KR970028862A - 노광 장치 및 노광량 제어방법 - Google Patents
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Abstract
노광광원으로부터의 조명광의 조도를 오픈 루프제어로 복수단계로 절환하므로서 1개의 피노광기판위의 복수의 숏트영역에 대해서 적산 노광량을 각종으로 바꾸어서 노광을 하는 경우에 각 숏트 영역으로의 노광량을 각각 정확하게 제어한다. 엑시머레이저 광원으로부터의 펄스 조명광을 에너지 대략 조정기 및 에너지 미조정기로 감광해서 레티클을 조명하고 레티클 및 웨이퍼를 투영광학계에 대해서 주사하므로서 웨이퍼위의 각 쇼트영역에 레티클의 패턴을 차츰 전사한다. 에너지 대략 조정기의 감광율을 오픈 루프제어로 절환한 때에는 조도 얼룩 센서에 의해 상면의 조도를 계측하고 이 계측 결과에 의거해서 상면위의 조도를 조정한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 노광량 제어방법의 실시형태의 한예가 적용된 노광동작의 일부를 도시하는 플로우차트, 제2도는 제1도의 노광동작에 이어지는 노광동작을 도시하는 플로우차트, 제3도는 그것의 실시형태의 한예로 사용되는 스텝·앤드·스캔 방식의 투영 노광장치를 도시한 구성도.
Claims (10)
- 펄스광원과 투영광학계와의 광의 경로 사이에 실치되어야 할 마스크의 패턴을 스테이지 위에 설치해야할 대상물위의 포토레지스트 위에 노광하는 노광장치에 있어서, 펄스광원과 투용광학계와의 광의 경로 사이에 설치되고 그 위에 상기 마스크가 언쳐져야 할 홀더와, 상기 홀더를 이동시키는 제1드라이버와, 상기 스테이지를 상기 홀더의 이동방향과 반대방향으로 이동시키는 제2드라이버와, 펄스광원과 투영광학계와의 광의 경로 사이에 설치된 광분리 소자와, 상기한 펄스광원과 상기 광분리 소자 사이의 광의 경로 사이에 설치되고 가변의 감광율을 갖는 광 감쇠기로서 상기 광 감쇠기는 복수의 광학필터를 갖고, 상기한 광분리 소자로 반사된 광을 검출하는 광검출기와, 상기한 제1 및 제2드라이버가 구동되어 있는 제1의 기간에 있어서 상기 광학 필터 중의 1개가 광의 경로내에 위치하도륵 광 감쇠기를 제어함과 함께 제1의 기간에 있어서 광검출기로부터의 출력의 적산치가 제1의 값으로 될 때까지 펄스 광원을 구동하기 위한 트리거 신호를 펄스광원에 입력하고, 제1 및 제2드라이버가 구동되고 있는 제2의 기간에 있어서 광학 필터중의 별도의 것이 상기 광의 경로내에 위치하도록 상기 광 감쇠기를 제어함과 함께 제2의 기간에 있어서 상기 광 검출기로부터의 출력의 적산치가 제2의 값으로 될 때까지 상기 펄스광원을 구동하기 위한 트리거 신호를 상기 펄스광원에 입력하는 노광 콘트롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 드라이버를 제어하는 스테이지 콘트롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제2항에 있어서, 상기 스테이지 콘트롤러는 제1의 기간에 있어서 상기 홀더가 제l방향으로 이동하도록 상기 제1드라이버를 제어하고 상기 제2의 기간에 있어서 상기 홀더가 상기 제1방향과 반대방향으로 이동하도록 상기 제1드라이버를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제2항에 있어서, 상기 스테이지 콘트롤러는 상기 제1의 기간에 있어서 상기 홀더가 일정한 속도로 이동하도록 상기 제1드라이버를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제4항에 있어서, 상기 스테이지 콘트롤러는 상기 제1의 기간에 있어서 상기 스테이지가 일정한 속도로 이동하도륵 상기 제2드라이버를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 제5항에 있어서, 상기 홀더의 이동속도와 상기 스테이지의 이동속도는 VS=βVR를 만족시키며 여기에서, VR는 상기 홀더의 이동속도, VS는 상기 스테이지의 이동속도, β는 상기 투영광학계의 축소배율인 것을 특징으로 하는 노광장치.
- 노광방법에 있어서, 광원에서 펄스광을 출사시키는 공정과, 제1의 기간에 있어서 그 펄스광의 에너지를 제1의 감광율로 감광하는 공정과, 상기 제1의 기간에 있어서 마스크 위에 상기 제1의 감광율로 감광된 그 펄스광을 조사하는 공정과, 상기 제1의 기간에 있어서 마스크를 제1방향으로 이동시키면서 포토 레지스트가 그 위에 도포된 대상물을 상기 제1방향과 반대의 제2방향으로 이동시키는 공정과, 상기 제1기간에 있어서 그 펄스광의 일부를 검출하는 공정과, 제2의 기간에 있어서 펄스광의 에너지를 제2의 감광율로 감광하는 공정과, 상기 제2기간에 있어서 상기 마스크상에 상기 제2감광율로 감광된 그 펄스광을 조사하는 공정과, 상기 제2의 기간에 있어서 마스크를 상기 제2방향으로 이동시키면서 상기 대상물을 상기 제1방향으로 이동시키는 공정과, 상기 제2의 기간에 있어서 그 펄스광의 일부를 검출하는 공정을 포함하고, 여기에서 상기 제1의 기간에 있어서 검출된 그 필스광의 일부의 적산치가 제1의 값으로 될 때까지 광원은 그 펄스광을 출사하고 상기 제2의 기간에 있어서 검출된 그 펄스광의 일부의 적산치가 제2의 값으로 될 때까지 상기 광원은 그 펄스광을 출사하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
- 노광용 광원에서 사출된 조명광으로 전사용의 패턴이 형성된 마스크를 조명하고 상기 조명광을 근거로 상기 마스크의 패턴을 감광성 기판위에 전사노광하는 노광장치로 상기 기판에 대한 상기 조명광의 노광량을 제어하는 노광량 제어방법에 있어서, 상기 노광용 광원과 상기 마스크 사이에 상기 조명광의 조도를 복수단계로 감쇠시키는 감쇠율 가변의 광학필터를 설치하고, 그 광학필터의 감쇠율을 오픈 루프 제어로 절환하므로서 상기 기판위에서의 상기 조명광의 조도를 제어하는 것으로서, 상기 광학필터에서의 감쇠율을 절환한 때에 상기 마스크의 패턴의 전사면 위에서의 조명광의 조도를 계측하고 상기 계측결과에 의거해서 상기 기판에 대한 조명광의 노광량을 제어하는 것을 특징으로 하는 노광량 제어방법.
- 펄스광원으로부터 사출되는 노광용의 펄스 조명광의 기초에서 마스크위의 패턴의 일부를 감광성의 기판위에 투사한 상태에서 상기 마스크 및 상기 기판을 동기해서 주사하므로서 상기 기판 위에 상기 마스크의 패턴을 차츰 전사 노광하는 주사형 노광장치로 상기 기판에 대한 상기 펄스 조명광의 노광량을 제어하는 노광량 제어방법에 있어서, 상기 펄스 광원에 대해서 발광트리거 신호가 공급되고서부터 상기 펄스 광원이 발광할 때까지의 발광 지연 시간에 따라 상기 펄스 조명광에 의한 상기 기판위의 노광영역과 상기 기판과의 주사방향의 상대위치에 잔류편차를 가하는 것을 특징으로 하는 노광량 제어방법.
- 펄스광원에서 사출되는 노광용의 펄스조명광에 기초하여 마스크위의 패턴의 일부를 감광성 기판위에 투사한 상태로 상기 마스크 및 상기 기판을 동기해서 주사하므로서 상기 기판위에 상기 마스크의 패턴을 차츰 전사노광하는 주사형 노광장치로 상기 기판에 대한 상기 펄스 조명광의 노광량을 제어하는 노광량 제어방법에 있어서, 상기 펄스 광원에 대해서 발광 트리거 신호가 공급되고서부터 상기 펄스 광원이 발광할 때까지의 발광지연시간에 따라 상기 펄스 광원에 대해서 공급되는 상기 발광 트리거 신호의 타이밍 잔류편차를 가하는 것을 특징으로 하는 노광량 제어방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100883248B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2009-02-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 조건 산출 방법 및 노광 조건 산출 프로그램을저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3360760B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | 露光量むらの計測方法、並びに露光方法及び露光装置 |
JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 2005-11-02 | 株式会社ニコン | 走査露光装置 |
US5883701A (en) * | 1995-09-21 | 1999-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning projection exposure method and apparatus |
WO1997037282A1 (en) * | 1996-04-01 | 1997-10-09 | Asm Lithography B.V. | Scanning-slit exposure device |
JPH09320945A (ja) | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Nikon Corp | 露光条件測定方法及び露光装置 |
US6538723B2 (en) | 1996-08-05 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Scanning exposure in which an object and pulsed light are moved relatively, exposing a substrate by projecting a pattern on a mask onto the substrate with pulsed light from a light source, light sources therefor, and methods of manufacturing |
JPH10116766A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6031597A (en) * | 1996-10-15 | 2000-02-29 | Knirck; Jeffrey G. | Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning |
JPH10229038A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Nikon Corp | 露光量制御方法 |
US6268904B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
US6141081A (en) * | 1997-08-08 | 2000-10-31 | Cymer, Inc. | Stepper or scanner having two energy monitors for a laser |
JPH11251239A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-09-17 | Nikon Corp | 照度分布計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JP2001085313A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法 |
AU3640601A (en) * | 1999-11-03 | 2001-05-14 | New Focus, Inc. | Control for piezoelectric actuator |
US6236426B1 (en) * | 2000-01-25 | 2001-05-22 | Eastman Kodak Company | Apparatus for laser marking indicia on a photosensitive web |
US7508487B2 (en) * | 2000-06-01 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1160627A3 (en) * | 2000-06-01 | 2004-08-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP3472249B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2003-12-02 | キヤノン株式会社 | 複数の光源を使用する照明装置、照明制御装置及び方法、並びに、露光装置 |
US7283208B2 (en) * | 2001-02-14 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of manufacturing a device, and device manufactured thereby |
US6501534B1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated periodic focus and exposure calibration of a lithography stepper |
JPWO2002103766A1 (ja) * | 2001-06-13 | 2004-10-07 | 株式会社ニコン | 走査露光方法及び走査型露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7001481B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-02-21 | Micron Technology, Inc. | Method and system providing high flux of point of use activated reactive species for semiconductor processing |
US6730367B2 (en) | 2002-03-05 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition method with point of use generated reactive gas species |
JP4652667B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 面位置計測方法及び走査型露光装置 |
KR100606932B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조용 노광 장치 및 방법 |
JP5064851B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2009302399A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
CN105229535B (zh) * | 2013-05-20 | 2017-09-15 | Asml荷兰有限公司 | 控制辐射源和包括辐射源的光刻设备的方法 |
JP6778018B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-10-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4908656A (en) * | 1988-01-21 | 1990-03-13 | Nikon Corporation | Method of dimension measurement for a pattern formed by exposure apparatus, and method for setting exposure conditions and for inspecting exposure precision |
JP2569711B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 露光制御装置及び該装置による露光方法 |
US5191374A (en) * | 1988-11-17 | 1993-03-02 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus |
US5343270A (en) * | 1990-10-30 | 1994-08-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5097291A (en) * | 1991-04-22 | 1992-03-17 | Nikon Corporation | Energy amount control device |
JPH0620924A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Nikon Corp | レーザ光源を用いた処理装置 |
US5291240A (en) * | 1992-10-27 | 1994-03-01 | Anvik Corporation | Nonlinearity-compensated large-area patterning system |
JP3235078B2 (ja) * | 1993-02-24 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 |
JPH06260384A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-16 | Nikon Corp | 露光量制御方法 |
JP3296448B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2002-07-02 | 株式会社ニコン | 露光制御方法、走査露光方法、露光制御装置、及びデバイス製造方法 |
JPH06302491A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Nikon Corp | 露光量制御装置 |
US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP2862477B2 (ja) * | 1993-06-29 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 |
JP3093528B2 (ja) * | 1993-07-15 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
US5677757A (en) * | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5777724A (en) * | 1994-08-24 | 1998-07-07 | Suzuki; Kazuaki | Exposure amount control device |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP29947895A patent/JP3617558B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-29 US US08/623,779 patent/US5659383A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-03 KR KR1019960037951A patent/KR970028862A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-08-15 US US08/914,801 patent/US5929977A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100883248B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2009-02-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 조건 산출 방법 및 노광 조건 산출 프로그램을저장하고 있는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5929977A (en) | 1999-07-27 |
JP3617558B2 (ja) | 2005-02-09 |
US5659383A (en) | 1997-08-19 |
JPH09148216A (ja) | 1997-06-06 |
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