JPH0322407A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH0322407A
JPH0322407A JP1155820A JP15582089A JPH0322407A JP H0322407 A JPH0322407 A JP H0322407A JP 1155820 A JP1155820 A JP 1155820A JP 15582089 A JP15582089 A JP 15582089A JP H0322407 A JPH0322407 A JP H0322407A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
light
mirror
light source
controlling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1155820A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuto Go
郷 勝人
Tsunesaburo Uemura
植村 恒三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP1155820A priority Critical patent/JPH0322407A/ja
Publication of JPH0322407A publication Critical patent/JPH0322407A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、パルス発光する露光光源、例えばエキシマレ
ーザを備えるとともに、この露光光における照度均一化
と露光量制御とのための機構を備えた露光装置に関する
[従来の技術] LSI製造等に用いられる露光装置において露光光とし
てレーザ光を用いた場合、レーザ光の持つ可干渉性によ
り、照射面上にスペックルと呼ばれる照度ムラ(干渉パ
ターン)を発生する場合がある。.この照度ムラは、半
導体素子製造におけるパターン線幅コントロールに悪影
響を与える。
このスペックルを低減させる手段として、照明光学系中
に振動くラーを設け、これを一定周期で変位させてレー
ザ光路を少しずつ移動することにより、レーザ光の空間
コヒーレンシーを見かけ上低減させる技術が知られてい
る。例えば、エキシマレーザのようなパルス光源では、
こうしてレザ光路を移動させながらパルス発光を行うこ
とに1 ?にに■ 2 より、各パルス発光で発生するスペックルパターンがず
れて重なり、複数回のパルス発光の後に゛照射面上の積
算照度が平滑化される。
この振動ミラーの駆動方法には、オープンループ制御に
よる駆動方法とクローズドルーブ制御による駆動方法が
ある。
ここで、オープンルーブ制御による駆動方法とは、振動
くラーを位置センサを用いることなしに変位させる方法
である。ここで、光源のパルス発光時期は、振動ミラー
の変位周期やレーザの最大繰り返し周波数等を考慮して
予め適正に設定さ−れる。また、クローズドループ制御
による駆動方法とは、光源を適当な周波数でパルス発光
させるとともに、振動ミラーの変位量を位置センサによ
り検出することにより振動くラーを所定の変位量に位置
決めし、これに同期させて光源のパルス発光を行う方法
である。
[発明が解決しようとする課題コ ここで述べた、振動ミラーを一定周期で変位させる方法
は、照射面上の積算照度の平滑化に対し効果を持つ。し
かし、この種の用途に使われる振動くラーの振幅はわず
かなものであり、この小さな振幅中に多数回のパルス発
光時期が設定されるから、これらの方法では実用上の問
題を残す。すなわち、オープンルーブ制御による駆動方
法では振動ミラーの変位が、振動なラー駆動素子への指
令入力値に対して線形(リニア)でなかったり、ヒステ
リシスを持つ場合、振動亙ラーの振幅中での発光位置の
分布が偏り易いため、照射面上の積算照度が十分に平滑
化されない。
また、クローズドルーブ制御による駆動方法では、位置
センサの検出信号をフィードバックして振動主ラーを目
標位置に位置決めすることに時間を要するため、光源の
発光周波数を高く設定できない。例えば、エキシマレー
ザが今後、より高い周波数でパルス発光できるようにな
っても、この高い周波数を生かせない。すなわち、装置
のスルブットの向上を制限してしまう。
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、ス
ペックル移動手段とその制御手段とをより簡素に構成す
るとともに、より効率的に照射面上の積算照度を平滑化
させる。すなわち、より均一な露光作業を可能とする露
光装置を提供することを目的とする。
[iJl!題を解決するための手段] 本発明に係る露光装置は、可干渉性の露光光をパルス発
光する光源と、露光光をマスク上に照射する照明光学系
とを備え、マスクのマスクパターンを露光光の複数回の
照射により被露光体上に転写する露光装置において、 露光光により被露光体上に発生するスペックルパターン
の位置を周期的に移動させる走査を行う移動手段と、 移動手段によるスペックルパターンの走査位置を検出す
る位置検出手段と、 スペックルパターンの走査における所定の目標位置にお
いて光源がパルス発光するように、位置検出手段により
検出された走査位置に従って光源のパルス発光時期を制
御する制御手段とを備える。
[作用] 本発明に係る露光装置において、外部トリガ方式の光源
は、可干渉性のパルス光を露光光として発生する。また
、照明光学系が露光光をマスク上に導き照射する。これ
により、マスクのマスクパターンが被露光体上に転写さ
れる。また、1回の露光転写には、露光光の複数(数十
以上)のパルスがマスクに照射されて行われる。このと
き、可干渉性の露光光は、被露光体上にスペックルパタ
ーン(例えば、一次元の干渉縞)を発生してしまう。
本発明に係る露光装置の移動手段は、スペックルパター
ンの発生位置を被露光体上で周期的に移動させる走査を
行う。また、位置検出手段は、例えば移動手段の変位を
検出することにより、スペックルパターンの走査位置を
検出する。
本発明に係る露光装置において、制御手段は、予め定め
られたスペックルパターンの走査における所定の目標位
置において光源をパルス発光させる。すなわち、位置検
出手段により検出された走査位置と目標位置とを比較し
、一致したときに光源に対し発光トリガを出力する。
[発明の実施例コ 本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本実施例の露光装置であり、レチクル(マス
クと同義)Rのパターンを、被露光体であるウェハWに
転写する。また、露光光の被照射面上に現れるスペック
ルパターンは、所定周期で振動する振動ミラー3により
走査される。
第2図は、第1図に示す実施例の露光装置におけるバル
スレーザ光源1の制御の様子を示すブロック図である。
ここで、制御手段は、トリガ制御部11とコントローラ
7とからなり、バルスレザ光源1は、トリガ制御部11
からトリガ信号を受けてレーザ光(露光光)を発生し、
振動ミラー3(スペックルの移動手段)は、露光動作を
制御するコントローラ7からのミラー制御信号に従って
駆動される。
本実施例は、振動ミラー3の変位量によりスペックルパ
ターンの走査位置が検出される構成で、位置検出部10
(位置検出手段)により振動よラ−3の変位量が検出さ
れてトリガ制御部11にミラー位置信号として送出され
る。従って、トリガ制御部11は、コントローラ7から
の基礎データ(露光条件等)に応じて定められる目標く
ラ−位置とミラー位置信号とを比較して、次々にトリガ
信号をパルスレーザ光源1に送出ずる。
第1図において、ウエハWは、投影レンズ6を介してレ
チクルRと対向する。また、パルスレザ光源1から発射
された露光光は、ビームエクスバンダ2により断面を正
方形に整形された後に振動ミラー3で反射され、プライ
アイレンズ4とコンデンサレンズ5とを介してレチクル
R上の所定領域を照明する。
プライアイレンズ4は、入射光をその断面内で分割して
、コンデンサレンズ5を介して所定領域上で重ね合せる
ことにより露光光の断面密度を均一化させるものである
。しかし、エキシマレーザ光のように完全にインコヒー
レントではなく、ある程度空間的コヒーレンシイーの高
い露光光の場合、プライアイレンズ4を構成する各ロッ
ドレンズから出射する露光光は、互いに交差し合い干渉
してレチクルR面上に明暗の干渉縞パターンを形成する
。そして、レチクルR面上の明暗パターンは、投影レン
ズ6によりウェハWに転写されるから、ウェハW面上で
も同様な干渉縞が発生する。
エキシマレーザは、パルスあたりのエネルギーのばらつ
きが大きく、通常、複数回のパルス発光を重ね合せて積
算エネルギーを平均化させる。これにより、露光量制御
の精度を達成する。
振動ミラー3が固定している場合、複数回のパルス発光
の間ずっと、ウェハ面上の干渉縞パターンも同じ位置に
固定されるから、常に同じ干渉縞パターンが照射重畳さ
れて露光量密度の均一性を損なう。このときの露光量密
度の分布(干渉縞を横切る方向の分布)は、第3図(a
)となった。ウェハ上の露光領域を横切って周期ypの
うねりを持ち、1回のパルス発光によるスペックルパタ
ーンと対応したばらつきを有する。
振動ミラー3の傾きが異なれば、すなわち、フライアイ
レンズ4へのパルス光の入射角が異なれば、1パルスの
発光の毎に周期Ypのうねりのピークが左右にずれるか
ら、例えば、この振動くラーを適正に変位させて各パル
ス発光ごとの露光量ピークをほぼ等間隔で干渉縞を横切
る方向に移動させ、露光終了時に丁度周期Ypだけ移動
するように制御すれば、効率的な露光量分布の平滑化が
達成される。この方式により平滑化されたウェハW上の
露光量分布を第3図(b) に示す。
ウェハW上でスペックルパターンを周期Ypだけ移動す
るための振動ミラー3の変位量ΔMは、照明光学系の構
成と投影レンズとにより異なった値となるが、振動ミラ
ー3を一定量変位させて露光量分布をとる実験により容
易に測定される(例えば、ウェハステージ上に設けた撮
像素子により干渉縞を撮像して、そのピッチを求める等
)。また、周期Ypのスペックルパターン移動に対し、
露光量分布の平滑化のために最低限必要なパルス発光回
数n winは、パルス発光回数nを適当に設定して同
様な露光量分布をとる実験により測定される。つまり、
発光回数n〉最低発光回数n mlnの場合であれば、
照度分布上のリップルを抑えた露光が可能である。
コントローラ7は、予め測定された変位量ΔMと、必要
な露光量に対応するパルス発光回数nとから、次式によ
り1パルス発光あたりのミラー変位量Δmを算出してト
リガ制御部11に発光スレッショルドレベルとしてn個
の目標くラー変位位置mを設定する。
Δm=ΔM+n m=Δmxl、ΔmX2、・・・Δmxn一方、コント
ローラ7は、所定のプログラムに従ってドライバ8にく
ラー制御信号を送出し、ドライバ8は、この制御信号を
増幅してくラー駆動素子である圧電素子9に印加する。
振動ミラー3は、この印加電圧に応じて変位する。
振動ミラー3の変位は、振動くラー3に取り付けられた
静電容量式センサ等の位置検出部10によりモニタされ
、くラ−位置信号としてトリガ制御部11に送出される
。トリガ制御部11は、前述のn個の目標ミラー変位位
置mと稟ラ−位置信号とを比較し、一致した瞬間に、バ
ルスレーザ光源1に発光トリガを送出する。こうして、
n個の目Satラー変位位置mにおいてパルス発光が行
われて照射面上の積算露光量分布が平滑化される。
第4図は、振動ミラー3の一駆動例で、コントローラ7
は、単純増加または単純減少する亙ラー制御信号(第4
図中の破線)を送出し、振動ミラー3は、この制御信号
と、圧電素子9の特性とに応じた変位軌跡(第4図中の
実線)を示す。ここで、圧電素子9は、印加電圧に対し
てリニアな変位を示さず、また、ヒステリシスを有する
から、それぞれのパルス発光の行われる時期1,〜t1
〜1nは、正確には等間隔ではない。
しかしながら、予め測定した圧電素子9の非線形な特性
を考慮して、それを補正して線形にするような制御信号
をコントローラ7から送出させ、第4図中、点線で示さ
れるような線形な振動くラー3駆動を行うことも可能で
ある。このとき、各パルス発光の行われる一時期t1〜
1,〜tllは等11 l 2 間隔となるため、その間隔をレーザの最小発光周期に近
ずけることでスループットを低下させることなく露光量
分布を平滑化させることができる。
第5図は、振動くラー3の別の駆動例で、振動くラー3
は不連続な階段状の変位軌跡を持つ。
本駆動例は、各階段ステップの立ち上がり間隔を揃えれ
ば、各パルス発光の間隔が揃うという特徴がある。コン
トローラ7は、圧電素子9のヒステリシス特性を加味し
て制御信号を出力し、各階段ステップの立ち上がり、も
しくは立ち下がり整定時には必ず次の目itラー変位位
置mを横切っていて(オーバシュート、アンダーシュー
トに左右されない)、また、立ち上がりの間隔をパルス
レーザ光源1の最小発光周期近くに設定することにより
、パルスレーザ光源1の最大発光周波数を用いた効率的
な露光が可能となる。
以上のように本実施例によれば、被照射面で発生するス
ペックル、特に1次元や2次元の干渉縞のように一定の
周期を持ったものに対して、その1周期内で干渉縞を一
定微小量ずつ移動させることにより、複数回のパルス発
光による平滑化を、ランダムに干渉縞を移動させる場合
に比べ格段に効率良く行うことが可能である。ここで、
位置決め制御系は簡素な構成であり、露光装置のスルー
プットも低下しない。
本実施例の露光装置は、この露光量分布の平滑化機構と
光量検出系等を持つ露光量制御機構とを組み合わせるこ
とにより、所望の露光量を所望の均一性で照射面上に制
御することが可能である。
[発明の効果] 本発明に係る露光装置においては、可干渉性の露光光を
用いることにより被露光体上に発生するスペックルパタ
ーンを移動手段により周期的に移動させるから、被露光
体上における積算の露光量分布は平滑化される。
また、1回の露光転写に必要な複数回の露光光のパルス
照射は、スペックルパターンの走査において予め定めら
れた複数個の目標位置で行われるから、毎回の露光転写
においてスペックルパターン低減の効果が再現性高く得
られる。ここで、目欅位置は、スペックルパターンの移
動による積算露光量分布の平滑化が最適に行われるよう
に設定されるから、被露光体上に発生するスペックルパ
ターンの影響を最小にできる。
本発明に係る露光装置においては、制御手段が予め定め
られたスペックルパターンの目標位置において光源をパ
ルス発光させる構成、すなわち、基本的に光源だけが制
御される構成である。従って、移動手段や位置検出手段
の構成と動作とは、相当に自由な選択が可能で、簡略な
ものを選択して高速度な走査を行わせることが可能であ
る。これにより、光源の高い周波数でのパルス発光にも
容易に対応できる。
本発明に係る露光装置は、位置検出手段により検出され
たスペックルの走査位置と目標位置とを比較し、一致し
たときに光源に対し発光トリガを出力するという極めて
単純な動作により、これらの効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例の投影露光装置の概略な構成
を示す模式図である。 第2図は、本発明の実施例の投影露光装置における光源
の制御を説明する模式図である。 第3図は、本発明の実施例の投影露光装置における振動
ミラー3の効果を示し、(a)は、振動ミラー3固定時
の露光量分布の線図、(b)は、振動主ラー3動作時の
露光量分布の線図である。 第4図は、本発明の実施例の投影露光装置における振動
ミラー3の作動例を示す、振動くラー3軌跡の線図であ
る。 第5図は、本発明の実施例の投影露光装置における振動
ミラー3の別の作動例を示す、振動ミラー3軌跡の線図
である。 [主要部分の符号の説明コ 1・・・パルスレーザ光源 3・・・振動ミラー4・・
・フライアイレンズ 5・・・コンデンサレンズ7・・
・コントローラ   10・・・位置検出部11・・・
トリガ制御部  R・・・レチクルW・・・ウエハ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 可干渉性のパルス光を露光光として発生する光源と、前
    記露光光をマスク上に照射する照明光学系とを備え、前
    記マスクのマスクパターンを前記露光光の複数回の照射
    により被露光体上に転写する露光装置において、 前記露光光により前記被露光体上に発生するスペックル
    パターンの位置を周期的に移動させる走査を行う移動手
    段と、 前記移動手段による前記スペックルパターンの走査位置
    を検出する位置検出手段と、 前記スペックルパターンの前記走査における所定の目標
    位置において前記光源がパルス発光するように、前記位
    置検出手段により検出された前記走査位置に従って前記
    光源のパルス発光時期を制御する制御手段とを備えたこ
    とを特徴とする露光装置。
JP1155820A 1989-06-20 1989-06-20 露光装置 Pending JPH0322407A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1155820A JPH0322407A (ja) 1989-06-20 1989-06-20 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1155820A JPH0322407A (ja) 1989-06-20 1989-06-20 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0322407A true JPH0322407A (ja) 1991-01-30

Family

ID=15614201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1155820A Pending JPH0322407A (ja) 1989-06-20 1989-06-20 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0322407A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1172905A (ja) * 1997-06-27 1999-03-16 Toshiba Corp フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法
US6849363B2 (en) 1997-06-27 2005-02-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2016188953A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社ニコン 照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2017122751A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1172905A (ja) * 1997-06-27 1999-03-16 Toshiba Corp フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法
US6849363B2 (en) 1997-06-27 2005-02-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device
US7070889B2 (en) 1997-06-27 2006-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device
US7378201B2 (en) 1997-06-27 2008-05-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for repairing a photomask, method for inspecting a photomask, method for manufacturing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2016188953A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社ニコン 照明光学系、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2017122751A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10261421B2 (en) Controller for optical device, exposure method and apparatus, and method for manufacturing device
JP2569711B2 (ja) 露光制御装置及び該装置による露光方法
JP2006128732A (ja) リソグラフィ走査露光投影装置
KR0163972B1 (ko) 노광장치 및 이를 이용한 마이크로디바이스 제조방법
USRE37309E1 (en) Scanning exposure apparatus
US6268906B1 (en) Exposure apparatus and exposure method
US20010035945A1 (en) Exposure method, exposure apparatus and device producing method
US5677754A (en) Scanning exposure apparatus
KR102389918B1 (ko) 펄스형 광 빔의 스펙트럼 특성 선택 및 펄스 타이밍 제어 기술
JPS63110722A (ja) 露光照明装置
JPH0322407A (ja) 露光装置
US5567928A (en) Scanning exposure apparatus and method including controlling irradiation timing of an irradiation beam with respect to relative movement between the beam and a substrate
JP3387073B2 (ja) 走査型露光装置
JP3282167B2 (ja) 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JP2773117B2 (ja) 露光装置及び露光方法
US7023885B1 (en) Laser apparatus and method for controlling the same
JPS63235912A (ja) 光学装置
JP2881062B2 (ja) 基板の位置合わせ方法およびその装置
TWI847015B (zh) 曝光裝置以及曝光方法
JPH03179357A (ja) 露光制御装置、露光装置及び方法
TW202208997A (zh) 曝光裝置以及曝光方法
KR20230005621A (ko) 마스크리스 리소그래피 시스템
JPH08236439A (ja) エネルギー量制御装置、方法および該装置を用いた 露光装置、方法
JP2006190776A (ja) 描画装置
JPH0793252B2 (ja) 露光装置