変化はない。
る電圧Ｖ2、光量モニターセンサー１２に比例する電圧Ｖ
3 による初期設定値の比をＡ、ある期間経過後の基準光
量センサー２４に比例する電圧Ｖ2' 、光量モニターセン
サー１２に比例する電圧Ｖ3'による比をＡ' とすると Ａ＝Ｖ2/Ｖ3 ， Ａ' ＝Ｖ2'/ Ｖ3' ・・・・・・（１） となる。ここで電圧Ｖ3 と電圧Ｖ3'の値は定照度制御が
行われているためほとんど変化はない。
【００５１】光学部品４〜１１が劣化すると光量モニタ
ーセンサー１２に入射する光量が減少するため、定照度
制御の結果、水銀灯１の光量が増大する。そのため式
(2)が成り立つ。 Ａ＜Ａ' ・・・・・・（２） 従って劣化の判別式（３）は、Ｂを予め設定された劣化
の度合いを表すパラメーターとして次のように与えられ
る。
ーセンサー１２に入射する光量が減少するため、定照度
制御の結果、水銀灯１の光量が増大する。そのため式
(2)が成り立つ。 Ａ＜Ａ' ・・・・・・（２） 従って劣化の判別式（３）は、Ｂを予め設定された劣化
の度合いを表すパラメーターとして次のように与えられ
る。
【００５２】 Ａ'/Ａー１＞Ｂ ・・・・・・（３） パラメーターＢの値は不図示のコンソール等で入力して
も良いし、ソフトで固定値にしてもよい。劣化パラメー
ターＢという基準を超えた場合、装置は光学部品が劣化
したと判断を下すことになる。
も良いし、ソフトで固定値にしてもよい。劣化パラメー
ターＢという基準を超えた場合、装置は光学部品が劣化
したと判断を下すことになる。
【００５３】図３は前記光学部品劣化を検知する基準光
量のデータ入力を行うフローチャートである。２つのフ
ローチャートのうち、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のフロー
にある光量データ入力処理の内容を示している。基準光
量データは最初に入力すれば基本的には装置の故障でも
ない限り再入力されないため、シーケンス上で特殊モー
ド扱いにすればよい。
量のデータ入力を行うフローチャートである。２つのフ
ローチャートのうち、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のフロー
にある光量データ入力処理の内容を示している。基準光
量データは最初に入力すれば基本的には装置の故障でも
ない限り再入力されないため、シーケンス上で特殊モー
ド扱いにすればよい。
【００５４】実際の手順ではまず手動で基準光量入力の
特殊モード設定に切り換えて、ソフトを自動的に基準光
量データ処理を行う状態とする。
特殊モード設定に切り換えて、ソフトを自動的に基準光
量データ処理を行う状態とする。
【００５５】次に光量データの入力が行われる。ＣＰＵ
３６はアナログスイッチ５３を定照度信号電圧のＶ3 側
に切り換える信号を発生し、電圧Ｖ3 はインターフェイ
ス回路３３を通してＡ／Ｄ変換回路３７に入力される。
入力電圧Ｖ3 はＡ／Ｄ変換され、該変換されたデータを
ＣＰＵ３６がインターフェイス回路３３を通して読み取
って、ＣＰＵ内部の不図示のレジスタに格納する。ＣＰ
Ｕ３６は次いで図１で示した保護シャッター２６を開放
する信号をインターフェイス回路３３を通してシャッタ
ー駆動回路３５に送り、保護シャッター２６を開放す
る。
３６はアナログスイッチ５３を定照度信号電圧のＶ3 側
に切り換える信号を発生し、電圧Ｖ3 はインターフェイ
ス回路３３を通してＡ／Ｄ変換回路３７に入力される。
入力電圧Ｖ3 はＡ／Ｄ変換され、該変換されたデータを
ＣＰＵ３６がインターフェイス回路３３を通して読み取
って、ＣＰＵ内部の不図示のレジスタに格納する。ＣＰ
Ｕ３６は次いで図１で示した保護シャッター２６を開放
する信号をインターフェイス回路３３を通してシャッタ
ー駆動回路３５に送り、保護シャッター２６を開放す
る。
【００５６】シャッター２６の開放後、ＣＰＵ３６は図
２の入力切り換え信号をＶ2 側に切り換え、Ｖ2 をＡ／
Ｄ変換したデータをインターフェイス回路３３を通して
読み取って、ＣＰＵ内部のレジスタに格納する。電圧Ｖ
2 のデータを読み取った後、保護シャッター２６は遮断
される。ＣＰＵ３６の内部レジスタにある前記２つのデ
ータＶ2 ，Ｖ3 はＲＡＭ３２のバッテリバックアップし
てある不揮発メモリ領域に格納され、データ値を確認し
たい場合には光量データ表示を表示器４５に表示するこ
とができる。
２の入力切り換え信号をＶ2 側に切り換え、Ｖ2 をＡ／
Ｄ変換したデータをインターフェイス回路３３を通して
読み取って、ＣＰＵ内部のレジスタに格納する。電圧Ｖ
2 のデータを読み取った後、保護シャッター２６は遮断
される。ＣＰＵ３６の内部レジスタにある前記２つのデ
ータＶ2 ，Ｖ3 はＲＡＭ３２のバッテリバックアップし
てある不揮発メモリ領域に格納され、データ値を確認し
たい場合には光量データ表示を表示器４５に表示するこ
とができる。
【００５７】図４は光学部品劣化の判別処理を行うフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【００５８】光学部品の劣化は数カ月のオーダーで少し
ずつ進行するため、部品の劣化の判別を常時行う必要は
ない。従って一定間隔ごとに装置のアイドル時にチェッ
クを行えば、装置の稼働率を落とすことはない。定期的
なチェックはタイマー機能により検知指令を作ることで
容易に実現できる。
ずつ進行するため、部品の劣化の判別を常時行う必要は
ない。従って一定間隔ごとに装置のアイドル時にチェッ
クを行えば、装置の稼働率を落とすことはない。定期的
なチェックはタイマー機能により検知指令を作ることで
容易に実現できる。
【００５９】図４に示したように検知指令があればＣＰ
Ｕ３６は光量データの入力処理に入り、ない場合には何
もしないで判別フローを抜ける。光量データの入力処理
に入った場合は、図３の基準光量データの入力処理フロ
ー中の光量入力と同一の処理が行われ、チェック時点で
の電圧Ｖ2 ，Ｖ3 をＡ／Ｄ変換したデータが得られる。
このデータにより式（３）で示す判別式で光学部品の劣
化判別を行い、劣化の条件を満足した場合には予め定め
られた警報処理を行う。警報処理はブザー３９を鳴らす
とか、劣化を表す表示を表示器４５に行う等の手段でよ
い。
Ｕ３６は光量データの入力処理に入り、ない場合には何
もしないで判別フローを抜ける。光量データの入力処理
に入った場合は、図３の基準光量データの入力処理フロ
ー中の光量入力と同一の処理が行われ、チェック時点で
の電圧Ｖ2 ，Ｖ3 をＡ／Ｄ変換したデータが得られる。
このデータにより式（３）で示す判別式で光学部品の劣
化判別を行い、劣化の条件を満足した場合には予め定め
られた警報処理を行う。警報処理はブザー３９を鳴らす
とか、劣化を表す表示を表示器４５に行う等の手段でよ
い。
【００６０】以上の手段を用いれば装置の稼働率を落と
すことなく、自動で照明光学系の部品の劣化の判定を行
うことができる。
すことなく、自動で照明光学系の部品の劣化の判定を行
うことができる。
【００６１】図１の実施例ではＡ／Ｄ変換回路３７の構
成に電流電圧変換回路、電圧増幅器が入っていたが、こ
の部分はアンプ回路２７の構成に入れてもよい。また定
照度モニターセンサー１２を光量の変化の読み取りに使
用したが、本発明の目的が長期の変動を検知することで
あるところから経時変化に対してより安定な系を作るた
め、もう一つ別のセンサーをモニターセンサー１２と並
べて光束が当たるよう配置し、基準センサーと同様にシ
ャッター機構をつけ、読み取りが必要なときのみ光量計
測するようにしてもよい。
成に電流電圧変換回路、電圧増幅器が入っていたが、こ
の部分はアンプ回路２７の構成に入れてもよい。また定
照度モニターセンサー１２を光量の変化の読み取りに使
用したが、本発明の目的が長期の変動を検知することで
あるところから経時変化に対してより安定な系を作るた
め、もう一つ別のセンサーをモニターセンサー１２と並
べて光束が当たるよう配置し、基準センサーと同様にシ
ャッター機構をつけ、読み取りが必要なときのみ光量計
測するようにしてもよい。
【００６２】一方、経験的に劣化の生じる光学部品は要
素４〜１１の中で予め特定することができる。従って劣
化の可能性の高い光学部品について、別個に経時変化を
検知できるセンサー系を配置しても本発明の目的は達せ
られる。この場合には定照度モニターセンサー１２まで
の照明光学系において、前記特定の光学部品の前後に光
量をモニターできるようにセンサーを配置することで、
特定の光学部品の劣化を検知できる。光量センサーは可
能な限り、光学部品それぞれに対して複数個配置すると
よい。
素４〜１１の中で予め特定することができる。従って劣
化の可能性の高い光学部品について、別個に経時変化を
検知できるセンサー系を配置しても本発明の目的は達せ
られる。この場合には定照度モニターセンサー１２まで
の照明光学系において、前記特定の光学部品の前後に光
量をモニターできるようにセンサーを配置することで、
特定の光学部品の劣化を検知できる。光量センサーは可
能な限り、光学部品それぞれに対して複数個配置すると
よい。
【００６３】以上述べてきたように本発明の実施例では
超高圧水銀灯から直接取り出した光と、照明光学系内の
各種光学素子を経てきた光の強度比を取ることにより、
自動で光学素子の劣化を検知することを可能とした。
超高圧水銀灯から直接取り出した光と、照明光学系内の
各種光学素子を経てきた光の強度比を取ることにより、
自動で光学素子の劣化を検知することを可能とした。
【００６４】この結果、現状でのサービスマン等による
目視確認、あるいは基準となる光学部品と交換しながら
照度計により光量を求め、基準との光量比で低下率を求
める透過率、反射率の低下度測定というような、照度低
下と言う問題が発生してから後手に回って行われるメン
テナンスをタイムリーに、かつ容易に行うことができる
という効果がある。
目視確認、あるいは基準となる光学部品と交換しながら
照度計により光量を求め、基準との光量比で低下率を求
める透過率、反射率の低下度測定というような、照度低
下と言う問題が発生してから後手に回って行われるメン
テナンスをタイムリーに、かつ容易に行うことができる
という効果がある。
【００６５】メンテンナンスの作業は時間を要し、装置
のダウンタイムが長いため、後手に回っての対処は問題
が既に起きているだけにロスが大きい。自動検出はメン
テネンスを容易にするのみならず、予め予定を立てて作
業できるため、装置の稼働率の低下も少なくて済むと言
う利点がある。
のダウンタイムが長いため、後手に回っての対処は問題
が既に起きているだけにロスが大きい。自動検出はメン
テネンスを容易にするのみならず、予め予定を立てて作
業できるため、装置の稼働率の低下も少なくて済むと言
う利点がある。
【００６６】また本発明の実施例は曇りの影響によるラ
ンプ寿命の低下の防止にも効果が大きい。照明系内の光
学部品のクモリによる透過率や反射率の低下は、光量モ
ニターセンサーへの光量を減少させる。通常使用される
定照度モード点灯では定照度用の光量モニターに入射す
る光量を一定に保つフィードバック制御を行っているた
め、曇りはランプに供給する電力を増加させる。
ンプ寿命の低下の防止にも効果が大きい。照明系内の光
学部品のクモリによる透過率や反射率の低下は、光量モ
ニターセンサーへの光量を減少させる。通常使用される
定照度モード点灯では定照度用の光量モニターに入射す
る光量を一定に保つフィードバック制御を行っているた
め、曇りはランプに供給する電力を増加させる。
【００６７】その結果、ランプの電極が早く痛み、寿命
が低下することになる。自動検出は装置稼動中でも検出
が可能なため、部品劣化の具合が一定量を超えたら、警
報を発生することができ、事前にランプ寿命の低下を防
止できるという効果がある。
が低下することになる。自動検出は装置稼動中でも検出
が可能なため、部品劣化の具合が一定量を超えたら、警
報を発生することができ、事前にランプ寿命の低下を防
止できるという効果がある。
【発明の効果】以上、本発明によれば、照明光学系の光
学部品の劣化を認識できる露光装置及び半導体製造方法
が得られる。
学部品の劣化を認識できる露光装置及び半導体製造方法
が得られる。
【図１】 本発明の実施例１を示した露光装置の概略図
【図２】 Ａ／Ｄ変換回路の説明図
【図３】 基準光量値入力のシーケンス処理説明のフロ
ーチャート
ーチャート
【図４】 光学部品劣化の判別処理説明のフローチャー
ト
ト
【図５】 従来例を示す露光装置の概略図
１ 超高圧水銀灯 ２ 球面鏡 ４，５，６，８ ミラー ７ コンデンサーレンズ ９ スリット １０ 球面ミラー １１ ハーフミラー １２ 光量モニターセンサー １３ シャッター １４ ミラー １５ 凹面ミラー １６ マスク １７ 台形ミラー １８ 凹面ミラー ２０ ウエハー ２１ キャリッジ ２２ 本体 ２３ 耐熱ガラスフィルター ２４ 水銀灯の光量モニター ２５ 光量センサーカバー ２６ 保護シャッター ３０ コントロールボックス ３１ ＲＯＭ ３２ ＲＡＭ ３３ インターフェイス回路 ３４ キャリッジ駆動回路 ３５ シャッター駆動回路 ３６ ＣＰＵ ３８ バッテリー ３９ ブザー ４０ 点灯装置 ４３ 表示器 ５１ 電流電圧変換回路 ５２ 可変電圧増幅器 ５３ アナログスイッチ ５４ サンプルホールド回路 ５５ Ａ／Ｄ変換回路 ６０ 照明系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 光源と該光源からの光で第１物体を照明
する照明光学系を有し、該光源及び照明光学系を用いて
前記第１物体を照明することにより前記第１物体のパタ
ーンを感光材を塗布した第２物体上に投影する露光装置
において、 前記照明光学系に設けた、光量制御用の第１の光量検出
系と、 前記光源の近傍に設けた、前記光源の光量を検出する第
２の光量検出系と、 前記第１の光量検出系で検出された光量と前記第２の光
量検出系で検出された光量を比較する手段とを有するこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記第２の光量検出系が前記照明光学系
を構成する光学素子を介さないで前記光源からの光を受
光することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記第２の光量検出系は前記光源側から
順にシャッター機構と受光素子を有することを特徴とす
る請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記第２の光量検出系は冷却装置を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記シャッター機構と前記受光素子の間
に前記光源からの光の量を弱めるフィルターを有するこ
とを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記比較する手段の初期設定値とある期
間経過後の出力値の変化量が所定の基準を超えた場合に
警報を発生することを特徴とする請求項1に記載の露光
装置。 - 【請求項７】 前記第１物体と前記第２物体の間に投影
光学系を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれ
か１項に記載の露光装置。 - 【請求項８】 ウエハまたは他の基板に感光材を塗布
し、該感光材を塗布したウエハまたは他の基板に請求項
１〜７のいずれか１項に記載の露光装置を用いてマスク
のパターンを転写することを特徴とする半導体素子製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616393A JP3282300B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 露光装置及び半導体素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616393A JP3282300B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 露光装置及び半導体素子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226353A JPH07226353A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3282300B2 true JP3282300B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=16008771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17616393A Expired - Fee Related JP3282300B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 露光装置及び半導体素子製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282300B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP6226220B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-11-08 | 大日本印刷株式会社 | 照明装置、投射装置、スキャナおよび露光装置 |
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-
1993
- 1993-06-23 JP JP17616393A patent/JP3282300B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07226353A (ja) | 1995-08-22 |
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