KR0167385B1 - 주사형 노과장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법 - Google Patents

주사형 노과장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 주사형 노광장치는, 노광의 불균일을 경감시키는 것을 목적으로 하며, 그 구체적인 구성은, 조사빔으로 마스크에 조사를 개시하기 전에 개시되는, 상대이동을 조사빔과 마스크 및 이 마스크의 패턴으로 노광될 기판사이에 부여하는 스캐너와; 조사의 강도를 감소시키기 위해 상기 상대이동개시 및 조명개시시각전에, 조사광원을 제어하여 조사빔의 방출을 개시하는 제어기를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

주사형 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법
제1도는 엑시머레이저의 방출을 파형으로 도시한 도면.
제2도는 엑시머레이저로부터 방출된 에너지의 변동을 도시한 그래프.
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 주사형 노광장치의 블록도.
제4도는 펄스에너지의 과도적인 특성을 표시한 그래프.
제5도는 제3도의 노광장치의 순차적인 노광동작을 표시한 순서도.
제6도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 노광장치에 있어서의 펄스에너지의 과도적인 특성을 표시한 그래프.
제7도는 반도체디바이스의 제조공정을 표시한 순서도.
제8도는 웨이퍼프로세스의 동작순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 펄스레이저 2 : 조명광학계
3 : 투영광학계 4 : 하프미러
5 : 포토센서 6 : 적분회로
7 : 제어기 8 : 레이저빔출력제어기
9 : 레티클스테이지 10 : 웨이퍼스테이지
11 : 스테이지제어기 R : 레티클
W : 웨이퍼
본 발명은 주사형 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 IC, LSI, CCD, 액정패널, 자기헤드 등의 각종 디바이스를 제조하기 위하여 사용할 수 있는 주사형 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
종래부터, 초고압수은등으로부터 방사된 광에 대하여 마스크와 웨이퍼를 이동시킴으로써 마스크와 웨이퍼의 패턴영역을 주사하여, 해당 마스크의 패턴을 웨이퍼의 패턴영역상에 투영하는 주사형 노광장치가 잘 알려져 있다.
이 주사형 노광장치의 분해능을 향상하기 위하여, 원자외선을 방사하는 펄스레이저를 사용하는 것이 고려되고 있다. 이러한 펄스레이저의 대표적인 것으로 엑시머레이저가 있다.
그러나, 초고압수은등을 엑시머레이저로 대체하면, 다음과 같은 문제가 발생한다.
[1] 엑시머레이저를 사용해서 주사노광을 행하는 경우, 레이저의 발진은, 제1도에 도시한 바와 같이, 레이저가 n sec동안 발진하고 m sec동안 정지하는 버스트모드(burst mode)로 된다. 그러나, 엑시머레이저를 버스트모드로 발진시키면, 제2도에 도시한 바와 같이, 방전전압이 일정한 경우에는 버스트의 개시시에 첫번째의 수개의 펄스는 방출에너지가 높게 된다. 이것은, 엑시머레이저가 가스레이저이고, 또한 방전부에 존재하는 가스(레이저매질)의 상태가 발진개시시 및 수개의 펄스발진 후에 도달된 정상상태사이에서 다르기 때문이다.
주사형 노광장치의 경우, 엑시머레이저의 방출에너지가 웨이퍼노광중에 변화하면, 노광의 불균일이 발생한다.
[2] 엑시머레이저의 경우에는, 동일한 값의 방전전압을 인가한 때에도 가스(레이저매질)의 경사변화 및 레이저장치에 사용된 광학부품의 열화나 오염 등에 의해 방출에너지가 변화한다. 따라서, 버스트가 개시하기 전에 방전전압 등의 제어파라미터를 설정해도, 항상 소정의 방출에너지를 얻는 것이 불가능하며, 그 결과, 소정의 적정한 노광량을 유지할 수 없다. 펄스광으로 웨이퍼를 주사하지 않을 경우에는, 노광중에 제어파라미터를 변화시켜서 소정의 노광량을 얻는 것도 가능하나, 주사형 노광장치에서는, 노광중의 제어파라미터의 변경이 노광의 불균일을 일으킬 경우가 있다.
따라서, 본 발명의 주목적은, 노광의 불균일을 경감시키는 것이 가능한 주사형 노광장치 및 이를 이용한 디바이스의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 한 측면에 의하면, 빔을 조사하는 조사광원과, 상기 빔에 대해서 기판을 주사이동시키는 주사수단과, 상기 주사수단을 접근하여 이동하는 동안 상기 조사광원을 제어하는 수단을 구비한 주사형 노광장치가 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 조사빔을 조사하는 조사광원과, 조사빔으로 마스크에 조사를 개시하기 전에 개시되는 상대적인 이동을 조사빔과 마스크 및 이 마스크의 패턴으로 노광될 기판사이에 부여하는 수단과, 조사의 강도를 감소시키기 위하여, 상기 상대적인 이동의 개시 및 조사개시 전에 조사광원을 제어하여 조사빔의 방사를 개시하는 제어수단을 구비한 주사형 노광장치가 제공된다.
본 발명의 바람직한 측면에 의하면, 엑시머레이저 등의 펄스레이저가 조사광원으로서 사용된다.
또, 본 발명의 바람직한 측면에 의하면, 상기 제어수단은 접근하는 기간동안 또는 주사개시부터 조사개시까지의 기간내에 기판에 대한 적정한 노광량과 주사속도에 응답해서 조사빔의 강도를 소정 레벨로 설정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 바람직한 측면에 의하면, 상기 제어수단은 접근하는 기간동안 또는 주사개시부터 조사개시까지의 기간동안 기판에 대한 적정노광량과 조사빔의 강도에 응답해서 마스크와 기판의 주사속도를 소정 레벨로 설정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 목적, 기타목적, 특성 및 이점 등은, 첨부도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예의 이하의 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 장치의 개략도를 도시한 것으로서, IC, LSI, CCD, 액정패널, 자기헤드 등의 각종 디바이스를 제조하는 데 사용가능한 주사형 노광장치를 도시한 것이다.
제3도에 도시한 바와 같이, 펄스레이저(1)는 KrF를 이용하는 엑시머레이저의 형태이며, 펄스화된 레이저빔(펄스빔)을 발생하는 광원(또는 조사원)이다. 이 광원에서 발생된 빔은 중심파장이 248㎚로, 원자외선영역에 있다. 조명광학계(2)를 도시하지 않은 빔정형 광학계, 옵티컬 인터그레이터, 콜리메이터렌즈 및 미러(반사경) 등의 부재로 구성된다. 이들 부재는 레이저(1)에서 발생된 원자외선영역의 펄스빔을 효율적으로 투과 또는 반사하는 재료로 형성되어 있다. 빔정형광학계는 입사빔의 단면형상(치수포함)을 소망의 형상으로 정형하는 역할을 하고, 옵티컬 인터그레이터는 광의 강도분포를 균일하게 해서 레티클에 균일한 조도로 조명하는 역할을 한다. 레티클스테이지(9)는, 조명광학계(2)로부터의 펄스빔의 광로에, 집적회로패턴(디바이스패턴)이 형성된 레티클(마스크)(R)을 위치시키기 위하여 이동가능하다. 투영광학계(3)는 레티클(R)의 디바이스패턴의 상을 웨이퍼스테이지(10)위에 배치된 웨이퍼(W)상에 결상하는 역할을 하며, 스테이지제어기(11)는, 레티클스테이지(9)와 웨이퍼스테이지(10)를 서로 동기시켜서 각각 소정의 속도로 이동시키는 역할을 한다. 조명광학계(2)로부터의 펄스빔의 광로에는, 하프미러(half mirror)(4)가 배치되고, 이 하프미러(2)는 자외선에 민감한 포토센서(5)를 향해 펄스빔을 일부 반사시킨다. 이 포토센서(5)에 의해 검출된 펄스빔의 강도(에너지)를 나타내는 출력은 적분회로(6)에 의해 펄스빔의 1펄스당의 노광량으로 변환되고, 웨이퍼(W)의 노광량은 제어기(7)로 입력된다. 레이저빔출력제어기(8)는 제어기(7)에 의한 연산결과에 의거해서 레이저(1)를 제어하고, 펄스마다 필요에 따라서 에너지를 제어하여, 이와 같이 제어된 펄스빔에 의해 레티클(R)의 디바이스패턴이 웨이퍼(W)상에 투영된다. 또, 엑시머레이저를 버스트모드로 방출시키면, 제2도에 도시한 바와 같이, 첫번째의 개수의 펄스는 그의 출력이 높은 레벨로 된다. 이 사실을 고려해서, 포토센서로부터의 출력을 레이저(1)의 개시직후에 모니터하여, 펄스광에너지가 안정화되기까지의 과도기간에서는, 웨이퍼(W)를 디바이스패턴에 대해 노광시키지 않는다. 또한, 엑시머레이저는 엑시머레이저챔버내의 가스의 상태 또는 레이저장치의 광학부품의 상태(오염 등)때문에, 동일 제어파라미터(방전전압 등)가 일정하더라도 반드시 동일한 에너지레벨을 펄스빔을 출력할 필요는 없다. 이 사실을 고려해서, 에너지안정화기간에 도달한 후, 즉, 제4도에 도시한 바와 같이, 레이저발진개시 및 출력과도기간후에, 각 펄스에 대한 에너지를 포토센서(5)에 의해 검출하고, 이 포토센서(5)의 출력에 의거해서, 레이저빔출력제어기(8)를 이용하여 펄스빔의 에너지를 소정의 레벨로 제어한다. 즉, 레이저(1)의 펄스광에 대한 에너지설정파라미터인 방전전압을 포토센서(5)에 의해 검출된 펄스광의 에너지레벨에 의거해서 증감시켜, 펄스광의 에너지레벨을 제어한다. 이 때, 펄스마다 피드백동작을 행해도 되며, 또는 수개의 펄스에 평균에 의거해서 피드백동작을 행해도 된다. 레이저(1)로부터의 펄스광을 소정의 레벨로 설정한 후, 레티클스테이지(9)와 웨이퍼스테이지(10)의 속도를 확인한다. 이런 방식으로, 레티클(R)의 디바이스패턴상을 웨이퍼(W)상에 연속적으로 투영한다.
본 실시예의 장치에서는, 정지상태의 스테이지가 노광에 대해 적정한 속도로 되는 데는 약 0.1sec가 필요하다. 그래서, 스테이지의 구동개시시각과 디바이스패턴의 노광개시시각 사이에 소정의 지연기간을 부여한다. 엑시머레이저의 주파수가 500Hz이면, 상기 지연된 기간사이의 기간에, 즉 레티클스테이지(9)와 웨이퍼스테이지(10)의 구동개시로부터 디바이스패턴 노광개시까지의 기간에 50펄스를 발진시킬 수 있다. 본 실시예에서는, 이 50펄스의 기간동안, 레이저출력이 안정화되고, 펄스광의 에너지레벨이 제어되며, 또한 스테이지(9),(10)의 속도가 확인된다. 레이저(1)의 출력의 안정화를 위해서는, 펄스빔을 가능한 한 일정한 주파수에서 발생하는 것이 바람직하다. 따라서, 레이저방출의 개시부터 노광의 종료까지 거의 일정한 주파수에서 레이저(1)를 발진시키도록 하고 있다. 제5도는 제3도의 장치를 이용하여 주사노광제어의 동작을 도시한 것이다. 레티클스테이지(9)와 웨이퍼스테이지(10)의 웨이퍼(W)의 1쇼트(shot)분의 노광을 위하여 이동을 개시시킴과 동시에, 레이저(1)의 펄스광의 방출을 개시한다. 이 펄스광에너지의 변화에 의거해서, 레이저(1)가 에너지안정상태에 도달했는 지의 여부를 판정한다. 포토센서(5) 및 적분회로(6)를 통해서 안정기간에 들어온 것이 확인되면, 제어기(7)에 의해 안정기간내에서의 펄스광에너지의 설정레벨과 평균치와의 비교를 행한다. 제어기(7)에서, 평균치가 큰 것으로 판정되면, 에너지제어파라미터인 방전전압을 낮추도록(L) 레이저빔출력제어기(8)를 제어하고, 평균치가 작으면, 방전전압을 증가시키도록(H) 제어한다. 이와 같이 함으로써, 펄스빔의 에너지레벨은 소정의 레벨로 설정된다. 그 후, 포토센서(5)의 출력에 의거해서 웨이퍼(W)의 적정한 노광레벨을 확인한다. 계속해서, 레이저방출을 지속시킴과 동시에, 스테이지(9),(10)의 속도가 각각 소정 속도에 도달한 것을 검출한다. 그후 레티클의 디바이스패턴의 조명을 개시하여, 웨이퍼(W)의 디바이스패턴노광을 개시한다. 레티클(R)의 디바이스패턴에 대해 웨이퍼(W)의 쇼트영역을 모두 노광한 후, 동작을 종료한다.
본 실시예에 있어서는, 펄스광의 에너지가 안정화된 후, 펄스광의 에너지를 조정하고, 그후 디바이스패턴의 노광을 행하였으나, 제6도에 도시한 바와 같이, 펄스광의 에너지레벨이 안정화된 후 펄스광의 에너지를 설정하고, 또 웨이퍼(W)상의 노광량이 적정량이 되도록 레티클스테이지(9)와 웨이퍼스테이지(10)의 주사속도를 조정하고, 그후 디바이스패턴의 노광을 행해도 된다. 이상 설명한 주사형 노광장치에 의하면, 엑시머레이저 등의 펄스레이저의 과도적인 에너지레벨에 의한 노광 불균일의 발생을 없앨 수 있을 뿐만 아니라, 레이저매질(가스)의 상태변화 또는 레이저의 광학부품의 오염에 의한 변동의 영향을 받지 않고 적정한 노광을 행하는 것이 가능하다. 또, 레티클스테이지와 웨이퍼스테이지의 접근기간(스테이지가속기간)동안에 적정한 레이저출력의 설정을 행하므로, 노광장치에서 중요한 스루풋(throughput)도 악화되지 않는다.
다음에, 상기의 주사형 노광장치를 이용한 디바이스의 제조방법의 실시예에 대해 설명한다. 제7도는 IC, LSI 등의 반도체디바이스 또는 액정패널, CCD 등의 반도체디바이스의 제조공정의 순서도이다. 스텝1(회로설계)에서는, 반도체디바이스의 회로설계를 행하고, 스텝2(마스크제작)에서는, 상기 설계한 회로패턴을 지닌 마스크를 제작한다. 한편, 스텝3(웨이퍼제조)에서는, 실리콘 등의 적절한 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조한다. 스텝4(웨이퍼프로세스)는 소위 전공정(pre-step)으로 불리며, 상기에서 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서, 리소그래피기술에 의하여 웨이퍼상에 실제의 회로패턴을 형성한다. 다음에, 스텝5(조립)는 후공정(post-step)이라 불리며, 스텝4에서 제작된 웨이퍼로부터 반도체칩을 제조하는 공정으로서, 이 스텝5는 에셈블링공정(다이싱, 본딩), 패키지공정(칩실링)등을 포함한다. 스텝6(검사)에서는, 스텝5에서 제작된 반도체디바이스의 동작을 검사하여, 그의 내구성 시험을 수행한다. 이와 같이 해서 반도체디바이스가 제작되며, 이것은 스텝7에서 출하된다.
제8도는 상기 웨이퍼프로세스의 상세한 순서도이다. 스텝11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화시키고, 스텝12(CVD)에서는 웨이퍼의 표면상에 절연막을 형성하고, 스텝13(전극형성)에서는 전극이 증착에 의해 웨이퍼상에 형성된다. 스텝14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입하고, 스텝15(레지스트처리)에서는 웨이퍼에 감광제를 도포하고, 스텝16(노광)에서는 상기 설명한 노광장치에 의해서 마스크의 회로패턴을 웨이퍼에 투영(노광)한다. 스텝17(현상)에서는 노광된 웨이퍼를 현상하고, 스텝18(에칭)에서는 현상한 레지스트상 이외의 부분을 제거하고, 스텝19(레지스트박리)에서는 에칭후의 레지스트를 박리한다. 이들 상기 스텝을 반복해서 행함으로써, 웨이퍼상에 다중으로(겹쳐서) 회로패턴이 형성된다.
본 발명의 제조방법에 의하면, 반도체디바이스 등에서 고집적도의 회로패턴을 형성할 수 있다.
이상, 본 발명에서는 여기에 개시된 구조에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위의 범위 또는 기타 개량의 목적의 범위내에 들어가는 그러한 변형예나 수정예도 모두 포함하고자 한다.

Claims (44)

  1. 조사빔으로 마스크에 조사하기 위하여, 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 조사광원과; 마스크의 패턴으로 노광되는 기판과 마스크의 양자와 조사빔 사이에 상대적인 이동을 부여하고, 또한 조사빔으로 마스크의 조사를 개시하기 전에 상대적인 이동을 개시하도록 하는 상대적인 이동수단과; 조사빔의 강도변동을 감소하기 위하여, 상대적인 이동을 개시한 후에 또한 마스크에 조사를 개시하기 전에 상기 조사광원을 제어하여 조사빔의 조사를 개시하는 제어수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 마스크에 조명을 개시하기 전에 또한 상대적인 이동을 개시한 후에 조사빔의 강도를 소정의 레벨로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제어수단은, 마스크에 조명을 개시하기 전에 또한 상대적인 이동을 개시한 후에 상대적인 이동을 소정의 각도로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 마스크에 조명을 개시하기 전에 또한 상대적인 이동을 개시한 후에 상대적인 이동이 소정의 속도로 설정되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어수단은, 마스크에 조명을 개시하기 전에 또한 상대적인 이동을 개시한 후에 조사빔의 강도를 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  14. 조사빔으로 기판을 조사하기 위하여, 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 조사광원과; 조사빔과 기판 사이에 상대적인 이동을 부여하고, 또한 접근하는 기간동안 상대적인 이동의 개시시에 조사빔과 기판 사이에 접근하는 이동을 부여하는 상대적인 이동수단과; 접근하는 주기동안 상기 조사광원을 제어하는 제어수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제어수단은 접근하는 주기 동안에 상대적인 이동을 소정의 속도로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 제어수단은 접근하는 주기 동안에 조사빔의 강도를 소정의 레벨로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  19. 조사빔으로 기판을 조사하기 위하여, 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 단계와; 조사빔으로 마스크의 조사를 개시하기 전에 상대적인 이동을 개시하고, 마스크의 패턴으로 노광되는 기판과 마스크의 양자와 조사빔 사이에 상대적인 상기 이동을 부여하는 단계와; 조사빔의 강도 변동을 감소하기 위하여, 상대적인 이동을 개시한 후에 또한 마스크에 조사를 개시하기 전에 상기 조사빔을 제어하여 조사빔의 조사를 개시하는 단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 마스크에 조명을 개시하기 전에 또한 상대적인 이동을 개시한 후에 상대적인 이동을 소정의 속도로 설정하는 단계를 부가하여 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 마스크에 조명을 개시하기 전에 또한 상대적인 이동을 개시한 후에 조사빔의 강도를 소정의 레벨로 설정하는 단계를 부가하여 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 조사빔은 펄스레이저로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 조사빔은 엑시머레이저로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  24. 조사빔으로 기판을 조사하기 위하여, 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 단계와; 상대적인 이동은 접근하는 기간동안 상대적인 이동의 개시시에 조사빔과 기판 사이에 접근하는 이동을 포함하고, 조사빔과 기판 사이에 상대적인 이동을 부여하는 단계와; 접근하는 주기동안 조사빔의 조사를 제어하는 단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 접근하는 주기 동안 상대적인 이동을 소정의 속도로 설정하는 단계를 부가하여 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  26. 제24항에 있어서, 접근하는 주기 동안 조사빔의 강도를 소정의 레벨로 설정하는 단계를 부가하여 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 조사빔은 펄스레이저로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 조사빔은 엑시머레이저로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  29. 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 조사광원과; 기판을 조사빔으로 조사하기 위하여 기판을 조사빔으로 주사하고, 주사수단에 의해 행한 주사의 개시시간이 조사빔으로 기판에 조명하는 시간보다 빠른 주사수단과; 조사빔의 강도가 변동하는 것을 미리 감소시키기 위하여, 주사의 개시 후에 또한 조사의 개시전에 상기 조사광을 제어하여 조사빔의 조사를 개시하는 제어수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로부터 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로부터 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  32. 제29항에 있어서, 상기 제어수단은 조명을 개시하기 전에 또한 주사를 개시한 후에 조사빔의 강도를 소정의 레벨로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  35. 제32항에 있어서, 조명을 개시하기 전에 또한 주사를 개시한 후에 주사의 속도를 소정의 속도로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  36. 제35항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  38. 제29항에 있어서, 상기 제어수단은, 조명을 개시하기 전에 또한 주사를 개시한 후에 주사의 속도를 소정의 속도로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  39. 제38항에 있어서, 상기 제어수단은, 조명을 개시하기 전에 또한 주사를 개시한 후에 조사빔의 강도를 설정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  40. 제39항에 있어서, 상기 조사광원은 펄스레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  41. 제40항에 있어서, 상기 조사광원은 엑시머레이저로 이루어진 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  42. 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 조사광원과; 기판을 조사빔으로 조사하기 위하여, 마스크를 조사빔으로 조사하고 조사빔으로 마스크를 통하여 기판을 조사하고, 조사빔은 조사의 개시시에 강도가 변동하고, 조사수단에 의해 행한 주사의 개시 시간이 기판을 조사빔으로 조사하는 시간보다 빠른 조사수단과; 조사빔의 강도가 변동하는 것을 미리 감소하기 위하여, 주사의 개시 후에 또한 조명의 개시 전에 상기 조사광원을 제어하여 조사빔의 조사를 개시하는 제어수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  43. 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔을 조사하는 조사광원과; 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔으로 기판을 조사하고, 접근하는 기간 동안 조사빔과 기판 사이에 접근하는 이동을 부여하는 주사수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  44. 조사의 개시시에 강도가 변동하는 조사빔으로 기판을 조명하기 위하여, 기판을 조사빔으로 주사하고, 주사수단에 의해 행하는 주사의 개시시간은 조사빔으로 기판을 조사하는 시간보다 빠른 주사수단과; 조사빔의 강도가 변동하는 것을 미리 감소하기 위하여, 주사를 개시한 후에 또한 조사를 개시하기 전에 조사광원을 제어하는 제어수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3296448B2 (ja) 1993-03-15 2002-07-02 株式会社ニコン 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法
JP3316704B2 (ja) 1993-06-10 2002-08-19 株式会社ニコン 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法
JP3451604B2 (ja) * 1994-06-17 2003-09-29 株式会社ニコン 走査型露光装置
JP3391940B2 (ja) * 1995-06-26 2003-03-31 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
JPH09115825A (ja) 1995-10-19 1997-05-02 Nikon Corp 走査型投影露光装置
JPH09320932A (ja) 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 露光量制御方法及び装置
JP3697036B2 (ja) 1997-10-03 2005-09-21 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体製造方法
JP4759119B2 (ja) * 2000-08-08 2011-08-31 キヤノン株式会社 スキャン露光装置およびデバイス製造方法
US7323670B2 (en) * 2004-03-16 2008-01-29 Leica Geosystems Hds Llc Laser operation for survey instruments
US20070132831A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Bio-Rad Laboratories, Inc. Masking to prevent overexposure and light spillage in microarray scanning
CN112462578A (zh) * 2020-12-16 2021-03-09 广东思沃激光科技有限公司 曝光方法、曝光机及计算机可读存储介质

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63110722A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Hitachi Ltd 露光照明装置
US4884101A (en) * 1987-02-03 1989-11-28 Nikon Corporation Apparatus capable of adjusting the light amount
JPH01106426A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Canon Inc 露光装置
JP2569711B2 (ja) * 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法
JPH02177313A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光制御装置
JPH02177314A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光方法
JPH02177415A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光装置
US5121160A (en) * 1989-03-09 1992-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
JP2731953B2 (ja) * 1989-08-07 1998-03-25 キヤノン株式会社 エネルギー量制御装置
US5250797A (en) * 1990-10-05 1993-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus for controlling light pulse emission using determined exposure quantities and control parameters

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