JPH09115825A - 走査型投影露光装置 - Google Patents

走査型投影露光装置

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JPH09115825A
JPH09115825A JP7296235A JP29623595A JPH09115825A JP H09115825 A JPH09115825 A JP H09115825A JP 7296235 A JP7296235 A JP 7296235A JP 29623595 A JP29623595 A JP 29623595A JP H09115825 A JPH09115825 A JP H09115825A
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stage
exposure
speed
light
scanning
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Toshio Ueda
稔夫 上田
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Original Assignee
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージの速度を高速化することなく、露光
時間を短縮する。 【解決手段】 ステージ12、16の走査が開始される
と、干渉計24では基板ステージ12の位置を計測し、
干渉計ユニット38では干渉計12の出力を微分して基
板ステージの速度信号とし、この速度信号を出力する。
主制御装置60ではこの速度信号に応じた露光光の光量
の指令値を出力する。光量調整系70では主制御装置6
0からの指令値に応じて露光光源62からの露光光の光
量を調整する。従って、基板ステージ12の走査方向の
駆動開始から停止までの全ての時間領域に渡って基板ス
テージ12の速度にかかわりなく適正光量の露光が行な
われる。このため、ステージの定速部のみで露光を行な
っていた場合に比べて露光時間を短縮することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型投影露光装
置に係り、更に詳しくは、マスクを保持するマスクステ
ージと感光基板を保持する基板ステージとを所定の走査
方向に同期走査しつつ、投影光学系を介してマスクのパ
ターンを感光基板に転写する走査型投影露光装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子又は液晶表示素子
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される
露光装置の一種として、走査型投影露光装置が知られて
いる。この走査型投影露光装置は、簡単に言うと、マス
クとしてのレチクルを保持するレチクルステージ(マス
クステージ)と感光基板を保持する基板ステージとを所
定の走査方向に同期走査しつつ、投影光学系を介してレ
チクルのパターンを感光基板に転写するものである。
【0003】従来の走査型投影露光装置にあっては、レ
チクルステージと基板ステージとが投影光学系の投影倍
率により定まる速度比(例えば4:1)で同期走査され
るように、各ステージの速度制御系にそれぞれの目標値
を与えて各ステージを制御していた。図3には、この走
査露光時の基板ステージの速度の時間変化の様子の一例
が示されている。この図3に示されるように、基板ステ
ージは加速され、目標速度(ここでは、0.08m/
s)に達した後、所定の整定時間(基板ステージがレチ
クルステージと同期整定状態となるのに必要な時間)が
経過した時点で所定時間(スキャン露光時間)露光光源
をONにして一定光量の露光光によりレチクルを照明し
て露光を行ない、露光終了後所定の空走時間を経て目標
速度から停止状態まで減速している。ここで、ステージ
の目標速度は、必要な露光量が得られるように感光基板
表面に塗布されたレジストの感度によって定められる。
すなわち、露光光源のパワー(一定値)とステージの速
度(一定速)との積によって露光量が定められていた。
【0004】かかる背景の下、露光時間を短縮し、スル
ープットを向上させるために、ステージの速度を高速化
する方向に向けて開発が進められているのが現状であ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ステージの速度を高速
化するには、より大きな推力を得るためパワーアンプを
大きくする必要があるが、このことは必然的にコストア
ップにつながる。また、ステージの位置を計測するため
にレーザ干渉計等が通常用いられるが、干渉計の能力を
超える程度に高速化したのでは、ステージの位置制御が
困難となる。さらに、ステージの速度が高速になるに伴
い、装置の振動の影響が大きくなる。従って、ステージ
の速度を高速化することは、必ずしも得策ではない。
【0006】しかしながら、露光時間の短縮化、スルー
プットの向上は、この種の露光装置にとっては重要であ
る。
【0007】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その目的は、ステージの速度を高速化することな
く、露光時間を短縮することができる走査型投影露光装
置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】ステージの速度を高速化
することなく、露光時間の短縮化を図るには、ステージ
の定速域のみでなく、目標速度に達するまでの加速領
域、目標速度から停止状態に至る減速領域でも適正光量
の露光を実現することが、有効であると考えられる。本
発明は、かかる点に着目してなされたもので、以下のよ
うな構成を有する。
【0009】請求項1に記載の発明は、マスクを保持す
るマスクステージと感光基板を保持する基板ステージと
を所定の走査方向に投影光学系の倍率に対応する所定の
速度比で同期走査しつつ、前記投影光学系を介して前記
マスクのパターンを前記感光基板に転写する走査型投影
露光装置であって、前記マスクを照明する露光光を発す
る露光光源と;前記マスクステージ及び前記基板ステー
ジの内の一方のステージの位置を計測する位置計測手段
の出力に基づいて当該一方のステージの速度に応じた露
光光の光量の指令値を出力する指令値出力手段と;前記
指令値出力手段からの指令値に応じて前記露光光源から
の露光光の光量を調整する光量調整系とを有する。
【0010】これによれば、ステージの走査が開始され
ると、指令値出力手段ではマスクステージ及び基板ステ
ージの内の一方のステージ(例えば、基板ステージ)の
位置を計測する位置計測手段(レーザ干渉計等)の出力
に基づいて当該一方のステージ(例えば、基板ステー
ジ)の速度に応じた露光光の光量の指令値を出力する。
光量調整系では指令値出力手段からの指令値に応じて露
光光源からの露光光の光量を調整する。従って、基板ス
テージの走査方向の駆動開始から停止までの全ての時間
領域に渡って基板ステージの速度にかかわりなく適正光
量の露光が行なわれる。
【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の走査型投影露光装置において、前記光量調整系は、前
記露光光の光量を検出する光量検出手段と、この光量検
出手段の出力と前記指令値との差である光量偏差を動作
信号として動作するコントローラとを含む閉ループ制御
系であることを特徴とする。
【0012】これによれば、コントローラにより光量検
出手段の出力が指令値に一致するように追従制御が行な
われるので、光量調整系に何等かの外乱が作用した場合
であっても殆ど影響を受けることなく、基板ステージの
走査方向の駆動開始から停止までの全ての時間領域に渡
って基板ステージの速度にかかわりなく適正光量の露光
が行なわれる。
【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1又は2
に記載の走査型投影露光装置において、前記露光光源
は、パルス光を発光するエキシマレーザ光源であること
を特徴とする。これによれば、1回の露光動作中のエキ
シマレーザ光源の発光パルス数を調整することにより、
高応答性で露光光の光量の調整が可能になる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図2に
基づいて説明する。
【0015】図1には、一実施例に係る走査(スキャ
ン)型投影露光装置10がステージ駆動制御系と光量調
整系としての露光エネルギ制御系70とを中心として示
されている。
【0016】この走査型投影露光装置10は、基板ステ
ージとしてのウエハステージ12と、マスクステージと
してのレチクルステージ16とを備えている。
【0017】ウエハステージ12は、図示しないウエハ
支持台上に走査方向(図1における左右方向)及びこれ
に直交する方向(図1における紙面直交方向)に移動可
能に設けられている。このウエハステージ12は、ウエ
ハリニアモータ14によって走査方向に駆動され、走査
方向に直交する方向には図示しない送りねじ機構によっ
て駆動されるようになっているが、走査方向に直交する
方向へのステージ12の移動は、本発明との関連が薄い
ので、以下この方向については説明を省略する。前記ウ
エハ支持台は、実際には図示しない除振台上に設けられ
ている。
【0018】レチクルステージ16は、図示しないレチ
クル支持台上に走査方向(図1における左右方向)に移
動可能に設けられている。このレチクルステージ16
は、レチクルリニアモータ18によって走査方向に駆動
されるようになっている。なお、前記レチクル支持台
は、実際には、除振台上の図示しない本体コラム上に載
置されている。
【0019】ウエハステージ12の上方には、投影光学
系PLがその光軸を当該ウエハステージ12の移動面に
直交する方向に向けて配置され、図示しない前記本体コ
ラムに保持されている。ウエハステージ12上に、感光
基板としてのウエハ(図示省略)が載置され、レチクル
ステージ16上にマスクとしてのレチクル(図示省略)
が載置されると、レチクルのパターン面とウエハ表面と
は、投影光学系PLに関して共役となるようにされてい
る。本実施例では、投影光学系PLとして投影倍率が1
/4倍のものが使用されているものとする。
【0020】ウエハステージ12の走査方向の一端(図
1における右端)には、ウエハ・レーザ干渉計用の移動
鏡22が走査直交方向に延設されており、これに対向し
てウエハ・レーザ干渉計24が設けられている。このウ
エハ・レーザ干渉計24は、移動鏡22に向けてレーザ
光を照射すると共にその反射光を受光してウエハステー
ジ12の位置を検出する。
【0021】同様に、レチクルステージ16の走査方向
の一端(図1における右端)には、レチクル・レーザ干
渉計用の移動鏡26が走査直交方向に延設されており、
これに対向してレチクル・レーザ干渉計30が設けられ
ている。このレチクル・レーザ干渉計30は、移動鏡2
6に向けてレーザ光を照射すると共にその反射光を受光
してレチクルステージ16の位置を検出する。
【0022】ステージ駆動制御系は、ウエハ・レーザ干
渉計24と、レチクル・レーザ干渉計30と、ウエハリ
ニアモータ14を介してウエハステージ12の速度を制
御するウエハステージコントローラ(以下、「WSTG
コントローラ」という)32と、レチクルリニアモータ
18を介してレチクルステージ16の速度を制御するレ
チクルステージコントローラ(以下、「RSTGコント
ローラ」という)34と、ウエハ・レーザ干渉計ユニッ
ト38と、レチクル・レーザ干渉計ユニット40と、ウ
エハステージ速度指令部(以下、「W速度指令部」とい
う)42と、レチクルステージ速度指令部(以下「R速
度指令部」という)44とを備えている。
【0023】前記ウエハ・レーザ干渉計ユニット38
は、ウエハ・レーザ干渉計24からのウエハステージ1
2の位置検出信号を入力し、当該位置検出信号を投影光
学系PLの倍率の逆数倍(この場合は4倍)した位置信
号をレチクル・レーザ干渉計ユニット40に出力すると
共に、位置検出信号を微分して得られるウエハステージ
の速度信号をWSTGコントローラ32及び後述する主
制御装置60に送出する機能を有する。
【0024】前記レチクル・レーザ干渉計ユニット40
は、レチクル・レーザ干渉計30からのレチクルステー
ジ16の位置検出信号と前記のウエハ・レーザ干渉計ユ
ニット38からの位置信号とを入力し、両者の差を演算
して得られる位置誤差信号をレチクルステージ速度指令
部(以下、「R速度指令部」という)44に送出する。
また、この干渉計ユニット40は、レチクルステージ1
6の位置検出信号を微分して得られるレチクルステージ
16の速度信号をRSTGコントローラ34に送出する
機能を有する。
【0025】前記W速度指令部42は、WSTGコント
ローラ32にウエハステージ12の速度の目標値を出力
する。また、前記R速度指令部44は、レチクル・レー
ザ干渉計ユニット40からの位置誤差信号を入力し、こ
の位置誤差をキャンセルするようなレチルクステージ1
6の速度の目標値を出力する。
【0026】WSTGコントローラ32は、W速度指令
部42からの速度の目標値とウエハ・レーザ干渉計ユニ
ット38からのウエハステージの速度信号との偏差を零
とするように制御動作を行なうコントローラである。ま
た、RSTGコントローラ34は、R速度指令部44か
らの速度の目標値とレチクル・レーザ干渉計ユニット4
0からのレチクルステージ16の速度信号との偏差を零
とするように制御動作を行なうコントローラである。こ
れらのコントローラ32、34としては、例えばPIコ
ントローラが使用される。
【0027】これによれば、スキャン露光時には、ウエ
ハステージ12とレチクルステージ16とが投影光学系
PLの倍率の逆数倍の速度比で走査されるように、W速
度指令部42からの速度の目標値に応じてWSTGコン
トローラ32によってウエハステージ12が速度制御さ
れ、R速度指令部44からの速度の目標値に応じてRS
TGコントローラ34によりレチクルステージ16が速
度制御されるが、この際、両ステージ12、16間に位
置誤差が生じた場合には、この位置誤差をキャンセルす
るような速度の目標値がR速度指令部44からRSTG
コントローラ34に出力され、これによって両ステージ
が同期走査される。
【0028】次に、露光エネルギ制御系70について説
明する。この露光エネルギ制御系70は、照明部本体4
6からの露光用の照明光ELのビームスプリッタBSを
透過した透過光を受光してその光量を検出する光量検出
手段としてのパワーモニタ48と、このパワーモニタ4
8の出力をディジタル変換するA/Dコンバータ50
と、このA/Dコンバータ50からの電圧を露光エネル
ギに変換する電圧−露光エネルギ変換部52と、主制御
装置60からの露光エネルギ(露光光の光量)の目標値
と電圧−露光エネルギ変換部52からフィードバックさ
れた露光エネルギの検出値との差であるエネルギ偏差
(光量偏差)を演算する減算器58と、このエネルギ偏
差を動作信号として動作するPI又はPID制御器(調
節器)から成るコントローラとしての露光コントローラ
54とを有する。なお、ビームスプリッタBSで反射さ
れた照明光ELは、レチクルに照射され、この露光光E
Lにより照明されたレチクル上のパターンが投影光学系
PLを介してウエハ上に露光されるようになっている。
【0029】前記照明部本体46は、露光光源としての
エキシマレーザ光源62と、このエキシマレーザ光源6
2から出力されるパルス光のパルス数を露光コントロー
ラ54からの指令に応じて制御する光源制御部64とを
含んで構成されている。
【0030】前記主制御装置60は、いわゆるマイクロ
コンピュータ又はミニコンピュータ等から構成され、ウ
エハ・レーザ干渉計ユニット38からのウエハステージ
12の速度信号を入力してウエハステージ12の速度に
応じた露光エネルギを後述するようにして算出し、これ
を目標値として減算器58に出力する。即ち、本実施例
では、この主制御装置60によって指令値出力手段が構
成されている。
【0031】次に、主制御装置60によるウエハステー
ジ12の速度に応じた露光エネルギの算出方法につい
て、詳述する。まず、最初に露光エネルギの算出の原理
について数学的に理解しやすいように時間関数を用いて
説明する。
【0032】例えば、図2(A)に示されるように、ウ
エハステージ12が速度制御される場合、加速度は図2
(B)に示されるように変化する。
【0033】図2(B)に示される加速度の時間変化の
グラフにおいて、傾きαmax /t1=aであるとする
と、0≦t≦t1 の範囲で、加速度α(t)、速度v
(t)、位置p(t)はそれぞれ次のようになる。
【0034】
【数1】
【0035】また、αmax /(t1 −t2 )=aであ
り、t2 =2t1 であるから、t1 ≦t≦t2 の範囲
で、加速度α(t)、速度v(t)、位置p(t)はそ
れぞれ次のようになる。
【0036】
【数2】
【0037】また、t2 ≦t≦t3 の定速部分では、加
速度α(t)、速度v(t)、位置p(t)はそれぞれ
次のようになる。
【0038】
【数3】
【0039】ここで、bは時刻t2 でのウエハステージ
の速度、即ちウエハステージの目標速度である。
【0040】また、αmax とαmin の絶対値が等しく、
2 =t5 −t3 =2(t4 −t3)とすると、t3
t≦t4 の部分では、加速度α(t)、速度v(t)、
位置p(t)はそれぞれ次のようになる。
【0041】
【数4】
【0042】また、t4 ≦t≦t5 の部分では、加速度
α(t)、速度v(t)、位置p(t)はそれぞれ次の
ようになる。
【0043】
【数5】
【0044】ここで、v(t4 )は、時刻t4 でのウエ
ハステージの速度(図2の例では目標速度bの1/2)
である。
【0045】次に、露光エネルギの計算方法について、
説明する。
【0046】定速部(t2 ≦t≦t3 )の位置変化は、
式(3c)で表わされる。この部分における露光エネル
ギの計算方法は、式(3c)で示される時間変化関数を
微分し、ウエハステージ12の速度を算出し、速度に対
応した露光エネルギの露光光をウエハに照射することで
単位面積当たりの露光エネルギを制御できる。すなわ
ち、露光エネルギE(t)の計算式は、次のようにな
る。
【0047】
【数6】
【0048】ここで、L1 は、目標速度bでウエハステ
ージ12が走査されたときに、ウエハ上のレジスト感度
によって定められる適正光量が得られるように、予め設
定されたエキシマレーザの所定パルス分の露光量であ
り、この露光量計算の基準となるものである。
【0049】次に、加速部分について検討してみると、
0≦t≦t1 の範囲では、位置変化は、式(1c)で表
わされる。この部分における露光エネルギの計算方法
は、上記と同様にして、式(1c)で示される時間変化
関数を微分し、ウエハステージの速度関数を算出し、こ
の速度関数に上記露光量L1 を乗じて算出する。すなわ
ち、露光エネルギE(t)の計算式は、次のようにな
る。
【0050】
【数7】
【0051】また、t1 ≦t≦t2 の範囲では、位置変
化は、式(2c)で表わされる。この部分における露光
エネルギの計算方法は、上記と同様にして、式(2c)
で示される時間変化関数を微分し、ウエハステージ12
の速度関数を算出し、この速度関数に上記露光量L1 を
乗じて算出する。露光エネルギE(t)の計算式は、次
のようになる。
【0052】
【数8】
【0053】さらに、減速部分について考察すると、一
定速のスキャンが終了し減速開始点からt4 までの間、
すなわちt3 ≦t≦t4 の範囲では、位置変化は、式
(4c)で表わされる。この部分における露光エネルギ
の計算方法は、上記と同様にして、式(4c)で示され
る時間変化関数を微分し、ウエハステージ12の速度関
数を算出し、この速度関数に上記露光量L1 を乗じて算
出する。露光エネルギE(t)の計算式は、次のように
なる。
【0054】
【数9】
【0055】また、t4 ≦t≦t5 の範囲では、位置変
化は、式(5c)で表わされる。この部分における露光
エネルギの計算方法は、上記と同様にして、式(5c)
で示される時間変化関数を微分し、ウエハステージ12
の速度関数を算出し、この速度関数に上記露光量L1 を
乗じて算出する。露光エネルギE(t)の計算式は、次
のようになる。
【0056】
【数10】
【0057】このように露光エネルギをウエハステージ
12の速度に対応させて制御すると、ステージの定速部
分だけでなく、加減速部分でも適正光量の露光が可能に
なり、ステージが動く全域を無駄無く露光に用いること
ができる。
【0058】次に、本実施例の装置による実際の露光エ
ネルギの制御について説明する。主制御装置60には、
ウエハ・レーザ干渉計ユニット38からウエハステージ
12の速度信号が入力されているので、上記のような時
間関数を用いてステージの速度を計算する必要は無く、
ウエハ・レーザ干渉計ユニット38からのウエハステー
ジ12の速度信号に基準となる露光量L1 を乗じて、加
減速時の露光エネルギの目標値を算出する。
【0059】以上説明した本実施例の走査型投影露光装
置10によると、スキャン露光のために、ステージ駆動
制御系によりウエハステージ12とレチクルステージ1
6とが駆動されると、ウエハ・レーザ干渉計ユニット3
8からの速度信号に基づいて主制御装置60により露光
エネルギの目標値が時事刻々演算されて露光エネルギ制
御系70に与えられ、露光エネルギが目標値に一致する
ように露光コントローラ56により制御量が決定され、
この制御量に応じて光源制御部64が光源46のレーザ
パルス数を制御する。このため、ウエハステージ12の
定速部のみでなく、加減速部をも露光に用いることが可
能となり、これにより加減速と空走で生まれるロスタイ
ム(図3参照)を全て排除することができ、露光時間の
短縮によるスループットの向上を図ることができる。し
かも、この露光時間の短縮を、ステージの速度を高速化
することなく実現することができ、これにより、ステー
ジの高速化に必然的に伴うパワーアンプの増大によるコ
ストアップ、振動の増大等の不都合が生ずるのを回避す
ることができる。
【0060】また、加減速部をも露光に用いることによ
り、ステージのストロークを短くすることができ、これ
によりステージ自体を小型化することができ、製作の容
易化、材料費、加工コスト等を低減することが可能とな
る。これに加えて、ウエハステージの可動部も小型・軽
量化により固有振動周波数を高くすることができるの
で、可動部の制御特性の改善が容易に実施でき、ステー
ジの応答性能を向上させることで同期精度の向上を図る
ことも可能になる。
【0061】なお、上記実施例では、ウエハステージ
を、従来と同様に目標速度までの加速、目標速度を維
持、減速というように速度制御する場合を例示したが、
上述したように本発明によれば、加減速時にも適正光量
の露光を行なうことが可能なるので、定速部の存在しな
いサインカーブのような曲線を速度制御の目標値として
用いることも可能である。
【0062】また、上記実施例では露光光源としてパル
ス光を発するエキシマレーザ光源を用いる場合を例示し
たが、これは、エキシマレーザは周波数応答特性に優れ
ており、ステージの速度に応じた高速な露光量制御に適
していることから採用したものであるが、十分な応答速
度で露光量の連続的な制御ができるのであれば、水銀ラ
ンプ等の他の光源を用いていても良い。
【0063】さらに、上記実施例では、ウエハ・レーザ
干渉計ユニット38からウエハステージ12の速度信号
が直接主制御装置に入力される場合を例示したが、この
ようになっていなくても、例えば、先に説明した式(1
a〜5c)のような加速度、速度、位置の時間関数のい
ずれかをステージ駆動の全区間についてメモリに記憶し
ておけば、演算によってステージの速度を求め、これに
基づいて式(6a〜10b)を用いて露光エネルギの目
標値を決定することにより、上記実施例と同様の効果を
得ることができる。
【0064】なお、上記実施例では、ウエハステージの
速度に応じて露光エネルギの目標値を定める場合につい
て説明したが、レチクルステージの速度に応じて露光エ
ネルギの目標値を定めるようにしても良いことは勿論で
あり、従って、ステージの駆動制御においてもW速度指
令部側で両ステージの位置誤差をキャンセルするような
速度の目標値を出力するように構成しても良い。
【0065】また、上記実施例では主制御装置60がウ
エハ・レーザ干渉計ユニット38からウエハステージ1
2の速度信号を得る場合を例示したが、ウエハ・レーザ
干渉計24の出力である位置検出信号を直接主制御装置
60に入力し、主制御装置60の内部でこれを速度信号
に変換し、これに基づいて速度に応じた露光エネルギの
指令値を算出するようにしても良い。
【0066】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板ステージの走査方向の駆動開始から停止までの全て
の時間領域に渡って基板ステージの速度にかかわりなく
適正光量の露光が行なわれることから、ステージの走査
速度を高速化することなく、露光時間を短縮することが
でき、これによりスループットの向上を図ることができ
るという従来にない優れた効果がある。
【0067】特に、請求項2に記載の発明によれば、光
量調整系に何等かの外乱が作用した場合であっても殆ど
影響を受けることなく、基板ステージの走査方向の駆動
開始から停止までの全ての時間領域に渡って基板ステー
ジの速度にかかわりなく適正光量の露光が行なわれるこ
とから、より高精度な露光光の光量制御が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例に係る走査型投影露光装置を示す構成
図である。
【図2】露光エネルギの算出の原理について説明するた
めの図であって、(A)はウエハステージ速度の時間変
化の一例を示す線図、(B)は(A)に対応する加速度
の時間変化を示す線図である。
【図3】従来の走査露光時の基板ステージの速度の時間
変化の様子の一例を示す線図である。
【符号の説明】
10 走査型投影露光装置 12 ウエハステージ(基板ステージ) 16 レチクルステージ(マスクステージ) 24 ウエハ・レーザ干渉計 48 パワーモニタ(光量検出手段) 54 露光コントローラ(コントローラ) 60 主制御装置(指令値出力手段) 62 エキシマレーザ光源(露光光源) 70 露光エネルギ制御系(光量調整系) PL 投影光学系
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 515B 516D

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクを保持するマスクステージと感光
    基板を保持する基板ステージとを所定の走査方向に投影
    光学系の倍率に対応する所定の速度比で同期走査しつ
    つ、前記投影光学系を介して前記マスクのパターンを前
    記感光基板に転写する走査型投影露光装置であって、 前記マスクを照明する露光光を発する露光光源と;前記
    マスクステージ及び前記基板ステージの内の一方のステ
    ージの位置を計測する位置計測手段の出力に基づいて当
    該一方のステージの速度に応じた露光光の光量の指令値
    を出力する指令値出力手段と;前記指令値出力手段から
    の指令値に応じて前記露光光源からの露光光の光量を調
    整する光量調整系とを有する走査型投影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記光量調整系は、前記露光光の光量を
    検出する光量検出手段と、この光量検出手段の出力と前
    記指令値との差である光量偏差を動作信号として動作す
    るコントローラとを含む閉ループ制御系であることを特
    徴とする請求項1に記載の走査型投影露光装置。
  3. 【請求項3】 前記露光光源は、パルス光を発光するエ
    キシマレーザ光源であることを特徴とする請求項1又は
    2に記載の走査型投影露光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272673A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011086892A (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 Canon Inc 位置制御装置、露光装置およびデバイス製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0614124A3 (en) * 1993-02-01 1994-12-14 Nippon Kogaku Kk Exposure device.
JPH09115825A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Nikon Corp 走査型投影露光装置
US6646715B1 (en) * 1997-01-14 2003-11-11 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus and method with run-up distance control
JP3796367B2 (ja) * 1999-03-09 2006-07-12 キヤノン株式会社 ステージ制御方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
US6285438B1 (en) * 1999-05-19 2001-09-04 Nikon Corporation Scanning exposure method with reduced time between scans
US20050135677A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Seevers Timothy S. Method and apparatus for acquiring image data from a scanned document
JPWO2006001282A1 (ja) * 2004-06-25 2008-04-17 株式会社ニコン 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
KR100819043B1 (ko) * 2006-11-07 2008-04-02 한국전자통신연구원 레이저 디스플레이 광원으로 사용되는 특정 광원의 변조장치 및 그 변조 방법
CN100511073C (zh) * 2007-10-11 2009-07-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 自动调光系统中密度盘驱动装置
NL2004256A (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Asml Netherlands Bv Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture.
JP5406861B2 (ja) * 2011-01-01 2014-02-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN103186055B (zh) * 2011-12-31 2016-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻机及其扫描曝光方法
JP5986538B2 (ja) * 2013-06-10 2016-09-06 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
JP6053715B2 (ja) * 2014-03-31 2016-12-27 キヤノン株式会社 位置制御装置および位置制御方法、光学機器、撮像装置
EP4394503A1 (en) 2022-12-29 2024-07-03 ASML Netherlands B.V. Masking device and controlling method thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51111076A (en) * 1975-03-26 1976-10-01 Hitachi Ltd Exposure device
US5489986A (en) * 1989-02-28 1996-02-06 Nikon Corporation Position detecting apparatus
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3235078B2 (ja) * 1993-02-24 2001-12-04 株式会社ニコン 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JP2862477B2 (ja) 1993-06-29 1999-03-03 キヤノン株式会社 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JP3093528B2 (ja) 1993-07-15 2000-10-03 キヤノン株式会社 走査型露光装置
JP3363532B2 (ja) * 1993-07-26 2003-01-08 キヤノン株式会社 走査型露光装置
US5581075A (en) * 1993-10-06 1996-12-03 Nikon Corporation Multi-beam scanning projection exposure apparatus and method with beam monitoring and control for uniform exposure of large area
JP3376045B2 (ja) * 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH09115825A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Nikon Corp 走査型投影露光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272673A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011086892A (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 Canon Inc 位置制御装置、露光装置およびデバイス製造方法

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US5995203A (en) 1999-11-30
KR970023620A (ko) 1997-05-30
US6191844B1 (en) 2001-02-20

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